CN104319294A - 改进的镀氮化硅减反射膜方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种改进的镀氮化硅减反射膜方法，本发明通过改变现有镀氮化硅的工艺参数，能够进一步改善氮化硅薄膜的均匀性，从而提高太阳能电池片的电性能。
Description
技术领域
本发明涉及一种减反射膜的加工方式，特别涉及一种改进的镀氮化硅减反射膜方法。
背景技术
减反射膜，又称增透膜，它的主要功能是减少或消除透镜、棱镜、平面镜等光学表面的反射光，从而增加这些元件的透光量，减少或消除系统的杂散光。
最简单的增透膜是单层膜，它是镀在光学零件光学表面上的一层折射率较低的薄膜。如果膜层的光学厚度是某一波长的四分之一，相邻两束光的光程差恰好为π,即振动方向相反，叠加的结果使光学表面对该波长的反射光减少。适当选择膜层折射率，这时光学表面的反射光可以完全消除。
一般情况下，采用单层增透膜很难达到理想的增透效果,为了在单波长实现零反射,或在较宽的光谱区达到好的增透效果，往往采用双层、三层甚至更多层数的减反射膜。
在减反射膜应用于太阳能电池片生产技术中，现有沉积减反射膜技术存在改进空间，氮化硅薄膜的均匀性还可以进一步改善。
发明内容
为了克服上述缺陷，本发明提供了一种进一步提高氮化硅薄膜的均匀性，从而提高太阳能电池片的电性能的改进的镀氮化硅减反射膜方法。
本发明为了解决其技术问题所采用的技术方案是：一种改进的镀氮化硅减反射膜方法，包括以下步骤：
1）向炉管内充氮气，将插有硅片的石墨舟放进该炉管；
2）保持炉内温度c1=455-465摄氏度，时间至少为20分钟；
3）进行压力测试，保证压力恒定；
4）氨气吹扫及预沉积，温度为c1，氨气体积为4-5L，射频功率为3000-4000W，时间为100-200s；
5）依次进行三次沉积，各次沉积温度一次下降预设度数c2，c2=5-10摄氏度,其他工艺参数为：氨气流量为4500-5500sccm，硅烷流量为350-600sccm，射频功率为3000-4000W，持续时间为350-400s，占空比为1：15，压强为180-220pa；
6）镀氮化硅减反射膜过程结束，依次进行抽真空、压力测试、循环吹扫及充氮气后，将所述石墨舟出炉。
作为本发明的进一步改进，所述炉管为48所管式。
本发明的有益效果是：本发明通过改变现有镀氮化硅的工艺参数，能够进一步改善氮化硅薄膜的均匀性，从而提高太阳能电池片的电性能。
附图说明
图1为本发明工艺流程示意图。
具体实施方式
为了加深对本发明的理解，下面将结合实施例和附图对本发明作进一步详述，该实施例仅用于解释本发明，并不构成对本发明保护范围的限定。
图1示出了本发明一种改进的镀氮化硅减反射膜方法的一种实施方式，包括以下步骤：
1）向炉管内充氮气，将插有硅片的石墨舟放进该炉管；
2）保持炉内温度c1=455摄氏度，时间至少为20分钟；
3）进行压力测试，保证压力恒定；
4）氨气吹扫及预沉积，温度为c1，氨气体积为4L，射频功率为3000W，时间为200s；
5）依次进行三次沉积，各次沉积温度一次下降预设度数c2，c2=5摄氏度,其他工艺参数为：氨气流量为4500sccm，硅烷流量为350sccm，射频功率为4000W，持续时间为400s，占空比为1：15，压强为220pa；
6）镀氮化硅减反射膜过程结束，依次进行抽真空、压力测试、循环吹扫及充氮气后，将所述石墨舟出炉。
所述炉管为48所管式。
Claims (2)
1.一种改进的镀氮化硅减反射膜方法，其特征在于：包括以下步骤：
1）向炉管内充氮气，将插有硅片的石墨舟放进该炉管；
2）保持炉内温度c1=455-465摄氏度，时间至少为20分钟；
3）进行压力测试，保证压力恒定；
4）氨气吹扫及预沉积，温度为c1，氨气体积为4-5L，射频功率为3000-4000W，时间为100-200s；
5）依次进行三次沉积，各次沉积温度一次下降预设度数c2，c2=5-10摄氏度,其他工艺参数为：氨气流量为4500-5500sccm，硅烷流量为350-600sccm，射频功率为3000-4000W，持续时间为350-400s，占空比为1：15，压强为180-220pa；
6）镀氮化硅减反射膜过程结束，依次进行抽真空、压力测试、循环吹扫及充氮气后，将所述石墨舟出炉。
2.根据权利要求1所述的改进的镀氮化硅减反射膜方法，其特征在于：所述炉管为48所管式。
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