CN104282824A - 大功率高反射率cob基板及光源的制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提出了一种大功率高反射率COB基板及光源的制作方法，包括如下步骤：提供透明基材板；在透明基材板的两面均形成感光膜；对透明基材板两面的感光膜均进行曝光显影，露出透明基材板上的产品外形边框线；对透明基材板上的产品外形边框线进行穿透步骤；去除感光膜；在去除感光膜后的透明基材板的底面和侧面形成镜面反光层；在去除感光膜后的透明基材板的正面进行电路层的印刷和烧结，透明基材板的正面还设有固晶区；所述电路层形成焊线区和电极；对透明基材板正面的除固晶区、焊线区以及电极三部分以外的其他部分印刷绝缘油。本发明的大功率高反射率COB基板及光源的制作方法能大大提高COB基板或光源的反光能力，提高光效率，节能环保。

Description

大功率高反射率COB基板及光源的制作方法
技术领域
本发明涉及光源领域，具体涉及COB基板及光源的制作方法。
背景技术
传统制作的COB光源发光效率低，LED的光能量被大量浪费。现有的制作方法一般是在LED芯片的固晶区形成反光杯结构，以集中LED芯片的出光角度，从而提高光效率，但这样的方式仍然存在很大的光能浪费。
发明内容
针对上述现有技术不足，本发明要解决的技术问题是提供一种可以提高COB光源反光率的COB基板制作方法，减少能源浪费。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为，大功率高反射率COB基板的制作方法，包括如下步骤：
(1)提供透明基材板；
(2)在透明基材板的两面均形成感光膜；
(3)对透明基材板两面的感光膜均进行曝光显影，露出透明基材板上的产品外形边框线；
(4)对透明基材板上的产品外形边框线进行穿透步骤；
(5)去除感光膜；
(6)在去除感光膜后的透明基材板的底面和侧面形成镜面反光层；
(7)在去除感光膜后的透明基材板的正面进行电路层的印刷和烧结，透明基材板的正面还设有固晶区；所述电路层形成焊线区和电极；
(8)对透明基材板正面的除固晶区、焊线区以及电极三部分以外的其他部分印刷绝缘油。
这样的方式，透明基材板的正面用于安装LED芯片，而LED芯片发射的光能通过透明基材板，到达镜面反光层，由镜面反光层把光线进行反射，大大增强光的利用效率。
优选的技术方案为，
所述步骤(2)中，形成感光膜具体为印刷感光膜或粘合感光干膜。这样的方案工艺简单，容易实现。
优选的技术方案为，
所述步骤(4)中，穿透步骤为采用氢氟酸刻蚀至穿透或采用激光切割镂空。
氢氟酸刻蚀成本低，容易实现，方便大规模生产应用；激光切割的精确度高。
优选的技术方案为，
所述步骤(6)中，采用蒸镀或溅射方式形成镜面反光层，所述镜面反光层为镍、银或铟金属层。
优选的技术方案为，
所述步骤(7)具体为，使用导电材料对导电层进行印刷，形成固晶区、焊线区和电极；再在700-1000℃环境下，进行1小时的烧结。
进一步的技术方案为，
所述步骤(8)中，所述绝缘油为黑色或白色绝缘油。这样的方案可以防止反射时光线漏蓝光。
本发明还涉及一种大功率高反射率COB光源的制作方法，包括如权利要求1-6任意一项所述的步骤，还包括如下步骤：
(9)采用透明固晶胶水把LED芯片固定在固晶区，并把LED芯片与电路层电连接；
(10)对透明基材板的正面进行光源外壳封装。
这样的方案采用透明固晶胶水，保证LED芯片底面的光能通过透明基材板，实现镜面反光层的反射。
本发明的大功率高反射率COB基板及光源的制作方法能大大提高COB基板或光源的反光能力，提高光效率，节能环保。
附图说明
图1是本发明大功率高反射率COB基板的制作方法的步骤示意图。
图2是本发明大功率高反射率COB光源的制作方法的后续步骤示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，对本发明作进一步的详细描述。
如图1所示，本发明的大功率高反射率COB基板的制作方法，包括如下步骤：
(1)提供透明基材板1；可选透明玻璃、透明陶瓷或蓝宝石等透明基材，其透光率高，使本方案能更有效地实施；厚度可按产品要求选取，0.4-4mm均可。
(2)在透明基材板1的两面均形成感光膜2；可以是印刷感光膜2或者粘合感光干膜，感光干膜也是感光膜的一种。如图1(a)所示，其中图1(a)所示为侧视方向示意图。
(3)对透明基材板1两面的感光膜2均进行曝光显影，露出透明基材板1上的产品外形边框线3，如图1(b)所示；产品外形边框线3的部分没有覆盖感光膜2，而其他部分被感光膜2保护。其中，所述产品是指单独的成品基板，产品外形边框线3则指基板之外的部分，本实施例中，产品与产品之间还预留连接位4，如图1(c)所示，可使后续的其他步骤不是单只产品作业，而是可以实现整体作业，方便自动化生产，保证生产效率。其中，图1(b)为侧视方向，图1(c)为俯视方向示意图。
(4)对透明基材板1上的产品外形边框线3进行穿透步骤；穿透步骤可以为采用氢氟酸刻蚀至穿透或采用激光切割镂空。其中，氢氟酸刻蚀可以直接用氢氟酸刻蚀机进行操作即可，加工成本低，方便大规模生产；激光切割镂空的方式加工精度高，但同时成本也较高，不适合大规模生产。把产品外形边框线3镂空后，即完成了基板外形的制作。
(5)去除感光膜2，具体地，采用氢氧化钠溶液进行去除。
(6)如图1(d)所示，在去除感光膜2后的透明基材板1的底面和侧面形成镜面反光层5，具体地，可采用蒸镀或溅射方式形成镜面反光层5，所述镜面反光层5为镍、银或铟金属层，也可以采用其他反光率高的材料，具体的反光材料本身并不是本发明的考虑范畴。其中，图1(d)为侧视方向示意图。
(7)在去除感光膜2后的透明基材板1的正面进行电路层6的印刷和烧结，透明基材板1的正面还设有固晶区61，所述电路层6形成焊线区62和电极63；具体地，使用导电材料(本实施例中为银浆)对导电层进行印刷，形成固晶区61、焊线区62和电极63；再在700-1000℃环境下，进行1小时的烧结。如图1(e)和图1(f)所示，其中图1(e)为侧视方向视图，图1(f)为俯视方向视图。其中，固晶区61、焊线区62和电极63的数量并不唯一，而是根据实际生产时，基板所需安装的LED芯片7的数量而定，每个LED芯片7对应一个固晶区61、一组焊线区62和一组电极63(正、负电极)。
(8)对透明基材板1正面的除了固晶区61、焊线区62以及电极63三个部分以外的其他部分印刷绝缘油，以保证电气连接安全及光源的正常使用。更进一步地，所述绝缘油为黑色或白色绝缘油，可对透过的光进行吸收或反射，有效防止反射时光线漏蓝光，保证光源的正常使用。
本发明还公开了一种大功率高反射率COB光源的制作方法，包括上述基板制作方法的步骤，还包括如下步骤：
(9)采用透明固晶胶水把LED芯片7固定在固晶区61，并把LED芯片7与电路层6电连接；采用透明的固晶胶水避免胶水阻挡LED芯片7底部的光，保证光线的反射。
(10)对透明基材板1的正面进行光源外壳8封装，如图2所示。光源外壳8的具体封装形式不是本发明的考虑范围，可以用传统的LED光源封装方式，即硅胶与荧光粉混合后，作为外壳8进行封装；也可以是其他封装结构。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.大功率高反射率COB基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)提供透明基材板；
(2)在透明基材板的两面均形成感光膜；
(3)对透明基材板两面的感光膜均进行曝光显影，露出透明基材板上的产品外形边框线；
(4)对透明基材板上的产品外形边框线进行穿透步骤；
(5)去除感光膜；
(6)在去除感光膜后的透明基材板的底面和侧面形成镜面反光层；
(7)在去除感光膜后的透明基材板的正面进行电路层的印刷和烧结，透明基材板的正面还设有固晶区；所述电路层形成焊线区和电极；
(8)对透明基材板正面的除固晶区、焊线区以及电极三部分以外的其他部分印刷绝缘油。
2.根据权利要求1所述的大功率高反射率COB基板的制作方法，其特征在于：
所述步骤(2)中，形成感光膜具体为印刷感光膜或粘合感光干膜。
3.根据权利要求1所述的大功率高反射率COB基板的制作方法，其特征在于：
所述步骤(4)中，穿透步骤为采用氢氟酸刻蚀至穿透或采用激光切割镂空。
4.根据权利要求1所述的大功率高反射率COB基板的制作方法，其特征在于：
所述步骤(6)中，采用蒸镀或溅射方式形成镜面反光层，所述镜面反光层为镍、银或铟金属层。
5.根据权利要求1所述的大功率高反射率COB基板的制作方法，其特征在于：
所述步骤(7)具体为，使用导电材料对导电层进行印刷，形成固晶区、焊线区和电极；再在700-1000℃环境下，进行1小时的烧结。
6.根据权利要求1所述的大功率高反射率COB基板的制作方法，其特征在于：
所述步骤(8)中，所述绝缘油为黑色或白色绝缘油。
7.一种大功率高反射率COB光源的制作方法，包括如权利要求1-6任意一项所述的步骤，还包括如下步骤：
(9)采用透明固晶胶水把LED芯片固定在固晶区，并把LED芯片与电路层电连接；
(10)对透明基材板的正面进行光源外壳封装。
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