CN104216158A - 一种显示装置及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种显示装置及其制备方法，涉及显示技术领域，能够在降低生产成本的前提下，解决显示屏切割工艺中，封框胶引起的大量毛刺的问题。所述显示装置，包括阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板和彩膜基板之间的封框胶，两个相邻封框胶之间设置有预切割位置。此外，所述显示装置还包括位于阵列基板与彩膜基板之间，对应上述预切割位置处的阻隔层其中，构成阻隔层材料的断裂延伸率小于构成封框胶材料的断裂延伸率。

Description

一种显示装置及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置及其制备方法。
背景技术
TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管-液晶显示器)作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。
TFT-LCD如图1a所示，由阵列基板10和彩膜基板11构成，其制作过程为：首先，在一大张阵列基板10的表面形成呈矩阵形式排列的封框胶12。然后在封框胶12内滴注液晶13，最后将上述一大张阵列基板10与一大张彩膜基板11进行对盒，使得封框胶12能够对滴注在阵列基板10和彩膜基板11之间的液晶12进行密封。通过上述工艺形成了一大张显示屏，因此还需要将大张的显示屏切割成预设尺寸的小显示屏。
现有的切割工艺，如图1b所示，会在两个相邻的封框胶12之间留有一定的缝隙130，以在上述缝隙130处进行切割。这样可以避免切割工艺对液晶盒的损伤。然而，由于上述缝隙130的存在会导致切割形成的显示屏的边框较大，从而无法满足显示领域中窄边框的发展趋势。
为了解决上述问题，现有技术中如图1c所示，将两个相邻的封框胶12之间的缝隙130去除，采用带胶切割工艺，通过激光切割技术，将预设切割位置(O-O’)处的封框胶12进行切割。虽然激光切割工艺具有能量密度高、切割速度快，切割精度高等优势。但是会大大增加生产成本。封框胶12一般采用丙烯酸和环氧树脂构成，由于环氧树脂在高温下的胶黏性或断裂延伸率较大。因此如果为了降低生产成本，在带胶切割工艺中不采用激光技术，切割时产生的高温会增加封框胶12的断裂延伸率，由于普通切割技术相对激光切割的速度较慢，因此在切割过程中，封框胶12容易粘附于显示屏的透明基板上，从而产生大量的毛刺。这样会对后续的显示屏的驱动绑定工艺以及背光组装工艺产生不利的影响。从而降低了产品的良率。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示装置及其制备方法，能够在降低生产成本的前提下，解决显示屏切割工艺中，封框胶引起的大量毛刺的问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明实施例的一方面，提供一种显示装置，包括阵列基板、彩膜基板以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的封框胶，两个相邻所述封框胶之间设置有预切割位置，还包括位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间，对应所述预切割位置处的阻隔层；
其中，构成所述阻隔层材料的断裂延伸率小于构成所述封框胶材料的断裂延伸率。
本发明实施例的另一方面，提供一种显示装置的制备方法，包括：
分别制作阵列基板和彩膜基板；在所述阵列基板或所述彩膜基板上设置预切割位置；
在所述阵列基板或所述彩膜基板上，对应所述预切割位置处形成阻隔层；
在所述阵列基板的表面形成封框胶；两个相邻所述封框胶之间具有所述阻隔层；
将所述彩膜基板与所述阵列基板对盒成型；
其中，构成所述阻隔层材料的断裂延伸率小于构成所述封框胶材料的断裂延伸率。
本发明实施例提供一种显示装置及其制备方法。所述显示装置，包括阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板和彩膜基板之间的封框胶，两个相邻封框胶之间设置有预切割位置。此外，所述显示装置还包括位于阵列基板与彩膜基板之间，对应上述预切割位置处的阻隔层其中，构成阻隔层材料的断裂延伸率小于构成封框胶材料的断裂延伸率。由于封框胶能够对滴注在阵列基板和彩膜基板之间的液晶进行密封。因此一般采用具有一定胶黏性的材料构成封框胶。胶黏性较大的材料，其断裂延伸率较大。因此，在切割的过程中不容易发生断裂，当切割速度较慢时，切口处的一部分封框胶会被拉起并粘附于显示屏的透明基板上，从而产生大量的毛刺。而本发明中，可以采用普通切割工艺沿所述预切割位置对阻隔层进行切割，以实现切割显示面板的目的。虽然普通切割速度较慢，但由于阻隔层相对于封框胶而言，断裂延伸率较小，易断裂，因此能够防止切缝处的材料粘附于显示屏的透明基板上，避免了大量毛刺的产生。同时，本发明适用于普通切割工艺，因此能够降低生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1a为现有技术提供的一种显示面板的结构示意图；
图1b为现有技术提供的一种显示面板的进行切割工艺前的结构示意图；
图1c为现有技术提供的另一种显示面板的进行切割工艺前的结构示意图；
图2a为本发明实施例提供的一种显示面板进行切割工艺前的结构示意图；
图2b为本发明实施例提供的另一种显示面板进行切割工艺前的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种显示面板进行切割工艺前的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的又一种显示面板进行切割工艺前的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
图6a-图6d为本发明实施例提供的一种阻隔层的制作过程结构示意图；
图6e-图6h为本发明实施例提供的另一种阻隔层的制作过程结构示意图；
图7为本发明实施例提供的一种显示装置的制作流程图；
图8为本发明实施例提供的一种阻隔层的制作流程图；
图9为本发明实施例提供的另一种阻隔层的制作流程图；
图10为本发明实施例提供的又一种阻隔层的制作流程图。
附图标记：
01-显示面板的有效显示区；10-阵列基板；100-第二衬底基板；101-栅极；102-栅极绝缘层；103-有源层；104-源漏金属层；105-像素电极；106-钝化层；107-公共电极；11-彩膜基板；110-第一衬底基板；111-黑矩阵；112-彩色滤光层；113-保护层；114-隔垫物；12-封框胶；20-阻隔层；201-第一子阻隔层；202-第二子阻隔层；203-互锁结构；210-树脂层；211-光刻胶；A-光刻胶保留区域；B-光刻胶去除区域；C-光刻胶完全保留区域；D-光刻胶部分保留区域；E-光刻胶完全去除区域。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种显示装置，如图2a所示，可以包括阵列基板10、彩膜基板11以及位于阵列基板10和彩膜基板11之间的封框胶12，两个相邻封框胶12之间设置有预切割位置(O-O’)。该显示装置还可以包括位于阵列基板10与彩膜基板11之间，对应预切割位置(O-O’)处的阻隔层20。
其中，构成上述阻隔层20材料的断裂延伸率小于构成封框胶12材料的断裂延伸率。
需要说明的是，断裂延伸率是指材料受到拉伸时的最大延伸长度与原长度的百分率。材料的断裂延伸率越小，在切割过程中越容易发生断裂；反之越不容易断裂。如图2b(图2a中沿A—A’得到的剖视图)所示，每个显示面板的有效显示区域01的四周都设置有对位标记02。根据上述对比标记02可以设置出上述预切割位置(O-O’)。本发明提供的阻隔层20位于预切割位置(O-O’)处。这样一来，在切割过程中不会损伤到封框胶12，而直接对易断裂的阻隔层20进行切割。
本发明实施例提供一种显示装置，包括阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板和彩膜基板之间的封框胶，两个相邻封框胶之间设置有预切割位置。此外，所述显示装置还包括位于阵列基板与彩膜基板之间，对应上述预切割位置处的阻隔层其中，构成阻隔层材料的断裂延伸率小于构成封框胶材料的断裂延伸率。由于封框胶能够对滴注在阵列基板和彩膜基板之间的液晶进行密封。因此一般采用具有一定胶黏性的材料构成封框胶。胶黏性较大的材料，其断裂延伸率较大。因此，在切割的过程中不容易发生断裂，当切割速度较慢时，切口处的一部分封框胶会被拉起并粘附于显示屏的透明基板上，从而产生大量的毛刺。而本发明中，可以采用普通切割工艺沿所述预切割位置对阻隔层进行切割，以实现切割显示面板的目的。虽然普通切割速度较慢，但由于阻隔层相对于封框胶而言，断裂延伸率较小，易断裂，因此能够防止切缝处的材料粘附于显示屏的透明基板上，避免了大量毛刺的产生。同时，本发明适用于普通切割工艺，因此能够降低生产成本。
需要说明的是，可以将上述阻隔层20设置于阵列基板10上，也可以将阻隔层20设置于彩膜基板11上。还可以如图3所示，在彩膜基板11上设置第一子阻隔层201，在阵列基板10上设置第二子阻隔层202。其中，所述第一子阻隔层201和所述第二子阻隔层202构成上述阻隔层20。
为了实现窄边框的设计，阻隔层20(或第一子阻隔层201和第二子阻隔层202)的宽度一般可以设置为0.1～200um。因为，当宽度小于0.1um时，在切割过程中可能会损伤到封框胶12。当宽度大于200um时，则不能满足窄边框的设计要求。
此外，在保证构成上述阻隔层20材料的断裂延伸率小于构成封框胶12材料的断裂延伸率的前提下，为了更进一步的提高液晶盒的密封性能，可以选用一些具有一定弹性的材料，例如树脂材料构成所述阻隔层20(或第一子阻隔层201和第二子阻隔层202)。并且，阻隔层20的高度范围，或第一子阻隔层201和第二子阻隔层202的高度之和的范围为所述显示装置盒厚度的1～1.2倍。这样一来，在阵列基板10和彩膜基板11对盒之后，阻隔层20(或第一子阻隔层201和第二子阻隔层202)受到压缩，使得阻隔层20的上、下表面(或第一子阻隔层201的上表面、第二子阻隔层202的下表面)分别于彩膜基板11和阵列基板10紧密接触，从而提高了液晶盒的密封性。
进一步地，如图4所示，还可以在第一子阻隔层201和第二子阻隔层202之间设置互锁结构203。该互锁结构203可以包括分别设置于第一子阻隔层201与第二子阻隔层202相对的两个表面上的凹槽和与所述凹槽的大小和形状相匹配的凸起。本发明对凹槽和凸起的形状不做限制。通过上述互锁结构203能够提高第一子阻隔层201与第二子阻隔层202接触面的密封性。
以下通过具体的实施例对阻隔层20(或第一子阻隔层201和第二子阻隔层202)的具体设置过程进行举例说明。
实施例一
可以将阻隔层20或第一子阻隔层201设置于彩膜基板11上。
具体的，以如图5所示的显示装置为例，彩膜基板11可以包括第一衬底基板110以及依次位于第一衬底基板110靠近所述阵列基板10一侧表面的黑矩阵111、彩色滤光层112、保护层113以及隔垫物114。
黑矩阵111、彩色滤光层112、保护层113以及隔垫物114均可以采用树脂材料构成。并且上述层级结构无需具有封框胶12所具有的密封效果。因此，构成彩膜基板11上各个层级结构的树脂材料相对于构成封框胶12的材料而言，其断裂延伸率较小，在切割工艺下易断裂。所以在制作彩膜基板11的过程中，可以通过一次构图工艺在形成黑矩阵111、彩色滤光层112、保护层113或隔垫物114的同时形成阻隔层20，以简化制作工艺。
需要说明的是，在本发明中，构图工艺可指包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。其中，本发明实施例中的一次构图工艺，是以通过一次掩膜曝光工艺形成不同的曝光区域，然后对不同的曝光区域进行多次刻蚀、灰化等去除工艺最终得到预期图案为例进行的说明。
优选的，将隔垫物20与彩膜基板11上远离第一衬底基板110一侧表面的薄膜层(例如隔垫物114或保护层113)同层同材料设置。这样一来，能够避免阻隔层20对彩膜基板11上的薄膜层产生不利的影响。此外，有益于对阻隔层20的高度进行控制。例如，阻隔层20的高度如上所述为显示装置盒厚度的1～1.2倍。其中，盒厚度可以为彩膜基板11和阵列基板10之间充入的液晶层的厚度。当阻隔层20采用与彩色滤光层112同层同材料设置，之后形成于彩色滤光层112表面的保护层113会覆盖于阻隔层20的表面，从而增大阻隔层20的高度，导致彩膜基板11与阵列基板无法对盒。所以在制作阻隔层20时还需要减去之后形成的薄膜层的厚度。这样会增加制作工艺的复杂程度，不利于生产效率的提高。
实施例二
以下，对阻隔层20与隔垫物114同层同材料设置为例对将阻隔层20设置于彩膜基板11上的制作过程进行详细的说明。
首先，如图6a所示，在第一衬底基板110的表面通过构图工艺，依次形成黑矩阵111、彩色滤光层112以及保护层113；然后，在形成有上述结构的基板表面涂覆树脂层210，厚度与隔垫物114的预设厚度相同；接下来，如图6b所示，在所述树脂层210的表面涂覆光刻胶211，通过掩膜曝光工艺，形成对应隔垫物114和阻隔层20位置处的光刻胶保留区域A，和对应树脂层210表面其它区域的光刻胶去除区域B；最后，对光刻胶去除区域B的树脂层210进行刻蚀，如图6c所示，再将光刻胶保留区域的光刻胶剥离，最终形成如图6d所示的隔垫物114和阻隔层20。
实施例三
以下，对第一子阻隔层201与隔垫物114同层同材料设置为例对将第一子阻隔层201设置于彩膜基板11上的制作过程进行详细的说明。由于第一子阻隔层201与第二子阻隔层202的高度之和为液晶盒盒厚的1到1.2倍，因此第一子阻隔层201的高度小于隔垫物114的高度，因此需要采用双色调掩膜版进行掩膜曝光工艺，以形成具有高度差薄膜层。
首先，如图6a所示，在第一衬底基板110的表面通过构图工艺，依次形成黑矩阵111、彩色滤光层112以及保护层113；然后，在形成有上述结构的基板表面涂覆树脂层210，厚度为隔垫物114的预设厚度；接下来，如图6e所示，在所述树脂层210的表面涂覆光刻胶211，通过双色调掩膜版进行掩膜曝光工艺，形成对应隔垫物114位置处的光刻胶完全保留区域C、对应第一子阻隔层201位置处的光刻胶部分保留区域D以及对应树脂层210表面其它区域的光刻胶完全去除区域E。接下来，如图6f所示，对光刻胶完全去除区域E的树脂层210进行部分刻蚀。如图6g所示，再通过灰化工艺将光刻胶部分保留区域D的光刻胶进行灰化，并对光刻胶部分保留区域D的树脂层210进行刻蚀，同时刻蚀掉光刻胶完全去除区域E的树脂层210，以形成第一子阻隔层201的图案。最后，如图6h所示，将光刻胶完全保留区域C的光刻胶剥离，以形成隔垫物114。
需要说明的是，本发明实施例中，双色调掩膜版为一种半透式掩膜版，可以在树脂层210表面形成两种不同厚度的光刻胶(光刻胶完全保留区域C的光刻胶、光刻胶部分保留区域D的光刻胶)。该双色调掩膜版可以包括：灰色调掩膜版(Gray-tone mask)和半色调掩膜版(Half-tone mask)。
实施例四
可以将阻隔层20或第二子阻隔层202设置于阵列基板10上。
具体的，以如图5所示的显示装置为例，阵列基板10包括依次位于第二衬底基板100表面的TFT栅极101、栅极绝缘层102、有源层103、源漏金属层104、像素电极105、钝化层106以及公共电极107。
上述具有绝缘作用的栅极绝缘层102以及钝化层106其断裂延伸率均小于封框胶12。因此可以通过构图工艺在形成栅极绝缘层102或钝化层106同时形成阻隔层20(或第二子阻隔层202)，以简化制作工艺。然而栅极绝缘层102一般采用二氧化硅构成其成膜工艺相对与由树脂材料构成的钝化层106而言，较为复杂，且成本高。并且阻隔层20(或第二子阻隔层202)与栅极绝缘层102同层同材料设置会对后续制作工艺制成的源漏金属层104、像素电极105、公共电极107产生影响。例如容易导致公共电极107具有层级差，易发生断路。
因此，优选的，可以将阻隔层20或与第二子阻隔层202与钝化层106同层同材料设置。具体的制作方法可以参考上述实施例三。
需要说明的是，上述实施例均是以如图5所示的，IPS(In PlaneSwitch，横向电场效应)型显示装置为例进行的说明，本发明对TFT-LCD的类型不作限制，例如可以采用将公共电极设置于彩膜基板11上的TN(Twist Nematic，扭曲向列)型的显示装置。还可以采用公共电极和像素电极异层设置与阵列基板10上的ADS(Advanced-Super Dimensional Switching简称高级超维场开关)型的显示装置。其中，位于上层的像素电极为狭缝状，位于下层的公共电极为平面状。
本发明实施例提供一种显示装置的制备方法，如图7所示，可以包括：
S101、如图2a所示，分别制作阵列基板10和彩膜基板11。在阵列基板10或彩膜基板11上设置预切割位置(O-O’)。
S102、在阵列基板10或彩膜基板11上，对应预切割位置(O-O’)处形成阻隔层20。
S103、在阵列基板10的表面形成封框胶12。两个相邻封框胶12之间具有阻隔层20。
S104、将彩膜基板11与阵列基板10对盒成型。
其中，构成上述阻隔层20材料的断裂延伸率小于构成封框胶12材料的断裂延伸率。
需要说明的是，材料的断裂延伸率越小，在切割过程中越容易发生断裂；反之越不容易断裂。如图2b(图2a中沿A—A’得到的剖视图)所示，每个显示面板的有效显示区01的四周都设置有对位标记02。根据上述对比标记02可以设置出预切割位置(O-O’)。本发明提供的阻隔层20位于预切割位置(O-O’)处。这样一来，在切割过程中不会损伤到封框胶12，而直接对易断裂的阻隔层20进行切割。
本发明实施例提供一种显示装置的制备方法，包括首先分别制作阵列基板和彩膜基板并在阵列基板或彩膜基板上设置预切割位置；然后，在阵列基板或彩膜基板上，对应预切割位置处形成阻隔层；接下来，在阵列基板的表面形成封框胶，两个相邻封框胶之间具有阻隔层；最后，将彩膜基板与阵列基板对盒成型。其中，构成阻隔层材料的断裂延伸率小于构成封框胶材料的断裂延伸率。由于封框胶能够对滴注在阵列基板和彩膜基板之间的液晶进行密封。因此一般采用具有一定胶黏性的材料构成封框胶。胶黏性较大的材料，其断裂延伸率较大。因此，在切割的过程中不容易发生断裂，当切割速度较慢时，切口处的一部分封框胶会被拉起并粘附于显示屏的透明基板上，从而产生大量的毛刺。而本发明中，可以采用普通切割工艺沿所述预切割位置对阻隔层进行切割，以实现切割显示面板的目的。虽然普通切割速度较慢，但由于阻隔层相对于封框胶而言，断裂延伸率较小，易断裂，因此能够防止切缝处的材料粘附于显示屏的透明基板上，避免了大量毛刺的产生。同时，本发明适用于普通切割工艺，因此能够降低生产成本。
需要说明的是，上述步骤S102可以，如图8所示，包括：
S201、在彩膜基板12上对应预切割位置(O-O’)处形成第一子阻隔层201。
S202、在阵列基板11上对应预切割位置(O-O’)处形成第二子阻隔层202。
当彩膜基板12与阵列基板11对盒后，上述第一子阻隔层201和第二子阻隔层202构成所述阻隔层20。需要说明的是，本发明对步骤S201和步骤S202的顺序不作限制。
为了实现窄边框的设计，阻隔层20(或第一子阻隔层201和第二子阻隔层202)的宽度一般可以设置为0.1～200um。因为，当宽度小于0.1um时，在切割过程中可能会损伤到封框胶12。当宽度大于200um时，则不能满足窄边框的设计要求。
此外，在保证构成上述阻隔层20材料的断裂延伸率小于构成封框胶12材料的断裂延伸率的前提下，为了更进一步的提高液晶盒的密封性能，可以选用一些具有一定弹性的材料，例如树脂材料构成所述阻隔层20(或第一子阻隔层201和第二子阻隔层202)。并且，阻隔层20的高度范围，或第一子阻隔层201和第二子阻隔层202的高度之和的范围为所述显示装置盒厚度的1～1.2倍。这样一来，在阵列基板10和彩膜基板11对盒之后，阻隔层20(或第一子阻隔层201和第二子阻隔层202)受到压缩，使得阻隔层20的上、下表面(或第一子阻隔层201的上表面、第二子阻隔层202的下表面)分别于彩膜基板11和阵列基板10紧密接触，从而提高了液晶盒的密封性。
以下通过具体的实施例对阻隔层20(或第一子阻隔层201和第二子阻隔层202)的具体制作过程进行举例说明。
实施例五
可以将阻隔层20或第一子阻隔层201设置于彩膜基板11上。
具体的，以如图5所示的显示装置为例，彩膜基板11可以包括第一衬底基板110以及依次位于第一衬底基板110靠近所述阵列基板10一侧表面的黑矩阵111、彩色滤光层112、保护层113以及隔垫物114。
黑矩阵111、彩色滤光层112、保护层113以及隔垫物114均可以采用树脂材料构成。并且上述层级结构无需具有封框胶12所具有的密封效果。因此，构成彩膜基板11上各个层级结构的树脂材料相对于构成封框胶12的材料而言，其断裂延伸率较小，在切割工艺下易断裂。所以在制作彩膜基板11的过程中，可以通过构图工艺在形成黑矩阵111、彩色滤光层112、保护层113或隔垫物114的同时形成阻隔层20，以简化制作工艺。
优选的，通过构图工艺，可以形成彩膜基板11上远离第一衬底基板110一侧表面的薄膜层(例如隔垫物114或保护层113)同层同材料的阻隔层20或第一子阻隔层201。这样一来，能够避免阻隔层20对彩膜基板11上的薄膜层产生不利的影响。此外，有益于对阻隔层20的高度进行控制。例如，阻隔层20的高度如上所述为显示装置盒厚度的1～1.2倍。当阻隔层20采用与彩色滤光层112同层同材料设置，之后形成于彩色滤光层112表面的保护层113会覆盖于阻隔层20的表面，从而增大阻隔层20的高度，导致彩膜基板11与阵列基板无法对盒。所以在制作阻隔层20时还需要减去之后形成的薄膜层的厚度。这样会增加制作工艺的复杂程度，不利于生产效率的提高。
实施例六
以下，对通过一次构图工艺，形成与隔垫物114同层同材料的阻隔层20的制作过程进行详细的说明，具体步骤如图9所示。
S301、如图6a所示，在第一衬底基板110的表面通过构图工艺，依次形成黑矩阵111、彩色滤光层112以及保护层113；
S302、在形成有上述结构的基板表面涂覆树脂层210，厚度与隔垫物114的预设厚度相同。
S303、如图6b所示，在所述树脂层210的表面涂覆光刻胶211，通过掩膜曝光工艺，形成对应隔垫物114和阻隔层20位置处的光刻胶保留区域A，和对应树脂层210表面其它区域的光刻胶去除区域B。
S304、对光刻胶去除区域B的树脂层210进行刻蚀，如图6c所示，再将光刻胶保留区域的光刻胶剥离，最终形成如图6d所示的隔垫物114和阻隔层20。
实施例七
以下，对通过一次构图工艺，形成与隔垫物114同层同材料的第一子阻隔层201的制作过程进行详细的说明，具体步骤如图10所示。由于第一子阻隔层201的高度小于隔垫物114的高度，因此需要采用双色调掩膜版进行掩膜曝光工艺。
该方法再完成上述步骤S301、S302之后，还包括：
S401、如图6e所示，在所述树脂层210的表面涂覆光刻胶211，通过双色调掩膜版进行掩膜曝光工艺，形成对应隔垫物114位置处的光刻胶完全保留区域C、对应第一子阻隔层201位置处的光刻胶部分保留区域D以及对应树脂层210表面其它区域的光刻胶完全去除区域E。
S402、如图6f所示，对光刻胶完全去除区域E的树脂层210进行部分刻蚀。
S403、如图6g所示，再通过灰化工艺将光刻胶部分保留区域D的光刻胶进行灰化，并对光刻胶部分保留区域D的树脂层210进行刻蚀，同时刻蚀掉光刻胶完全去除区域E的树脂层210，以形成第一子阻隔层201的图案。
S404、如图6h所示，将光刻胶完全保留区域C的光刻胶剥离，以形成隔垫物114。
实施例八
可以将阻隔层20或第二子阻隔层202设置于阵列基板10上。
具体的，以如图5所示的显示装置为例，阵列基板10包括依次位于第二衬底基板100表面的TFT栅极101、栅极绝缘层102、有源层103、源漏金属层104、像素电极105、钝化层106以及公共电极107。
上述具有绝缘作用的栅极绝缘层102以及钝化层106其断裂延伸率均小于封框胶12。因此可以通过构图工艺在形成栅极绝缘层102或钝化层106同时形成阻隔层20(或第二子阻隔层202)，以简化制作工艺。然而栅极绝缘层102一般采用二氧化硅构成其成膜工艺相对与由树脂材料构成的钝化层106而言，较为复杂，且成本高。并且阻隔层20(或第二子阻隔层202)与栅极绝缘层102同层同材料设置会对后续制作工艺制成的源漏金属层104、像素电极105、公共电极107产生影响。例如容易导致公共电极107具有层级差，易发生断路。
因此，优选的，可以通过一次构图工艺，形成与钝化层106同层同材料的阻隔层20或第二子阻隔层202。具体的制作方法可以参考上述实施例五。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种显示装置，包括阵列基板、彩膜基板以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的封框胶，两个相邻所述封框胶之间设置有预切割位置，其特征在于，还包括位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间，对应所述预切割位置处的阻隔层；
其中，构成所述阻隔层材料的断裂延伸率小于构成所述封框胶材料的断裂延伸率。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述阻隔层包括分别设置于所述彩膜基板、所述阵列基板上的第一子阻隔层、第二子阻隔层。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，在所述彩膜基板设置有隔垫物的情况下，所述阻隔层或所述第一子阻隔层与所述隔垫物同层同材料。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，在所述彩膜基板设置有保护层的情况下，所述阻隔层或所述第一子阻隔层与所述保护层同层同材料。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，在所述阵列基板包括钝化层的情况下，所述阻隔层或与第二子阻隔层与所述钝化层同层同材料。
6.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，所述阻隔层的宽度范围为0.1～200um。
7.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，所述阻隔层的高度范围为所述显示装置盒厚度的1～1.2倍。
8.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述第一子阻隔层和所述第二子阻隔层之间设置有互锁结构。
9.一种显示装置的制备方法，其特征在于，包括：
分别制作阵列基板和彩膜基板；在所述阵列基板或所述彩膜基板上设置预切割位置；
在所述阵列基板或所述彩膜基板上，对应所述预切割位置处形成阻隔层；
在所述阵列基板的表面形成封框胶；两个相邻所述封框胶之间具有所述阻隔层；
将所述彩膜基板与所述阵列基板对盒成型；
其中，构成所述阻隔层材料的断裂延伸率小于构成所述封框胶材料的断裂延伸率。
10.根据权利要求9所述的显示装置的制备方法，其特征在于，所述在所述阵列基板或所述彩膜基板上，对应所述预切割位置处形成阻隔层的方法包括：
在所述彩膜基板上对应所述预切割位置处形成第一子阻隔层；
在所述阵列基板上对应所述预切割位置处形成第二子阻隔层。
11.根据权利要求10所述的显示装置的制备方法，其特征在于，在所述彩膜基板设置有隔垫物的情况下，所述方法包括：
在所述彩膜基板上，通过一次构图工艺，形成与所述隔垫物同层同材料的所述阻隔层或所述第一子阻隔层。
12.根据权利要求10所述的显示装置的制备方法，其特征在于，在所述彩膜基板设置有保护层的情况下，所述方法包括：
在所述彩膜基板上，通过一次构图工艺，形成与所述保护层同层同材料的所述阻隔层或所述第一子阻隔层。
13.根据权利要求10所述的显示装置的制备方法，其特征在于，在所述阵列基板包括钝化层的情况下，所述方法包括：
在阵列基板上，通过一次构图工艺，形成与所述钝化层同层同材料的所述阻隔层或所述第二子阻隔层。
14.根据权利要求9或10所述的显示装置的制备方法，其特征在于，所述阻隔层的宽度范围为0.1～200um。
15.根据权利要求9或10所述的显示装置的制备方法，其特征在于，所述阻隔层的高度范围为所述显示装置盒厚度的1～1.2倍。
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