TW201608442A - 光電感測陣列、製作光電感測陣列之方法及顯示裝置 - Google Patents

Abstract

一種光電感測陣列，包括複數個第一感測元件、一絕緣層與複數個第二感測元件。第一感測元件之下電極與第二感測元件之下電極係由不同層圖案化不透明導電層所構成，其中第一感測元件之下電極係設置於絕緣層之下，且第二感測元件之下電極係設置於絕緣層之上。

Description

光電感測陣列、製作光電感測陣列之方法及顯示裝置

本發明係關於一種光電感測陣列、一種製作光電感測陣列之方法及一種顯示裝置，尤指一種具有高填充因子(fill factor,FF)之光電感測陣列與製作光電感測陣列之方法。

光電感測陣列主要係由複數個呈陣列排列的感測元件所構成，其中各感測元件係以一對應的讀取元件電性連接，以將感測訊號傳送至對應的讀取元件。各感測元件包括一下電極、一感光層與一上電極彼此堆疊設置。在習知光電感測陣列中，所有感測元件的下電極係由同一層導電層所構成，並利用同一道微影暨蝕刻(photolithography and etching,PEP)製程所定義出，而受限於曝光製程的能力以及為了避免相鄰的感測元件的下電極之間產生短路的考量，相鄰的感測元件的下電極之間必須維持較大的間隙例如大於4.5微米。因此，習知光電感測陣列會因為具有低填充因子而使其感測精準度與敏感度不佳。

本發明之目的在於提供一種具有高填充因子及大感測面積之光電感測陣列及其製作方法。

本發明之一實施例提供一種光電感測陣列，包括一基板、複數個 第一讀取元件、複數個第二讀取元件、一第一絕緣層、複數個第一感測元件、一第二絕緣層以及複數個第二感測元件。第一讀取元件與第二讀取元件設置於基板上。第一絕緣層覆蓋第一讀取元件與第二讀取元件，其中第一絕緣層具有複數個第一接觸洞分別部分暴露出等第一讀取元件，以及複數個第二接觸洞分別部分暴露出第二讀取元件。第一感測元件設置於第一絕緣層上，各第一感測元件包括一第一電極、一第一感光層與一第二電極，其中第一感測元件之第一電極係設置於第一絕緣層上並分別經由第一接觸洞與第一讀取元件電性連接。第二絕緣層設置於第一絕緣層上並部分覆蓋第一電極，其中第二絕緣層具有複數個第三接觸洞，分別對應第二接觸洞並分別部分暴露出第二讀取元件。第二感測元件設置於第二絕緣層上，各第二感測元件包括一第三電極、一第二感光層與一第四電極，其中第三電極係設置於第二絕緣層上並分別經由第三接觸洞與第二讀取元件電性連接。

本發明之另一實施例提供一種顯示裝置，包括一顯示面板以及上述光電感測陣列。顯示面板具有一顯示面。上述光電感測陣列設置於顯示面板之顯示面上。

本發明之又一實施例提供一種製作光電感測陣列之方法，包括下列步驟。提供一基板。於基板上形成複數個第一讀取元件與複數個第二讀取元件。於第一讀取元件與第二讀取元件上形成一第一絕緣層，其中第一絕緣層具有複數個第一接觸洞分別部分暴露出第一讀取元件，以及複數個第二接觸洞分別部分暴露出第二讀取元件。於第一絕緣層上形成一第一不透明導電層，並圖案化第一不透明導電層以形成複數個第一電極，其中第一電極分別經由第一接觸洞與第一讀取元件電性連接。於第一絕緣層上形成一第二絕緣層，覆蓋第一電極、第一接觸洞與第二接觸洞，並圖案化第二絕緣層以形成複數個第三接觸洞，分別對應第二接觸洞並分別部分暴露出第二讀取元件。 於第二絕緣層上形成一第二不透明導電層，並圖案化第二不透明導電層以形成複數個第三電極，其中第三電極分別經由第三接觸洞與第二讀取元件電性連接。移除一部分之第二絕緣層，以形成複數個第一開口分別部分曝露出第一電極。

於各第一電極上分別形成一第一感光層與一第二電極，以及於各第三電極上分別形成一第二感光層與一第四電極，其中各第一電極、各第一感光層與各第二電極構成一第一感測元件，且各第三電極、各第二感光層與各第四電極構成一第二感測元件。

10‧‧‧基板

12‧‧‧讀取元件

121‧‧‧第一讀取元件

122‧‧‧第二讀取元件

G‧‧‧閘極

GI‧‧‧閘極絕緣層

CH‧‧‧半導體通道層

S‧‧‧源極

D‧‧‧汲極

D1‧‧‧第一方向

DL‧‧‧資料線

D2‧‧‧第二方向

GL‧‧‧閘極線

CSL‧‧‧儲存電容線

14‧‧‧第一絕緣層

141‧‧‧第一接觸洞

142‧‧‧第二接觸洞

16‧‧‧第一不透明導電層

161‧‧‧第一電極

18‧‧‧光阻層

20‧‧‧光罩

20A‧‧‧透光區

20B‧‧‧不透光區

L‧‧‧光線

20‧‧‧第二絕緣層

203‧‧‧第三接觸洞

22‧‧‧第二不透明導電層

223‧‧‧第三電極

24‧‧‧光阻層

s‧‧‧間隙

201‧‧‧第一開口

26‧‧‧保護層

262‧‧‧第二開口

263‧‧‧第三開口

281‧‧‧第一感光層

302‧‧‧第二電極

282‧‧‧第二感光層

304‧‧‧第四電極

41‧‧‧第一感測元件

42‧‧‧第二感測元件

1‧‧‧光電感測陣列

2‧‧‧光電感測陣列

Z‧‧‧垂直投影方向

3‧‧‧光電感測陣列

4‧‧‧光電感測陣列

s1‧‧‧間隙

s2‧‧‧間隙

50‧‧‧顯示裝置

60‧‧‧顯示面板

70‧‧‧光電感測陣列

62‧‧‧陣列基板

64‧‧‧對向基板

66‧‧‧液晶層

60A‧‧‧顯示面

80‧‧‧背光模組

第1圖至第14圖繪示了本發明之一實施例之製作光電感測陣列的方法示意圖。

第15圖繪示了本發明之第二實施例之光電感測陣列的上視圖。

第16圖繪示了本發明之第二實施例之光電感測陣列的剖視圖。

第17圖繪示了本發明之第三實施例之光電感測陣列的上視圖。

第18圖繪示了本發明之第四實施例之光電感測陣列的上視圖。

第19圖繪示了本發明之第四實施例之光電感測陣列的剖視圖。

第20圖繪示了本發明之一實施例之顯示裝置之示意圖。

為使熟悉本發明所屬技術領域之一般技藝者能更進一步了解本發明，下文特列舉本發明之較佳實施例，並配合所附圖式，詳細說明本發明的構成內容及所欲達成之功效。

請參考第1圖至第14圖。第1圖至第14圖繪示了本發明之一實施例之製作光電感測陣列的方法示意圖，其中第1圖、第10圖及第13圖係 以上視型式繪示，而第2圖至第9圖、第11圖、第12圖與第14圖係以剖面型式繪示。如第1圖與第2圖所示，首先提供一基板10。基板10可包括一透明基板例如玻璃基板、石英基板或塑膠基板，但不以此為限。接著，於基板10上形成複數個讀取元件12，其中讀取元件12可包括複數個第一讀取元件121與複數個第二讀取元件122。本實施例之各讀取元件12可包括至少一薄膜電晶體元件，其包括一閘極G、一閘極絕緣層GI、一半導體通道層CH、一源極S與一汲極D。在本實施例中，在第一方向D1(例如行方向)上相鄰的讀取元件12可共用同一條資料線DL，亦即位於同一行的讀取元件12的源極S可與同一條資料線DL電性連接；在第二方向D2(例如列方向)上相鄰的讀取元件12可共用同一條閘極線GL，亦即位於同一列的讀取元件12的閘極G可與同一條閘極線GL電性連接。另外，可選擇性地於基板10上形成複數條儲存電容線CSL，分別沿第二方向D2延伸，且位於同一列的各讀取元件12的汲極D可與對應的儲存電容線CSL部分重疊以形成一儲存電容。在本實施例中，閘極G、閘極線GL與儲存電容線CSL可由一圖案化導電層例如圖案化金屬層所構成；源極S、汲極D與資料線DL可由另一圖案化導電層例如圖案化金屬層所構成，但不以此為限。半導體通道層CH之材料可包括例如非晶矽、多晶矽、氧化物半導體材料或其它適合之半導體材料。在本實施例中，讀取元件12係選用一底閘型薄膜電晶體元件，但不以此為限，讀取元件12可為頂閘型薄膜電晶體元件或其它型式的主動開關元件。

如第3圖所示，接著於第一讀取元件121與第二讀取元件122上形成一第一絕緣層14，其中第一絕緣層14具有複數個第一接觸洞141分別部分暴露出第一讀取元件121，以及複數個第二接觸洞142分別部分暴露出第二讀取元件122。精確地說，第一接觸洞141係部分暴露出第一讀取元件121之汲極D，且第二接觸洞142係部分暴露出第二讀取元件122之汲極D。第一絕緣層14較佳可具有一平坦表面，且第一絕緣層14之材質較佳可為但 不限定為有機感光材料例如感光樹脂，藉此可利用曝光顯影製程形成第一接觸洞141與第二接觸洞142。

隨後於第一絕緣層14上形成一第一不透明導電層16，並圖案化第一不透明導電層16以形成複數個第一電極161，其中第一電極161實質上分別位於第一讀取元件121之上且分別經由第一接觸洞141與第一讀取元件121電性連接。在本實施例中，圖案化第一不透明導電層16係使用一光罩並進行一微影暨蝕刻(photolithography and etching,PEP)製程加以實現。舉例而言，第一不透明導電層16的圖案化製程包括下列步驟。如第4圖所示，於第一絕緣層14上形成一第一不透明導電層16。第一不透明導電層16可包括一不透明導電層，其材料可包括金屬或合金，但不以此為限。此外，第一不透明導電層16可為單層結構或複合層結構。接著於第一不透明導電層16上形成一光阻層18。如第5圖所示，接著使用一光罩20對光阻層18進行一微影製程，移除一部分之光阻層18以部分暴露出第一不透明導電層16。本實施例之光阻層18係以正型光阻為例，因此光罩20之透光區20A係對應於欲移除之光阻層18的部分，而不透光區20B則係對應欲保留之光阻層18的部分，藉此透光區20A所對應的光阻層18在經過光線L的照射再經過顯影之後可被移除。若使用負型光阻，則光罩20之透光區20A係對應於欲保留之光阻層18的部分，而不透光區20B則係對應欲移除之光阻層18的部分。如第6圖所示，隨後進行一蝕刻製程，移除光阻層18暴露出的第一不透明導電層16以形成複數個第一電極161。第一電極161可為一不透明電極例如金屬電極。

如第7圖所示，移除剩餘之光阻層18。隨後於第一絕緣層14上形成一第二絕緣層20，覆蓋第一電極161、第一接觸洞141與第二接觸洞142，並圖案化第二絕緣層20以形成複數個第三接觸洞203，分別對應第二接觸洞 142並分別部分暴露出第二讀取元件122。精確地說，各第三接觸洞203與對應之第二接觸洞142部分暴露出對應之第二讀取元件122之汲極D。

隨後於第二絕緣層20上形成一第二不透明導電層22，並圖案化第二不透明導電層22以形成複數個第三電極223，其中第三電極223分別經由第三接觸洞203與第二讀取元件122之汲極D電性連接。在本實施例中，圖案化第二不透明導電層22係使用一光罩20並進行一微影暨蝕刻製程加以實現，且圖案化第二不透明導電層22之微影製程與圖案化第一不透明導電層16之微影製程較佳可以使用同一光罩20，也就是說，藉由調整光罩20與基板10之相對位置，圖案化第二不透明導電層22之微影製程可以利用同一光罩20進行，因此不必使用額外的光罩而可減少製作成本。舉例而言，第二不透明導電層22的圖案化製程包括下列步驟。如第8圖所示，第二絕緣層20上形成一第二不透明導電層22。第二不透明導電層22可包括一不透明導電層，其材料可包括金屬或合金，但不以此為限。此外，第二不透明導電層22可為單層結構或複合層結構。接著於第二不透明導電層22上形成一光阻層24。如第9圖所示，接著再次使用光罩20對光阻層24進行一微影製程，移除一部分之光阻層24以部分暴露出第二不透明導電層22。如第10圖與第11圖所示，隨後進行一蝕刻製程，移除光阻層24暴露出的第二不透明導電層22以形成複數個第三電極223。第三電極223可為一不透明電極例如金屬電極。在本實施例中，相鄰的第一電極161與第三電極223之間具有一間隙s，由於第一電極161係由第一不透明導電層16所構成以及第三電極223係由第二不透明導電層22所構成，故相鄰的第一電極161與第三電極223的間隙s可以不受限於曝光製程的能力且沒有第一電極161與第三電極223產生短路的風險而大幅地縮減以提高填充因子，進而提升感測精準度與敏感度。舉例而言，相鄰的第一電極161與第三電極223之間的間隙s實質上可小於或等於3微米，例如較佳為2微米，但不以此為限。此外，由於第一電極161係 由第一不透明導電層16所構成，第三電極223係由第二不透明導電層22所構成，因此第一電極161與基板10之垂直距離小於第三電極223與基板10之垂直距離。

接著，移除一部分之第二絕緣層20，以形成複數個第一開口201分別部分曝露出第一電極161。在本實施例中，形成第二絕緣層20之第一開口201的步驟可利用下列步驟實現，但不以此為限。如第12圖所示，隨後於第二絕緣層20與第三電極223上形成一保護層26，其中保護層26具有複數個第二開口262和複數個第三開口263，第二開口262對應第一電極161，且第三開口263部分曝露出第三電極223。接著，移除第二開口262曝露出之第二絕緣層20，以曝露出第一電極161。在本實施例中，第一開口201與第二開口262實際上具有相同的形狀並彼此連通，但不以此為限。舉例而言，第二絕緣層20的第一開口201也可與第三接觸洞203同時形成。此外，第二絕緣層20部分覆蓋各第一電極161之周邊。

如第13圖與第14圖所示，隨後於保護層26與第二絕緣層20暴露出之各第一電極161上分別形成一第一感光層281與一第二電極302，以及於保護層26暴露出之各第三電極223上分別形成一第二感光層282與一第四電極304。為了彰顯本實施例之光電感測陣列1的特色，第13圖未繪示出第二電極302、第四電極304、第一讀取元件121、第二讀取元件122、閘極線GL、資料線DL以及儲存電容線CSL等元件。各第一電極161、各第一感光層281與各第二電極302構成一第一感測元件41，且各第三電極223、各第二感光層282與各第四電極304構成一第二感測元件42。各第一感光層281位於對應之第一開口201暴露出之第一電極161上並覆蓋對應之第一開口201之第二絕緣層20的側壁以及覆蓋對應之第二開口262之保護層26的側壁。另外，各第二感光層282位於對應之第三開口263內之第三電極223上並覆 蓋對應之第三開口263之保護層26的側壁。在本實施例中，第一感光層281與第二感光層282可由同一層圖案化感光層所構成，其材料可為各式具有光電感應特性的材料例如半導體感光材料、有機感光材料或無機感光材料等。此外，第二電極302與第四電極304分別為一透明電極，且在本實施例中，第二電極302與第四電極304可由同一透明導電層所構成且彼此電性連接，也就是說，第二電極302與第四電極304可具有同一共通電壓，並分別作為第一感測元件41與第二感測元件42的上電極例如陰極。在一變化實施例中，第二電極302與第四電極304亦可彼此分離，並分別具有獨立的驅動電壓。第一電極161與第三電極223則分別作為第一感測元件41與第二感測元件42的下電極例如陽極。藉由上述方法，即可製作出本發明之第一實施例之光電感測陣列1。

在本實施例中，第一感測元件41與第二感測元件42在第一方向D1與第二方向D2之其中至少一者上係為交替排列。舉例而言，第一感測元件41與第二感測元件42係在第一方向D1與第二方向D2之均為交替排列，藉此在第一方向D1上與第二方向D2上相鄰的第一電極161與第三電極223之間的間隙s均可大幅縮小。舉例而言，以解析度為1000ppi的光電感測陣列為例，當相鄰的第一電極161與第三電極223之間的間隙s由4.5微米縮減至2微米時，各感測元件的感測面積約可以從約274平方微米增加至約338平方微米，且填充因子可從42%增加至52%，藉此可以提升光電感測陣列1的靈敏度與準確度。

本發明之光電感測陣列並不以上述實施例為限。下文將依序介紹本發明之其它較佳實施例之光電感測陣列，且為了便於比較各實施例之相異處並簡化說明，在下文之各實施例中使用相同的符號標注相同的元件，且主要針對各實施例之相異處進行說明，而不再對重覆部分進行贅述。

請參考第15圖與第16圖。第15圖繪示了本發明之第二實施例之光電感測陣列的上視圖，第16圖繪示了本發明之第二實施例之光電感測陣列的剖視圖。如第15圖與第16圖所示，在本實施例之光電感測陣列2中，一部分之兩相鄰之第一感測元件41之第一電極161與第二感測元件42之第三電極223之間具有一間隙s，且一部分之兩相鄰之第一感測元件41之第一電極161之邊緣與第二感測元件42之第三電極223之邊緣在一垂直投影方向Z上切齊。舉例而言，在本實施例中，第一感測元件41與第二感測元件42係在第一方向D1與第二方向D2上均為交替排列，但在第一方向D1上任兩相鄰之第一感測元件41之第一電極161與第二感測元件42之第三電極223之間具有一間隙s，而在第二方向D2上任兩相鄰之第一感測元件41之第一電極161之邊緣與第二感測元件42之第三電極223之邊緣在垂直投影方向Z上實質上切齊。藉由上述配置，本實施例之光電感測陣列2可進一步提升填充因子。值得說明的是，兩相鄰之第一感測元件41之第一電極161之邊緣與第二感測元件42之第三電極223之邊緣在垂直投影方向Z上實質上切齊，但實際上考量到第一電極161與第三電極223的對位誤差，兩相鄰之第一感測元件41之第一電極161之邊緣與第二感測元件42之第三電極223之邊緣在第二方向D2的距離在誤差範圍內均可視為實質上切齊。

請參考第17圖。第17圖繪示了本發明之第三實施例之光電感測陣列的上視圖。如第17圖所示，在本實施例之光電感測陣列3中，第一感測元件41與第二感測元件42係在第一方向D1與第二方向D2上均為交替排列，且在第一方向D1上與第二方向D2上任兩相鄰之第一感測元件41之第一電極161之邊緣與第二感測元件42之第三電極223之邊緣在垂直投影方向Z上實質上切齊。藉由上述配置，本實施例之光電感測陣列3可更進一步提升填充因子。值得說明的是，兩相鄰之第一感測元件41之第一電極161之邊 緣與第二感測元件42之第三電極223之邊緣在垂直投影方向Z上實質上切齊，但實際上考量到第一電極161與第三電極223的對位誤差，兩相鄰之第一感測元件41之第一電極161之邊緣與第二感測元件42之第三電極223之邊緣在第一方向D1與第二方向D2的距離在誤差範圍內均可視為實質上切齊。

請參考第18圖與第19圖。第18圖繪示了本發明之第四實施例之光電感測陣列的上視圖，第19圖繪示了本發明之第四實施例之光電感測陣列的剖視圖。如第18圖與第19圖所示，在本實施例之光電感測陣列4中，第一感測元件41與第二感測元件42係在第一方向D1係為交替排列，但第一感測元件41與第二感測元件42在第二方向D2上未交替排列。舉例而言，位於奇數列的感測元件均為第一感測元件41，而位於偶數列的感測元件均為第二感測元件42。藉由上述配置，在第一方向D1上任兩相鄰之第一感測元件41之第一電極161與第二感測元件42之第三電極223之間具有一間隙s1；在第二方向D2上，任兩相鄰的第一感測元件41的兩第一電極161具有一間隙s2，且任兩相鄰的第二感測元件42的兩第三電極223具有一間隙s2。由於第一電極161與第三電極223係由不同層圖案化不透明導電層所構成，因此間隙s1可小於間隙s2。舉例而言，間隙s1實質上可小於3微米，且較佳為2微米，而間隙s2可為4.5微米。

本發明之光電感測陣列可應用在影像感測裝置、觸控輸入裝置、指紋辨識裝置或其它光學感測相關應用上。舉例而言，在指紋辨識的應用上，當手指放置在光電感測陣列上時會遮蔽光線，導致光線的強度會減弱，達到指紋辨識的作用。值得說明的是，上述光線可以是由光電感測陣列之正面進入的光線例如環境光，在此狀況下，本發明之第一至第四實施例的光學感測陣列均可支援；上述光線也可以是由光電感測陣列之背面進入的光線，例如 由一背光源所提供的光線，在此狀況下，本發明之第一、第二與第四實施例之光電感測陣列均可支援。

請參考第20圖。第20圖繪示了本發明之一實施例之顯示裝置之示意圖。如第20圖所示，本實施例之顯示裝置50包括一顯示面板60以及一光電感測陣列70。顯示面板60具有一顯示面60A，且光電感測陣列70係設置於顯示面板60之顯示面60A上。本實施例之顯示面板60係以一液晶顯示面板為範例，其可包括一陣列基板(亦稱為薄膜電晶體基板)62、一對向基板(亦稱為彩色濾光片基板)64以及一液晶層66設置於陣列基板62與對向基板64之間。另外，本實施例之顯示裝置50可另包括一背光模組80，設置於顯示面板60之背面，用以提供顯示面板60所需之背光。此外，背光模組80提供的背光也可作為光電感測陣列70所需之光線。光電感測陣列70可為前述第一至第四實施例所揭示的任一種光電感測陣列，其特徵與功效如前文所述，在此不再贅述。此外，光電感測陣列70可進一步與顯示面板60之對向基板64整合而為同一塊基板。本實施例之顯示面板60並不限定為液晶顯示面板，而可為其它各式的非自發光顯示面板例如電泳顯示面板、電濕潤顯示面板、或其它合適的顯示面板；或各式自發光顯示面板例如有機電激發光顯示面板、電漿顯示面板、場發射顯示面板、或其它合適的顯示面板。

以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

10‧‧‧基板

12‧‧‧讀取元件

121‧‧‧第一讀取元件

122‧‧‧第二讀取元件

G‧‧‧閘極

GI‧‧‧閘極絕緣層

CH‧‧‧半導體通道層

S‧‧‧源極

D‧‧‧汲極

CSL‧‧‧儲存電容線

14‧‧‧第一絕緣層

141‧‧‧第一接觸洞

142‧‧‧第二接觸洞

16‧‧‧第一不透明導電層

161‧‧‧第一電極

1‧‧‧光電感測陣列

20‧‧‧第二絕緣層

203‧‧‧第三接觸洞

22‧‧‧第二不透明導電層

223‧‧‧第三電極

201‧‧‧第一開口

26‧‧‧保護層

262‧‧‧第二開口

263‧‧‧第三開口

281‧‧‧第一感光層

302‧‧‧第二電極

282‧‧‧第二感光層

304‧‧‧第四電極

41‧‧‧第一感測元件

42‧‧‧第二感測元件

s‧‧‧間隙

Claims (20)

1. 一種光電感測陣列，包括：一基板；複數個第一讀取元件與複數個第二讀取元件，設置於該基板上；一第一絕緣層，覆蓋該等第一讀取元件與該等第二讀取元件，其中該第一絕緣層具有複數個第一接觸洞分別部分暴露出該等第一讀取元件，以及複數個第二接觸洞分別部分暴露出該等第二讀取元件；複數個第一感測元件，設置於該第一絕緣層上，各該第一感測元件包括一第一電極、一第一感光層與一第二電極，其中該等第一感測元件之該等第一電極係設置於該第一絕緣層上並分別經由該等第一接觸洞與該等第一讀取元件電性連接；一第二絕緣層，設置於該第一絕緣層上並部分覆蓋該等第一電極，其中該第二絕緣層具有複數個第三接觸洞，分別對應該等第二接觸洞並分別部分暴露出該等第二讀取元件；以及複數個第二感測元件，設置於該第二絕緣層上，各該第二感測元件包括一第三電極、一第二感光層與一第四電極，其中該等第三電極係設置於該第二絕緣層上並分別經由該等第三接觸洞與該等第二讀取元件電性連接。
2. 如請求項1所述之光電感測陣列，其中該第二絕緣層部分覆蓋各該第一電極之周邊，該第二絕緣層具有複數個第一開口，分別部分暴露出該等第一電極，且各該第一感光層位於對應之該第一開口暴露出之該第一電極上並覆蓋對應之該第一開口之該第二絕緣層的側壁。
3. 如請求項2所述之光電感測陣列，另包括一保護層，設置於該第二絕緣層 上，其中該保護層具有複數個第二開口與複數個第三開口，該等第二開口係分別與該第二絕緣層之該等第一開口對應，且各該第一感光層更覆蓋對應之該第二開口之該保護層的側壁，該等第三開口分別部分暴露出該等第三電極，且各該第二感光層位於對應之該第三開口內之該第三電極上並覆蓋對應之該第三開口之該保護層的側壁。
4. 如請求項1所述之光電感測陣列，其中各該第一電極與各該第三電極分別為一不透明電極。
5. 如請求項1所述之光電感測陣列，其中該等第一電極與該等第三電極係由不同的不透明導電層所構成。
6. 如請求項1所述之光電感測陣列，其中各該第二電極與各該第四電極分別為一透明電極。
7. 如請求項1所述之光電感測陣列，其中該等第二電極與該等第四電極彼此電性連接。
8. 如請求項1所述之光電感測陣列，其中該第一電極與該基板之一垂直距離小於該第三電極與該基板之一垂直距離。
9. 如請求項1所述之光電感測陣列，其中該等第一感測元件與該等第二感測元件在一第一方向與一第二方向之其中至少一者上係為交替排列。
10. 如請求項9所述之光電感測陣列，其中至少一部分之兩相鄰之該第一感測元件之該第一電極與該第二感測元件之該第三電極之間具有一間隙。
11. 如請求項9所述之光電感測陣列，其中至少一部分之兩相鄰之該第一感測元件之該第一電極之一邊緣與該第二感測元件之該第三電極之一邊緣在一垂直投影方向上切齊。
12. 一種顯示裝置，包括：一顯示面板，具有一顯示面；以及如請求項1所述之光電感測陣列，設置於該顯示面板之該顯示面上。
13. 一種製作光電感測陣列之方法，包括：提供一基板；於該基板上形成複數個第一讀取元件與複數個第二讀取元件；於該等第一讀取元件與該等第二讀取元件上形成一第一絕緣層，其中該第一絕緣層具有複數個第一接觸洞分別部分暴露出該等第一讀取元件，以及複數個第二接觸洞分別部分暴露出該等第二讀取元件；於該第一絕緣層上形成一第一不透明導電層，並圖案化該第一不透明導電層以形成複數個第一電極，其中該等第一電極分別經由該等第一接觸洞與該等第一讀取元件電性連接；於該第一絕緣層上形成一第二絕緣層，覆蓋該等第一電極、該等第一接觸洞與該等第二接觸洞，並圖案化該第二絕緣層以形成複數個第三接觸洞，分別對應該等第二接觸洞並分別部分暴露出該等第二讀取元件；於該第二絕緣層上形成一第二不透明導電層，並圖案化該第二不透明導電層以形成複數個第三電極，其中該等第三電極分別經由該等第三接觸洞與該等第二讀取元件電性連接；移除一部分之該第二絕緣層，以形成複數個第一開口分別部分曝露出該等第一電極；以及於各該第一電極上分別形成一第一感光層與一第二電極，以及於各該第三 電極上分別形成一第二感光層與一第四電極，其中各該第一電極、各該第一感光層與各該第二電極構成一第一感測元件，且各該第三電極、各該第二感光層與各該第四電極構成一第二感測元件。
14. 如請求項13所述之製作光電感測陣列之方法，其中該第一不透明導電層與該第二不透明導電層分別包括一不透明導電層。
15. 如請求項13所述之製作光電感測陣列之方法，其中圖案化該第一不透明導電層之步驟包括使用一光罩進行一微影暨蝕刻(photolithography and etching,PEP)製程以形成該等第一電極，圖案化該第二不透明導電層之步驟包括調整該光罩與該基板之相對位置，並再次使用該光罩進行另一微影暨蝕刻製程，以形成該等第三電極。
16. 如請求項13所述之製作光電感測陣列之方法，另包括：於該第二絕緣層與該等第三電極上形成一保護層，其中該保護層具有複數個第二開口和複數個第三開口，該等第二開口對應該等第一電極，該等第三開口曝露出該等第三電極；移除該等第二開口曝露出之該第二絕緣層，以曝露出該等第一電極；以及於該保護層與該第二絕緣層暴露出之各該第一電極上分別形成該第一感光層與該第二電極，以及於該保護層暴露出之各該第三電極上分別形成該第二感光層與該第四電極。
17. 如請求項13所述之製作光電感測陣列之方法，其中該第一電極與該基板之一垂直距離小於該第三電極與該基板之一垂直距離。
18. 如請求項13所述之製作光電感測陣列之方法，其中該等第一感測元件與 該等第二感測元件在一第一方向與一第二方向之其中至少一者上係為交替排列。
19. 如請求項18所述之製作光電感測陣列之方法，其中至少一部分之兩相鄰之該第一感測元件之該第一電極與該第二感測元件之該第三電極之間具有一間隙。
20. 如請求項18所述之製作光電感測陣列之方法，其中至少一部分之兩相鄰之該第一感測元件之該第一電極之一邊緣與該第二感測元件之該第三電極之一邊緣在一垂直投影方向上切齊。