CN104298290A - 宇航用GaAsMMIC器件加电装置 - Google Patents

宇航用GaAsMMIC器件加电装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104298290A
CN104298290A CN201410394844.9A CN201410394844A CN104298290A CN 104298290 A CN104298290 A CN 104298290A CN 201410394844 A CN201410394844 A CN 201410394844A CN 104298290 A CN104298290 A CN 104298290A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pull
resistor
triode
input end
gaasmmic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410394844.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104298290B (zh
Inventor
沈晓唯
张亮
刘建宇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Aerospace Electronic Communication Equipment Research Institute
Original Assignee
Shanghai Aerospace Electronic Communication Equipment Research Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Aerospace Electronic Communication Equipment Research Institute filed Critical Shanghai Aerospace Electronic Communication Equipment Research Institute
Priority to CN201410394844.9A priority Critical patent/CN104298290B/zh
Publication of CN104298290A publication Critical patent/CN104298290A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104298290B publication Critical patent/CN104298290B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本发明提供了一种宇航用GaAsMMIC器件加电装置，包括正电压输入端、负电压输入端、正负压保护电路、温度补偿栅极稳压电路、漏极电压输出端和栅极电压输出端；所述正电压输入端与负电压输入端经所述正负压保护电路与所述漏极电压输出端连接，所述负电压输入端经所述温度补偿栅极稳定电压与栅极电压输出端连接，所述栅极电压输出端用以对GaAsMMIC器件的栅极充电；所述漏极电压输出端用以对GaAsMMIC器件的漏极充电，所述正负压保护电路用以仅当正电压输入端和负电压输入端同时输入电压时，才导通所述漏极电压输出端输出电压。

Description

宇航用GaAsMMIC器件加电装置
技术领域
本发明涉及电压加电控制电路的设计，尤其涉及一种宇航用GaAsMMIC器件加电装置。
背景技术
随着无线局域网、个人移动通信系统、用户直接卫星通信和全球定位系统等军用和民用通信系统的快速发展，以及有源相控阵雷达、宽带电子对抗和毫米波精确制导等先进武器系统的需求，高性能和高可靠的GaAsMMIC获得了飞速发展。因为GaAsMMIC能满足微波整机系统向多功能、小型化和高可靠方向发展的要求；体积小、重量轻；在单片上能实现系统功能；没有分立器件的寄生效应而使频率和带宽性能优异；标准工艺以及能在单片上集成全部有源和无源元件而使其可重复性好、可靠性高和成本低。在国防高科技领域和民用通信应用中已起到十分重要的作用。
在场效应晶体管中，当没有栅-源电压而给漏极加正电压时，电子通过有源薄层由源级向漏极流动。当漏极电压足够大时，电子漂移速度达到其最大值，电流开始饱和，晶体管热耗增大，易造成器件失效。因此对于GaAsMMIC来说，必须在保证负电压正常输入的情况下，再输入正电压，以防止器件损伤。
发明内容
本发明要解决的技术问题是如何提高GaAsMMIC器件加电可靠性和稳定性。
为了解决这一技术问题，本发明提供了一种宇航用GaAsMMIC器件加电装置，包括正电压输入端、负电压输入端、正负压保护电路、温度补偿栅极稳压电路、漏极电压输出端和栅极电压输出端；所述正电压输入端与负电压输入端经所述正负压保护电路与所述漏极电压输出端连接，所述负电压输入端经所述温度补偿栅极稳定电压与栅极电压输出端连接，所述栅极电压输出端用以对GaAsMMIC器件的栅极充电；所述漏极电压输出端用以对GaAsMMIC器件的漏极充电，所述正负压保护电路用以仅当正电压输入端和负电压输入端同时输入电压时，才导通所述漏极电压输出端输出电压。
所述正负压保护电路至少包括了稳压二极管和PMOS管，所述负电压输入端通过所述稳压二极管连接至所述PMOS管的栅极，所述正电压输入端连接至所述PMOS管得源极，所述PMOS管的漏极与所述漏极电压输出端连接。
所述温度补偿栅极稳压电路采用射极跟随器，所述射极跟随器的基极连接所述负电压输入端，所述射极跟随器的发射极连接所述栅极电压输出端。
所述射极跟随器包括了第一三极管、第二三极管和若干负载电阻，所述第一三极管的集电极与基极之间并联第一负载电阻，且所述第一负载电阻的一端和第一三极管的集电极共同接于所述负电压输入端；所述第二三极管的集电极和基极均连接于所述第一三极管的基极，所述第二三极管的发射极连接第二负载电阻的一端，所述第二负载电阻的另一端连接第三负载电阻的一端，所述第一三极管的发射极一方面连接第四负载电阻的一端，另一方面连接第五负载电阻的一端，所述第五负载电阻的另一端连接至所述栅极电压输出端，所述第三负载电阻的另一端与第四负载电阻的另一端均接地。
所述射极跟随器还包括第一电容和第二电容，所述第一电容的一端连接所述第二三极管的基极，所述第一电容的另一端接地，所述第二电容的一端连接所述第五负载电阻的连接所述栅极电压输出端的一端，所述第二电容的另一端接地。
所述第一三极管和第二三极管均为PNP管。
本发明一方面通过正负压保护电路的设置有效地避免了GaAsMMIC器件由于加电顺序错误而导致的烧毁现象的发生，提高了GaAsMMIC器件加电的可靠性。本发明另一方面还通过温度补偿栅极稳压电路有效地提高了GaAsMMIC器件栅极电压的稳定性。可见，本发明有效提高了GaAsMMIC器件加电可靠性和稳定性。此外，其具有电路简单，易实现的特点，并具有一定的通用性，可广泛应用于卫星通信、雷达、测控、导航、对抗等电子系统中。
附图说明
图1是本发明一实施例提供的宇航用GaAsMMIC器件加电装置的模块示意图；
图2是本发明一实施例提供的宇航用GaAsMMIC器件加电装置的电路图。
具体实施方式
以下将结合图1和图2对本发明提供的宇航用GaAsMMIC器件加电装置进行详细的描述，其为本发明一可选的实施例，可以认为，本领域的技术人员在不改变本发明精神和内容的范围内能够对其进行修改和润色。
请参考图1，本实施例提供了一种宇航用GaAsMMIC器件加电装置，包括正电压输入端V+、负电压输入端V-、正负压保护电路、温度补偿栅极稳压电路、漏极电压输出端Vdd和栅极电压输出端Vgg；所述正电压输入端V+与负电压输入端V-经所述正负压保护电路与所述漏极电压输出端Vdd连接，所述负电压输入端V-经所述温度补偿栅极稳定电压与栅极电压输出端Vgg连接，所述栅极电压输出端Vgg用以对GaAsMMIC器件的栅极充电；所述漏极电压输出端Vdd用以对GaAsMMIC器件的漏极充电，所述正负压保护电路用以仅当正电压输入端V+和负电压输入端V-同时输入电压时，才导通所述漏极电压输出端Vdd输出电压。
有关所述正负压保护电路：
请参考图2，所述正负压保护电路至少包括了稳压二极管DIOSESTK和PMOS管，所述负电压输入端V-通过所述稳压二极管DIOSESTK连接至所述PMOS管的栅极，所述正电压输入端V+连接至所述PMOS管得源极，所述PMOS管的漏极与所述漏极电压输出端Vdd连接。除此以外，还以如图2所示的方式接入第七负载电阻R7、第六负载电阻R6和第三电容C3。
所述正负压保护电路将正电压输入端V+以及负电压输入端V-同时接入正负压保护电路。正电压接入PMOS管的源级，负电压通过稳压二极管DIOSESTK接入PMOS管的栅极。当正负电压同时输入时，稳压二极管DIOSESTK反向击穿后实现稳压，使得PMOS管的栅源压差达到PMOS管所需的开启阈值电压，PMOS管导通，正电压通过PMOS管输出至漏极电压输出端Vdd，漏极电压输出端Vdd正常工作。当负电压无输入仅正电压输入时，稳压二极管DIOSESTK无法实现稳压功能，使得PMOS管的栅源压差无法达到PMOS管所需的开启阈值电压，PMOS管截止，漏极电压输出端Vdd无输出。该电路保证了GaAsMMIC器件需先加栅极电压后加漏极电压这一特性需要，防止了GaAsMMIC器件无栅极电压时加入漏极电压可能造成的烧毁现象。
有关所述温度补偿栅极稳压电路：
所述温度补偿栅极稳压电路采用射极跟随器，所述射极跟随器的基极连接所述负电压输入端V-，所述射极跟随器的发射极连接所述栅极电压输出端Vgg。
本实施例中，请参考图2，所述射极跟随器包括了第一三极管T1、第二三极管T2和若干负载电阻，若干负载电阻分别为第一负载电阻R1、第二负载电阻R2、第三负载电阻R3、第四负载电阻R4以及第五负载电阻R5，所述第一三极管和第二三极管均为PNP管。
所述第一三极管T1的集电极与基极之间并联第一负载电阻R1，且所述第一负载电阻R1的一端和第一三极管T1的集电极共同接于所述负电压输入端V-；所述第二三极管T2的集电极和基极均连接于所述第一三极管T1的基极，所述第二三极管T2的发射极连接第二负载电阻R2的一端，所述第二负载电阻R2的另一端连接第三负载电阻R3的一端，所述第一三极管T1的发射极一方面连接第四负载电阻R4的一端，另一方面连接第五负载电阻R5的一端，所述第五负载电阻R5的另一端连接至所述栅极电压输出端Vgg，所述第三负载电阻R3的另一端与第四负载电阻R4的另一端均接地。
所述射极跟随器还包括第一电容C1和第二电容C2，所述第一电容C1的一端连接所述第二三极管T2的基极，所述第一电容C1的另一端接地，所述第二电容C2的一端连接所述第五负载电阻R5的连接所述栅极电压输出端Vgg的一端，所述第二电容C2的另一端接地。
所述温度补偿栅极稳压电路将负电压输入端V-接入温度补偿栅极稳压电路。负电压通过由PNP管组成的射级跟随器，利用射级跟随器输入高阻抗以及输出低阻抗的特点，增加了栅极电压的稳定性。同时由于PNP管在高低温情况下会产生参数漂移，该漂移会影响到栅极电压，因此采用两个PNP管的方式进行设计，使得其参数漂移可以得到一定程度地消除，提高栅极电压在高低温环境下的稳定性。
综上所述，本发明一方面通过正负压保护电路的设置有效地避免了GaAsMMIC器件由于加电顺序错误而导致的烧毁现象的发生，提高了GaAsMMIC器件加电的可靠性。本发明另一方面还通过温度补偿栅极稳压电路有效地提高了GaAsMMIC器件栅极电压的稳定性。可见，本发明有效提高了GaAsMMIC器件加电可靠性和稳定性。此外，其具有电路简单，易实现的特点，并具有一定的通用性，可广泛应用于卫星通信、雷达、测控、导航、对抗等电子系统中。

Claims (6)

1.一种宇航用GaAsMMIC器件加电装置，其特征在于：包括正电压输入端、负电压输入端、正负压保护电路、温度补偿栅极稳压电路、漏极电压输出端和栅极电压输出端；所述正电压输入端与负电压输入端经所述正负压保护电路与所述漏极电压输出端连接，所述负电压输入端经所述温度补偿栅极稳定电压与栅极电压输出端连接，所述栅极电压输出端用以对GaAsMMIC器件的栅极充电；所述漏极电压输出端用以对GaAsMMIC器件的漏极充电，所述正负压保护电路用以仅当正电压输入端和负电压输入端同时输入电压时，才导通所述漏极电压输出端输出电压。
2.如权利要求1所述的宇航用GaAsMMIC器件加电装置，其特征在于：所述正负压保护电路至少包括了稳压二极管和PMOS管，所述负电压输入端通过所述稳压二极管连接至所述PMOS管的栅极，所述正电压输入端连接至所述PMOS管得源极，所述PMOS管的漏极与所述漏极电压输出端连接。
3.如权利要求1所述的宇航用GaAsMMIC器件加电装置，其特征在于：所述温度补偿栅极稳压电路采用射极跟随器，所述射极跟随器的基极连接所述负电压输入端，所述射极跟随器的发射极连接所述栅极电压输出端。
4.如权利要求3所述的宇航用GaAsMMIC器件加电装置，其特征在于：所述射极跟随器包括了第一三极管、第二三极管和若干负载电阻，所述第一三极管的集电极与基极之间并联第一负载电阻，且所述第一负载电阻的一端和第一三极管的集电极共同接于所述负电压输入端；所述第二三极管的集电极和基极均连接于所述第一三极管的基极，所述第二三极管的发射极连接第二负载电阻的一端，所述第二负载电阻的另一端连接第三负载电阻的一端，所述第一三极管的发射极一方面连接第四负载电阻的一端，另一方面连接第五负载电阻的一端，所述第五负载电阻的另一端连接至所述栅极电压输出端，所述第三负载电阻的另一端与第四负载电阻的另一端均接地。
5.如权利要求4所述的宇航用GaAsMMIC器件加电装置，其特征在于：所述射极跟随器还包括第一电容和第二电容，所述第一电容的一端连接所述第二三极管的基极，所述第一电容的另一端接地，所述第二电容的一端连接所述第五负载电阻的连接所述栅极电压输出端的一端，所述第二电容的另一端接地。
6.如权利要求4所述的宇航用GaAsMMIC器件加电装置，其特征在于：所述第一三极管和第二三极管均为PNP管。
CN201410394844.9A 2014-08-12 2014-08-12 宇航用GaAsMMIC器件加电装置 Active CN104298290B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410394844.9A CN104298290B (zh) 2014-08-12 2014-08-12 宇航用GaAsMMIC器件加电装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410394844.9A CN104298290B (zh) 2014-08-12 2014-08-12 宇航用GaAsMMIC器件加电装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104298290A true CN104298290A (zh) 2015-01-21
CN104298290B CN104298290B (zh) 2016-12-07

Family

ID=52318063

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410394844.9A Active CN104298290B (zh) 2014-08-12 2014-08-12 宇航用GaAsMMIC器件加电装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104298290B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105652247A (zh) * 2015-12-31 2016-06-08 成都雷电微力科技有限公司 一种负电压脉冲调制电路
CN109449915A (zh) * 2018-11-06 2019-03-08 上海航天电子通讯设备研究所 适用于tr组件无次序加电的内置小型化保护电路

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0613862A (ja) * 1992-06-26 1994-01-21 Nec Eng Ltd ＧａＡｓＦＥＴ保護電源回路
JPH08213853A (ja) * 1995-02-06 1996-08-20 Japan Radio Co Ltd バイアス回路
CN201656917U (zh) * 2010-05-31 2010-11-24 中国江南航天工业集团林泉电机厂 一种GaAs微波功率放大器保护控制电路
CN103280968A (zh) * 2013-05-09 2013-09-04 中国电子科技集团公司第二十四研究所 脉冲电源的时序控制电路
CN103296981A (zh) * 2013-05-28 2013-09-11 华为技术有限公司 功率管的偏置电路以及功率放大器、无线通信装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0613862A (ja) * 1992-06-26 1994-01-21 Nec Eng Ltd ＧａＡｓＦＥＴ保護電源回路
JPH08213853A (ja) * 1995-02-06 1996-08-20 Japan Radio Co Ltd バイアス回路
CN201656917U (zh) * 2010-05-31 2010-11-24 中国江南航天工业集团林泉电机厂 一种GaAs微波功率放大器保护控制电路
CN103280968A (zh) * 2013-05-09 2013-09-04 中国电子科技集团公司第二十四研究所 脉冲电源的时序控制电路
CN103296981A (zh) * 2013-05-28 2013-09-11 华为技术有限公司 功率管的偏置电路以及功率放大器、无线通信装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105652247A (zh) * 2015-12-31 2016-06-08 成都雷电微力科技有限公司 一种负电压脉冲调制电路
CN105652247B (zh) * 2015-12-31 2018-11-30 成都雷电微力科技有限公司 一种负电压脉冲调制电路
CN109449915A (zh) * 2018-11-06 2019-03-08 上海航天电子通讯设备研究所 适用于tr组件无次序加电的内置小型化保护电路
CN109449915B (zh) * 2018-11-06 2019-12-03 上海航天电子通讯设备研究所 适用于tr组件无次序加电的内置小型化保护电路

Also Published As

Publication number Publication date
CN104298290B (zh) 2016-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103634016B (zh) 可调式阻抗匹配电路
GB2574502A (en) Variable load power amplifier supporting dual-mode envelope tracking and average power tracking performance
CN106169915B (zh) 多增益模式功率放大器、芯片及通信终端
KR20160119851A (ko) 충전 회로 및 단말기
CN103166208B (zh) 抑制浪涌电流的供电电路
US9806674B2 (en) Power amplifier circuit
US20130229163A1 (en) Overvoltage protection circuit and electronic device
JP2017028342A (ja) 電力増幅モジュール
CN103635995A (zh) 保护电路
CN104484070B (zh) 触摸装置的驱动电路、驱动方法、触摸装置和显示装置
CN106027012B (zh) 一种下拉电阻开关电路
CN203261299U (zh) 一种射频功率放大器的增益调节电路
CN104298290A (zh) 宇航用GaAsMMIC器件加电装置
EP4270784A1 (en) Radio frequency power amplifier that reduces load change sensitivity, chip, and communication terminal
TW201528873A (zh) 閃光ｌｅｄ驅動器放電控制
US20220200578A1 (en) Attenuator circuit, receiver, base station, mobile device and method for operating an attenuator circuit
CN210380794U (zh) 一种金属柱子跳频滤波器
US11611333B1 (en) Driving circuit and a related electronic device
CN103222356B (zh) 执行芯片级别上减少电磁干扰的方法及对应装置
EP3082258A1 (en) Radio-frequency power amplifier power supply method and device
CN104052459A (zh) 一种采样电路及采样方法
US20160118832A1 (en) Apparatus for charging and discharging battery
CN103475205A (zh) 保护电路
CN203951189U (zh) 一种负控正电源保护电路
CN116569466A (zh) 一种开关电源、芯片及设备

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
EXSB Decision made by sipo to initiate substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant