CN106129223A - 一种led倒装晶粒的csp封装灯珠的贴装体及封装方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体及封装方法贴装装置及封装方法，包括基板、锡膏、LED倒装芯片、挡光胶和荧光胶，所述LED倒装芯片通过锡膏与基板固定连接，所述挡光胶覆盖在LED倒装芯片上，研磨去除挡光胶的表层，使LED倒装芯片的顶面能够裸露，所述荧光胶覆盖在裸露的LED倒装芯片上。本发明对基材基板进行双面贴LED倒装芯片，有别于传统单面贴芯片，由于基材大部分都比较昂贵，这样既降低了基材的浪费，也为企业或公司节省成本。
Description
技术领域
本发明涉及LED封装技术领域，尤其涉及一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体及封装方法。
背景技术
基于新型的芯片级封装LED(CSP LED；Chip Scale Package LED)，是在芯片底面设有电极，直接在芯片的上表面和侧面封装上封装胶体，使底面的电极外露，由于这种封装结构并无支架或基板，可降低了封装成本。现有的芯片级封装LED通常是采取五面发光，即LED的顶面和四个侧面均能发光，该种LED的封装工艺相对比较简单。随着人们对产品出光的角度、一致性等要求的提高，目前的芯片级封装LED结构已经满足不了人们的需求，人们渴望具有单面发光的芯片级封装LED的出现。现在在基板上贴芯片往往都是单面贴，对基板的利用不够充分，且现在的基板很贵，如果不能很好利用，就会造成大量资金浪费。
发明内容
基于背景技术存在的技术问题，本发明提出了一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体及封装方法。
本发明提出的一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体，包括基板、锡膏、LED倒装芯片、挡光胶和荧光胶，所述LED倒装芯片通过锡膏与基板固定连接，所述挡光胶覆盖在LED倒装芯片上，研磨去除挡光胶的表层，使LED倒装芯片的顶面能够裸露，所述荧光胶覆盖在裸露的LED倒装芯片上。
优选地，所述基板为透明基板，所述基板的厚度为0.15-0.18mm。
优选地，所述挡光胶通过涂刷方式覆盖在LED倒装芯片上。
优选地，所述荧光胶层通过模造或粘贴形式覆盖在裸露的LED倒装芯片上。
一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体的封装方法，其特征在于，包括以下具体步骤：
S1：在基板上溅镀一层铜，以微影蚀刻的方式将铜线路蚀刻出来，采用电镀法在铜线路上电镀使得铜线路的厚度达到所需厚度；
S2：将步骤S1镀铜的基板上涂有锡膏，将LED倒装芯片通过锡膏固定在基板的焊盘上，通过回流焊，使LED倒装芯片和基板形成电气连接，其中LED倒装芯片呈阵列分布，相邻LED倒装芯片之间留有间隙；
S3：将步骤S2中的LED倒装芯片阵列上涂刷挡光胶，挡光胶能够将每颗LED倒装芯片的发光面完全覆盖；
S4：步骤S3中挡光胶固化后，研磨去除挡光胶的表层，使LED倒装芯片的顶面能够裸露，此时LED倒装芯片的顶面与侧面的挡光胶的顶面平齐；
S5：将步骤S4中裸露出的LED倒装芯片上通过模造或粘贴形式覆盖一层荧光胶，荧光胶层的顶面高于侧面挡光胶的顶面，荧光胶的顶面与挡光胶的顶面形成台阶；
S6：沿相邻LED倒装芯片之间的间隙进行切割，切割的深度至铜线层，使相邻LED倒装芯片之间的荧光胶层和挡光胶层能够被切断；
S7：把基板与LED倒装晶粒的CSP封装灯珠分离，形成单个LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体。
优选地，所述基板两面均可用于贴装LED倒装芯片形成LED倒装芯片的CSP封装灯珠的贴装体。
优选地，所述LED倒装芯片底部设有电极，所述电极焊接在锡膏上。
与已有技术相比，本发明有益效果体现在：
1、本发明中通过对多个LED倒装芯片进行固定、相邻LED倒装芯片间隙内刷入挡光胶进而在LED倒装芯片四周侧面形成挡光层、最后将多颗LED倒装芯片进行分离的封装工艺，可以同时制作出多颗单面发光的倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体；LED倒装芯片侧面被挡光胶遮挡，而LED倒装芯片在LED倒装晶粒侧面发出的蓝光相对于LED倒装晶粒中心位置发出的蓝光较少，本发明切除了LED倒装晶粒顶面外围的荧光胶，使LED倒装芯片侧面的蓝光不能从侧面激发，LED出光效果更好。
2、荧光胶的顶面与挡光胶的顶面形成台阶，能够防止LED倒装芯片侧面的蓝光从挡光胶层与LED倒装芯片侧面的结合面射出而影响LED倒装芯片的整体光效。
3、我们对基材基板进行双面贴LED倒装芯片，有别于传统单面贴芯片，由于基材大部分都比较昂贵，这样既降低了基材的浪费，也为企业或公司节省成本。
附图说明
图1为本发明工艺流程图；
图2为基板双面贴装LED倒装芯片在切割的深度至铜线的结构示意图；
图3为倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体的左视图；
图中，1-基板、2-铜线层、3-锡膏、4-LED倒装芯片、5-挡光胶、6-荧光胶、7-相邻LED倒装芯片之间的间隙、8-单个LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体、9-电极。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步解说。
实施例1
一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体，包括基板1、锡膏3、LED倒装芯片4、挡光胶5和荧光胶6，LED倒装芯片4通过锡膏3与基板1固定连接，挡光胶5覆盖在LED倒装芯片4上，研磨去除挡光胶5的表层，使LED倒装芯片4的顶面能够裸露，荧光胶6覆盖在裸露的LED倒装芯片4上。
其中，基板1为透明基板，基板1的厚度为0.15mm，挡光胶5通过涂刷方式覆盖在LED倒装芯片4上，荧光胶6层通过模造形式覆盖在裸露的LED倒装芯片4上。
一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体的封装方法，包括以下具体步骤：
S1：在基板1上溅镀一层铜，以微影蚀刻的方式将铜线路蚀刻出来，采用电镀法在铜线路上电镀使得铜线路的厚度达到0.15mm；
S2：将步骤S1镀铜的基板1上涂有锡膏3，将LED倒装芯片4通过锡膏3固定在基板1的焊盘上，通过回流焊，使LED倒装芯片4和基板1形成电气连接，其中LED倒装芯片4呈阵列分布，相邻LED倒装芯片4之间留有间隙；
S3：将步骤S2中的LED倒装芯片4阵列上涂刷挡光胶5，挡光胶5能够将每颗LED倒装芯片4的发光面完全覆盖；
S4：步骤S3中挡光胶固化后，研磨去除挡光胶5的表层，使LED倒装芯片4的顶面能够裸露，此时LED倒装芯片4的顶面与侧面的挡光胶5的顶面平齐；
S5：将步骤S4中裸露出的LED倒装芯片4上通过模造形式覆盖一层荧光胶6，荧光胶6层的顶面高于侧面挡光胶5的顶面，荧光胶6的顶面与挡光胶5的顶面形成台阶；
S6：沿相邻LED倒装芯片之间的间隙7进行切割，切割的深度至铜线层，使相邻LED倒装芯片4之间的荧光胶6层和挡光胶5层能够被切断；
S7：把基板1与LED倒装晶粒的CSP封装灯珠分离，形成单个LED倒装芯片的CSP封装灯珠的贴装体。
上述步骤中的基板两面均可用于贴装LED倒装晶粒形成LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体；LED倒装芯片底部设有电极9，电极9焊接在锡膏上。
实施例2
一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体，包括基板1、锡膏3、LED倒装芯片4、挡光胶5和荧光胶6，LED倒装芯片7通过锡膏3与基板1固定连接，挡光胶5覆盖在LED倒装芯片4上，研磨去除挡光胶5的表层，使LED倒装芯片4的顶面能够裸露，荧光胶6覆盖在裸露的LED倒装芯片4上。
其中，基板1为透明基板，基板1的厚度为0.17mm，挡光胶5通过涂刷方式覆盖在LED倒装芯片4上，荧光胶6层通过粘贴形式覆盖在裸露的LED倒装芯片4上。
一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体的封装方法，包括以下具体步骤：
S1：在基板1上溅镀一层铜，以微影蚀刻的方式将铜线路蚀刻出来，采用电镀法在铜线路上电镀使得铜线路的厚度达到0.17mm；
S2：将步骤S1镀铜的基板1上涂有锡膏3，将LED倒装芯片通过铜线固定在基板1的焊盘上，通过回流焊，使LED倒装芯片4和基板1形成电气连接，其中LED倒装芯片4呈阵列分布，相邻LED倒装芯片4之间留有间隙；
S3：将步骤S2中的LED倒装芯片阵列上涂刷挡光胶，挡光胶能够将每颗LED倒装芯片的发光面完全覆盖；
S4：步骤S3中挡光胶5固化后，研磨去除挡光胶5的表层，使LED倒装芯片4的顶面能够裸露，此时LED倒装芯片4的顶面与侧面的挡光胶5的顶面平齐；
S5：将步骤S4中裸露出的LED倒装芯片4上通过粘贴形式覆盖一层荧光胶6，荧光胶6层的顶面高于侧面挡光胶5的顶面，荧光胶6的顶面与挡光胶5的顶面形成台阶；
S6：沿相邻LED倒装芯片之间的间隙7进行切割，切割的深度至铜线层，使相邻LED倒装芯片4之间的荧光胶6层和挡光胶5层能够被切断；
S7：把基板与LED倒装晶粒的CSP封装灯珠分离，形成单个LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体8。
上述步骤中基板两面均可用于贴装LED倒装芯片形成LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体；LED倒装芯片底部设有电极9，电极9焊接在锡膏上。
实施例3
一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体，包括基板1、锡膏3、LED倒装芯片4、挡光胶5和荧光胶6，LED倒装芯片4通过锡膏3与基板1固定连接，挡光胶5覆盖在LED倒装芯片4上，研磨去除挡光胶5的表层，使LED倒装芯片4的顶面能够裸露，荧光胶6覆盖在裸露的LED倒装芯片4上。
其中，基板1为透明基板，基板1的厚度为0.18mm，挡光胶5通过涂刷方式覆盖在LED倒装芯片4上，荧光胶6层通过模造或粘贴形式覆盖在裸露的LED倒装芯片4上。
一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体的封装方法，包括以下具体步骤：
S1：在基板1上溅镀一层铜，以微影蚀刻的方式将铜线路蚀刻出来，采用电镀法在铜线路上电镀使得铜线路的厚度达到0.18mm；
S2：将步骤S1镀铜的基板1上涂有锡膏3，将LED倒装芯片4通过锡膏3固定在基板1的焊盘上，通过回流焊，使LED倒装芯片4和基板1形成电气连接，其中LED倒装芯片4呈阵列分布，相邻LED倒装芯片4之间留有间隙；
S3：将步骤S2中的LED倒装芯片4阵列上涂刷挡光胶5，挡光胶5能够将每颗LED倒装芯片4的发光面完全覆盖；
S4：步骤S3中挡光胶5固化后，研磨去除挡光胶5的表层，使LED倒装芯片4的顶面能够裸露，此时LED倒装芯片4的顶面与侧面的挡光胶5的顶面平齐；
S5：将步骤S4中裸露出的LED倒装芯片4上通过粘贴形式覆盖一层荧光胶6，荧光胶6层的顶面高于侧面挡光胶5的顶面，荧光胶6的顶面与挡光胶5的顶面形成台阶；
S6：沿相邻LED倒装芯片4之间的间隙进行切割，切割的深度至铜线层2，使相邻LED倒装芯片4之间的荧光胶6层和挡光胶5层能够被切断；
S7：把基板1与LED倒装晶粒的CSP封装灯珠分离，形成单个LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体8。
上述步骤中基板两面均可用于贴装LED倒装芯片4形成LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体；LED倒装芯片底部设有电极9，电极9焊接在锡膏上。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体，其特征在于，包括基板、锡膏、LED倒装芯片、挡光胶和荧光胶，所述LED倒装芯片通过锡膏与基板固定连接，所述挡光胶覆盖在LED倒装芯片上，研磨去除挡光胶的表层，使LED倒装芯片的顶面能够裸露，所述荧光胶覆盖在裸露的LED倒装芯片上。
2.根据权利要求1所述的一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体，其特征在于，所述基板为透明基板，所述基板的厚度为0.15-0.18mm。
3.根据权利要求1所述的一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体，其特征在于，所述挡光胶通过涂刷方式覆盖在LED倒装芯片上。
4.根据权利要求1所述的一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体，其特征在于，所述荧光胶层通过模造或粘贴形式覆盖在裸露的LED倒装芯片上。
5.根据权利要求1所述的一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体的封装方法，其特征在于，包括以下具体步骤：
S1：在基板上溅镀一层铜，以微影蚀刻的方式将铜线路蚀刻出来，采用电镀法在铜线路上电镀使得铜线路的厚度达到所需厚度，切割铜线路形成两条铜线；
S2：将步骤S1镀铜的基板上涂有锡膏，将LED倒装芯片通过锡膏固定在基板的焊盘上，通过回流焊，使LED倒装芯片和基板形成电气连接，其中LED倒装芯片呈阵列分布，相邻LED倒装芯片之间留有间隙；
S3：将步骤S2中的LED倒装芯片阵列上涂刷挡光胶，挡光胶能够将每颗LED倒装芯片的发光面完全覆盖；
S4：步骤S3中挡光胶固化后，研磨去除挡光胶的表层，使LED倒装芯片的顶面能够裸露，此时LED倒装芯片的顶面与侧面的挡光胶的顶面平齐；
S5：将步骤S4中裸露出的LED倒装芯片上通过模造或粘贴形式覆盖一层荧光胶，荧光胶层的顶面高于侧面挡光胶的顶面，荧光胶的顶面与挡光胶的顶面形成台阶；
S6：沿相邻LED倒装芯片之间的间隙进行切割，切割的深度至铜线层，使相邻LED倒装芯片之间的荧光胶层和挡光胶层能够被切断；
S7：把基板与LED倒装晶粒的CSP封装灯珠分离，形成单个LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体。
6.根据权利要求5所述的一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体的封装方法，其特征在于，所述基板两面均可用于贴装LED倒装芯片形成LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体。
7.根据权利要求5所述的一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体的封装方法，其特征在于，所述LED倒装芯片底部设有电极，所述电极焊接在锡膏上。
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