CN104209131B - 一种少层MoS2均匀修饰多级结构TiO2光催化剂及其制备方法 - Google Patents

一种少层MoS2均匀修饰多级结构TiO2光催化剂及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种少层MoS2均匀修饰多级结构TiO2光催化剂及其制备方法,分三步,第一步:合成六方相厚层MoS2;第二步:通过插锂法制备出稳定的少层MoS2溶液;第三步:将获得的稳定的MoS2溶液直接与含有一定量氟钛酸铵和葡萄糖的水溶液混合,通过调节混合后的pH值,釜热、焙烧、硫化,得到所要制备的催化剂。本发明与现有技术相比,具有以下优点及突出效果:所使用的化学试剂均为常用试剂、廉价易得;经测试其光催化分解水制氢活性相当高,在365nm紫外光照射下,产氢速率可达到2.5mmol?h-1g-1

Description

一种少层MoS2均匀修饰多级结构TiO2光催化剂及其制备方法
技术领域
本发明涉及催化剂合成领域,具体为一种少层MoS2均匀修饰多级结构TiO2光催化剂及其制备方法。
背景技术
MoS2是一种典型的过渡金属硫族化合物。它是由共价键连接的S-Mo-S层组成的,每层之间是微弱的范德华力。MoS2是一种禁带宽度为1eV的非直接能带隙半导体,它可以被剥落成单层的形式。由于它对相当广的太阳光谱的强吸收,在光电和光催化方面有着广泛的研究应用,然而,MoS2只能以多层的形式作为载体负载半导体光催化剂,此类非均相掺杂由于在MoS2与光催化半导体之间仍然存在大量的界面,因此光生电子的传输速率仍然很低,造成较低光催化活性。
另外,单层厚度的性质却很少被研究,特别是通过以正丁基锂注入MoS2夹层剥得的单层或少层(50%以上为单层,85%左右为1-5层)MoS2的液相剥离法而得到的单层或少层MoS2为助催化剂应用于光催化半导体复合材料的研究还寥寥无几,其中将单层或少层MoS2均匀自组装杂化于半导体光催化剂体相内还未见报道,而此种均匀组装杂化的方式可以极大地减少光生电子传输的路径,有效提高复合光催化材料的活性。
发明内容
本发明的目的在于针对现有MoS2负载光催化半导体材料所存在的缺陷,提供一种将稳定存在于水溶液中的少层MoS2作为催化剂前驱体,直接参与核壳结构的TiO2前驱体的自组装过程,形成MoS2与TiO2均一组装杂化的复合半导体高效产氢光催化剂的制备方法。
本发明少层MoS2均匀修饰多级结构TiO2光催化剂的制备方法具体包括如下步骤:
第一步,制备六方相厚层MoS2:取钼酸铵溶于水中,调节pH值至4-7,再加入硫脲作为硫源,待硫脲溶解后,将混合液转至水热釜中,在240℃条件下保持24小时,反应完毕后,生成物经由离心、洗涤、干燥得到六方相厚层MoS2
第二步,制备少层MoS2水溶液:取第一步合成的MoS2置于1.6M正丁基锂溶液中,在N2保护下搅拌48-50小时,再于手套箱中用正己烷过滤溶液,所得固体于密封容器中于高纯水中超声1-1.5小时,离心,取上层溶液,重复离心处理至溶液无沉淀,得少层MoS2的水溶液;
第三步,制备复合MoS2/TiO2光催化剂:取第二步制备的少层MoS2溶液,溶入葡萄糖,再加入氟钛酸铵水溶液,搅拌10-20min,调节pH值至4-6,于反应釜中150-200℃下反应18-36h得沉淀,醇洗,烘干,480-500℃下焙烧4-5小时,所得固体置于管式炉中在恒定N2流保护下,500-550℃硫化处理10min-180min,自然冷却至室温,得少层MoS2均匀修饰多级结构TiO2光催化剂。
优选地,所述第一步反应中pH值调节至5-6.5。
优选地,所述第一步反应中钼酸铵与硫脲的质量比为1:2-10。
优选地,所述第一步反应中钼酸铵与硫脲的质量比为1:3.3-10。
优选地,所述第二步反应中MoS2与1.6M正丁基锂、高纯水的用量比为1g:10-200mL:50-500mL。
优选地,所述第三步反应中少层MoS2溶液与葡萄糖、氟钛酸铵的用量比为50mL:1-2g:1-3g。
上述方法制备的光催化剂用于光分解水制氢,在365nm紫外光照射下,产氢速率可达到2.5mmolh-1g-1
本发明与现有技术相比,具有以下优点及突出效果:本发明所使用的化学试剂均为常用试剂、廉价易得,方法工艺有创新,合成光催化剂在该领域具有独创性。同时,经测试其光催化分解水制氢活性相当高,具有一定的商用价值。
附图说明
图1为实施例1制备的六方相厚层MoS2扫描电镜图。
图2为实施例1制备得到的少层MoS2的透射电镜图。
图3为实施例1制备得到的复合材料MoS2/TiO2的XRD图谱。
图4为实施例1制备得到的复合材料MoS2/TiO2的Xps图谱。
图5为实施例1制备得到的复合材料MoS2/TiO2的切片tem。
图6为实施例1制备得到的复合材料MoS2/TiO2的切片高分辨tem。
图7为各实施例制备得到的复合材料MoS2/TiO2的光催化产氢活性图谱。
具体实施方式
本发明光催化剂性能测试是在液相中完成的,采用甲醇作为牺牲剂。
本发明制备的产品通过以下手段进行结构表征:
采用日本理学RigakuD/Max-2000型X射线衍射仪,进行样品的物相分析。仪器参数条件:CuKα辐射为光谱发射线(λ=1.54A),石墨单色器,发射功率:40KV×30mA,2θ范围:广角10.0°-80.0°。
采用日本日立HITACHI公司生产的S4800型冷场发射扫描电子显微镜,观察催化剂材料的形貌特征。
采用PerkinElmer公司出产的PHI5000C型X射线光电子能谱仪进行催化剂材料的XPS测试。以AlKα(1486.6eV)为激发源,高压14.0kV,功率250W,测量时X射线与样品夹角θ=54°,分析室压力为10-9Torr,采用污染碳的结合能(284.6eV)为基准进行结合能的校正。
采用VarianCary-Eclipse500型荧光分光光度计来进行固体光催化剂材料的荧光光谱PLS测试,激发波长为380nm,扫描范围为350~550nm。
下面结合具体实施例对本发明是如何实现的做进一步详细、清楚、完整地说明,所列实施例仅对本发明予以进一步的说明,并不因此而限制本发明:
实施例1
第一步,制备六方相厚层MoS2:取0.25g的钼酸铵溶于水中,调节pH值为5,再称取2g硫脲作为硫源,待硫脲溶解后,将混合液转至250mL的水热釜中,在240℃条件下保持24小时,反应完毕后,生成物经由离心、洗涤、干燥得到六方相厚层MoS2
第二步,制备少层MoS2水溶液:取0.5g上述合成的MoS2置于10mL的1.6M正丁基锂溶液中,在N2保护下的三口烧瓶中搅拌48小时,再于简易手套箱中,用100mL正己烷过滤溶液,待滤纸上的黑色固体半干后,转移至一个密封的容器中,再注入200mL的高纯水,超声1小时,离心,取上层溶液,重复离心处理至溶液无沉淀,得少层MoS2水溶液。
第三步,制备复合光催化剂MoS2/TiO2:取5mL少层MoS2水溶液,将8g葡萄糖溶于其中;再取1g的氟钛酸铵溶于55mL的水中,将上述两种溶液混合后,搅拌15min,调混合溶液pH至4,然后转移至100mL反应釜中,180℃下反应24小时,所得沉淀用乙醇洗3-4次,烘干;将烘干后的黑色固体转移至150mL坩埚中,半掩盖,置于马弗炉中500℃下焙烧4小时,得到灰白色固体;取50mg的灰白色固体放入石英槽中并将石英槽置于管式炉中间位置,在该石英槽前方5cm处置一个盛有1g硫粉的石英槽,在恒定速率N2流的保护下,550℃下硫化30分钟,自然冷却至室温,得复合光催化剂MoS2/TiO2,也即本发明的少层MoS2均匀修饰多级结构TiO2光催化剂。
从图1可以看出,通过釜热法制备出了厚层状的多层MoS2片层;
从图2可以看到制备水相中的MoS2是为单层或者少层的形态存在。
在图3中的XRD数据中,可以看出材料的所得复合材料中只出现氧化钛的晶相,而看不到MoS2的晶相,这是因为MoS2在复合材料的含量极低,所以扫不出MoS2的各晶面。
在图4中的Xps数据,可以看出在复合材料的制备过程中出现有MoO3的Mo6+的峰,硫化后还原成MoS2的Mo4+峰,这说明了MoS2的正确掺杂,同时也证明了本专利所申请的方法的可行性和新颖性。
在图5中的核壳材料的切片tem数据可以看出少片层的MoS2均匀的掺杂进了核壳材料TiO2的核与壳中,说明少片层的MoS2能够很好的掺杂进该TiO2体相之中,凸显了少片层MoS2的助催化剂作用。
在图6中的高分辨透射电镜图中,可以很清晰的观察到存在有单层或者两层的结构MoS2存在于TiO2的结晶小颗粒中。
在图7中的光催化活性数据中,看出通过调控不同的MoS2的掺杂量,得到的不同的复合半导体光催化剂MoS2/TiO2的光催化活性呈火山型变化。MoS2的掺杂量在适当的时候最好,少或多对复合催化剂的活性反而有抑制。同时,最佳活性远高于多层MoS2负载的TiO2以及也高于相同Pt含量负载的TiO2的光催化活性,说明少层MoS2能替代贵金属Pt作为主催化剂,应用于水分解产氢,这对于保护我国贵金属资源的过度开发具有一定的意义。
实施例2
第一步,与实施例1不同之处在于钼酸铵用量为0.3g,硫脲为2.5g。
第二步,与实施例1不同之处在于MoS2用量为0.2g,正丁基锂溶液为5mL,高纯水为300mL。
第三步,与实施例1不同之处在于少层MoS2溶液用量为10mL,葡萄糖为7.5g,氟钛酸铵的用量为1.5g并溶于50mL的水中。
实施例3
第一步,与实施例1不同之处在于钼酸铵用量为0.3g,硫脲为2.5g。
第二步,与实施例1不同之处在于MoS2用量为0.2g,正丁基锂溶液为5mL,高纯水为300mL。
第三步,与实施例1不同之处在于少层MoS2溶液用量为10mL,葡萄糖为7.5g,氟钛酸铵的用量为1.5g并溶于50mL的水中,混合溶液的pH调至5,硫粉用量为2g,硫化时间为60min。
实施例4
第一步,与实施例1不同之处在于钼酸铵用量为0.3g,硫脲为1g。
第二步,与实施例1不同之处在于高纯水用量为300mL。
第三步,与实施例1不同之处在于少层MoS2溶液用量为10mL,葡萄糖为7.5g,氟钛酸铵的用量为3g并溶于50mL的水中,硫化时间为180min。
实施例5
第一步,与实施例1不同之处在于钼酸铵用量为0.3g,pH值调至6.5,硫脲为1g。
第二步,与实施例1不同之处在于MoS2用量为1g,高纯水用量为300mL。
第三步,与实施例1不同之处在于少层MoS2溶液用量为50mL,葡萄糖为7.5g,氟钛酸铵的用量为1.5g并溶于10mL的水中,混合溶液的pH值调至5,取80mg固体进行硫化,硫粉用量为2g,硫化时间为60min。
实施例6
第一步,与实施例1不同之处在于钼酸铵用量为0.3g,pH值调至6.5,硫脲为1g。
第二步,与实施例1不同之处在于MoS2用量为1g,高纯水用量为300mL。
第三步,与实施例1不同之处在于少层MoS2溶液用量为20mL,葡萄糖为10g,氟钛酸铵的用量为1g并溶于40mL的水中,混合溶液的pH值调至5,取80mg固体进行硫化,硫粉用量为2g,硫化时间为30min。
实施例7
第一步,与实施例1不同之处在于钼酸铵用量为0.3g,pH值调至6.5,硫脲为1g。
第二步,与实施例1不同之处在于MoS2用量为0.2g,正丁基锂溶液为5mL,高纯水用量为300mL。
第三步,与实施例1不同之处在于少层MoS2溶液用量为10mL,葡萄糖为7.5g,氟钛酸铵的用量为1.5g并溶于50mL的水中,混合溶液的pH值调至5,取60mg固体进行硫化,硫化时间为90min。
实施例8
第一步,与实施例1不同之处在于钼酸铵用量为0.3g,pH值调至6.5,硫脲为1g。
第二步,与实施例1不同之处在于MoS2用量为1.5g,正丁基锂溶液为20mL,高纯水用量为300mL。
第三步,与实施例1不同之处在于少层MoS2溶液用量为50mL,葡萄糖为8g,氟钛酸铵的用量为1.5g并溶于10mL的水中,混合溶液的pH值调至5,取80mg固体进行硫化,硫粉用量为2g。
实施例9
第一步,与实施例1不同之处在于钼酸铵用量为0.5g。
第二步,与实施例1不同之处在于MoS2用量为1g。
第三步,与实施例1不同之处在于少层MoS2溶液用量为50mL,葡萄糖为7.5g,氟钛酸铵的用量为2g并溶于10mL的水中,混合溶液的pH值调至6,取80mg固体进行硫化,硫粉用量为2g,硫化时间为90min。
实施例10
第一步,与实施例1不同之处在于钼酸铵用量为0.3g,pH值调至6.5,硫脲为3g。
第二步,与实施例1不同之处在于MoS2用量为0.2g,正丁基锂溶液为5mL。
第三步,与实施例1不同之处在于少层MoS2溶液用量为30mL,葡萄糖为7.5g,氟钛酸铵的用量为1.5g并溶于30mL的水中,混合溶液的pH值调至5,取80mg固体进行硫化,硫粉用量为2g,硫化时间为60min。

Claims (7)

1.少层MoS2均匀修饰多级结构TiO2光催化剂的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
第一步,制备六方相厚层MoS2:取钼酸铵溶于水中,调节pH值至4-7,再加入硫脲作为硫源,待硫脲溶解后,将混合液转至水热釜中,在240℃条件下保持24小时,反应完毕后,生成物经由离心、洗涤、干燥得到六方相厚层MoS2
第二步,制备少层MoS2的稳定水溶液:取第一步合成的MoS2置于1.6M正丁基锂溶液中,在N2保护下搅拌48-50小时,再于手套箱中用正己烷过滤搅拌溶液,所得固体于密封容器中用高纯水超声1-1.5小时,离心,取上层溶液,重复离心处理至溶液无沉淀,得少层MoS2的水溶液;
第三步,制备复合MoS2/TiO2光催化剂:取第二步制备的少层MoS2溶液,溶入葡萄糖,再加入氟钛酸铵水溶液,搅拌10-20min,调节pH值至4-6,于反应釜中150-200℃下18-36h得沉淀,醇洗,烘干,480-500℃下焙烧4-5小时,所得固体置于管式炉中在恒定N2流保护下,500-550℃硫化处理10min-180min,自然冷却至室温,得少层MoS2均匀修饰多级结构TiO2光催化剂。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第一步反应中pH值调节至5-6.5。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第一步反应中钼酸铵与硫脲的质量比为1:2-10。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述第一步反应中钼酸铵与硫脲的质量比为1:3.3-10。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第二步反应中MoS2与1.6M正丁基锂、高纯水的用量比为1g:10-200mL:50-500mL。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第三步反应中少层MoS2溶液与葡萄糖、氟钛酸铵的用量比为50mL:1-2g:1-3g。
7.一种少层MoS2均匀修饰多级结构TiO2光催化剂,其特征在于,根据权利要求1-6任意一项所述方法制备。
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