TW201504465A

TW201504465A - 沉積設備

Info

Publication number: TW201504465A
Application number: TW103106394A
Authority: TW
Inventors: Ou-Hyen Kim
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2013-07-29
Filing date: 2014-02-26
Publication date: 2015-02-01
Also published as: CN104342620A; KR102169595B1; US20150027875A1; KR20150014313A

Abstract

沉積設備可包含第一基板安裝構件及可重疊於第一基板安裝構件之第二基板安裝構件。沉積設備可進一步包含設置於位在第一基板安裝構件與第二基板安裝構件之間之空間內之濺鍍單元。濺鍍單元可具有第一開口及第二開口。第一開口可被設置比第二開口更靠近第一基板安裝構件。第二開口可被設置比第一開口更靠近第二基板安裝構件。第一組材料及第二組材料可分別經由第一開口與第二開口同時提供。

Description

沉積設備

相關申請案之交互參照

【0001】

本申請案主張於2013年7月29日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2013-0089823號之效益，其全部內容於此併入作為參考。

【0002】

本發明是關於一種沉積設備以及使用沉積設備製造顯示設備之方法。

【0003】

顯示設備可包含用於發射光之發光裝置(例如有機發光裝置)，因而顯示影像。顯示設備可進一步包含密封元件以保護發光裝置免於環境物質如濕氣。密封元件可經由利用沉積設備所執行之一或多個沉積製程而形成。

【0004】

本發明之一或多個實施例可關於一種可伴隨實質上令人滿意之沉積效率之沉積設備。本發明之一或多個實施例可關於一種使用沉積設備來製造顯示設備之方法。

【0005】

本發明之一個實施例可關於一種沉積設備，此沉積設備可包含彼此重疊且被設置以分別支撐第一基板及第二基板之第一基板安裝構件及第二基板安裝構件。沉積設備可進一步包含設置於位在第一基板安裝構件與第二基板安裝構件之間之空間內之濺鍍單元。濺鍍單元可具有第一開口及第二開口。第一開口可被設置比第二開口更靠近第一基板安裝構件。第二開口可被設置比第一開口更靠近第二基板安裝構件。第一組材料及第二組材料分別經由第一開口與第二開口同時提供，而分別朝向第一基板及第二基板。

【0006】

沉積設備可包含下列元件：包含濺鍍單元之反應室；以及設置以相對於反應室與濺鍍單元之至少之一來移動第一基板安裝構件及第二基板安裝構件中至少一個之驅動單元。

【0007】

第一基板安裝構件可具有位於第一基板安裝構件之兩個部分之間之開口。平行於第一座標軸(例如垂直於支撐濺鍍單元之地面表面)之開口寬度係等於或大於濺鍍單元在平行於第一座標軸之方向上(及/或平行於開口之寬度方向上)之長度。

【0008】

第一基板安裝構件之兩個部分在垂直於第一座標軸之方向(及/或垂直於開口之寬度方向)上可不重疊於濺鍍單元。

【0009】

第一基板安裝構件及第二基板安裝構件可被設置以在相對於濺鍍單元之相同方向上同時移動。

【0010】

第一開口可位於濺鍍單元之第一側邊。第二開口可位於濺鍍單元平行於濺鍍單元之第一側邊的第二側邊。第一開口在垂直於濺鍍單元之第一側邊之方向上可重疊及/或可對準於第二開口。

【0011】

沉積設備可包含設置在濺鍍單元之第一側邊與濺鍍單元之第二側邊之間之第一標靶支撐構件及第二標靶支撐構件。第一標靶支撐構件在平行於濺鍍單元之第一側邊之方向上可重疊及/或可對準於第二標靶支撐構件。

【0012】

沉積設備可包含控制單元設置以控制濺鍍單元在平行於第一基板安裝構件之延伸方向及/或平行於面對濺鍍單元之第一基板之表面之方向上之高度。

【0013】

沉積設備可包含下列元件：設置以固定第一基板於第一基板安裝構件上之第一壓板；以及設置平行於第一壓板且設置以固定第二基板於第二基板安裝構件上之第二壓板。

【0014】

沉積設備可包含標靶支撐構件，標靶支撐構件設置於濺鍍單元內部且具有支撐表面設置以接觸可包含第一組材料及第二組材料之標靶。第一壓板可具有設置垂直於支撐表面且設置以接觸第一基板之接觸表面。第一壓板可包含設置垂直於支撐表面且設置以傳送冷卻劑以冷卻第一基板之流通管道。

【0015】

沉積設備可包含連接於第一壓板之流通管道及連接於第一基板安裝構件之連接單元之導管。第一壓板之流通管道可接收通過第一基板安裝構件之連接單元所提供之冷卻劑且可傳送冷卻劑來冷卻第一基板。

【0016】

沉積設備可包含管線，管線可連接於第一基板安裝構件之連接單元，可傳送冷卻劑至第一基板安裝構件之連接單元，且可在第一基板安裝構件相對於濺鍍單元移動時變形。

【0017】

本發明之實施例可關於一種製造顯示設備之方法。此方法可包含下列步驟：設置濺鍍單元於第一顯示單元及第二顯示單元之間，濺鍍單元具有第一開口及第二開口，第一顯示單元被設置於第一基板上，第二顯示單元被設置於第二基板上；以及同時經由第一開口提供第一組材料於第一顯示單元上以及經由第二開口提供第二組材料於第二顯示單元上。

【0018】

第一組材料及第二組材料中至少一個可包含低溫黏性轉變(LVT)無機材料。

【0019】

此方法可包含下列步驟：同時移動第一顯示單元及第二顯示單元於相對於濺鍍單元之相同方向。

【0020】

此方法可包含下列步驟：安裝第一基板於第一基板安裝構件上。第一基板安裝構件可具有位於第一基板安裝構件之兩個部分之間之開口。平行於第一座標軸之開口之寬度等於或大於平行第一座標軸之濺鍍單元的長度。

【0021】

第一基板安裝構件之兩個部分可在垂直於第一座標軸之方向上不重疊於濺鍍單元。

【0022】

此方法可包含下列步驟：安裝第一基板於第一基板安裝構件上；使用壓板以固定第一基板於第一基板安裝構件上；以及經由壓板之流通管道提供冷卻劑以冷卻第一基板。

【0023】

此方法可包含下列步驟：支撐濺鍍單元於地面表面上；以及設置各第一基板及第二基板垂直於地面表面。

【0024】

本發明之實施例可關於一種沉積設備，沉積設備可包含下列元件：反應室；設置於反應室內且彼此重疊之一對基板安裝構件，其中基板可分別安裝於基板安裝構件上；以及設置於基板安裝構件之間之濺鍍單元，其中濺鍍單元可包含下列元件：用於支撐一對標靶使得標靶可彼此面對之一對標靶支撐構件、以及被定向垂直於標靶之第一開口與第二開口，且其中第一開口與第二開口可分別面對基板安裝構件。

【0025】

一對基板安裝構件可被設置垂直於地面。

【0026】

開口可被形成於每一個基板安裝構件，且開口之垂直寬度可等於或大於濺鍍單元之長度。

【0027】

每一個基板安裝構件之邊緣可不重疊於濺鍍單元。

【0028】

此對基板安裝構件可在反應室內之一個方向上移動。

【0029】

濺鍍單元可具有矩形六面體形狀，且第一開口及第二開口可被形成於濺鍍單元之一對平行側邊表面上。

【0030】

一對標靶可被設置於濺鍍單元之另一對側邊表面上。

【0031】

一對標靶可由低溫黏性轉變(LVT)無機材料所形成。

【0032】

濺鍍單元可包含下列元件：用於控制濺鍍單元之高度之控制單元；以及支撐濺鍍單元之其他元件之支撐部。

【0033】

沉積設備可包含用於固定基板位置之壓板。壓板可包含下列元件：冷卻劑可由其流過以冷卻基板之流通管道；冷卻劑可藉其被注入流通管道之注入部；以及冷卻劑可由其從流通管道排出之排出部。

【0034】

本發明之實施例可關於一種沉積設備，沉積設備可包含下列元件：反應室；設置於反應室內且設置垂直於地面之一對基板安裝構件；以及設置於基板安裝構件之間之濺鍍單元。濺鍍單元可具有矩形六面體形狀。濺鍍單元可具有形成於濺鍍單元之一對平行側邊表面上之第一開口及第二開口。第一開口及第二開口可分別面對基板安裝構件。

【0035】

濺鍍單元可包含用於支撐一對標靶之一對標靶支撐構件，使得標靶可彼此面對且可設置垂直於第一開口及第二開口。

【0036】

基板可分別安裝於基板安裝構件上。從標靶提供之兩組材料可通過第一開口及第二開口同時提供且可同時沉積於基板上。

【0037】

沉積設備可包含固定基板位置之壓板。壓板可包含下列元件：冷卻劑可由其流過以冷卻基板之流通管道；冷卻劑可藉其注入流通管道之注入部；以及冷卻劑可由其從流通管道排出之排出部。

【0038】

注入部可通過導管連接於形成在基板安裝構件之一側上之連接部。連接部可連接於連接至冷卻劑槽之管線。此管線可為可撓性。

【0039】

開口可被形成於各基板安裝構件。開口之垂直寬度可等於或大於濺鍍單元之長度。

【0040】

各基板安裝構件之邊緣可不重疊於濺鍍單元。

【0041】

本發明之實施例可關於一種製造如有機發光顯示設備之顯示設備之方法。此方法可包含下列步驟：形成顯示單元於兩個基板之每一個上；設置基板於反應室內使得基板可垂直於地面且可彼此面對；以及形成密封層以密封形成於每一個基板上之顯示單元。密封層可藉由使用濺鍍單元之濺鍍而形成，濺鍍單元可濺鍍包含低溫黏性轉變(LVT)無機材料且彼此相對之一對標靶。濺鍍單元可包含分別對應於基板之第一開口及第二開口。在濺鍍期間，兩子組低溫黏性轉變無機材料可分別穿過第一開口及第二開口，且可同時分別沉積於基板上以覆蓋顯示單元。

【0042】

每一個基板之位置可藉由壓板固定。壓板可具有使冷卻劑流動通過之流通管道，且基板在濺鍍期間可藉由冷卻劑冷卻。

【0043】

每一個基板可被安裝於基板安裝構件上。基板安裝構件之邊緣可不重疊於濺鍍單元。基板安裝構件在濺鍍期間可在反應室內之一個方向上移動。

10‧‧‧顯示設備

20‧‧‧沉積設備

100‧‧‧濺鍍單元

101‧‧‧第一開口

102‧‧‧第二開口

110‧‧‧標靶

120‧‧‧磁場產生單元

130‧‧‧標靶支撐構件

140‧‧‧屏蔽構件

160‧‧‧電力供應單元

170‧‧‧控制單元

180‧‧‧支撐部

200‧‧‧顯示單元

200a‧‧‧薄膜電晶體

200b‧‧‧像素部

212‧‧‧緩衝層

213‧‧‧閘極絕緣膜

214‧‧‧層間絕緣膜

215‧‧‧平坦化膜

216‧‧‧像素定義膜

221‧‧‧主動層

222‧‧‧閘極電極

223a‧‧‧源極電極

223b‧‧‧汲極電極

230‧‧‧接觸孔

231‧‧‧像素電極

232‧‧‧中間層

233‧‧‧相對電極

300‧‧‧密封層

400‧‧‧基板安裝構件

412‧‧‧連接單元

414‧‧‧導管

416‧‧‧管線

420‧‧‧遮罩

500‧‧‧壓板

512‧‧‧注入單元

514‧‧‧排出單元

516‧‧‧流通管道

C‧‧‧反應室

L‧‧‧長度

M‧‧‧移動方向

S‧‧‧基板

P‧‧‧部分

TS‧‧‧距離

【0044】

第1圖係為根據本發明實施例說明例如有機發光顯示設備之顯示設備之剖面示意圖。

【0045】

第2圖係為說明第1圖中所指出之部分P之剖面示意圖。

【0046】

第3圖係為根據本發明實施例說明用來形成如第1圖所示之有機發光顯示設備之密封層的顯示設備之密封層之沉積設備之示意圖。

【0047】

第4圖係為根據本發明實施例說明第3圖中所示之沉積設備之濺鍍單元之剖面示意圖。

【0048】

第5圖係為根據本發明實施例說明第3圖中所示之沉積設備之剖面示意圖。

【0049】

第6圖係為根據本發明實施例說明第3圖中所示之沉積設備之壓板之平面示意圖。

【0050】

本發明之例示性實施例參考附圖來描述，其中相似參考符號可指代相同及/或類似的元件。本發明之實施例可具有不同形式且不應被解釋為限制在本文中之描述。

【0051】

在本文中所用之用詞「及/或」可包含一或多個相關項目之任一及所有組合。當表達式如「至少一」前綴於所列元件時，係修飾整列元件而非修飾列表中之單獨元件。

【0052】

本發明可包含各種實施例及修正例且不侷限於所述之例示性實施例。在描述中，習知之功能或結構之詳細描述為了簡潔及/或清楚起見可被省略。

【0053】

雖然用詞如「第一」、「第二」等在本文中可被用來描述不同元件，這些元件不應該被這些用詞所限制。這些用詞可被用來區分一個元件與另一個元件。因此，第一元件在不背離本發明之教示下也可被稱為第二元件。描述元件為「第一」元件時可不需要或表示第二元件或其他元件之存在。用詞「第一」、「第二」等也可在本文中被用來區分元件之不同類型。為了簡潔，用詞「第一」、「第二」等可分別代表「第一形式(或第一類型)」、「第二形式(或第二類型)」等。

【0054】

在描述中，用詞「連接」可意味著「電性連接」，用詞「絕緣」可意味著「電性絕緣」，用詞「傳導」可意味著「電性傳導」。

【0055】

單數形式之「一(a)」、「一(an)」及「該(the)」也可包含複數形式，除非文中另有清楚之指明。用詞如「包含(comprise)」、「包含(include)」及「具有(have)」當於本文中使用時，係指所述特徵、整體、步驟、操作、元件、構件、或其組合之存在，但不排除另外一或多個其他特徵、整體、步驟、操作、元件、構件、或其組合之存在或添增。

【0056】

第1圖是根據本發明實施例說明顯示設備10(例如有機發光顯示設備10)之剖面示意圖。第2圖是說明第1圖中所示之部分P之剖面示意圖。

【0057】

參閱第1圖，有機發光顯示設備10可包含基板S、形成於基板S上之顯示單元200、以及可大致上密封顯示單元200之密封層300。

【0058】

基板S可為或可包含主要由二氧化矽(SiO₂ )所形成之透明玻璃基板。基板S可為或可包含由透明塑膠材料所形成之塑膠基板。透明塑膠材料可為絕緣有機材料且可包含聚醚碸(PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate, PAR)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙酯、聚亞醯胺、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纖維素(TAC)、以及醋酸丙酸纖維素(CAP)中之至少一種。

【0059】

有機發光顯示設備10可為通過基板S顯示影像之底部發光型顯示設備，且基板S可為透明的。有機發光顯示設備10可為通過相對於基板S之表面顯示影像之頂部發光型顯示設備，且基板S可不需為透明的。在實施例中，基板S可由金屬所形成。在實施例中，基板S可包含碳(C)、鐵(Fe)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、以及不鏽鋼(SUS)中之至少一個。

【0060】

如第2圖所示，顯示單元200可包含有機薄膜電晶體(TFT)200a及像素部200b。像素部200b可為有機發光裝置(OLED)。

【0061】

緩衝層212可形成於基板S上。緩衝層212可防止雜質元素汙染薄膜電晶體200a及/或可提供大致為平坦之表面於基板S上。緩衝層212可由可達成保護功能及/或平坦化功能之一或多種不同材料所形成。在實施例中，緩衝層212可由一或多種無機材料所形成，例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦、氮化鈦等之一或多種。在實施例中，緩衝層212可由一或多種有機材料所形成，例如聚亞醯胺、聚酯丙烯酸等之一或多種。

【0062】

緩衝層212可使用一或多種不同沉積方法來形成，例如電漿增強化學氣相沈積法(PECVD)、常壓化學氣相沈積法(APCVD)、以及低壓化學氣相沉積法(LPCVD)中之一或多種。

【0063】

薄膜電晶體200a可包含主動層221、閘極電極222、源極電極223a、以及汲極電極223b。

【0064】

主動層221可形成於緩衝層212上。主動層221可由如矽之無機半導體或有機半導體所形成。主動層221包含源極區域、汲極區域以及設置於源極區域與汲極區域之間之通道區域。在實施例中，主動層221是由非晶矽形成，且主動層221可藉由形成非晶矽層於基板S之表面上、結晶化非晶矽層以形成多晶矽層、圖樣化多晶矽層、以及摻雜源極區域及汲極區域而形成。

【0065】

閘極絕緣膜213形成於主動層221上，閘極絕緣膜213可以無機材料形成，例如氮化矽(SiNx)或二氧化矽(SiO₂ )，以將主動層221與閘極電極222隔離。

【0066】

閘極電極222形成於閘極絕緣膜213上之預定區域內。閘極電極222連接於用來施加開/關訊號至薄膜電晶體200a之閘極線(未圖示)。

【0067】

閘極電極222可包含金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鋁(Al)、及鉬(Mo)中之至少一種。閘極電極222可包含合金，例如鋁-釹(Al-Nd)合金或鉬-鎢(Mo-W)合金。閘極電極222可根據特定實施例由一或多種不同材質形成。

【0068】

層間絕緣膜214形成於閘極電極222上。層間絕緣膜214可由無機材質所形成，例如氮化矽(SiNx)或二氧化矽(SiO₂ )，以將閘極電極222與各別源極電極223a及汲極電極223b隔離。

【0069】

源極電極223a及汲極電極223b形成於層間絕緣膜214上。孔洞可形成通過層間絕緣膜214及閘極絕緣膜213使主動層221之源極區域及汲極區域露出，且源極電極223a及汲極電極223b可分別接觸露出之源極區域及汲極區域。

【0070】

第2圖說明一種頂部閘極型薄膜電晶體結構，其中主動層221設置於閘極電極222與基板S之間。在實施例中，閘極電極222可設置於主動層221及基板S之間。

【0071】

薄膜電晶體200a電性連接於像素部200b以驅動(亦即控制)像素部200b。薄膜電晶體200a是藉由平坦化膜215覆蓋及/或保護。

【0072】

平坦化膜215可為或可包含無機絕緣膜及/或有機絕緣膜。無機絕緣膜可包含二氧化矽(SiO₂ )、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiON)、氧化鋁(Al₂ O₂ )、二氧化鈦(TiO₂ )、五氧化二鉭(Ta₂ O₅ )、二氧化鉿(HfO₂ )、二氧化鋯(ZrO₂ )、鈦酸鋇鍶(BST)、及鋯鈦酸鉛(PZT)之至少一種。有機絕緣膜可包含通用聚合物之至少一種，例如聚甲基丙烯酸酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、具有酚基團之聚合物衍生物、丙烯醯基聚合物、亞醯胺基聚合物、芳醚基聚合物、醯胺基聚合物、氟基聚合物、對二甲苯基聚合物、及乙烯醇基聚合物之至少一種。平坦化膜215可包含彼此重疊之無機絕緣膜及有機絕緣膜。

【0073】

像素部200b形成於平坦化膜215上。像素部200b可包含像素電極231、中間層232、以及相對電極233。

【0074】

在實施例中，有機發光顯示設備10可為頂部發光型顯示設備。像素電極231形成於平坦化膜215上且通過形成於平坦化膜215內之接觸孔230電性連接於源極電極223a及汲極電極223b之一。

【0075】

像素電極231可為反射電極。像素電極231可包含由銀、鎂(Mg)、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻、及這些材料中一些材料之化合物或合金之至少之一所形成之反射膜。像素電極可包含形成於反射膜上之透明或半透明電極層。透明或半透明電極層可包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In₂ O₃ )、氧化銦鎵(IGO)、以及氧化鋅鋁(AZO)中之至少一種。

【0076】

相對電極233可重疊於像素電極231且可為透明或半透明電極。相對電極233可由具有小功函數之金屬薄膜形成。相對電極233可包含鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁、銀、鎂(MG)、以及這些材料中一些材料之化合物或合金中之至少一種。由透明電極材料例如氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅(ZnO)、或氧化銦(In₂ O₃ )所形成之匯流排電極或輔助電極可進一步形成於金屬薄膜上。

【0077】

相對電極233可傳送由包含於中間層232之有機發光層發射之光。由有機發光層發射之光可直接地發射至相對電極233及/或可藉由可能是反射電極之像素電極231反射。

【0078】

在實施例中，有機發光顯示設備10可為底部發光型顯示設備，其中由有機發光層發射之光可被傳送朝向基板S，像素電極231可為透明或半透明電極，且相對電極233可為反射電極。在實施例中，有機發光顯示設備10可為雙板發光型顯示設備(dual emission type display apparatus)，其中由有機發光層發射之光可傳送朝向相對電極233及基板S兩者。

【0079】

由絕緣材料形成之像素定義膜216可形成於像素電極231上。像素定義膜216可由至少一個有機絕緣材料形成，例如聚亞醯胺、聚醯胺、壓克力樹脂、苯並環丁烯、及酚樹脂中之至少一種。像素定義膜216可藉由旋轉塗佈形成。像素定義膜216露出像素電極231之預定區域，且包含有機發光層之中間層232設置於此露出區域。

【0080】

包含於中間層232之有機發光層可由低分子有機材料或聚合物有機材料形成。除了有機發光層以外，中間層232可進一步包含一或多個功能層，如電洞傳輸層(HTL)、電洞注入層(HIL)、電子傳輸層(ETL)、及電子注入層(EIL)之一或多個。

【0081】

參閱第1圖，密封層300基本上可完全覆蓋顯示單元200，因此基本上可防止濕氣或氧氣穿透進入及/或污染顯示單元200。在實施例中，密封層300可大於顯示單元200，使得密封層300之所有邊緣可接觸到基板S，因此基本上安全地密封了顯示單元200。

【0082】

密封層300可由低溫黏性轉變(LVT)無機材料形成。低溫黏性轉變無機材料可具有最小黏性轉變溫度使得低溫黏性轉變無機材料在高於最小黏性轉變溫度之溫度下可為液狀。低溫黏性轉變無機材料之最小黏性轉變溫度可低於包含於顯示單元200中之一或多種材料可能發生化學及/或物理變性(metamorphism)之變性溫度。

【0083】

低溫黏性轉變無機材料可包含錫氧化物(例如一氧化錫(SnO)或二氧化錫(SnO₂ ))。在實施例中，低溫黏性轉變無機材料包含一氧化錫(SnO)，且一氧化錫之含量可在約20 wt%至約100 wt%之範圍。

【0084】

低溫黏性轉變無機材料可包含磷氧化物(例如：五氧化二磷(P₂ O₅ ))、磷酸硼(BPO₄ )、錫氟化物(例如：二氟化錫(SnF₂ ))、鈮氧化物(例如：氧化鈮(NbO))、鎢氧化物(例如：三氧化鎢(WO₃ ))等之一或多種。

【0085】

低溫黏性轉變無機材料可包含下列之一或多種：(1) 一氧化錫(SnO)；(2) 一氧化錫(SnO)及五氧化二磷(P₂ O₅ )；(3) 一氧化錫(SnO)及磷酸硼(BPO₄ )；(4) 一氧化錫(SnO)、二氟化錫(SnF₂ )及五氧化二磷(P₂ O₅ )；(5) 一氧化錫(SnO)、二氟化錫(SnF₂ )、五氧化二磷(P₂ O₅ )及氧化鈮(NbO)；或(6) 一氧化錫(SnO)、二氟化錫(SnF₂ )、五氧化二磷(P₂ O₅ )及三氧化鎢(WO₃ )。

【0086】

低溫黏性轉變無機材料可具有下列之一或多種組成分：(1) 一氧化錫(約100 wt%)；(2) 一氧化錫(約80 wt%)及五氧化二磷(約20 wt%)；(3) 一氧化錫(約90 wt%)及磷酸硼(約10 wt%)；(4) 一氧化錫(約20 wt%至約50 wt%)、二氟化錫(約30 wt%至約60 wt%)及五氧化二磷(約10 wt%至約 30 wt%)；(5) 一氧化錫(約20 wt%至約50 wt%)、二氟化錫(約30 wt%至約60 wt%)、五氧化二磷(約10 wt%至約 30 wt%)及氧化鈮(約1 wt%至約 5 wt%)；或(6) 一氧化錫(約20 wt%至約50 wt%)、二氟化錫(約30 wt%至約60 wt%)、五氧化二磷(約10 wt%至約 30 wt%)及三氧化鎢(約1 wt%至約 5 wt%)等。

【0087】

密封層300可使用如第3圖所示之沉積設備20形成。沉積設備20可同時形成兩個基板S，使得沉積製程之效率可被最大化。在每個基板S與沉積設備20之濺鍍單元100之間之距離可被最小化，使得沉積製程效率可被最大化。沉積設備20可在沉積製程期間冷卻基板S，有機發光顯示設備10之材質之熱變性可基本上被防止。

【0088】

第3圖是根據本發明實施例說明用來形成顯示設備之密封層，如第1圖所示之有機發光顯示設備10之密封層300之沉積設備20之示意圖。第4圖是根據本發明實施例說明沉積設備20之濺鍍單元100之剖面示意圖。第5圖是根據本發明實施例說明沉積設備20之剖面示意圖。第6圖是根據本發明實施例說明沉積設備20之壓板500之平面示意圖。

【0089】

參閱第3圖至第6圖，沉積設備20可包含下列元件：反應室C；可設置在反應室C內部且彼此分隔之一對基板安裝構件400；以及設置於兩個基板安裝構件400之間之濺鍍單元100。沉積設備20可進一步包含一對壓板500以固定基板S。

【0090】

反應室C可容納濺鍍單元100及基板安裝構件400。反應室C可連接於真空泵(未圖示)以控制反應室C內部之壓力。反應室C可具有讓基板安裝構件400可進入及退出之一或多個出入口(未圖示)。

【0091】

如第3圖至第5圖所示，一對基板安裝構件400可彼此平行的設置於反應室C內部，且兩個基板S可分別安裝於兩個基板安裝構件400上。基板S可平行於Z軸。在沉積製程期間，基板安裝構件400可移動基板S於平行Z軸之移動方向M，使得材料可被沉積於各基板S之不同部分。

【0092】

一對基板安裝構件400可被定向於平行X軸且設置垂直於地面且可傳送基板S進入反應室C。每個基板安裝構件400可包含或連接於執行移動之驅動單元(未圖示)。基板安裝構件400相對於濺鍍單元100可為彼此對稱。濺鍍單元100與第一個基板安裝構件400之間之距離可相等於濺鍍單元100與第二個基板安裝構件400之間之距離，其中每個距離可平行於Y軸。分別包含於或連接於基板安裝構件400之驅動單元(未圖示)可具有相同結構。因此，整個沉積設備20之結構可基本上是簡單的。

【0093】

基板安裝構件400之邊緣可接觸遮罩420及/或基板S。用於沉積之開口可形成於基板安裝構件400及/或遮罩420之中央。開口之垂直寬度可等於或大於濺鍍單元100之長度L。當基板安裝構件400設置垂直於地面時，開口之垂直寬度可指在垂直於地面之垂直方向上所測量之開口之寬度，且濺鍍單元100之長度L可指濺鍍單元100在垂直於地面之垂直方向上之寬度。

【0094】

因此，基板安裝構件400之邊緣可不重疊於濺鍍單元100，因而基板S與濺鍍單元100之間之距離TS可最小化。因此，沉積材料沉積於基板S之沉積率可最大化。

【0095】

濺鍍單元100設置於基板安裝構件400之間且可藉由濺鍍在安裝於兩個基板安裝構件400上之兩個基板S上同時形成薄膜。

【0096】

濺鍍單元100可包含下列元件：兩個標靶支撐構件130(例如磁力夾頭、靜電夾頭或軛板)，用以支撐兩個標靶110使得標靶110可彼此面對；以及第一開口101及第二開口102，由標靶110分離(及提供)之沉積材料由此可擴散至基板S上。

【0097】

當電力施加於濺鍍單元100時，一對標靶110可作為陰極。標靶110可包含低溫黏性轉變無機材料以形成密封層300。

【0098】

低溫黏性轉變無機材料可包含錫氧化物(例如一氧化錫或二氧化錫)且可進一步包含磷氧化物(例如：五氧化二磷)、磷酸硼(BPO 4 )、錫氟化物(例如：二氟化錫)、鈮氧化物(例如：氧化鈮)、及鎢氧化物(例如：三氧化鎢)之一或多種。舉例來說，每個標靶110可包含一氧化錫(約42.5wt%)、二氟化錫(約40wt%)、五氧化二磷(約15wt%)、以及三氧化鎢(約2.5wt%)。

【0099】

低溫黏性轉變無機材料藉由濺鍍從標靶110分離。第一開口101及第二開口102可分別對應於兩個基板安裝構件400。分離之低溫黏性轉變無機材料可通過第一開口101及第二開口102且朝向安裝於設置在濺鍍單元100兩側之基板安裝構件400上之基板S移動。因此，密封層300可同時形成在兩個基板S上。

【0100】

在實施例中，濺鍍單元100可具有矩形六面體形狀，且第一開口101及第二開口102可形成於平行於基板安裝構件400之兩個相對側邊表面上。標靶100可設置垂直於濺鍍單元100其中座落第一開口101及第二開口102之兩個側邊表面。

【0101】

每個第一開口101及第二開口102之長度可對應於基板S之高度或待形成之密封層300之長度。每個第一開口101及第二開口102之寬度可相關於標靶110間之距離。標靶110間之距離可最小化，及/或每一標靶110之表面區域可最大化，以最大化使用沉積設備20所執行之沉積製程之效率。

【0102】

參閱第4圖及第5圖，濺鍍單元100可進一步包含下列元件：產生磁場之磁場產生單元120；支撐標靶110之標靶支撐構件130；以及用於屏蔽磁場產生單元120及/或標靶支撐構件130並作為陽極之屏蔽構件140。濺鍍單元100可進一步包含下列元件：可控制濺鍍單元100高度之控制單元170；以及可支撐濺鍍單元100其他元件之支撐部180。

【0103】

磁場產生單元120可設置於標靶110之邊緣。每個磁場產生單元120可由鐵磁體形成，例如鐵氧體基磁體、釹基(例如釹、鐵、硼)磁體、或釤鈷基磁體，且可沿著標靶110之外部周邊設置。

【0104】

分別對應於兩個標靶110之兩個相對之磁場產生單元120可具有相反極性之設置，以限制電漿產生區域在標靶110之間之空間內。

【0105】

標靶支撐構件130設置使得由磁場產生單元120形成之磁場可均勻地分佈在標靶110之間之空間。標靶支撐構件130可由可藉由磁場產生單元感生(induced)而具有磁性(magnetism)之材料形成。舉例來說，標靶支撐構件130可由至少一個鐵磁材料形成，例如鐵、鈷、鎳、及一些材料的合金中之至少一種。

【0106】

兩個屏蔽構件140可設置於每個標靶110之兩個邊緣。每個屏蔽構件140可透過接地作為陽極。每個屏蔽構件140可被設置稍微分隔於相關之標靶110。每個屏蔽構件140可被設置以防止實質上被濺鍍。兩個屏蔽構件140可被設置於分別對應於兩個標靶支撐構件130之兩個相對磁場產生單元120之間。兩個屏蔽構件140可被設置於兩個標靶支撐構件130之部分之間。

【0107】

螺紋可形成於控制單元170以控制濺鍍單元100之高度。支撐部180可被形成於控制單元170之下端且可固定濺鍍單元100於預定位置。

【0108】

濺鍍單元100可藉由施加電力於一對標靶110而產生電漿。在實施例中，惰性氣體(例如氬氣)注入於標靶110之間，且電力施加於一對標靶110；因此，在一對標靶110之間之空間產生放電，且藉由放電所產生之電子碰撞氬氣，因而產生氬氣離子以從標靶110分離粒子而因此產生電漿。

【0109】

電力可藉由可為直流供電之電力供應單元160施加於此對標靶110。在實施例中，電力供應單元160可為直流脈衝供電或是使用直流偏移電壓(DC offset voltage)之無線頻率(RF)供電。

【0110】

電漿藉由磁場產生單元120所產生之磁場形成於標靶110之間。在電漿中帶電之高能量粒子，例如電子、負離子、及正離子，可往復且可大致沿著磁力線限制於標靶110之間。薄膜可藉由具有相對低能量之中子粒子形成於基板S上。由標靶110濺鍍之高能量粒子可加速朝向相對之標靶110，而不會影響設置垂直於標靶110之濺鍍表面之基板S。因此，由高能量粒子碰撞所造成之潛在對基板S之損害可基本上被防止或最小化。

【0111】

具有相對較低能量之中子粒子可通過第一開口101及第二開口102，且朝向安裝於設置在濺鍍單元100兩側之兩個基板安裝構件400上之兩個基板S移動。因此，沉積設備20可同時形成薄膜於兩個基板S上。更有利地，沉積製程效率可被最大化。

【0112】

標靶110之溫度可能因為粒子重複碰撞而提升。因此，濺鍍單元100可進一步包含冷卻裝置(未圖示)以在濺鍍製程期間降低及/或維持標靶110之溫度。冷卻裝置可包含冷卻劑可通過之流通管道。

【0113】

在沉積製程期間，每個壓板500可固定基板S於垂直地面之位置。在實施例中，在沉積製程期間，基板S位於基板安裝構件400及壓板500之間，且壓板500可接觸基板之一個表面及可壓著基板S朝向基板安裝構件400。因此，基板S可固定到位，使得基板S之移動或搖晃可基本上被防止或最小化，且因而薄膜可被形成於基板S之正確位置。

【0114】

壓板500可包含藉其冷卻劑可通過之流通管道。因此，當壓板500緊密地接觸基板S之一個表面以固定基板S時，流過流通管道之冷卻劑可藉由熱的轉移冷卻基板S。

【0115】

第6圖是壓板500之平面示意圖。參閱第6圖，壓板500可包含下列元件：冷卻劑可由其流過之流通管道516；冷卻劑可藉其注入流通管道516之注入單元512；以及冷卻劑可由其從流通管道516排出之排出單元514。

【0116】

各種類型之冷卻劑可被使用，且冷卻劑可從外部冷卻劑槽(未圖示)供應。在實施例中，如第5圖所示，注入單元512可通過導管414連接於形成在基板安裝構件400一側之連接單元412，且連接單元412可連接於連接至冷卻劑槽(未圖示)之管線416。從排出單元514排出之冷卻劑可通過基板安裝構件400排出(如至收集之容器)。

【0117】

管線416可為可撓性。因此當基板安裝構件400移動時，管線416可相應地變形(例如由第一形狀變成第二形狀)。因此，在沉積製程中，即使在基板S移動時基板S仍可有效地被冷卻，而因而使有機發光裝置之材料之熱變形可被防止。

【0118】

在實施例中，製造如第1圖所示之有機發光顯示設備10之方法可包含下列步驟：形成顯示單元200於兩個基板S之每一個上；且形成密封層300以密封每個顯示單元200。顯示單元200可使用一或多種已知方式來製造。

【0119】

密封層300之形成可包含下列步驟：設置兩基板S於反應室C內，基板S上形成有顯示單元200；以及藉由使用濺鍍單元100來濺鍍而同時分別形成兩個密封層300於兩個基板S上。

【0120】

兩個基板S可分別安裝於兩個基板安裝構件400上且可分別藉由兩個壓板500固定。在實施例中，遮罩420可提供於每個基板安裝構件400上。

【0121】

兩個基板安裝構件400設置垂直於地面且彼此面對，具濺鍍單元100設置於兩個基板安裝構件400之間。分別安裝於兩個基板安裝構件400上之兩個基板S也設置垂直於地面，具濺鍍單元100設置於兩基板S之間。

【0122】

濺鍍單元100之高度(在平行於X軸及垂直於地面之方向上)是藉由控制單元170控制。濺鍍單元100之第一開口101及第二開口102可分別面對兩個基板S。

【0123】

當兩個基板S在移動方向M上移動時，密封層300可被形成。在實施例中，低溫黏性轉變無機材料之粒子可藉由濺鍍從兩個標靶110分離，且第一組及第二組之低溫黏性轉變無機材料之分離粒子可分別通過第一開口101及第二開口102，且可同時分別沉積於兩個基板S上。更有利地，關於有機發光顯示設備10之製程效率可被最大化。

【0124】

兩個基板安裝構件400之邊緣可不接觸濺鍍單元100。也就是說，分別形成於兩個基板安裝構件400之兩個開口之垂直寬度(在平行於X軸且垂直於地面之方向上)可等於或大於濺鍍單元100之長度L。因此，每個基板S與濺鍍單元100之間之距離TS(在平行於Y軸之方向上)可被最小化。更有利地，沉積效率可被改善。在實施例中，在沉積製程中，冷卻劑可流過可接觸基板S之壓板500以冷卻基板S，使得顯示單元200之材料之熱變形可基本上被防止或最小化。更有利地，可提供滿意品質之有機發光顯示設備10。

【0125】

如同可根據本發明實施例之描述中所能理解的，沉積設備可同時形成薄膜於兩個基板上。更有利地，沉積製程之效率可被最大化。

【0126】

根據本發明之實施例，在沉積製程中每個基板與濺鍍單元之間之距離可被最小化。更有利地，沉積效率可被最大化。

【0127】

根據本發明之實施例，基板在沉積製程期間可被冷卻，使得製造之顯示設備之材料之熱變形可基本上被防止或最小化。更有利地，可提供滿意品質之顯示設備。

【0128】

上述實施例是為了說明而非限制。此技術領域中具有通常知識者將理解的是，在不背離由下列申請專利範圍所定義之本發明之精神與範疇下可對實施例作各種改變。

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