CN104241474A - 发光器件和照明系统 - Google Patents

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Abstract

公开了一种发光器件、制造该发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统。该发光器件包括：第一导电半导体层(130)；在第一导电半导体层(130)上的AlGaInP基有源层(140)；在AlGaInP基有源层(140)上的第二导电覆层(150)；在第二导电覆层(150)上的具有第一浓度的第二导电GaP层(162)；以及在具有第一浓度的第二导电GaP层(162)上的具有第二浓度的第二导电GaP层(164)，第二浓度高于第一浓度。

Description

发光器件和照明系统
技术领域
实施方案涉及发光器件、制造该发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统。
背景技术
发光器件包括具有将电能转换为光能的特性的PN结二极管。发光器件可以包括属于元素周期表上的第III族和第V族的化合物半导体。发光器件可以通过调节化合物半导体的组成比而表现出各种颜色。
当向LED施加正向电压时，N层的电子与P层的空穴结合，使得可以生成与导带和价带之间的能隙相对应的能量。该能量主要以热或光的形式发射。在LED的情况下，能量以光的形式生成。
例如，氮化物半导体表现出优异的热稳定性和宽带隙能量，使得氮化物半导体已经在光学器件和高功率电子器件的领域中备受瞩目。特别地，采用氮化物半导体的蓝色、绿色和紫外(UV)发光器件已经被商业化并广泛使用。
在具有可见射线区的发光二极管中，具有表现出高利用率的波长的发光二极管(红色LED)为红色元件，与绿色和黄色元件相比，红色元件在相同的亮度下表现出优异的可视性。因此，红色元件已被广泛地用于各种领域，如交通灯、车辆的刹车灯以及各种显示器。
同时，在根据相关技术的红色LED的情况下，由于需要低功率，所以施加低电流，使得镁(Mg)扩散问题可能并不重要。然而，近来，随着对高功率红色LED芯片的需求增加，高电流被施加，使得进入有源区的Mg扩散问题已备受瞩目，并且存在于GaP窗口层中的Mg在进行可靠性测试时在有源区中扩散，使得可能发生光输出功率(Po)下降。
发明内容
实施方案提供了能够通过防止AlGaInP基(AlGaInP-based)LED的Po减少而提高其可靠性的发光器件、制造该发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统。
根据实施方案，提供了一种发光器件，该发光器件包括：第一导电半导体层；在第一导电半导体层上的AlGaInP基有源层；在AlGaInP基有源层上的第二导电覆层；在第二导电覆层上的具有第一浓度的第二导电GaP层；以及在具有第一浓度的第二导电GaP层上的具有第二浓度的第二导电GaP层，第二浓度高于第一浓度。
另外，根据实施方案的发光系统可以包括具有发光器件的发光单元。
如上所述，实施方案可以提供能够通过防止AlGaInP基LED的Po减少而提高其可靠性的发光器件、制造该发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统。
附图说明
图1是示出根据第一实施方案的发光器件的截面图。
图2是根据第一实施方案的发光器件的带隙能量图。
图3是示出根据对比例的发光器件的二次离子质谱(SIMS)分析数据的曲线图。
图4是示出根据实施方案的发光器件的SIMS分析数据的曲线图。
图5和图6是示出根据对比例和实施方案的发光器件的可靠性测量数据的曲线图。
图7是示出根据第二实施方案的发光器件的截面图。
图8是根据第二实施方案的发光器件的带隙能量图。
图9至图10是示出制造根据实施方案的发光器件的方法的截面图。
图11是示出根据实施方案的发光器件封装件的截面图。
图12是包括根据实施方案的发光器件的照明系统的示例的分解透视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图来描述根据实施方案的发光器件、发光器件封装件以及照明系统。
在实施方案的描述中，将理解的是，当层(或膜)被称为在另一层或衬底“上”时，其可以直接在另一层或衬底上，或者还可以存在中间层。此外，将理解的是，当层被称为在另一层“下”时，其可以直接在另一层下，并且还可以存在一个或更多个中间层。另外，还将理解的是，当层被称为处于两个层“之间”时，其可以是在这两个层之间的仅一个层，或者还可以存在一个或更多个层中间层。
(实施方案)
图1是示出根据第一实施方案的发光器件100的截面图，以及图2是根据第一实施方案的发光器件的带隙能量图。
根据实施方案的发光器件100可以包括：第一导电半导体层130；在第一导电半导体层130上的AlGaInP基有源层140；在AlGaInP基有源层140上的第二导电覆层150；在第二导电覆层150上的具有第一浓度的第二导电GaP层162；以及在第二导电GaP层162上的具有第二浓度的第二导电GaP层164。
图3是示出根据对比例的发光器件的二次离子质谱(SIMS)分析数据的曲线图，以及图4是示出根据实施方案的发光器件的SIMS分析数据的视图。
图5和图6是示出根据对比例和实施方案的发光器件的可靠性测量数据的曲线图。
详细地，图5是示出根据对比例的发光器件的光输出功率(Po)的变化数据的曲线图，以及图6是示出根据实施方案的发光器件的Po变化数据的曲线图。
图5和图6是示出用于根据对比例和实施方案的经受可靠性测试的两个试样的可靠性测试结果的曲线图。
如上所述，由于根据相关技术的红色LED需要低功率，所以施加低电流，使得Mg扩散问题并不重要。然而，近来，随着对高功率红色LED芯片的需求增加，高电流被施加，使得进入有源区的Mg扩散问题已备受瞩目。
例如，通常，AlGaInP红色LED采用GaP窗口层，并且Mg被大量掺杂到GaP窗口层中。
因此，当进行可靠性测试时，存在于GaP窗口层中的Mg扩散到有源区中，使得可能发生Po下降。
详细地，根据相关技术，当将Mg掺杂到GaP层中时，以预定水平将Mg掺杂到GaP层的整个部分中。当在LED工作时间/寿命测试中施加电流时，掺杂分布引起Mg扩散到有源层中(参见R部分)。
例如，如图3所示，发生Mg扩散(R部分)，使得在SIMS上Mg分布可能与有源区相邻。
因此，如图5所示，当进行可靠性测试时，随着工作时间/寿命测试的进行，Mg渗入到有源区中，使得光输出功率(Po)下降，从而导致可靠性问题。
换言之，在光输出功率(Po)方面，随着65小时或165小时过去，在与可靠性测试的初始阶段的情况相比时，光输出功率(Po)可能在士10％的范围外。
同时，为了补偿上述光输出功率，可以在第二导电覆层150上设置具有第一浓度的第二导电GaP层162和具有第二浓度的第二导电GaP层164，第二浓度高于第一浓度。
换言之，根据实施方案，在具有第二浓度的第二导电GaP层164之前生长具有作为较低浓度的第一浓度的第二导电GaP层162，以捕集扩散的Mg。
详细地，根据实施方案，Mg被捕集在具有第一浓度的第二导电GaP层162中，如图4的E部分所示，以防止Mg扩散，使得形成无Mg区。
另外，因此，如图6所示，当进行可靠性测试时，也就是说，当进行LED工作时间/寿命测试时，确保了稳定的Po特性，使得可以获得高可靠性。
换言之，在Po方面，随着65小时或165小时过去，在与可靠性测试的初始阶段(0小时)的情况相比时，Po可以在士10％的范围内，这表示稳定的结果。
根据实施方案，第二导电GaP层162的浓度可以为第二导电GaP层164的浓度的约10％至约30％。
例如，具有第二浓度的第二导电GaP层164可以具有约1×1017原子/cm3至9×1017原子/cm3的Mg掺杂浓度，并且第二导电GaP层162的浓度可以为第二导电GaP层164的Mg掺杂浓度的约10％至约30％，但实施方案不限于此。
如果第一浓度超过第二浓度的30％，则Mg捕集的功能可能不会困难。如果第一浓度小于第二浓度的10％，则空穴注入可能会失败。
图4和图6示出第一浓度在第二浓度的10％至30％的范围内时的结果。当第一浓度在第二浓度的10％至30％的范围内时，可以提供如下发光器件：该发光器件可以在进行AlGaInP基LED的可靠性评估时防止Po下降。
另外，根据实施方案，具有第一浓度的第二导电GaP层162的厚度可以为具有第二浓度的第二导电GaP层164的厚度的约1％至约10％。
例如，具有第二浓度的第二导电GaP层164的厚度可以在约3μm至4.5μm的范围内，并且具有第一浓度的第二导电半导体层162的厚度可以在第二导电GaP层164的厚度的约1％至10％的范围内。
如果具有第一浓度的第二导电半导体层162的厚度超过具有第二浓度的第二导电半导体层164的厚度的10％，则具有第一浓度的第二导电半导体层162可能用作空穴注入阻碍物。如果具有第一浓度的第二导电半导体层162的厚度小于具有第二浓度的第二导电半导体层164的厚度的1％，则防止Mg扩散的功能可能较困难。
根据实施方案，在第二导电覆层150上设置有具有第一浓度的第二导电GaP层162和具有高于第一浓度的第二浓度的第二导电GaP层164，使得具有第一浓度的第二导电GaP层162防止Mg扩散。因此，可以提供能够在进行AlGaInP基LED的可靠性评估时防止Po下降的发光器件、制造该发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统。
图7是示出根据第二实施方案的发光器件102的截面图，以及图8是示出根据第二实施方案的发光器件的带隙能量图的视图。
第二实施方案可以采用第一实施方案的技术特征。
根据第二实施方案，还可以在AlGaInP基有源层140和第二导电覆层150之间插入未掺杂AlInP基层152。
因此，可以提供能够通过由未掺杂AlInP基层152附加地防止Mg扩散而有效地防止Po下降的发光器件、制造该发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统。
根据实施方案，未掺杂AlInP基层152可以具有与第二导电覆层150的能级基本上相同的能级。
因此，未掺杂AlInP基层152的能级高于有源层140的能级以执行电子阻挡功能，使得可以提高发光效率。
另外，根据实施方案，未掺杂AlInP基层152可以具有比第二导电覆层150的厚度薄的厚度。
另外，未掺杂AlInP基层152的厚度可以比具有第一浓度的第二导电GaP层162的厚度薄。
在下文中，将参照图9至图10来描述制造根据实施方案的发光器件的方法。
首先，如图9所示，制备衬底110。衬底110可以是导电衬底，但实施方案不限于此。换言之，衬底110可以包括绝缘衬底。例如，衬底110可以包括GaAs衬底，但实施方案不限于此。
因此，根据实施方案，在衬底110上形成反射层120以增加光提取效率。
通常，由于GaAs衬底是不透明的，所以GaAs衬底吸收从有源层发射的光来降低光效率。因此，在衬底110上形成反射层120，使得可以增加光提取效率。
例如，反射层120可以具有分布式布拉格反射器(DBR)镜面结构，在该DBR镜面结构中，以1/4波长(四分之一波长)的厚度依次沉积有AlAs/AlGaAs层和AlGaInP/AlInP层，但实施方案不限于此。
接下来，可以在反射层120上依次形成第一导电半导体层130、AlGaInP基有源层140、未掺杂AlInP基层152、第二导电覆层150、具有第一浓度的第二导电GaP层162、以及具有第二浓度的第二导电GaP层164。
用作N型接触层的第一导电半导体层130可以包括N型AlGaInP基层或者N型AlInP层，但实施方案不限于此。
在红色LED材料中，AlGaInP基有源层140表现出较高的发光效率。AlGaInP基有源层140可以以使晶格常数匹配的组成条件生长在GaAs衬底上，并且可以在直接跃迁的能隙范围内生长。
AlGaInP基有源层140可以通过低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长。
根据实施方案，可以在AlGaInP基有源层140和待在后续工艺中形成的第二导电覆层150之间另外插入未掺杂AlInP基层152。
因此，可以提供能够通过未掺杂AlInP基层152防止Mg扩散而有效地防止Po下降的发光器件。
根据实施方案，未掺杂AlInP基层152可以具有与第二导电覆层150的能级基本上相同的能级。
因此，未掺杂AlInP基层152的能级高于有源层140的能级，使得未掺杂AlInP基层152可以用作电子阻挡功能，从而提高了发光效率。
另外，根据实施方案，未掺杂AlInP基层152可以具有比第二导电覆层150的厚度薄的厚度。
另外，未掺杂AlInP基层152的厚度可以比具有第一浓度的第二导电GaP层162的厚度薄。
接下来，根据实施方案，可以在未掺杂AlInP基层152上形成第二导电覆层150、具有第一浓度的第二导电GaP层162和具有第二浓度的第二导电GaP层164。
根据实施方案，反射层120、第一导电半导体层130、AlGaInP基有源层140、未掺杂AlInP基层152、第二导电覆层150、具有第一浓度的第二导电GaP层162和具有第二浓度的第二导电GaP层164可以包含相同的材料组成或相似的材料组成。
当经由生长方案通过考虑发光二极管的制造过程来形成反射层120时，分布式布拉格反射器而非金属反射层被生长为具有与发光二极管相同的晶格结构层，使得可以容易地生长晶体，并且发光二极管具有相同的材料组成或相似的材料组成。
换言之，根据实施方案，在具有第二浓度的第二导电GaP层164之前生长具有作为低浓度的第一浓度的第二导电GaP层162，以捕集扩散的Mg。
详细地，根据实施方案，Mg被捕集在具有第一浓度的第二导电GaP层162中，如图4的E部分所示，以防止Mg扩散，使得形成无Mg区。
另外，因此，根据实施方案，当进行LED工作时间/寿命测试时，确保了稳定的Po特性。
根据实施方案，第二导电GaP层162的第一浓度可以在第二导电GaP层164的第二浓度的约10％至约30％的范围内。
例如，具有第二浓度的第二导电GaP层164可以具有约1×1017原子/cm3至9×1017原子/cm3的Mg掺杂浓度，并且第二导电GaP层162的浓度可以为第二导电GaP层164的Mg掺杂浓度的约10％至约30％，但实施方案不限于此。
如果第一浓度超过第二浓度的30％，则Mg捕集的功能可能不会困难。如果第一浓度小于第二浓度的10％，则空穴注入可能会失败。
另外，根据实施方案，具有第一浓度的第二导电GaP层162的厚度可以在具有第二浓度的第二导电GaP层164的厚度的约1％至约10％的范围内。
例如，具有第二浓度的第二导电GaP层164的厚度可以在约3μm至4.5μm的范围内，并且可以在具有第一浓度的第二导电半导体层162的厚度的约1％至10％的范围内。
如果具有第一浓度的第二导电半导体层162的厚度超过具有第二浓度的第二导电半导体层164的厚度的10％，则具有第一浓度的第二导电半导体层162可能用作空穴注入阻碍物。如果具有第一浓度的第二导电半导体层162的厚度小于具有第二浓度的第二导电半导体层164的厚度的1％，则防止Mg扩散的功能可能较困难。
根据实施方案，在第二导电覆层150上设置有具有第一浓度的第二导电GaP层162和具有高于第一浓度的第二浓度的第二导电GaP层164，使得具有第一浓度的第二导电GaP层162防止Mg扩散。因此，可以提供能够在进行AlGaInP基LED的可靠性评估时防止Po下降的发光器件、制造该发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统。
此后，当发光器件芯片形成为横向型结构时，对设置在衬底110上的具有第二浓度的第二导电GaP层164、具有第一浓度的第二导电GaP层162、未掺杂AlInP基层152、第二导电覆层150、AlGaInP基有源层140以及第一导电半导体层130依次进行蚀刻以形成台面结构，并且可以分别在暴露于外部的第一导电半导体层130和具有第二浓度的第二导电GaP层164上形成第一电极171和第二电极172。另外，可以移除反射层120的一部分以露出衬底110，使得第一电极171可以形成在衬底110上。在这种情况下，衬底110可以包括导电衬底如GaAs衬底，但实施方案不限于此。
同时，不同于图10所示的结构，当发光器件形成为垂直式芯片结构时，第一电极171可以形成在衬底110下，并且第二电极172可以形成在具有第二浓度的第二导电GaP层164上。
实施方案可以提供能够通过防止AlGaInP基LED的Po减少而提高其可靠性的发光器件、制造该发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统。
图11是示出根据实施方案的发光器件封装件200的截面图。
根据实施方案的发光器件封装件200包括：封装体205；形成在封装体205上的第三电极层213和第四电极层214；设置在封装体205上并且电连接到第三电极层213和第四电极层214的发光器件100；以及围绕发光器件100的模制构件240。
封装体205可以包括硅、合成树脂或金属材料。可以在发光器件100周围形成倾斜表面。
第三电极层213和第四电极层214可以彼此电隔离，以向发光器件100供电。另外，第三电极层213和第四电极层214反射从发光器件100发射的光，以提高光效率并且将从发光器件100生成的热量散发到外部。
可以采用图1中所示的横向型发光器件作为发光器件100，但实施方案不限于此。
发光器件100可以被安装在封装体205或第三电极层213和第四电极层214上。
发光器件100通过导线接合方案、倒装芯片接合方案和芯片接合方案中的至少一种而电连接到第三电极层213和/或第四电极层214。根据实施方案，发光器件100通过导线电连接到第三电极层213并且通过芯片接合方案电连接到第四电极层214，但实施方案不限于此。
模制构件230围绕发光器件100以保护发光器件100。另外，模制构件230可以包括磷光体以改变从发光器件100发射的光的波长。
根据实施方案的多个发光器件封装件可以在衬底上排列，并且可以在从发光器件封装件发射的光的光路上设置包括导光板、棱镜片、扩散片或荧光片的光学构件。发光器件封装件、衬底以及光学构件可以用作背光单元或照明单元。例如，照明系统可以包括背光单元、照明单元、指示器、灯或街灯。
图12是包括根据实施方案的发光器件的照明系统的示例的分解透视图。
如图12所示，根据实施方案的照明系统可以包括盖2100、光源模块2200、散热器2400、电源部2600、内壳体2700以及插座2800。根据实施方案的照明系统还可以包括构件2300和保持器2500中的至少一个。光源模块2200可以包括根据实施方案的发光器件100或发光器件封装件200。
例如，盖2100可以具有球泡状、半球状或部分敞开的中空形状。盖2100可以与光源模块2200光学耦合。例如，盖2100可以对从光源模块提供的光进行扩散、散射或激发。盖2100可以是一类光学构件型。盖2100可以与散热器2400耦接。盖2100可以包括与散热器2400耦接的耦接部。
盖2100可以包括涂覆有乳白色涂料的内表面。乳白色涂料可以包括扩散光的扩散材料。盖2100可以具有如下内表面：该内表面的表面粗糙度大于盖2100的外表面的表面粗糙度。提供表面粗糙度是出于使来自光源模块2200的光充分散射和扩散的目的。
例如，盖2100的材料可以包括玻璃、塑料、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)和聚碳酸酯(PC)。在上述材料中，聚碳酸酯(PC)具有优异的耐光性、耐热性和强度。盖2100可以是透明的使得用户可以从外部观看光源模块2200，或者可以是不透明的。盖2100可以通过吹塑方案形成。
光源模块2200可以设置在散热器2400的一个表面处。因此，来自光源模块2200的热量被传递到散热器2400。光源模块2200可以包括光源2210、连接板2230以及连接器2250。
构件2300设置在散热器2400的顶表面上，并且包括使多个光源2210和连接器2250插入到其中的导向凹槽2310。导向凹槽2310与光源2210和连接器2250的衬底相对应。
构件2300的表面可以涂覆有反光材料。例如，构件2300的表面可以涂覆有白色涂料。构件2300将被盖2100的内表面反射并且朝向光源模块2200的方向返回的光再次反射为朝向盖2100的方向。因此，可以提高根据实施方案的照明系统的光效率。
例如，构件2300可以包含绝缘材料。光源模块2200的连接板2230可以包含导电材料。因此，散热器2400可以电连接至连接板2230。构件2300可以由绝缘材料构造，从而防止连接板2230与散热器2400电短路。散热器2400接收来自光源模块2200和电源部2600的热并且散发该热。
保持器2500覆盖内壳体2700的绝缘部2710的容置凹槽2719。因此，使容置在内壳体2700的绝缘部2710中的电源部2600封闭。保持器2500包括导向突起2510。导向突起2510具有通过电源部2600的突起的孔。
电源部2600对从外部接收的电信号进行处理或转换，并且将经处理或转换的电信号提供给光源模块2200。电源部2600被容置在内壳体2700的容置凹槽中，并且通过保持器2500而封闭在内壳体2700内部。
电源部2600可以包括突起2610、导向部2630、基部2650以及延伸部2670。
导向部2630具有从基部2650的一侧向外部突出的形状。导向部2630可以插入到保持器2500中。可以在基部2650的一个表面上设置多个部件。例如，该部件可以包括：将从外部电源提供的交流(AC)电转换成直流(DC)电的DC转换器；控制光源模块2200的驱动的驱动芯片；以及保护光源模块2200的静电放电(ESD)保护装置，但实施方案不限于此。
延伸部2670具有从基部2650的相反侧向外部突出的形状。延伸部2670被插入到内壳体2700的连接部2750的内部，并且接收来自外部的电信号。例如，延伸部2670的宽度可以小于或等于内壳体2700的连接部2750的宽度。“+电线”和“-电线”的第一端子电连接至延伸部2670，并且“+电线”和“-电线”的第二端子可以电连接至插座2800。
内壳体2700可以在其中包括模制部和电源部2600。模制部通过使模制液体硬化来制备，并且电源部2600可以通过模制部而固定在内壳体2700内部。
根据实施方案的发光器件、制造该发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统，可以增加光提取效率。
另外，根据实施方案，可以增加光学效率。
本说明书中对“一个实施方案”、“实施方案”、“示例性实施方案”等的任何提及意味着结合实施方案所描述的具体的特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施方案中。在本说明书的不同地方出现的这类措辞不一定指相同的实施方案。此外，当结合任何实施方案描述具体的特征、结构或特性时，认为结合实施方案中的其它实施方案来实现这样的特征、结构或特性将在本领域技术人员的范围内。
虽然已经参照多个示例性实施方案描述了实施方案，但是应当理解，可以由本领域技术人员设想的大量其它修改和实施方案将落入本公开内容的精神和原理的范围内。更具体地，在本公开内容、附图和所附权利要求的范围内，主题组合布置的部件部分和/或布置的各种变型和修改是可能的。除部件部分和/或布置的变型和修改之外，其它用途对于本领域的普通技术人员也将是明显的。

Claims (17)

1.一种发光器件，包括：
第一导电半导体层；
在所述第一导电半导体层上的AlGaInP基有源层；
在所述AlGaInP基有源层上的第二导电覆层；
在所述第二导电覆层上的具有第一浓度的第二导电GaP层；以及
在所述具有第一浓度的第二导电GaP层上的具有第二浓度的第二导电GaP层，所述第二浓度高于所述第一浓度。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二导电GaP层的所述第一浓度在所述第二导电GaP层的所述第二浓度的10％至30％的范围内。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述具有第二浓度的第二导电GaP层具有在1×1017原子/cm3至9×1017原子/cm3的范围内的Mg掺杂浓度。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述具有第一浓度的第二导电GaP层在其中捕集Mg以防止Mg扩散，使得形成无Mg区。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述具有第一浓度的第二导电GaP层具有的厚度比所述具有第二浓度的第二导电GaP层的厚度薄。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述具有第一浓度的第二导电GaP层的厚度在所述具有第二浓度的第二导电GaP层的厚度的1％至10％的范围内。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述具有第二浓度的第二导电GaP层的厚度在3μm至4.5μm的范围内。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光器件，还包括：在所述AlGaInP基有源层与所述第二导电覆层之间的未掺杂AlInP基层。
9.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述未掺杂AlInP基层防止Mg扩散。
10.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述未掺杂AlInP基层具有与所述第二导电覆层的能级基本上相等的能级。
11.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述未掺杂AlInP基层比所述第二导电覆层薄。
12.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述未掺杂AlInP基层比所述具有第一浓度的第二导电GaP层薄。
13.根据权利要求1至7中任一项所述的发光器件，还包括：在所述第一导电半导体层的底表面上的反射层。
14.根据权利要求13所述的发光器件，其中所述反射层包括具有镜面结构的分布式布拉格反射器，并且所述分布式布拉格反射器是通过将AlAs/AlGaAs层或AlGaInP/AlInP层以四分之一波长的厚度沉积若干次而形成的。
15.根据权利要求14所述的发光器件，其中所述第一导电半导体层、所述AlGaInP基有源层、所述第二导电覆层、所述具有第一浓度的第二导电GaP层以及所述具有第二浓度的第二导电GaP层包含相同的材料组成或相似的材料组成。
16.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述反射层是通过将所述分布式布拉格反射器沉积为具有与所述第一导电半导体层、所述AlGaInP基有源层和所述第二导电覆层的晶格结构层相同的晶格结构层而形成的。
17.一种包括照明单元的照明系统，所述照明单元包括根据权利要求1至7中任一项所述的发光器件。
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