CN104228324B - 在基底上形成导电图案的设备、方法、绝缘基底和芯片组 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种设备、方法、平坦绝缘基底和芯片组,包括至少一个模块,所述至少一个模块被构造成在平坦绝缘基底上形成预定图案,使得导电粒子可以根据所述预定图案进行聚集。至少另一个模块被构造成将导电粒子转移到平坦绝缘基底,其中,导电粒子被布置成根据预定图案进行聚集。烧结模块被构造成熔化平坦绝缘基底上的导电粒子,其中导电粒子被布置成根据预定图案进行熔化以在平坦绝缘基底上形成导电平面。本发明的实施例涉及含纤维板上的可印刷或印刷电子设备。
Description
本申请是2008年5月9号提交的申请号为2008801290729、名称为“用于在平坦绝缘基底上形成导电图案的设备、方法、具有该导电图案的平坦绝缘基底和形成在该平坦绝缘基底上的芯片组”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种用于在平坦绝缘基底上形成导电图案的设备,此外,本发明涉及一种用于在平坦绝缘基底上形成导电图案的方法。此外,本发明涉及一种包括如此形成的导电图案的平坦绝缘基底。此外,本发明涉及一种如此形成在平坦绝缘基底上的芯片组。
背景技术
印刷电子设备,尤其是在柔性基底上的印刷电子设备用于电子元件和逻辑解决方案、一次性电子设备、甚至印刷显示器的应用。当前,印刷电子设备应用使用在传统的电子元件制造中所熟悉的方法,例如,电镀和丝网印刷。然而,这些方法慢,不能很好地适于多孔基底和/或织物形式的基底。此外,柔性和轮转凹版印刷已经用于印刷电子元件。上述已知方法的问题在于所述方法产生具有不连续的结构(由于20个网点)、多孔结构(具有液态物质)中的元件的溶剂蒸发和吸收。导电聚合物的主要问题在于导电率不足并影响环境,例如,氧化。
此外,已知几种用于使用导电膏、凝胶和油墨印刷导电图案的技术。然而,在印刷导电图案的公知技术中有一些问题。由于液相物质的复杂处理和印刷迹线相对较低的导电率和/或分辨率,因此不期望施加液相材料。除去初始包括在组分中的稀释剂或助剂需要费时的步骤。
上述公知方法对可以在这些公知方法中使用的基底有一些限制。这些方法中由于所使用的非常高的温度或削弱局部压缩的基底而没有一个能很好地适于纸、纤维板、板状基底或类似物。另一方面,沉积掩模、蜡纸、或屏幕没有理想的速度、过程不用户化并且不灵活,因为所述沉积掩模、蜡纸、或屏幕使淀积过程具有不必要的复杂性并且限制可获得的分辨率。
发明内容
本发明的目的是在平坦绝缘表面上相对有效并简单地形成导电图案。
根据本发明的一方面,提供了一种设备,包括:
至少一个模块,所述至少一个模块被构造成在平坦绝缘基底上形成预定图案,使得导电粒子可以根据预定图案进行聚集,其中所述平坦绝缘基底适于在300℃以下的破坏点或变形点,并且,其中,所述至少一个模块包括涂覆模块,所述涂覆模块被构造成将耦合剂涂覆在所述平坦绝缘基底上,使得所述耦合剂形成所述预定图案,所述导电粒子能够根据所述预定图案聚集和附着到所述平坦绝缘基底上;
至少一个另外的模块,所述至少一个另外的模块被构造成将导电粒子转移到平坦绝缘基底,其中导电粒子被布置成根据预定图案进行聚集;和
烧结模块,所述烧结模块被构造成熔化平坦绝缘基底上的导电粒子,其中导电粒子被布置成根据预定图案进行熔化以在平坦绝缘基底上形成导电平面。
根据本发明的另一个方面,提供了一种方法,包括以下步骤:
在平坦绝缘基底上形成预定图案,使得导电粒子可根据预定图案进行聚集,其中所述平坦绝缘基底适于在300℃以下的破坏点或变形点,并且,所述平坦绝缘基底包括耦合剂,所述耦合剂形成所述预定图案,所述导电粒子能够根据所述预定图案聚集和附着到所述平坦绝缘基底上;
将导电粒子转移到平坦绝缘基底,其中导电粒子被布置成根据预定图案进行聚集;以及
将导电粒子烧结在平坦绝缘基底上,其中导电粒子被布置成根据预定图案进行熔化以在平坦绝缘基底上形成导电平面。
根据本发明的又一个方面,提供了一种平坦绝缘基底,包括:
预定图案,所述预定图案位于平坦绝缘基底上,使得导电粒子可以根据预定图案进行聚集,其中所述平坦绝缘基底适于在300℃以下的破坏点或变形点,并且,所述平坦绝缘基底包括耦合剂,所述耦合剂形成所述预定图案,所述导电粒子能够根据所述预定图案聚集和附着到所述平坦绝缘基底上;和
导电粒子,所述导电粒子被烧结在平坦绝缘基底上,其中导电粒子被布置成根据预定图案进行熔化以在平坦绝缘基底上形成导电平面,并且其中导电粒子被布置成根据预定图案进行聚集。
根据本发明的又一个方面,提供了一种芯片组,包括:
预定图案,所述预定图案位于所述平坦绝缘基底上,使得导电粒子可以根据所述预定图案进行聚集,其中所述平坦绝缘基底适于在300℃以下的破坏点或变形点,并且,所述平坦绝缘基底包括耦合剂,所述耦合剂形成所述预定图案,所述导电粒子能够根据所述预定图案聚集和附着到所述平坦绝缘基底上;和
导电粒子,所述导电粒子被烧结以在平坦绝缘基底上形成导电平面,其中导电粒子被布置成根据预定图案熔化以在平坦绝缘基底上形成导电平面,并且其中导电粒子被布置成根据预定图案进行聚集。
本发明的各种进一步实施例允许相对准确并且便利地在平坦绝缘表面上形成导电表面。
附图说明
以下参照附图仅以示例的方式说明本发明的进一步的各种实施例,其中:
图1示出了根据本发明的实施例的、被构造成在平坦绝缘基底上形成导电图案的设备的一部分的总体视图,其中,所述图案被示出;
图2a示出了根据本发明的实施例的、被构造成在平坦绝缘基底上形成导电图案的设备的一部分的横截面视图,其中导电粒子正在聚集在基底上并附着到基底上的耦合剂;
图2b示出了根据本发明的实施例的、被构造成在平坦绝缘基底上形成导电图案的设备的一部分的横截面视图,其中,粒子在烧结之前已经联接到基底;
图3示出了根据本发明的实施例的、被构造成在平坦绝缘基底上形成导电图案的设备的一部分的横截面视图,其中,电场用于转移导电粒子;
图4a示出了根据本发明的实施例的、被构造成在平坦绝缘基底上形成导电图案的设备的一部分的横截面视图,其中,耦合剂被转移到基底;
图4b示出了根据本发明的实施例的、被构造成在平坦绝缘基底上形成导电图案的设备的一部分的横截面视图,其中,掩模和电压源用于对基底产生预定电荷;
图4c示出了根据本发明的实施例的、被构造成在平坦绝缘基底上形成导电图案的设备的一部分的横截面视图,其中,预定电荷将导电粒子吸引并聚集到基底;
图4d示出了根据本发明的实施例的、被构造成在平坦绝缘基底上形成导电图案的设备的一部分的横截面视图,其中,导电粒子在烧结之前联接到基底;
图5示出了根据本发明的实施例的、被构造成在平坦绝缘基底上形成平坦绝缘基底的设备的横截面视图,其中,耦合剂根据预定图案被涂覆到基底并且使用电辊;以及
图6示出了根据本发明的实施例的、被构造成在平坦绝缘基底上形成导电图案的设备的横截面视图,其中,电辊用于在基底上产生带电图案并因此将导电粒子转移到基底。
具体实施方式
图1示出了根据本发明的实施例的、被构造成在平坦绝缘基底101上形成导电图案99'的设备100的一部分的总体视图,其中,图案99被示出。本发明的各种实施例基于(微)粒子102(在图1中未示出),所述粒子可以沉积和永久附着到各种基底101上,同时增加正在被沉积的图案99的导电率。这可通过设备100的至少一个模块来获得,所述至少一个模块被构造成在平坦绝缘基底101上形成预定图案99,使得导电粒子102可以根据预定图案99进行聚集。此外,设备100的至少一个另外的模块被构造成将导电粒子转移到平坦绝缘基底101,其中,导电粒子102被布置成根据预定图案进行聚集。此外,设备100的烧结模块被构造成熔化平坦绝缘基底101上的导电粒子102,其中,导电粒子102被布置成根据预定图案99进行熔化以在平坦绝缘基底101上形成导电图案99'。基于所使用的沉积,不需要中间阶段(如果采用以干燥形式或在用于沉积材料的干燥阶段沉积的粒子(如果粒子沉积在液体悬浮液中))。
本发明的各种实施例尤其适于干燥状态导电(包括半导电)粒子102,例如,粉末形成的微粒子。导电粒子102可以是金属、聚合物、或所述金属和聚合物的组合。产生的结构的分辨率可以基于粉末材料的粒子尺寸,而在沉积和烧结过程中,材料的组分通常是重要的。
基底101可以是几乎任意绝缘和平坦的薄片、织物、或纤维或纤维板或类似物。纸、板和高分子膜(塑料)已经被认为能很好地适于所述过程,但是也可以使用其它类似的非导电表面。纸或板可以是涂覆或不被涂覆、无木材或含木材。也可使用多层基底。其它可能的基底例如包括纺织品、非织造材料、电子工业的电路板、模制品、玻璃、结构材料(例如,壁纸和未经焙烧的地面涂料和烧制陶瓷)、(生物)聚合物基料和复合材料。所列基底中的每一个都有其自身的应用领域和优点。具体地,本发明的又一个实施例适于具有在300℃以下的破坏点或变形点,具体地在250℃以下,甚至在200℃以下,即,至少不能经受高温的各种纸和塑料级的基底。
图2a示出了根据本发明的实施例的、被构造成在平坦绝缘基底101上形成导电图案99'的设备100的一部分的横截面视图,其中,导电粒子102正在被聚集在基底101上,并且附着到所述基底的耦合剂103。图2a示出了被构造成将导电粒子102转移到平坦绝缘基底101的至少一个另外的模块的实施例,其中,导电粒子102被布置成根据预定图案99进行聚集。容器106包括导电粒子102。平坦绝缘基底101包括耦合剂103。在本发明的实施例中,耦合剂103可以是粘合剂或类似物。耦合剂103被定位成使得粒子可以附着到所述耦合剂。此外,耦合剂103在基底101上形成预定图案99(在图2中未示出)。在图2a的实施例中,基底101还包括电荷:负电荷105和正电荷104。
在又一个实施例中,电荷104、105通常均匀地(未示出)形成到基底101。在此又一个实施例中,电荷通过电磁场将粒子102吸引到基底101。在基底101上定位耦合剂103的位置处,耦合剂103将粒子102进一步附着到基底101。在其它没有耦合剂103的位置处,粒子没有附着到基底101。
在一个实施例中,电荷104、105根据预定图案99形成到绝缘基底101。因此,电荷104、105通常根据预定图案99被定位。此外,电荷104的位置与耦合剂103的位置相对应。
如图2a的箭头所示,电荷104吸引导电粒子102。电磁场力将导电粒子102吸到耦合剂103。耦合剂103将导电粒子附着到基底101。即使在基底101在相对较高的速度下移动时也可以执行附着。
图2b示出了根据本发明的实施例的、被构造成在平坦绝缘基底101上形成导电图案99'的设备100的一部分的横截面视图,其中,导电粒子102在烧结之前已经联接到基底101。在图2b的实施例中,导电粒子102正在通过耦合剂103附着和联接到基底101。在本实施例中的烧结过程包括烧结位于基底101的相对侧的辊107和108。因此,在导电粒子102转移在基底101的表面上之后,粒子102被烧结以形成连续、导电图案99'(在图2b中未示出)。在温度和压力下,优选地在分离或半分离烧结辊隙中发生烧结,例如图2b中所示。分离的烧结辊隙包括两个分开的辊107、108,而半分离烧结辊隙使用电极辊作为用于烧结辊的反向辊(未示出)。辊107、108中的一个或两个都被加热以获得期望的烧结温度。基于所选择的温度,还在烧结辊隙中产生足以发生烧结的压力。可选地,代替在辊隙中进行烧结,可以使用带或诸如鞋辊隙(shoe-nip)的长辊隙。在这些进一步的实施例中,辊隙长度可以是几毫米,通常在2-500毫米之间,并且具有在10-20000kPa之间变化的压力。用于加热的结构使用与上述辊隙系统相同的原理。在烧结中,形成期望的导电(包括半导电,其基于所使用的材料的特性)图案99'。因此,最终的芯片组可以形成在基底101上。
烧结系统
在烧结过程中,导电粒子102被烧结在一起以形成连续导电图案99'。烧结过程可以使用简单的压力和温度(辊状或板状结构)。这用于超过所使用的导电材料的熔化和烧结温度。可以加热辊107、108中的任一个或两个、烧结辊隙中的板或带。加热材料的表面材料应该在没有显著变形的情况下能承受所使用的温度(例如,50℃-250℃)。用于辊的可允许的表面材料例如是碳化钨、硬铬、PTFE盖及其衍生物和具有防粘贴特性的陶瓷材料(低表面能)。烧结可以在与加热辊108直接接触的情况下发生,或者热量可以通过基底材料被传递。此外,可以加热两个接触辊107、108以增加辊隙中的热传递。为了提高导电粒子102与基底101的附着性,优选的是加热至少与基底101的不包括粒子形成图案的表面接触的辊107或板(第二辊)。与粉末接触的辊108(第一辊)甚至可以考虑在相当低的温度下不被加热并冷却。
图3示出了根据本发明的实施例的、被构造成在平坦绝缘基底101上形成导电图案99'的设备100的一部分的横截面视图,其中,电场用于转移导电粒子102。平坦绝缘基底101包括耦合剂103,所述耦合剂优选地位于基底101的面对导电粒子102的表面上。图3的实施例包括电辊109。电辊109包括连接到电压源的电极110。容纳导电粒子102的容器106位于辊的相对侧。基底101位于所述辊109与所述导电粒子102之间。当辊109旋转时电极110靠近基底101时,电磁场的力开始吸导电粒子102,使得导电粒子102'接触并附着到耦合剂103,从而接触并附着到基底101。电极110'远离导电粒子102,使得所述电极不会吸引导电粒子102、102'。在图3的实施例中,可以根据电极110的位置和图案在辊109的圆上形成预定图案99。此外或者可选的,耦合剂103可以是预定图案。因此,根据耦合剂103和电极110的组合或简单地通过耦合剂103形成图案。此外,辊109可以适于移动以在基底101上产生附着粒子102'的一定图案99。更进一步,电极110可以通过控制电极110的电压来引导以形成预定图案99。
图4a示出了根据本发明的实施例的、被构造成在平坦绝缘基底101上形成导电图案99'的设备100的一部分的横截面视图,其中,耦合剂103被转移到基底101。图4a示出了耦合剂103到基底101的转移的两种可选的方式。空心圆筒(cannon)111将耦合剂103注射或喷射到基底101的表面。空心圆筒111可以被布置成根据预定图案99或通常均匀地喷射耦合剂103。可选地,耦合剂103可以通过辊112被转移到基底101。辊112转移来自容纳耦合剂103的容器113的耦合剂。可以控制辊112移动,从而产生图案99。此外,辊可以包括预定形状或修饰,即,预定图案,以在基底101上产生图案99。
图4b示出了根据本发明的实施例的、被构造成在平坦绝缘基底101上形成导电图案99'的设备100的一部分的横截面视图,其中,掩模115和电压源以及漏极114、114'用于对基底101产生预定电荷104、105。在本实施例中使用掩模115以在基底101上形成具有电荷105的图案99。基底101在电压源114与114'之间转移。因此,具有对基底101的一些位置产生电荷104、105的电压。掩模115因此用于根据预定图案99产生电荷104、105。
图4c示出了根据本发明的实施例的、被构造成在平坦绝缘基底101上形成导电图案99'的设备100的一部分的横截面视图,其中,预定电荷104将导电粒子102吸引并聚集到基底101。基底101在容纳导电粒子102的容器106旁边移动。通常,基底101相对于容器106移动,使得基本上在基底101与容器106之间存在距离。基底101包括基于预定图案99的电荷104。电荷104将导电粒子102吸引到基底101。基底包括在面对导电粒子102的一侧的耦合剂103。因此,导电粒子102朝向电荷104聚集并通过耦合剂103附着到基底101。因此,导电粒子102根据预定图案99附着到基底101。
图4d示出了根据本发明的实施例的、被构造成在平坦绝缘基底101上形成导电图案99'的设备100的一部分的横截面视图,其中,导电粒子102在烧结之前联接到基底101。在图4d的实施例中,基底101包括大致均匀层的耦合剂103。导电粒子102已经被转移到基底101以形成预定图案99。另外,图4d的实施例类似于图2b的实施例。
图5示出了根据本发明的实施例的、被构造成在平坦绝缘基底101上形成导电图案99'的设备100的横截面视图,其中,耦合剂103根据预定图案99被涂覆到基底101,并且使用电辊109'。在图5的实施例中,基底101包括作为预定图案99的耦合剂103。因此,耦合剂103已经被涂覆到基底101以产生预定图案99。基底101向前移动。辊109'旋转。辊109’包括电压源+V。另一辊109″包括电压漏极-V。因此,当辊109'旋转时,辊109'将来自容器106的导电粒子102聚集并吸引到辊109'的表面。当辊109'旋转并且基底101移动时,导电粒子102与耦合剂103接触。导电粒子102附着到耦合剂103。因此,导电粒子102在基底101的表面上形成预定图案99。没有与耦合剂103接触的那些导电粒子102没有附着到基底101,但是任然保留在辊109'的表面上。
图6示出了根据本发明的实施例的、被构造成在平坦绝缘基底101上形成导电图案99'的设备100的横截面视图,其中,电辊112、112'、112″用于在基底101上产生带电图案99并因此将导电粒子102附着到基底101。电辊112包括用于产生+Vcorona电压的电压源113。辊112还包括用于通过电荷105形成图案99的掩模。电晕电压可以具有两个或更多个可选方式,例如,112'-Vaccel或电压漏极112″。掩模被设计成根据掩模的预定图案,电荷105因此产生在基底101上。因此,在图6的实施例中,掩模和电荷105产生预定图案99。图6的实施例还包括电辊109'。在图6的实施例中,基底101不包括耦合剂103。基底101向前移动,并且辊旋转。辊109'可以包括地线。此外,具有用于产生电场的漏极-V。因此,当辊109'旋转时,辊109'将来自容器106的导电粒子102聚集并吸引到辊109'的表面。当辊109'旋转并且基底101移动时,导电粒子102与电荷105接触。导电粒子102通过电荷105附着到基底101。因此,导电粒子102附着在基底101上。导电粒子102根据电荷105的图案在基底101的表面上形成预定图案99。没有与电荷105接触的那些导电粒子102没有附着到基底101,而是留在辊109'的表面上。烧结部分包括诸如辐射器IR的加热器115。此外,烧结部分还包括辊108和107。烧结过程通常可以类似于图2b和4d的实施例进行操作。
导电粒子
如上所述,本发明的一些实施例使用导电粒子102。导电粒子的非限制性示例是金属微粒子。对于又一个实施例,应用低熔点金属和金属合金。尤其是锡铋合金被证明适于应用。在此文中,低熔点金属和合金包括具有熔点小于300℃,通常在50-250℃,具体地在100-200℃的材料。适当的金属例如包括锡、铋、铟、锌、镍、或类似物。对于又一个实施例,所述金属还是适当合金的优选组分,因为其具有产生低熔点合金的能力。例如,不同比值的锡-铋、锡-铋-锌、锡-铋-铟或锡-铋-锌-铟已经被证明在本发明的又一个实施例中是有利的。改变合金中这些金属的比值可以显著地改变合金的熔化特性。合金中的锡的比值在20-90wt%,优选地在30-70wt%的含锡合金。15.6wt%的锡、36.1wt%的铋和48.3wt%的铟的组分产生低到59℃的熔点。因此,可以用于实际低温应用。
诸如金属或金属合金粒子的导电粒子的尺寸在5种非常高的分辨率应用中可以在0.5(或低)与100μm(甚至更高),有时在1μm与20μm之间。粒子可以包括基本上100%的金属。即,没有助剂需要包括在粒子中、混合在粉末中或预先应用在基底上以执行进一步的实施例。
其它材料
在又一个实施例中,例如聚苯胺(PANI)、聚(3,4-已撑二氧噻吩)(PEDOT)的导电聚合物可以在沉积中用作导电粒子,然而导电聚合物的不熔性质使得对材料烧结产生问题。基本上,具有本征导电率的聚合物不会熔化或溶于任意普通的溶剂中。然而,导电聚合物在200℃以上恶化,从而能够使导电聚合物与诸如聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)、聚甲基丙烯酸乙酯(EMA)三元乙丙橡胶(EPDM)等的各种合成聚合物混合。这些合成材料仍然具有半导体级的导电率。
粒子容器
本发明的一些实施例使用粒子容器106。粒子容器的示例可以是粉末容器或类似物。容器106的壳体可以与绝缘结构、粒子或表面接触,通过所述结构、粒子或表面其获得电荷。这之后,所述粒子容器例如通过电场在转移辊表面上被转移。通常,需要一定的阈电压以使电荷均匀地分布到粒子载体中的粒子。阈电压的水平取决于粒子的类型。在一些示例中,锡-铋合金通常具有大约200V的电压。
在又一个实施例中,在容器106中,应用流化作用以产生均一分散。这确保粒子到转移辊的进一步转移和沉积。可以利用空气、机械振动和通过使用排斥静电力(利用导电粒子)进行流化作用。
辊
本发明的一些实施例使用诸如由附图标记109、112表示的各种辊。转移辊可以是电无源的。转移辊可以包括电极,所述电极的电势与沉积在转移辊的表面上的粒子的不同。还可以利用辊、带或类似物中的不同表面电荷产生这种电势差。对这些电极在容器与转移辊之间产生电场。当电场形成在容器(和所述容器中的导电粒子)与转移辊之间时,带电粒子由于施加到转移辊的表面的电场而进行转移。
电极辊
本发明的一些实施例使用正在通电的辊109、112。电极的最简单形式包括金属辊,所述金属辊与其它系统部件绝缘并且其电势与带电粒子相反。目的是在转移辊(以及在其表面上的粒子)与电极辊之间产生电场,用于能够使粒子102转移到基底101的表面。除此之外,在粒子转移中,电晕充电可以用于在带电粒子与基底之间产生电势差。基底的相对侧可以被来自电晕充电的离子充电,而基底的另一侧与带电粒子接触或靠近带电粒子并因此发生粒子转移。
分离系统
在粒子102已经转移到基底101表面之后,可能需要从辊分离基底101和粒子102。基于基底101的介电特性(体积和表面电阻率),这些粒子具有保持静电力朝向电极辊109的趋势。这是由粒子102与辊109之间的电势差产生的。为了减少粒子与电极辊109之间的静电力,可以进行几个动作。第一,具有基于纤维材料的织物(纸和板)的含水量可以增加以能够使电荷从粒子转移到具有基于纤维的织物和高分子膜或类似物。第二,当前可选的离子发生器可以用于中和粒子的电荷。第三,电势差可以被布置成保持稳定直到粒子的电荷减少(例如,通过允许织物与电极辊接触持续更长时间)。第四,粒子可以烧结同时仍然与电极接触。当纸或板用作基底并且利用与湿气相关的分离时,处理环境的相对湿度优选地大约在20-90%,通常在30-60%。此相对湿度例如表示纸含湿量在2-20%之间。这为带电粒子提供用于分离的适当的电荷衰减时间。
衍生和保护范围
虽然以上说明包括许多细节,但是这些被提供仅仅用于说明本发明并且将不会被解释为对本发明的保护范围的限制。应该注意在单个或多个实施例中可以以各种方式合并多个细节。因此,本领域的技术人员要认识的是在不背离本发明的精神和保护范围的情况下可以对本发明的设备和过程做各种修改和改变。
Claims (20)
1.一种用于在平坦绝缘基底上形成导电图案的设备,包括:
至少一个模块,所述至少一个模块被构造成在平坦绝缘基底上形成预定图案,使得导电粒子能够根据所述预定图案进行聚集,其中所述平坦绝缘基底适于在300℃以下的破坏点或变形点,其中,所述至少一个模块包括涂覆模块,所述涂覆模块被构造成将耦合剂涂覆在所述平坦绝缘基底上,使得所述耦合剂形成所述预定图案,所述导电粒子能够根据所述预定图案聚集和附着到所述平坦绝缘基底上;
至少一个另外的模块,所述至少一个另外的模块被构造成将所述导电粒子转移到所述平坦绝缘基底,其中,所述导电粒子被布置成根据所述预定图案进行聚集;和
烧结模块,所述烧结模块被构造成熔化所述平坦绝缘基底上的导电粒子,其中,所述导电粒子的金属被布置成根据所述预定图案进行熔化以在所述平坦绝缘基底上形成导电平面。
2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述平坦绝缘基底包括纤维基产品。
3.根据权利要求2所述的设备,其中,所述纤维基产品包括纸或板或聚合物膜。
4.根据前述权利要求中任一项所述的设备,其中,所述平坦绝缘基底上的导电平面包括电路的一部分、电路、或芯片组。
5.根据权利要求1所述的设备,其中,所述涂覆模块包括空心圆筒。
6.根据权利要求1所述的设备,其中,所述涂覆模块包括辊和容器,其中,所述辊被构造成将来自所述容器的耦合剂转移到所述基底。
7.根据权利要求1、5-6中任一项所述的设备,其中,所述耦合剂包括粘合剂。
8.根据权利要求1所述的设备,其中,所述耦合剂包括用于产生吸引所述导电粒子的电场力的电荷。
9.根据权利要求8所述的设备,其中,所述至少一个模块包括电辊,所述电辊被构造成根据所述预定图案在所述基底的表面上形成电荷。
10.根据权利要求9所述的设备,其中,所述至少一个另外的模块包括另一个电辊,所述另一个电辊被构造成将来自容器的所述导电粒子转移到所述基底,使得所述导电粒子通过电磁场力附着到所述另一个电辊,转移到所述基底,并且通过位于所述基底的表面上的电荷附着到所述基底。
11.根据权利要求1所述的设备,其中,所述至少一个另外的模块包括容器,所述容器用于导电粒子,使得所述导电粒子能够根据所述预定图案被转移到所述基底的表面。
12.根据权利要求11所述的设备,其中,所述基底的表面上的电荷将所述导电粒子吸引到所述表面,并且粘合剂根据所述预定图案将所述导电粒子附着到所述表面,其中,所述粘合剂和所述电荷都根据所述预定图案定位。
13.根据权利要求11所述的设备,其中,所述至少一个另外的模块还包括电辊,所述电辊被构造成将来自所述容器的导电粒子转移到所述基底,使得所述导电粒子通过电磁场力附着到所述电辊,转移到所述基底,并通过位于所述基底的表面上的粘合剂附着到所述基底。
14.根据权利要求11所述的设备,其中,所述至少一个另外的模块还包括用于根据所述基底上的预定图案产生电荷的掩模、电压源和电压漏极,其中,在所述基底的表面上的电荷将所述导电粒子吸引到所述表面,并且粘合剂根据所述预定图案将所述导电粒子附着到所述表面。
15.根据权利要求14所述的设备,其中,所述粘合剂均匀地分布在所述基底上,使得所述电荷根据所述预定图案吸引所述导电粒子,并且粘合剂将所述导电粒子附着到所述基底。
16.根据权利要求1所述的设备,其中,所述烧结模块包括两个辊,其中,所述两个辊中的至少一个辊被加热。
17.根据权利要求16所述的设备,其中,所述烧结模块还包括鼓风加热器。
18.一种用于在平坦绝缘基底上形成导电图案的方法,包括以下步骤:
在平坦绝缘基底上形成预定图案,使得导电粒子能够根据所述预定图案进行聚集,其中所述平坦绝缘基底适于在300℃以下的破坏点或变形点,并且,所述平坦绝缘基底包括耦合剂,使得所述耦合剂形成所述预定图案,所述导电粒子能够根据所述预定图案聚集和附着到所述平坦绝缘基底上;
将所述导电粒子转移到所述平坦绝缘基底,其中,所述导电粒子被布置成根据所述预定图案进行聚集;以及
烧结所述平坦绝缘基底上的导电粒子,其中,所述导电粒子的金属被布置成根据所述预定图案进行熔化,以在所述平坦绝缘基底上形成导电平面。
19.一种平坦绝缘基底,包括:
预定图案,所述预定图案位于所述平坦绝缘基底上,使得导电粒子能够根据所述预定图案进行聚集,其中所述平坦绝缘基底适于在300℃以下的破坏点或变形点,并且,所述平坦绝缘基底包括耦合剂,使得所述耦合剂形成所述预定图案,所述导电粒子能够根据所述预定图案聚集和附着到所述平坦绝缘基底上;和
所述导电粒子被烧结在所述平坦绝缘基底上,其中,所述导电粒子被布置成根据所述预定图案熔化以在所述平坦绝缘基底上形成导电平面,并且其中所述导电粒子被布置成根据所述预定图案进行聚集。
20.一种芯片组,包括:
预定图案,所述预定图案位于平坦绝缘基底上,使得导电粒子能够根据所述预定图案进行聚集,其中所述平坦绝缘基底适于在300℃以下的破坏点或变形点,并且,所述平坦绝缘基底包括耦合剂,使得所述耦合剂形成所述预定图案,所述导电粒子能够根据所述预定图案聚集和附着到所述平坦绝缘基底上;和
所述导电粒子被烧结在所述平坦绝缘基底上,其中,所述导电粒子被布置成根据所述预定图案熔化,以在所述平坦绝缘基底上形成导电平面,并且其中所述导电粒子被布置成根据所述预定图案进行聚集。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4735847A (en) * | 1983-12-27 | 1988-04-05 | Sony Corporation | Electrically conductive adhesive sheet, circuit board and electrical connection structure using the same |
US5114744A (en) * | 1989-08-21 | 1992-05-19 | Hewlett-Packard Company | Method for applying a conductive trace pattern to a substrate |
CN1213438A (zh) * | 1996-03-05 | 1999-04-07 | 澳大利亚研究实验室持股有限公司 | 显示技术的电子印刷 |
CN1525805A (zh) * | 2003-01-14 | 2004-09-01 | ������������ʽ���� | 布线材料、布线基板及其制造方法以及显示面板 |
CN1925724A (zh) * | 2005-09-02 | 2007-03-07 | 三星电机株式会社 | 在印刷电路板上形成电路图案的方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02208995A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-08-20 | Matsushita Electric Works Ltd | 回路形成方法 |
JPH0653634A (ja) * | 1992-04-22 | 1994-02-25 | Nec Corp | 配線用基板の回路形成方法 |
JP3697271B2 (ja) * | 1994-03-15 | 2005-09-21 | 株式会社東芝 | 回路基板の製造方法 |
JPH1116491A (ja) * | 1997-06-26 | 1999-01-22 | Dainippon Printing Co Ltd | プラズマディスプレイパネル用厚膜パターンの形成方法 |
US7632434B2 (en) * | 2000-11-17 | 2009-12-15 | Wayne O. Duescher | Abrasive agglomerate coated raised island articles |
-
2008
- 2008-05-09 CN CN201410265029.2A patent/CN104228324B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4735847A (en) * | 1983-12-27 | 1988-04-05 | Sony Corporation | Electrically conductive adhesive sheet, circuit board and electrical connection structure using the same |
US5114744A (en) * | 1989-08-21 | 1992-05-19 | Hewlett-Packard Company | Method for applying a conductive trace pattern to a substrate |
CN1213438A (zh) * | 1996-03-05 | 1999-04-07 | 澳大利亚研究实验室持股有限公司 | 显示技术的电子印刷 |
CN1525805A (zh) * | 2003-01-14 | 2004-09-01 | ������������ʽ���� | 布线材料、布线基板及其制造方法以及显示面板 |
CN1925724A (zh) * | 2005-09-02 | 2007-03-07 | 三星电机株式会社 | 在印刷电路板上形成电路图案的方法 |
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Publication number | Publication date |
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