CN104045055A

CN104045055A - 盖板的制作方法

Info

Publication number: CN104045055A
Application number: CN201410272863.4A
Authority: CN
Inventors: 刘奇斌; 徐元俊; 颜毅林
Original assignee: Shanghai Advanced Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Shanghai Advanced Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2014-06-18
Filing date: 2014-06-18
Publication date: 2014-09-17

Abstract

本发明提供了一种盖板的制作方法，包括：提供一基板，在所述基板的正面与背面形成阻挡层；同时对所述基板正面与背面的阻挡层进行同时双面曝光，形成多个窗口；通过所述窗口对所述基板进行刻蚀；通过同时对基板的正面与背面的阻挡层进行双面曝光，形成图形，避免需要对准基板的正面图形与背面图形，提高了刻蚀的对准精度，并且简化了制作流程，节省了成本，提高了盖板制作工艺的效率；同时，本发明所述的盖板的制作方法，工艺控制方便易行，在一定程度上提高了成品率。

Description

盖板的制作方法

技术领域

本发明涉及MEMS传感器技术领域，具体涉及一种盖板的制作方法。

背景技术

微电子机械系统(Micro-Electro-Mechanical System，MEMS)技术可将机械构件、驱动部件、电控系统、数字处理系统等集成为一个整体单元的微型系统。这种微型电子机械系统不但能够采集、处理与发送信息或指令，还能够按照所获取的信息自主地或根据外部指令采取行动。它用微电子技术和微加工技术(包括硅体微加工、硅表面微加工、LIGA和晶片键合等技术)相结合的制造工艺，制造出各种性能优异、价格低廉、微型化的传感器、执行器、驱动器和微系统。它具有微小、智能、可执行、可集成、工艺兼容性好、成本低等诸多优点，故其已开始广泛应用于传感器、探测器等诸多领域。

在MEMS传感器的制作过程中盖板预封装是一道重要的工艺，现有技术中盖板的制作方法包括：步骤1：提供预封装盖板，在其正面与背面分别形成阻挡层；步骤2：刻蚀背面的阻挡层，形成多个背面窗口；步骤3：从多个背面窗口中刻蚀预封装盖板，形成多个背面空腔；步骤4：刻蚀正面的阻挡层，形成多个正面窗口；步骤5：从多个正面窗口中刻蚀预封装盖板，形成多个正面空腔

在现有技术的盖板的制作方法中，采用正面与背面分别曝光与刻蚀的流程，其工艺流程复杂，并且正面形成的某个空腔需要与背面形成的某个空腔相互对准，在一定程度上增加了盖板制作的难度，且对盖板制作工艺的效率造成影响。

发明内容

本发明的目的在于提供一种盖板的制作方法，以提高传感器预封装用的盖板制作工艺的效率，简化制作流程，提高成品率。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种盖板的制作方法，包括：

提供一基板，在所述基板的正面与背面形成阻挡层；

同时对所述基板正面与背面的阻挡层进行双面曝光，形成多个窗口；

通过所述窗口对所述基板进行刻蚀。

可选的，所述基板为硅、锗、砷化硅、陶瓷、玻璃、金属或者有机材料。

可选的，所述阻挡层为一层或者多层叠加。

可选的，所述阻挡层为钝化材料。

可选的，所述阻挡层为二氧化硅或/和氮化硅。

可选的，在进行曝光与刻蚀之前，在所述阻挡层上涂覆光刻胶；形成所述窗口之后，去除所述光刻胶。

可选的，对所述基板进行刻蚀采用干法刻蚀或者湿法刻蚀。

可选的，在对所述基板进行刻蚀之后，还包括：去除所述基板上残留的阻挡层。

与现有技术相比，本发明所提供的盖板的制作方法，通过同时对基板的正面与背面的阻挡层进行双面曝光，形成图形，避免需要对准基板的正面图形与背面图形，提高了刻蚀的对准精度，并且简化了制作流程，节省了成本，提高了盖板制作工艺的效率；同时，本发明所述的盖板的制作方法，工艺控制方便易行，在一定程度上提高了成品率。

附图说明

图1为本发明一实施例所提供的盖板的制作方法的流程图。

图2～4为本发明一实施例所提供的盖板的制作方法的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在详述本发明实施例时，为了便于说明，示意图不依一般比例局部放大，不应以此作为对本发明的限定。

本发明的盖板的制作方法可广泛应用于多种领域，尤其适用于MEMS传感器，下面通过较佳的实施例来加以说明，当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的普通技术人员所熟知的一般的替换无疑涵盖在本发明的保护范围内。

图1为本发明一实施例中盖板的制作方法流程图，如图1所示，本发明提出一种盖板的制作方法，包括以下步骤：

步骤S01：提供一基板，在所述基板的正面与背面形成阻挡层；

步骤S02：同时对所述基板正面与背面的阻挡层进行双面曝光，形成多个窗口；

步骤S03：通过所述窗口对所述基板进行刻蚀。

图2～4为本发明一实施例中盖板的制作方法的结构示意图，请参考图1所示，并结合图2～图4，详细说明本发明提出所述盖板的制作方法：

在步骤S01中，提供一基板100，在所述基板100的正面与背面形成阻挡层101，形成图2所示的结构。

在本实施例中，所述基板100可以为硅、锗和砷化镓等半导体材料，也可以为陶瓷、玻璃、金属或者有机材料；在其他实施例中，所述基板也可以是本领域技术人员已知的其他材料。在所述基板100的正面和背面分别形成阻挡层101。所述阻挡层101可以为一层或者多层的叠加，材料可以选用钝化材料，例如，所述基板100为硅材料，则所述阻挡层101可以为二氧化硅、氮化硅或者二氧化硅和氮化硅的层叠。

在步骤S02中，同时对所述基板100正面与背面的阻挡层101进行双面曝光，形成多个窗口102，如图3所示。

在所述基板100的正面与背面上的阻挡层101的表面涂覆光刻胶(图中未示出)，并同时进行双面曝光，形成图形化的光刻胶，暴露出部分所述阻挡层101，以图形化的光刻胶为掩膜刻蚀掉所述暴露出的阻挡层101至所述基板100，形成多个窗口102。从图3可以看出，同时进行基板100的正面与背面进行双面曝光，可以很容易的对准正面与背面的窗口。最后再去除所述阻挡层101上残留的光刻胶。

在步骤S03中，通过所述窗口102对所述基板100进行刻蚀，形成如图4所示的结构。

以阻挡层101为掩膜，从多个窗口102中刻蚀所述基板100，在所述基板100上形成多个图形103。该刻蚀工艺可以是干法刻蚀也可以是湿法刻蚀，且不限定于某一刻蚀剂。当基板100的厚度较大时，可以选择湿法刻蚀；而当基板100的厚度较薄时，可以选择干法刻蚀。本领域技术人员可以根据具体工艺难度和工艺成本选择合适的工艺。另外，根据实际需要，多个正面图形的底部与多个背面图形的底部之间可以隔有基板，也可以直接相连通。

在对所述基板100进行刻蚀形成空腔103之后，还包括：去除所述基板100上残留的阻挡层101。

综上所述，本发明所提供的盖板的制作方法，通过同时对基板的正面与背面的阻挡层进行双面曝光，形成图形，避免需要对准基板的正面图形与背面图形，提高了刻蚀的对准精度，并且简化了制作流程，节省了成本，提高了盖板制作工艺的效率；同时，本发明所述的盖板的制作方法，工艺控制方便易行，在一定程度上提高了成品率。

上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims

1.一种盖板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板，在所述基板的正面与背面形成阻挡层；

通过所述窗口对所述基板进行刻蚀。

2.如权利要求1所述的盖板的制作方法，其特征在于，所述基板为硅、锗、砷化硅、陶瓷、玻璃、金属或者有机材料。

3.如权利要求2所述的盖板的制作方法，其特征在于，所述阻挡层为一层或者多层叠加。

4.如权利要求3所述的盖板的制作方法，其特征在于，所述阻挡层为钝化材料。

5.如权利要求4所述的盖板的制作方法，其特征在于，所述阻挡层为二氧化硅或/和氮化硅。

6.如权利要求1所述的盖板的制作方法，其特征在于，在进行曝光与刻蚀之前，在所述阻挡层上涂覆光刻胶；形成所述窗口之后，去除所述光刻胶。

7.如权利要求1所述的盖板的制作方法，其特征在于，对所述基板进行刻蚀采用干法刻蚀或者湿法刻蚀。

8.如权利要求1至7中任意一项所述的盖板的制作方法，其特征在于，在对所述基板进行刻蚀之后，还包括：去除所述基板上残留的阻挡层。