CN104342623B - 溅射装置以及用其形成薄膜的方法 - Google Patents

Abstract

提供了一种溅射装置。该溅射装置包括：壳体；可旋转地布置在壳体上的旋转支架；布置在旋转支架上的目标单元；布置在目标单元内的磁体单元，该磁体单元能够相对于旋转支架进行相对移动；以及布置在旋转支架与磁体单元之间和/或壳体与磁体单元之间以沿着磁体单元的长度方向驱使磁体单元的施力单元。

Description

溅射装置以及用其形成薄膜的方法

相关申请

本申请要求2013年7月25日提交到韩国知识产权局的第10-2013-0088079号韩国专利申请的权益，该申请公开的全文通过引用并入本文。

技术领域

本发明的一个或多个实施方式涉及溅射装置以及使用该溅射装置形成薄膜的方法。

背景技术

半导体器件、显示装置和其他电子器件包括多个薄膜。多个薄膜可以使用多种方法形成。沉积方法是其中之一。

例如，沉积方法包括溅射方法、化学气相沉积(CVD)方法、原子层沉积(ALD)方法和多种其他沉积方法。

显示装置的有机发光显示装置具有宽视角、高对比度和快响应速度。因此，有机发光显示装置作为次世代显示装置而备受瞩目。

有机发光显示装置包括中间层，该中间层包括位于彼此相对的第一电极与第二电极之间的有机发光层以及至少一个薄膜。此处，溅射工艺可以用于形成有机发光显示装置的薄膜。

在执行溅射工艺时，在目标与基板之间可能发生等离子体放电。因此，将很难确保等离子体放电特性的均匀性。

随着对具有大尺寸和高分辨率的有机发光显示装置的需求增加，需要有机发光显示装置的薄膜中的均匀特性。然而，在使用溅射工艺形成薄膜时，因为很难保持等离子体放电特性，形成具有所需特征的薄膜受到限制。

发明内容

本发明的一个或多个实施方式包括能够在操作期间固定磁体单元的位置并且形成均匀膜的溅射装置以及通过使用该装置形成薄膜的方法。

其他方面将被部分地记载于下面的描述中，部分将从描述而显现或者通过提出的实施方式的实践而学到。

根据本发明的一个或多个实施方式，溅射装置包括：壳体；旋转支架，可旋转地布置在壳体上；目标单元，布置在旋转支架上；磁体单元，布置在目标单元内，该磁体单元能够相对于旋转支架进行相对移动；以及施力单元，布置在旋转支架与磁体单元之间和/或壳体与磁体单元之间以沿着磁体单元的长度方向驱使磁体单元。

壳体可以包括第一壳体；以及第二壳体，布置成与第一壳体相对。

磁体单元可以具有相对于第一旋转支架可进行相对转动的一个端部和固定到第二壳体的另一个端部。

第二壳体可以包括：第一板，磁体单元被插入并固定到该第一板，该第一板被插入到第二旋转支架中；第二板，连接到第一板以围绕第二旋转支架；以及第三板，布置成围绕第二板。

溅射装置还可以包括：第一密封部件，布置在第一板与第二旋转支架之间。

溅射装置还可以包括：第二密封部件，布置在第二旋转支架与第二板之间。

溅射装置还可以包括：背管，以固定目标单元和旋转支架。

施力单元可以包括：接触部分，与磁体单元接触；以及弹性部分，布置在旋转支架内以驱使接触部分。

施力单元可以包括：第一施力单元，与磁体单元接触以沿着第一方向施加第一力到磁体单元；以及第二施力单元，布置成与第一施力单元相对以沿着不同于第一方向的第二方向施加不同于第一力的第二力到磁体单元。

第一力可以大于第二力。

第一方向与第二方向可以彼此相反。

溅射装置还可以包括：减摩单元，布置在磁体单元与旋转支架之间。

减摩单元可以在磁体单元与旋转支架相对于彼此进行相对移动时减少磁体单元与旋转支架之间的摩擦力。

至少一个减摩单元可以被布置在磁体单元的底表面上。

根据本发明的一个或多个实施方式，溅射装置包括：壳体；旋转支架，可旋转地布置在壳体上；目标单元，布置在旋转支架上；磁体单元，布置在目标单元内，该磁体单元能够相对于旋转支架进行相对移动；以及减摩单元，布置在旋转支架与磁体单元之间。

减摩单元可以在磁体单元与旋转支架相对于彼此进行相对移动时减少磁体单元与旋转支架之间的摩擦力。

至少一个减摩单元可以被布置在磁体单元的底表面上。

根据本发明的一个或多个实施方式，用于形成薄膜的方法包括：将基板装载到腔室中；以及在目标单元被布置在腔室内以与基板相对并且目标单元内的磁体单元被固定时，在转动目标单元的同时将沉积材料沉积在基板上，其中在施力单元从磁体单元的至少一个单元沿着目标单元的长度方向驱使磁体单元时，执行沉积材料在基板上的沉积。

附图说明

通过结合附图的以下实施方式的描述，这些和/或其他方面将变得明确并且更加易于理解，在附图中：

图1为根据本发明实施方式的溅射装置的示意性透视图；

图2为图1沿着II-II线截取的剖视图；

图3为图1沿着III-III线截取的剖视图；

图4为图1沿着IV-IV线截取的剖视图；

图5为使用图1的溅射装置制造的有机发光显示装置的示意性剖视图；以及

图6为图5的区域F的放大视图。

具体实施方式

现在将对在附图中示出的实施方式、示例进行详细说明。然而，本发明可以以不同方式实施，并且不应当被解释为限制于本文中所阐述的实施方式。相反，提供了这些实施方式以便本公开将是彻底和完整的，并且将会把本发明的范围充分地传达给本领域的普通技术人员。此外，本发明仅仅是由权利要求书的范围所限定。在下面的描述中，术语仅仅被用于说明具体的示例性实施方式同时并不限制本发明。除非另有相反表述，则单数形式的用语可以包括复数形式。本文中所用的用语“包含”、“包括”、“包含有”和“包括有”具体指定部件、工艺、操作和/或元件而不是排除其他部件、工艺、操作和/或元件。将理解虽然用语“第一”和“第二”被用于本文中以描述多种元件，但是这些元件不应当受到这些用语的限制。这些用语仅仅是用于区分一个部件与其他部件。如本文所用，用语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任意和所有组合。当如“至少一个”的表述在一列元件之前时，是修饰整列的元件而不是修饰列中的单个元件。

图1为根据本发明实施方式的溅射装置100的示意性透视图，图2为图1沿着II-II线截取的剖视图，图3为图1沿着III-III线截取的剖视图，以及图4为图1沿着IV-IV线截取的剖视图。

参照图1至图4，溅射装置100可以包括：具有沉积空间的腔室110，基板S被布置在该空间中以在基板S上执行沉积工艺；牢固地布置在腔室110上的壳体120；可旋转地布置在壳体120上的旋转支架130；以及布置在旋转支架130上的目标单元140。并且，溅射装置100可以包括：磁体单元150，布置在目标单元140的内轴上并且可相对于旋转支架130进行相对移动；施力单元160，布置在旋转支架130与磁体单元150之间，或者布置在壳体120与磁体单元150之间，或者布置在旋转支架130与磁体单元150之间以及壳体120与磁体单元150之间，以沿着磁体单元150的长度方向驱使磁体单元150。溅射装置100可以包括：用于固定目标单元140和旋转支架130的背管170；以及布置在磁体单元150与旋转支架130之间的减摩单元180。

腔室110可以被连接到泵(未示出)以在沉积工艺中控制压力环境。并且，腔室110可以容纳或保护基板S和目标单元140。并且，腔室110可以包括至少一个入口，基板S通过该入口装载或卸载。虽然图1中仅仅示出腔室110的底表面，但是腔室110可以具有类似于盒的形状。

基板S可以布置在基板支承单元105上。当在基板S上执行沉积工艺时，基板支承单元105可以防止基板S移动或晃动。为此，基板支承单元105可以包括夹具(未示出)。并且，基板支承单元105可以包括至少一个吸附孔(未示出)以吸附基板S。并且，基板支承单元105可以由具有高耐热性和耐久性的材料形成以在沉积工艺过程中防止基板支承单元105受热变形或损坏。

目标单元140可以被布置成与基板S相对。此处，目标单元140可以具有圆柱形状。并且，目标单元140可以被转动以在沉积工艺过程中在基板S上提供沉积材料，由此在基板S上形成沉积膜。为此，目标单元140可以具有大于或等于基板S沿着一个方向的宽度的长度。

目标单元140可以由背板140a支承。背板140a可以具有与具有空心圆柱形状的目标单元140的形状相似的形状。背板140a可以被布置在目标单元140内以支承目标单元140。并且，背板140a可以在沉积工艺过程中均匀保持目标单元140的温度。并且，电力可以通过电源(未示出)施加到背板140a。例如，RF或DC电源的电力可以被施加到背板140a。此处，背板140a可以用作阴极。由此，连接到背板140a的目标单元140可以用作阴极。可选地，可以在不提供背板140a情况下使用目标单元140。在这种情况下，电力可以被施加到目标单元140。在下文中，为了描述的便利，下文中将详细描述背板140a布置在目标单元140内的结构。

磁体单元150可以布置在目标单元140内。此处，磁体单元150可以包括沿着目标单元140的长度方向布置在目标单元内的磁铁支承部分153。并且，磁体单元150可以包括布置在磁铁支承部分153上的磁体部件151。

磁体部件151可以沿着目标单元140的长度方向纵向延伸以平行于目标单元140。此处，在目标单元140被转动以执行沉积工艺期间，磁体部件151和磁铁支承部分153不会被转动。也就是说，磁体部件151和磁铁支承部分153并未连接到目标单元140和背板140a。

磁体部件151生成磁场以控制等离子体放电。例如，磁体部件151可以包括第一磁体部件151a以及布置在第一磁体部件151a两侧的一对第二磁体部件151b。此处，第一磁体部件151a和一对第二磁体部件151b可以被布置成第一磁体部件151a与一对第二磁体部件151b具有彼此相反的极性。由此，由磁体部件151生成的磁场可以被集中到目标单元140的一部分中。其结果为，等离子体放电也可以被集中到目标单元140的一部分中。除了上述结构以外，还可以以多种结构设置磁体部件151。例如，可以设置两个或四个磁体部件151。此处，磁体部件151可以如上所述被布置成彼此平行或者被布置成预定角度。然而，为了描述的便利，将详细描述磁体部件151包括第一磁体部件151a和第二磁体部件151b的如上所述结构。

磁体单元150可以被连接到旋转支架130和壳体120。旋转支架130可以包括第一旋转支架131和第二旋转支架133。并且，壳体120可以包括第一壳体121和第二壳体123。此处，第一旋转支架131可以被可旋转地布置在第一壳体121上，而第二旋转支架133可以被可旋转地布置在第二壳体123上。第一壳体121和第二壳体123可以被布置成彼此相对。并且，第一旋转支架131和第二旋转支架133可以被布置成彼此相对。

此处，磁体单元150可以对于第一旋转支架131和第二壳体123进行相对移动。详细地，磁铁支承部分153的一个端部可以被插入到第一旋转支架131中。此处，在第一旋转支架131被转动时，磁铁支承部分153可以不被转动。并且，磁铁支承部分153的另一端部可以被插入并固定到第二壳体123。

此处，第二壳体123可以包括插入到第二旋转支架133中的第一板123a，磁体单元150被插入并支承于该第一板123a。第一板123a可以具有弹簧形状以吸收磁体单元150的振动。并且，第二壳体123可以包括连接到第一板123a以围绕第二旋转支架133的第二板123b。第二壳体123可以包括围绕第二板123b的第三板123c。此处，第一板123a至第三板123c可以被连接到腔室110以支承第二旋转支架133。

溅射装置100可以包括布置在第一板123a与第二旋转支架133之间的第一密封部件191。此处，第一密封部件191可以被布置在第一板123a的外表面与第二旋转支架133的内表面之间。详细地，第一密封部件191可以为环形。更详细地，第一密封部件191可以具有水环形状以阻挡湿气。

溅射装置100可以包括布置在第二旋转支架133与第二板123b之间的第二密封部件193。此处，第二密封部件193可以被布置在第二旋转支架133的外表面与第二板123b的内表面之间。详细地，第二密封部件193可以为环形。更详细地，第二密封部件193可以具有真空环形以阻挡空气。

背板140a和目标单元140可以由第二旋转支架133转动。更详细地，第二旋转支架133可以被连接到驱动单元(未示出)，如传动带101以接收驱动力，由此转动背板140a和目标单元140。此处，上述电源(未示出)可以被连接到第二旋转支架133以通过第二旋转支架133施加电力到背板140a。

如上所述，第一旋转支架131和第二旋转支架133分别从背板140a的两端部纵向延伸。然后，第一旋转支架131和第二旋转支架133分别可以由第一壳体121和第二壳体123容纳。并且，背板140a和第一旋转支架131或者背板140a和第二旋转支架133可以通过背管170彼此连接和固定。

背管170可以包括第一背管171和第二背管173。第一背管171将背板140a连接到第一旋转支架131，而第二背管173将背板140a连接到第二旋转支架133。详细地，如上所述，第一背管171和第二背管173可以将目标单元140连接到第一旋转支架131或者将目标单元140连接到第二旋转支架133。然而，本发明并不限于此。例如，在不提供背管170的情况下，背板140a、第一旋转支架131和第二旋转支架133可以彼此成为一体。在下文中，为了描述的便利，将描述第一背管171将背板140a连接到第一旋转支架131，而第二背管173将背板140a连接到第二旋转支架133的结构。

冷却水流入管(未示出)和冷却水排出管(未示出)形成在第二壳体123中。冷却水流入管和冷却水排出管可以被连接到目标单元140内以循环冷却水。由此，可以通过背板140a吸收在溅射工艺过程中从目标单元140生成的热量以均匀保持目标单元140的温度。由此，溅射工艺可以在效率方面得到改善。在下文中，为了描述的便利，将详细描述未设置冷却水流入管和冷却水排出管的结构。

与基板S相对的目标单元140的区域可以被暴露。此处，暴露的区域可以为溅射区域。此处，根据多种实施方式，目标单元140的一部分或者整体可以被暴露。详细地，在只有目标单元140的一部分被暴露时，屏蔽单元(未示出)才可以被布置在目标单元140周围。并且，如果整个目标单元140被暴露时，可以不设置屏蔽单元。

如果屏蔽单元被设置，则屏蔽单元可以是固定的，而不与具有圆柱形状的目标单元140一起转动。由此，目标单元140的溅射区域可以被持续地替换为新的区域。由此，目标单元140可以在使用效率上得到改善并且在工作周期上得到提升。

目标单元140与屏蔽单元之间的距离可以小于离子鞘的厚度。离子鞘可以表示生成在电子周围的离子的空间电荷层。在目标单元140与屏蔽单元之间的距离小于离子鞘的厚度时，屏蔽单元与目标单元140之间不产生放电。由此，可以防止通过发生在除了溅射区域以外的区域上的异常放电而产生的电弧。

如上所述，屏蔽单元可以由导电性材料形成以用作阳极。也就是说，当用于生成等离子体的电压被施加到目标单元140和屏蔽单元时，基板S和腔室110可以被保持在浮动状态。

如果基板S和腔室110被保持在浮动状态，则在由等离子体的出现而生成的负离子和电子被引向阳极时，基板S可以从负离子与电子的移动路径移动开。由此，可以防止由负离子和电子导致基板S受损和电弧的发生。并且，由于基板S保持在浮动状态，即使基板S与目标单元140之间的距离被减少，也可以防止基板S受损。由此，沉积率可以被提升以改善沉积工艺的效率。

然而，为了描述的便利，下文中将详细描述未设置屏蔽单元的结构。

施力单元160包括第一施力单元161和第二施力单元163。第一施力单元161可以被包括在第一旋转支架131内，而第二施力单元163可以被包括在第一板123a内。此处，第一施力单元161和第二施力单元163可以被布置成彼此相对以沿着磁体单元150的长度方向驱使磁体单元150。也就是说，第一施力单元161和第二施力单元163分别可以布置在磁体单元150的两端以沿着磁体单元150的中心方向向磁体单元150的两端施加力。

并且，第一施力单元161和第二施力单元163可以施加彼此不同的力到磁体单元150。详细地，第一施力单元161可以沿着第一方向向磁体单元150施加第一力。并且，第二施力单元163可以沿着第二方向向磁体单元150施加第二力。此处，第一方向与第二方向可以为如上所述的彼此相反的方向。并且，第一力与第二力可以彼此不同。详细地，第一力可以大于第二力。

第一施力单元161和第二施力单元163可以彼此相似。例如，第一施力单元161可以包括第一接触部分161a和第一弹性部分161b，而第二施力单元163可以包括第二接触部分163a和第二弹性部分163b。此处，第一接触部分161a和第二接触部分163a分别可以与磁体单元150的一个端部和另一个端部接触。并且，第一接触部分161a可以被布置在第一旋转支架131内，而第二接触部分163a可以被布置在第一板123a内。第一弹性部分161b和第二弹性部分163b分别可以被插入到第一旋转支架131和第一板123a中。详细地，第一弹性部分161b可以与第一旋转支架131的内表面和第一接触部分161a接触，而第二弹性部分163b可以与第一板123a的内表面和第二接触部分163a接触。

第一弹性部分161b和第二弹性部分163b中的每个可以由多种材料形成。例如，第一弹性部分161b和第二弹性部分163b中的每个可以由弹性材料(例如橡胶或硅)形成。并且，第一弹性部分161b和第二弹性部分163b中的每个可以包括弹簧。详细地，第一弹性部分161b和第二弹性部分163b中的每个可以包括压缩弹簧。然而，为了描述的便利，下文中将详细描述具有压缩弹簧形状的第一弹性部分161b和第二弹性部分163b。

如上所述，减摩单元180可以被布置在磁体单元150与第一旋转支架131之间。详细地，减摩单元180可以在磁体单元150与第一旋转支架131相对于彼此进行相对移动时减少磁体单元150与第一旋转支架131之间的摩擦力。此处，减摩单元180和磁体单元150中的每个可以具有多种形状。例如，减摩单元180可以具有齿轮形状。此处，第一旋转支架131的内侧可以具有内螺纹形状以在第一旋转支架131被转动时转动减摩单元180。并且，减摩单元180除了齿轮形状以外还可以具有辊形状。详细地，减摩单元180可以与第一旋转支架131的内表面接触以在第一旋转支架131被转动时与第一旋转支架131一同转动。此处，本发明并不限于上述减摩单元180。例如，在第一旋转支架131被转动时能够减少第一旋转支架131与磁体单元150之间的摩擦力的多种结构和装置可以被用作减摩单元180。然而，为了描述的便利，下文中将详细描述具有辊形状的减摩单元180。

至少一个减摩单元180可以被布置在磁体单元150的底表面上。详细地，减摩单元180可以包括第一减摩单元181和相对于第一减摩单元181以预定角度倾斜的第二减摩单元183。此处，第一减摩单元181和第二减摩单元183可以在第一旋转支架131被转动时防止磁体单元150与第一旋转支架131一同转动或者减少由于磁体单元150与第一旋转支架131之间的接触而导致的摩擦力。

在下文中，将简单描述溅射装置100的操作和效果。

基板S被装载到溅射装置100的腔室110中。然后，目标单元140被布置成与基板S相对以提供用于在基板S上形成沉积膜的材料。并且，通过注入到腔室110中的等离子化气体激发的微粒可以与目标单元140碰撞，然后，与目标单元140分离的微粒可以到达基板S以形成沉积膜。

详细地，如上述所，在被激发微粒与目标单元140碰撞时，可以操作驱动单元以转动目标单元140。此处，如上所述，驱动单元的驱动力可以通过传动带101传输到第二旋转支架133。根据驱动单元的操作，可以转动第二旋转支架133，并且，也可以转动背板140a。此处，也可以转动连接到背板140a的第一旋转支架131。

此处，因为在转动目标单元140的同时执行沉积工艺，所以可以通过均匀地利用目标单元140的整个表面来执行沉积工艺。由此，目标单元140可以在使用效率方面得到改善以增加目标单元140的工作周期。因此，可以有效地执行使用溅射装置100的沉积工艺。并且，磁体部件151可以布置在目标单元140内以改善基板S上的沉积效率。

如上所述，在转动第一旋转支架131和第二旋转支架133的同时，第一施力单元161和第二施力单元163可以施加第一力和第二力到磁体单元150。详细地，第一施力单元161可以沿着中心方向从磁铁支承部分153的一端部施加第一力，而第二施力单元163可以沿着中心方向从磁铁支承部分153的另一端部施加第二力。

此处，第一弹性部分161b可以具有小于第二弹性部分163b的长度。详细地，储存在第一弹性部分161b的恢复力可以大于储存在第二弹性部分163b中的恢复力。在如上所述第一力和第二力被施加时，磁铁支承部分153无法通过外力改变位置。

详细地，在第一旋转支架131、目标单元140和第二旋转支架133转动时，由于目标单元140和第二旋转支架133的转动和外部环境，目标单元140可以改变位置。并且，布置在目标单元140内的磁体单元150可以改变位置。详细地，在磁体单元150的情况下，插入到第一旋转支架131中的磁铁支承部分153的端部可以从当前位置移动以沿着图3的z方向进行移动。在这种情况下，通过磁体部件151生成的磁场可以变化以改变被激发微粒的路径。

此处，如上所述，第一施力单元161和第二施力单元163可以驱使磁铁支承部分153的两端以防止磁铁支承部分153移动。由此，磁铁支承部分153可以被保持在其初始状态。通过磁体部件151生成的磁场可以沿着磁铁单元150的长度方向均匀地形成。

并且，如上所述，在目标单元140被转动时，磁铁支承部分153与第一旋转支架131可以彼此接触。详细地，通过第一旋转支架131的转动和磁铁支承部分153的装载，磁铁支承部分153可以与第一旋转支架131接触。

如上所述，在磁铁支承部分153随着第一旋转支架131转动而与第一旋转支架131接触时，磁铁支承部分153的一部分可以由第一旋转支架131与磁铁支承部分153之间的摩擦力而磨损。详细地，在磁铁支承部分153的一部分被磨损时，磁铁支承部分153可以被倾斜地布置。此处，由于磁铁支承部分153的倾斜，通过磁体部件151生成的磁场可以改变位置。

此处，减摩单元180可以防止磁铁支承部分153受到由磁铁支承部分153与第一旋转支架131之间的接触而导致的磨损。详细地，如上所述，减摩单元180可以可旋转地布置在磁铁支承部分153上。由此，在第一旋转支架131转动时，减摩单元180也可以转动。磁铁支承部分153可以在第一旋转支架131与磁铁支承部分153相对于彼此进行相对移动时防止第一旋转支架131与磁铁支承部分153的直接接触以及减少摩擦力。

由此，在目标单元140被转动时，溅射装置100可以使布置在目标单元140内的磁体单元150的位置保持固定，由此减少由于磁体单元150的位置变化而导致的磁场变化。此外，溅射装置100可以在膜被形成时通过形成均匀磁场而减少生成的电弧以增加产能利用率。

图5为使用图1的溅射装置100制造的有机发光显示装置的示意性剖视图。图6为图5的区域F的放大视图。

参照图5和图6，有机发光显示装置被布置在基板30上。基板30可以由玻璃材料、塑料材料或金属材料形成。

含有绝缘材料的缓冲层31可以布置在基板30上以在基板30上提供平坦化层并且防止湿气和外来物质渗透到基板30中。

薄膜晶体管(TFT)40、电容器50和有机发光装置60可以布置在缓冲层31上。TFT40可以包括有源层41、栅电极42、源电极43a和漏电极43b。有机发光装置60可以包括第一电极61、第二电极62和中间层63。电容器50可以包括第一电容电极51和第二电容电极52。

详细地，具有预定图案的有源层41可以布置在缓冲层31上。有源层41可以包含如硅的无机半导体材料、有机半导体材料或者氧化物半导体材料，并且p型掺杂或n型掺杂可以被选择性地注入到有源层41中。

栅极绝缘层32可以布置在有源层41上。栅电极42可以布置在栅极绝缘层32上以与有源层41对应。第一电容电极51可以布置在栅极绝缘层32上。第一电容电极51可以由与栅电极42相同的材料形成。

层间绝缘层33可以被布置以覆盖栅电极42。源电极43a和漏电极43b可以布置在层间绝缘层33上以与有源层41的预定区域接触。第二电容电极52可以布置在层间绝缘层33上。第二电容电极52可以由与源电极43a和漏电极43b相同的材料形成。

钝化层34可以布置以覆盖源电极43a和漏电极43b。用于平坦化TFT40的单独的绝缘层可以进一步布置在钝化层34上。

第一电极61可以布置在钝化层34上。第一电极61可以电连接到源电极43a和漏电极43b之一。并且，像素限定层35可以布置在第一电极61上。预定的开口64可以形成在像素限定层35中。然后，包括有机发光层的中间层63布置在由开口64限定的区域内。第二电极62可以布置在中间层63上。

封装层70可以布置在第二电极62上。封装层70可以包含有机或无机材料。可选地，封装层70可以具有有机和无机材料彼此交替层叠的结构。

详细地，可以使用上述溅射装置100形成封装层70。也就是说，在包括第二电极62的基板30被装载到腔室110中之后，可以使用溅射装置100形成所需层。

详细地，封装层70可以包括无机层71和有机层72。无机层71可以包括多个层71a、71b和71c，而有机层72可以包括多个层72a、72b和72c。此处，可以使用溅射装置100形成无机层71的多个层71a、71b和71c。

然而，本发明并不限于此。也就是说，可以使用上述溅射装置100形成如栅电极42、源电极43a、漏电极43b、第一电极61和第二电极62的电极。

并且，可以使用上述溅射装置100形成缓冲层31、栅极绝缘层32、层间绝缘层33、钝化层34、像素限定层35和其他绝缘层。

如上所述，根据本发明的上述实施方式中的一个或多个，磁体单元的移动可以被防止，从而形成均匀磁场，由此改善沉积均匀性。并且根据本发明的实施方式，由于磁体单元的移动而出现的电弧可以被减少，从而改善产能利用率。

应当理解，本文中描述的示例性实施方式应在仅仅被视为描述性含义而不是以限制的目的。每个实施方式中的特征或者方面的描述通常应在被视为可用于其他实施方式中的其他详细特征或方面。

虽然参照附图描述了本发明的一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员应当理解，在不脱离由所附权利要求书限定的本发明的精神和范围的情况下可以在形式和细节上对本发明进行多种改变。

Claims (19)

1.一种溅射装置，包括：

壳体；

旋转支架，可旋转地布置在所述壳体上；

目标单元，布置在所述旋转支架上；

磁体单元，布置在所述目标单元内，所述磁体单元能够相对于所述旋转支架进行相对移动；以及

施力单元，布置在所述旋转支架与所述磁体单元之间和/或所述壳体与所述磁体单元之间以沿着所述磁体单元的长度方向驱使所述磁体单元；

其中，所述磁体单元具有固定到所述壳体的端部。

2.如权利要求1所述的溅射装置，其中，所述壳体包括：

第一壳体；以及

第二壳体，布置成与所述第一壳体相对。

3.如权利要求2所述的溅射装置，其中，所述旋转支架包括：

第一旋转支架，可旋转地布置在所述第一壳体内；以及

第二旋转支架，可旋转地布置在所述第二壳体内。

4.如权利要求3所述的溅射装置，其中，

所述磁体单元具有能够相对于所述第一旋转支架进行相对转动的一个端部和固定到所述第二壳体的另一个端部。

5.如权利要求3所述的溅射装置，其中，所述第二壳体包括：

第一板，所述磁体单元被插入并固定到所述第一板，所述第一板被插入到所述第二旋转支架中；

第二板，连接到所述第一板以围绕所述第二旋转支架；以及

第三板，布置成围绕所述第二板。

6.如权利要求5所述的溅射装置，还包括：

第一密封部件，布置在所述第一板与所述第二旋转支架之间。

7.如权利要求5所述的溅射装置，还包括：

第二密封部件，布置在所述第二旋转支架与所述第二板之间。

8.如权利要求1所述的溅射装置，还包括：

背管，用于固定所述目标单元和所述旋转支架。

9.如权利要求1所述的溅射装置，其中，所述施力单元包括：

接触部分，与所述磁体单元接触；以及

弹性部分，布置在所述旋转支架内以驱使所述接触部分。

10.如权利要求1所述的溅射装置，其中，所述施力单元包括：

第一施力单元，与所述磁体单元接触以沿着第一方向向所述磁体单元施加第一力；以及

第二施力单元，布置成与述第一施力单元相对以沿着不同于所述第一方向的第二方向向所述磁体单元施加不同于所述第一力的第二力。

11.如权利要求10所述的溅射装置，其中，

所述第一力大于所述第二力。

12.如权利要求10所述的溅射装置，其中，

所述第一方向与所述第二方向彼此相反。

13.如权利要求1所述的溅射装置，还包括：

减摩单元，布置在所述磁体单元与所述旋转支架之间。

14.如权利要求13所述的溅射装置，其中

所述减摩单元在所述磁体单元与所述旋转支架相对于彼此进行相对移动时减少所述磁体单元与所述旋转支架之间的摩擦力。

15.如权利要求13所述的溅射装置，其中，

至少一个减摩单元被布置在所述磁体单元的底表面上。

16.一种溅射装置，包括：

壳体；

旋转支架，可旋转地布置在所述壳体上；

目标单元，布置在所述旋转支架上；

磁体单元，布置在所述目标单元内，所述磁体单元能够相对于所述旋转支架进行相对移动；以及

减摩单元，布置在所述旋转支架与所述磁体单元之间；

其中，所述磁体单元具有固定到所述壳体的端部。

17.如权利要求16所述的溅射装置，其中，

所述减摩单元在所述磁体单元与所述旋转支架相对于彼此进行相对移动时减少所述磁体单元与所述旋转支架之间的摩擦力。

18.如权利要求16所述的溅射装置，其中，

至少一个减摩单元被布置在所述磁体单元的底表面上。

19.一种形成薄膜的方法，所述方法包括：

将基板装载到腔室中；以及

在目标单元被布置在所述腔室内以与所述基板相对并且所述目标单元内的磁体单元被固定时，在转动所述目标单元的同时将沉积材料沉积在所述基板上，

其中，在施力单元从所述磁体单元的至少一个端部沿着所述目标单元的长度方向驱使所述磁体单元时，执行所述沉积材料在所述基板上的沉积；

其中，所述磁体单元具有固定到所述腔室的壳体的端部。