CN201656917U - 一种GaAs微波功率放大器保护控制电路 - Google Patents

一种GaAs微波功率放大器保护控制电路 Download PDF

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Abstract

本实用新型公开了一种GaAs微波功率放大器保护控制电路，包括高速光电耦合器(1)、开关三极管(2)和PMOS晶体管(3)，所述光电耦合器(1)内部的发光三极管(4)的输入端连接负电压；高速光电耦合器(1)内部的光敏三极管(5)的输入端连接正电压，其输出端串接开关三极管(2)；开关三极管(2)串接PMOS晶体管(3)。本实用新型利用负电压控制正电压的输出，实现对功率放大器的供电保护功能，为产品中的关键件(功率放大器)的安全正常可靠工作提供了保证。

Description

一种GaAs微波功率放大器保护控制电路
技术领域
本实用新型涉及一种电路，特别是一种GaAs（砷化镓）微波功率放大器保护控制电路。
背景技术
发射机的主要功能就是将携带有用PCM信号的射频信号功率放大到一定的功率后输出，通过天线传回地面，供地面设备接收处理分析。目前发射机普遍选用GaAs微波功率放大器来实现射频信号的功率放大，而GaAs微波功率放大器要安全正常工作，就必须满足以下条件：提供负极性的栅极偏置电压，同时还须保证栅极负电压比给放大器供电源级正电压先建立的特性。现今DC/DC二次电源模块设计时没有考虑负电压比正电压先建立的功能，因此需要设计一种电路来实现负电源比正电源先建立的功能，以达到保护GaAs微波功率放大器安全工作的目的。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种GaAs微波功率放大器保护控制电路。该电路利用负电压控制正电压的输出，只有负电压建立以后正电压才能加载到功率放大器的电源输入端，最终实现对功率放大器的供电保护功能，保证其安全正常工作。
为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案：GaAs微波功率放大器保护控制电路。包括高速光电耦合器、开关三极管和PMOS晶体管，所述高速光电耦合器内部的发光三极管的输入端连接负电压；高速光电耦合器内部的光敏三极管的输入端连接正电压，光敏三极管的输出端串接开关三极管；开关三极管串接PMOS晶体管。
上述的GaAs微波功率放大器保护控制电路中，具体的说是这样的：所述高速光电耦合器的输出端连接到开关三极管的基极，开关三极管的发射极接地，开关三极管的集电极连接到PMOS晶体管的栅极，PMOS晶体管的漏极接电源输出的直流正电压，PMOS晶体管的源极输出直接接功率放大器的供电管脚。
本实用新型的有益效果：与现有技术相比，本实用新型利用负电压控制正电压的输出，只有负电压建立以后正电压才能加载到功率放大器的电源输入端，最终实现对功率放大器的供电保护功能，为产品中的关键件（功率放大器）的安全正常可靠工作提供了保证。本实用新型是目前GaAs功率放大器安全正常工作必须的保护电路，在使用GaAs功率放大器的设备中可以普遍采用，具有广泛的设计参考价值。
附图说明
图1是本实用新型的原理图。
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步的说明。
具体实施方式
实施例。如图1所示，包括高速光电耦合器1、开关三极管2和PMOS晶体管3，本例中高速光电耦合器1的型号为HSSR-7111，开关三极管2的型号为BT2369，PMOS晶体管3的型号为IRF4905S。高速光电耦合器1内部的发光三极管4的输入端连接负电压VSS；光电耦合器1内部的光敏三极管5的输入端连接正电压VCC，光敏三极管5的输出端串接开关三极管2；开关三极管2串接PMOS晶体管3。高速光电耦合器1的输出端连接到开关三极管2的基极，开关三极管2的发射极接地，开关三极管2的集电极连接到PMOS晶体管3的栅极，PMOS晶体管3的漏极接电源输出的直流正电压VCC，PMOS晶体管3的源极输出VCC’直接接功率放大器的供电管脚。
工作原理：当负电压VSS（-5V）未加在光电耦合器1的输入端6时，光电耦合器1内部的发光三极管4不能打开，正电压VCC无法通过，开关三极管2无法导通，PMOS晶体管3的栅极与漏极电压相同，无电压差，PMOS晶体管3不能打开， VCC′无输出电压（VCC'为功率放大器的供电电压），此时功率放大器不会工作，避免了功率放大器在栅极没有-5V偏置电压的情况下直接加载正电压而导致功率放大器烧毁失效，实现了对功率放大器的保护。
当负电压VSS（-5V）加在光电耦合器1的输入端6时，光电耦合器1内部的发光三极管4打开，正电压VCC通过，开关三极管2导通，PMOS晶体管3的栅极电压约为0V，栅极与漏级的电压差小于-4V，PMOS晶体管3打开，正电压通过PMOS晶体管3 后为功率放大器供电。
本实用新型的实施方式不限于上述实施例，在不脱离本实用新型宗旨的前提下做出的各种变化均属于本实用新型的保护范围之内。

Claims (2)

1.一种GaAs微波功率放大器保护控制电路，包括高速光电耦合器（1）、开关三极管（2）和PMOS晶体管（3），其特征在于：所述高速光电耦合器（1）内部的发光三极管（4）的输入端连接负电压（VSS）；高速光电耦合器（1）内部的光敏三极管（5）的输入端连接正电压（VCC），光敏三极管（5）的输出端串接开关三极管（2）；开关三极管（2）串接PMOS晶体管（3）。
2.根据权利要求1所述的GaAs微波功率放大器保护控制电路，其特征在于：所述高速光电耦合器（1）的输出端连接到开关三极管（2）的基极，开关三极管（2）的发射极接地，开关三极管（2）的集电极连接到PMOS晶体管（3）的栅极，PMOS晶体管（3）的漏极接电源输出的直流正电压（VCC），PMOS晶体管（3）的源极输出（VCC’）直接接功率放大器的供电管脚。
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