CN104267857B - 光电感测阵列、制作光电感测阵列的方法及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种光电感测阵列、制作光电感测阵列的方法及显示装置，本发明的光感测阵列包括多个第一感测元件、一绝缘层与多个第二感测元件。第一感测元件的下电极与第二感测元件的下电极由不同层图案化不透明导电层所构成，其中第一感测元件的下电极设置于绝缘层之下，且第二感测元件的下电极设置于绝缘层之上。

Description

光电感测阵列、制作光电感测阵列的方法及显示装置

技术领域

本发明涉及一种光电感测阵列、一种制作光电感测阵列的方法及一种显示装置，尤其是涉及一种具有高填充因子(fill factor，FF)的光电感测阵列与制作光电感测阵列的方法。

背景技术

光电感测阵列主要由多个呈阵列排列的感测元件所构成，其中各感测元件以一对应的读取元件电性连接，以将感测信号传送至对应的读取元件。各感测元件包括一下电极、一感光层与一上电极彼此堆栈设置。在现有光电感测阵列中，所有感测元件的下电极由同一层导电层所构成，并利用同一道微影及蚀刻(photolithography and etching，PEP)制造工艺所定义出，而受限于曝光制造工艺的能力以及为了避免相邻的感测元件的下电极之间产生短路的考虑，相邻的感测元件的下电极之间必须维持较大的间隙例如大于4.5微米。因此，现有光电感测阵列会因为具有低填充因子而使其感测精准度与敏感度不佳。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有高填充因子及大感测面积的光电感测阵列及其制作方法。

本发明的一实施例提供一种光电感测阵列，包括一基板、多个第一读取元件、多个第二读取元件、一第一绝缘层、多个第一感测元件、一第二绝缘层以及多个第二感测元件。第一读取元件与第二读取元件设置于基板上。第一绝缘层覆盖第一读取元件与第二读取元件，其中第一绝缘层具有多个第一接触洞分别部分暴露出等第一读取元件，以及多个第二接触洞分别部分暴露出第二读取元件。第一感测元件设置于第一绝缘层上，各第一感测元件包括一第一电极、一第一感光层与一第二电极，其中第一感测元件的第一电极设置于第一绝缘层上并分别经由第一接触洞与第一读取元件电性连接。第二绝缘层设置于第一绝缘层上并部分覆盖第一电极，其中第二绝缘层具有多个第三接触洞，分别对应第二接触洞并分别部分暴露出第二读取元件。第二感测元件设置于第二绝缘层上，各第二感测元件包括一第三电极、一第二感光层与一第四电极，其中第三电极设置于第二绝缘层上并分别经由第三接触洞与第二读取元件电性连接。

本发明的另一实施例提供一种显示装置，包括一显示面板以及上述光电感测阵列。显示面板具有一显示面。上述光电感测阵列设置于显示面板的显示面上。

本发明的又一实施例提供一种制作光电感测阵列的方法，包括下列步骤。提供一基板。于基板上形成多个第一读取元件与多个第二读取元件。于第一读取元件与第二读取元件上形成一第一绝缘层，其中第一绝缘层具有多个第一接触洞分别部分暴露出第一读取元件，以及多个第二接触洞分别部分暴露出第二读取元件。于第一绝缘层上形成一第一不透明导电层，并图案化第一不透明导电层以形成多个第一电极，其中第一电极分别经由第一接触洞与第一读取元件电性连接。于第一绝缘层上形成一第二绝缘层，覆盖第一电极、第一接触洞与第二接触洞，并图案化第二绝缘层以形成多个第三接触洞，分别对应第二接触洞并分别部分暴露出第二读取元件。于第二绝缘层上形成一第二不透明导电层，并图案化第二不透明导电层以形成多个第三电极，其中第三电极分别经由第三接触洞与第二读取元件电性连接。移除一部分的第二绝缘层，以形成多个第一开口分别部分曝露出第一电极。

于各第一电极上分别形成一第一感光层与一第二电极，以及于各第三电极上分别形成一第二感光层与一第四电极，其中各第一电极、各第一感光层与各第二电极构成一第一感测元件，且各第三电极、各第二感光层与各第四电极构成一第二感测元件。

附图说明

图1至图14是示出本发明的一实施例的制作光电感测阵列的方法示意图；

图15是示出本发明的第二实施例的光电感测阵列的上视图；

图16是示出本发明的第二实施例的光电感测阵列的剖视图；

图17是示出本发明的第三实施例的光电感测阵列的上视图；

图18是示出本发明的第四实施例的光电感测阵列的上视图；

图19是示出本发明的第四实施例的光电感测阵列的剖视图；

图20是示出本发明的一实施例的显示装置的示意图。

附图标记

10：基板 12：读取元件

121：第一读取元件 122：第二读取元件

G：栅极 GI：栅极绝缘层

CH：半导体通道层 S：源极

D：漏极 D1：第一方向

DL：数据线 D2：第二方向

GL：栅极线 CSL：储存电容线

14：第一绝缘层 141：第一接触洞

142：第二接触洞 16：第一不透明导电层

161：第一电极 18：光阻层

200：光罩 200A：透光区

200B：不透光区 L：光线

20：第二绝缘层 203：第三接触洞

22：第二不透明导电层 223：第三电极

24：光阻层 s：间隙

201：第一开口 26：保护层

262：第二开口 263：第三开口

281：第一感光层 302：第二电极

282：第二感光层 304：第四电极

41：第一感测元件 42：第二感测元件

1：光电感测阵列 2：光电感测阵列

Z：垂直投影方向 3：光电感测阵列

4：光电感测阵列 s1：间隙

s2：间隙 50：显示装置

60：显示面板 70：光电感测阵列

62：阵列基板 64：对向基板

66：液晶层 60A：显示面

80：背光模块

具体实施方式

为使熟悉本发明所属技术领域的一般技术人员能更进一步了解本发明，以下特列举本发明的较佳实施例，并配合所附附图，详细说明本发明的构成内容及所要实现的效果。

请参照图1至图14。图1至图14是示出本发明的一实施例的制作光电感测阵列的方法示意图，其中图1、图10及图13以上视形式示出，而图2至图9、图11、图12与图14以剖面形式示出。如图1与图2所示，首先提供一基板10。基板10可包括一透明基板例如玻璃基板、石英基板或塑料基板，但不以此为限。接着，于基板10上形成多个读取元件12，其中读取元件12可包括多个第一读取元件121与多个第二读取元件122。本实施例的各读取元件12可包括至少一薄膜晶体管元件，其包括一栅极G、一栅极绝缘层GI、一半导体通道层CH、一源极S与一漏极D。在本实施例中，在第一方向D1(例如列方向)上相邻的读取元件12可共享同一条数据线DL，亦即位于同一列的读取元件12的源极S可与同一条数据线DL电性连接；在第二方向D2(例如行方向)上相邻的读取元件12可共享同一条栅极线GL，亦即位于同一行的读取元件12的栅极G可与同一条栅极线GL电性连接。另外，可选择性地于基板10上形成多条储存电容线CSL，分别沿第二方向D2延伸，且位于同一行的各读取元件12的漏极D可与对应的储存电容线CSL部分重叠以形成一储存电容。在本实施例中，栅极G、栅极线GL与储存电容线CSL可由一图案化导电层例如图案化金属层所构成；源极S、漏极D与数据线DL可由另一图案化导电层例如图案化金属层所构成，但不以此为限。半导体通道层CH的材料可包括例如非晶硅、多晶硅、氧化物半导体材料或其它适合的半导体材料。在本实施例中，读取元件12选用一底栅型薄膜晶体管元件，但不以此为限，读取元件12可为顶栅型薄膜晶体管元件或其它形式的主动开关元件。

如图3所示，接着于第一读取元件121与第二读取元件122上形成一第一绝缘层14，其中第一绝缘层14具有多个第一接触洞141分别部分暴露出第一读取元件121，以及多个第二接触洞142分别部分暴露出第二读取元件122。精确地说，第一接触洞141部分暴露出第一读取元件121的漏极D，且第二接触洞142部分暴露出第二读取元件122的漏极D。第一绝缘层14较佳可具有一平坦表面，且第一绝缘层14的材质较佳可为但不限定为有机感光材料例如感光树脂，借此可利用曝光显影制造工艺形成第一接触洞141与第二接触洞142。

随后于第一绝缘层14上形成一第一不透明导电层16，并图案化第一不透明导电层16以形成多个第一电极161，其中第一电极161实质上分别位于第一读取元件121之上且分别经由第一接触洞141与第一读取元件121电性连接。在本实施例中，图案化第一不透明导电层16使用一光罩并进行一微影及蚀刻(photolithography and etching，PEP)制造工艺加以实现。举例而言，第一不透明导电层16的图案化制造工艺包括下列步骤。如图4所示，于第一绝缘层14上形成一第一不透明导电层16。第一不透明导电层16可包括一不透明导电层，其材料可包括金属或合金，但不以此为限。此外，第一不透明导电层16可为单层结构或复合层结构。接着于第一不透明导电层16上形成一光阻层18。如图5所示，接着使用一光罩200对光阻层18进行一微影制造工艺，移除一部分的光阻层18以部分暴露出第一不透明导电层16。本实施例的光阻层18以正型光阻为例，因此光罩200的透光区200A对应于要移除的光阻层18的部分，而不透光区200B则对应要保留的光阻层18的部分，借此透光区200A所对应的光阻层18在经过光线L的照射再经过显影之后可被移除。若使用负型光阻，则光罩200的透光区200A对应于要保留的光阻层18的部分，而不透光区200B则对应要移除的光阻层18的部分。如图6所示，随后进行一蚀刻制造工艺，移除光阻层18暴露出的第一不透明导电层16以形成多个第一电极161。第一电极161可为一不透明电极例如金属电极。

如图7所示，移除剩余的光阻层18。随后于第一绝缘层14上形成一第二绝缘层20，覆盖第一电极161、第一接触洞141与第二接触洞142，并图案化第二绝缘层20以形成多个第三接触洞203，分别对应第二接触洞142并分别部分暴露出第二读取元件122。精确地说，各第三接触洞203与对应的第二接触洞142部分暴露出对应的第二读取元件122的漏极D。

随后于第二绝缘层20上形成一第二不透明导电层22，并图案化第二不透明导电层22以形成多个第三电极223，其中第三电极223分别经由第三接触洞203与第二读取元件122的漏极D电性连接。在本实施例中，图案化第二不透明导电层22是使用一光罩200并进行一微影及蚀刻制造工艺加以实现，且图案化第二不透明导电层22的微影制造工艺与图案化第一不透明导电层16的微影制造工艺较佳可以使用同一光罩200，也就是说，借由调整光罩200与基板10的相对位置，图案化第二不透明导电层22的微影制造工艺可以利用同一光罩200进行，因此不必使用额外的光罩而可减少制作成本。举例而言，第二不透明导电层22的图案化制造工艺包括下列步骤。如图8所示，第二绝缘层20上形成一第二不透明导电层22。第二不透明导电层22可包括一不透明导电层，其材料可包括金属或合金，但不以此为限。此外，第二不透明导电层22可为单层结构或复合层结构。接着于第二不透明导电层22上形成一光阻层24。如图9所示，接着再次使用光罩200对光阻层24进行一微影制造工艺，移除一部分的光阻层24以部分暴露出第二不透明导电层22。如图10与图11所示，随后进行一蚀刻制造工艺，移除光阻层24暴露出的第二不透明导电层22以形成多个第三电极223。第三电极223可为一不透明电极例如金属电极。在本实施例中，相邻的第一电极161与第三电极223之间具有一间隙s，由于第一电极161由第一不透明导电层16所构成以及第三电极223由第二不透明导电层22所构成，故相邻的第一电极161与第三电极223的间隙s可以不受限于曝光制造工艺的能力且没有第一电极161与第三电极223产生短路的风险而大幅地缩减以提高填充因子，进而提升感测精准度与敏感度。举例而言，相邻的第一电极161与第三电极223之间的间隙s实质上可小于或等于3微米，例如较佳为2微米，但不以此为限。此外，由于第一电极161由第一不透明导电层16所构成，第三电极223由第二不透明导电层22所构成，因此第一电极161与基板10的垂直距离小于第三电极223与基板10的垂直距离。

接着，移除一部分的第二绝缘层20，以形成多个第一开口201分别部分曝露出第一电极161。在本实施例中，形成第二绝缘层20的第一开口201的步骤可利用下列步骤实现，但不以此为限。如图12所示，随后于第二绝缘层20与第三电极223上形成一保护层26，其中保护层26具有多个第二开口262和多个第三开口263，第二开口262对应第一电极161，且第三开口263部分曝露出第三电极223。接着，移除第二开口262曝露出的第二绝缘层20，以曝露出第一电极161。在本实施例中，第一开口201与第二开口262实际上具有相同的形状并彼此连通，但不以此为限。举例而言，第二绝缘层20的第一开口201也可与第三接触洞203同时形成。此外，第二绝缘层20部分覆盖各第一电极161的周边。

如图13与图14所示，随后于保护层26与第二绝缘层20暴露出的各第一电极161上分别形成一第一感光层281与一第二电极302，以及于保护层26暴露出的各第三电极223上分别形成一第二感光层282与一第四电极304。为了彰显本实施例的光电感测阵列1的特色，图13未示出第二电极302、第四电极304、第一读取元件121、第二读取元件122、栅极线GL、数据线DL以及储存电容线CSL等元件。各第一电极161、各第一感光层281与各第二电极302构成一第一感测元件41，且各第三电极223、各第二感光层282与各第四电极304构成一第二感测元件42。各第一感光层281位于对应的第一开口201暴露出的第一电极161上并覆盖对应的第一开口201的第二绝缘层20的侧壁以及覆盖对应的第二开口262的保护层26的侧壁。另外，各第二感光层282位于对应的第三开口263内的第三电极223上并覆盖对应的第三开口263的保护层26的侧壁。在本实施例中，第一感光层281与第二感光层282可由同一层图案化感光层所构成，其材料可为各式具有光电感应特性的材料例如半导体感光材料、有机感光材料或无机感光材料等。此外，第二电极302与第四电极304分别为一透明电极，且在本实施例中，第二电极302与第四电极304可由同一透明导电层所构成且彼此电性连接，也就是说，第二电极302与第四电极304可具有同一共通电压，并分别作为第一感测元件41与第二感测元件42的上电极例如阴极。在一变化实施例中，第二电极302与第四电极304亦可彼此分离，并分别具有独立的驱动电压。第一电极161与第三电极223则分别作为第一感测元件41与第二感测元件42的下电极例如阳极。借由上述方法，即可制作出本发明的第一实施例的光电感测阵列1。

在本实施例中，第一感测元件41与第二感测元件42在第一方向D1与第二方向D2的其中至少一者上为交替排列。举例而言，第一感测元件41与第二感测元件42在第一方向D1与第二方向D2的均为交替排列，借此在第一方向D1上与第二方向D2上相邻的第一电极161与第三电极223之间的间隙s均可大幅缩小。举例而言，以分辨率为1000ppi的光电感测阵列为例，当相邻的第一电极161与第三电极223之间的间隙s由4.5微米缩减至2微米时，各感测元件的感测面积约可以从约274平方微米增加至约338平方微米，且填充因子可从42％增加至52％，借此可以提升光电感测阵列1的灵敏度与准确度。

本发明的光电感测阵列并不以上述实施例为限。以下将依序介绍本发明的其它较佳实施例的光电感测阵列，且为了便于比较各实施例的相异处并简化说明，在以下的各实施例中使用相同的符号标注相同的元件，且主要针对各实施例的相异处进行说明，而不再对重复部分进行赘述。

请参照图15与图16。图15是示出本发明的第二实施例的光电感测阵列的上视图，图16是示出本发明的第二实施例的光电感测阵列的剖视图。如图15与图16所示，在本实施例的光电感测阵列2中，一部分的两相邻的第一感测元件41的第一电极161与第二感测元件42的第三电极223之间具有一间隙s，且一部分的两相邻的第一感测元件41的第一电极161的边缘与第二感测元件42的第三电极223的边缘在一垂直投影方向Z上切齐。举例而言，在本实施例中，第一感测元件41与第二感测元件42在第一方向D1与第二方向D2上均为交替排列，但在第一方向D1上任两相邻的第一感测元件41的第一电极161与第二感测元件42的第三电极223之间具有一间隙s，而在第二方向D2上任两相邻的第一感测元件41的第一电极161的边缘与第二感测元件42的第三电极223的边缘在垂直投影方向Z上实质上切齐。借由上述配置，本实施例的光电感测阵列2可进一步提升填充因子。值得说明的是，两相邻的第一感测元件41的第一电极161的边缘与第二感测元件42的第三电极223的边缘在垂直投影方向Z上实质上切齐，但实际上考虑到第一电极161与第三电极223的对位误差，两相邻的第一感测元件41的第一电极161的边缘与第二感测元件42的第三电极223的边缘在第二方向D2的距离在误差范围内均可视为实质上切齐。

请参照图17。图17是示出本发明的第三实施例的光电感测阵列的上视图。如图17所示，在本实施例的光电感测阵列3中，第一感测元件41与第二感测元件42在第一方向D1与第二方向D2上均为交替排列，且在第一方向D1上与第二方向D2上任两相邻的第一感测元件41的第一电极161的边缘与第二感测元件42的第三电极223的边缘在垂直投影方向Z上实质上切齐。借由上述配置，本实施例的光电感测阵列3可更进一步提升填充因子。值得说明的是，两相邻的第一感测元件41的第一电极161的边缘与第二感测元件42的第三电极223的边缘在垂直投影方向Z上实质上切齐，但实际上考虑到第一电极161与第三电极223的对位误差，两相邻的第一感测元件41的第一电极161的边缘与第二感测元件42的第三电极223的边缘在第一方向D1与第二方向D2的距离在误差范围内均可视为实质上切齐。

请参照图18与图19。图18是示出本发明的第四实施例的光电感测阵列的上视图，图19是示出本发明的第四实施例的光电感测阵列的剖视图。如图18与图19所示，在本实施例的光电感测阵列4中，第一感测元件41与第二感测元件42在第一方向D1为交替排列，但第一感测元件41与第二感测元件42在第二方向D2上未交替排列。举例而言，位于奇数行的感测元件均为第一感测元件41，而位于偶数行的感测元件均为第二感测元件42。借由上述配置，在第一方向D1上任两相邻的第一感测元件41的第一电极161与第二感测元件42的第三电极223之间具有一间隙s1；在第二方向D2上，任两相邻的第一感测元件41的两第一电极161具有一间隙s2，且任两相邻的第二感测元件42的两第三电极223具有一间隙s2。由于第一电极161与第三电极223由不同层图案化不透明导电层所构成，因此间隙s1可小于间隙s2。举例而言，间隙s1实质上可小于3微米，且较佳为2微米，而间隙s2可为4.5微米。

本发明的光电感测阵列可应用在影像感测装置、触控输入装置、指纹识别装置或其它光学感测相关应用上。举例而言，在指纹识别的应用上，当手指放置在光电感测阵列上时会遮蔽光线，导致光线的强度会减弱，达到指纹识别的作用。值得说明的是，上述光线可以是由光电感测阵列的正面进入的光线例如环境光，在此状况下，本发明的第一至第四实施例的光学感测阵列均可支持；上述光线也可以是由光电感测阵列的背面进入的光线，例如由一背光源所提供的光线，在此状况下，本发明的第一、第二与第四实施例的光电感测阵列均可支持。

请参照图20。图20是示出本发明的一实施例的显示装置的示意图。如图20所示，本实施例的显示装置50包括一显示面板60以及一光电感测阵列70。显示面板60具有一显示面60A，且光电感测阵列70设置于显示面板60的显示面60A上。本实施例的显示面板60以一液晶显示面板为范例，其可包括一阵列基板(亦称为薄膜晶体管基板)62、一对向基板(亦称为彩色滤光片基板)64以及一液晶层66设置于阵列基板62与对向基板64之间。另外，本实施例的显示装置50可另包括一背光模块80，设置于显示面板60的背面，用以提供显示面板60所需的背光。此外，背光模块80提供的背光也可作为光电感测阵列70所需的光线。光电感测阵列70可为前述第一至第四实施例所揭示的任一种光电感测阵列，其特征与效果如前面所述，在此不再赘述。此外，光电感测阵列70可进一步与显示面板60的对向基板64整合而为同一块基板。本实施例的显示面板60并不限定为液晶显示面板，而可为其它各式的非自发光显示面板例如电泳显示面板、电湿润显示面板、或其它合适的显示面板；或各式自发光显示面板例如有机电激发光显示面板、电浆显示面板、场发射显示面板、或其它合适的显示面板。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求书所作的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (20)

1.一种光电感测阵列，其特征在于，包括：

一基板；

多个第一读取元件与多个第二读取元件，设置于所述基板上；

一第一绝缘层，覆盖所述第一读取元件与所述第二读取元件，其中所述第一绝缘层具有多个第一接触洞分别部分暴露出所述第一读取元件，以及多个第二接触洞分别部分暴露出所述第二读取元件；

多个第一感测元件，设置于所述第一绝缘层上，各所述第一感测元件包括一第一电极、一第一感光层与一第二电极，其中所述第一感测元件的所述第一电极设置于所述第一绝缘层上并分别经由所述第一接触洞与所述第一读取元件电性连接；

一第二绝缘层，设置于所述第一绝缘层上并部分覆盖所述第一电极，其中所述第二绝缘层具有多个第三接触洞，分别对应所述第二接触洞并分别部分暴露出所述第二读取元件；以及

多个第二感测元件，设置于所述第二绝缘层上，各所述第二感测元件包括一第三电极、一第二感光层与一第四电极，其中所述第三电极设置于所述第二绝缘层上并分别经由所述第三接触洞与所述第二读取元件电性连接。

2.根据权利要求1所述的光电感测阵列，其特征在于，所述第二绝缘层部分覆盖各所述第一电极的周边，所述第二绝缘层具有多个第一开口，分别部分暴露出所述第一电极，且各所述第一感光层位于对应的所述第一开口暴露出的所述第一电极上并覆盖对应的所述第一开口的所述第二绝缘层的侧壁。

3.根据权利要求2所述的光电感测阵列，其特征在于，另包括一保护层，设置于所述第二绝缘层上，其中所述保护层具有多个第二开口与多个第三开口，所述第二开口分别与所述第二绝缘层的所述第一开口对应，且各所述第一感光层更覆盖对应的所述第二开口的所述保护层的侧壁，所述第三开口分别部分暴露出所述第三电极，且各所述第二感光层位于对应的所述第三开口内的所述第三电极上并覆盖对应的所述第三开口的所述保护层的侧壁。

4.根据权利要求1所述的光电感测阵列，其特征在于，各所述第一电极与各所述第三电极分别为一不透明电极。

5.根据权利要求1所述的光电感测阵列，其特征在于，所述第一电极与所述第三电极由不同的不透明导电层所构成。

6.根据权利要求1所述的光电感测阵列，其特征在于，各所述第二电极与各所述第四电极分别为一透明电极。

7.根据权利要求1所述的光电感测阵列，其特征在于，所述第二电极与所述第四电极彼此电性连接。

8.根据权利要求1所述的光电感测阵列，其特征在于，所述第一电极与所述基板的一垂直距离小于所述第三电极与所述基板的一垂直距离。

9.根据权利要求1所述的光电感测阵列，其特征在于，所述第一感测元件与所述第二感测元件在一第一方向与一第二方向的其中至少一者上为交替排列。

10.根据权利要求9所述的光电感测阵列，其特征在于，至少一部分的两相邻的所述第一感测元件的所述第一电极与所述第二感测元件的所述第三电极之间具有一间隙。

11.根据权利要求9所述的光电感测阵列，其特征在于，至少一部分的两相邻的所述第一感测元件的所述第一电极的一边缘与所述第二感测元件的所述第三电极的一边缘在一垂直投影方向上切齐。

12.一种显示装置，其特征在于，包括：

一显示面板，具有一显示面；以及

根据权利要求1所述的光电感测阵列，设置于所述显示面板的所述显示面上。

13.一种制作光电感测阵列的方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

于所述基板上形成多个第一读取元件与多个第二读取元件；

于所述第一读取元件与所述第二读取元件上形成一第一绝缘层，其中所述第一绝缘层具有多个第一接触洞分别部分暴露出所述第一读取元件，以及多个第二接触洞分别部分暴露出所述第二读取元件；

于所述第一绝缘层上形成一第一不透明导电层，并图案化所述第一不透明导电层以形成多个第一电极，其中所述第一电极分别经由所述第一接触洞与所述第一读取元件电性连接；

于所述第一绝缘层上形成一第二绝缘层，覆盖所述第一电极、所述第一接触洞与所述第二接触洞，并图案化所述第二绝缘层以形成多个第三接触洞，分别对应所述第二接触洞并分别部分暴露出所述第二读取元件；

于所述第二绝缘层上形成一第二不透明导电层，并图案化所述第二不透明导电层以形成多个第三电极，其中所述第三电极分别经由所述第三接触洞与所述第二读取元件电性连接；

移除一部分的所述第二绝缘层，以形成多个第一开口分别部分曝露出所述第一电极；以及

于各所述第一电极上分别形成一第一感光层与一第二电极，以及于各所述第三电极上分别形成一第二感光层与一第四电极，其中各所述第一电极、各所述第一感光层与各所述第二电极构成一第一感测元件，且各所述第三电极、各所述第二感光层与各所述第四电极构成一第二感测元件。

14.根据权利要求13所述的制作光电感测阵列的方法，其特征在于，所述第一不透明导电层与所述第二不透明导电层分别包括一不透明导电层。

15.根据权利要求13所述的制作光电感测阵列的方法，其特征在于，图案化所述第一不透明导电层的步骤包括使用一光罩进行一微影及蚀刻制造工艺以形成所述第一电极，图案化所述第二不透明导电层的步骤包括调整所述光罩与所述基板的相对位置，并再次使用所述光罩进行另一微影及蚀刻制造工艺，以形成所述第三电极。

16.根据权利要求13所述的制作光电感测阵列的方法，其特征在于，另包括：

于所述第二绝缘层与所述第三电极上形成一保护层，其中所述保护层具有多个第二开口和多个第三开口，所述第二开口对应所述第一电极，所述第三开口曝露出所述第三电极；

移除所述第二开口曝露出的所述第二绝缘层，以曝露出所述第一电极；以及

于所述保护层与所述第二绝缘层暴露出的各所述第一电极上分别形成所述第一感光层与所述第二电极，以及于所述保护层暴露出的各所述第三电极上分别形成所述第二感光层与所述第四电极。

17.根据权利要求13所述的制作光电感测阵列的方法，其特征在于，所述第一电极与所述基板的一垂直距离小于所述第三电极与所述基板的一垂直距离。

18.根据权利要求13所述的制作光电感测阵列的方法，其特征在于，所述第一感测元件与所述第二感测元件在一第一方向与一第二方向的其中至少一者上为交替排列。

19.根据权利要求18所述的制作光电感测阵列的方法，其特征在于，至少一部分的两相邻的所述第一感测元件的所述第一电极与所述第二感测元件的所述第三电极之间具有一间隙。

20.根据权利要求18所述的制作光电感测阵列的方法，其特征在于，至少一部分的两相邻的所述第一感测元件的所述第一电极的一边缘与所述第二感测元件的所述第三电极的一边缘在一垂直投影方向上切齐。