CN104205290A - 气体输送系统和气体输送系统的使用方法 - Google Patents

气体输送系统和气体输送系统的使用方法 Download PDF

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Abstract

在此提供气体输送系统和气体输送系统的使用方法。在一些实施方式中，气体输送系统可包括第一气体供应器，以沿着第一流动路径提供第一气体；流量分配器，流量分配器设置在第一流动路径中以将第一流动路径划分成通往多个对应的气体输送区的多个第二流动路径；和多个第二气体供应器，第二气体供应器分别耦接至对应的一个第二流动路径，以独立地提供第二气体至多个第二流动路径的相应一个。

Description

气体输送系统和气体输送系统的使用方法
技术领域
本发明的实施方式大体涉及半导体处理装备。
背景技术
用于提供处理气体至处理腔室的传统的气体供应系统常采用载气来促进处理气体输送到处理腔室。在此类系统中，处理气体和载气一般是在单一流动路径中被混合和提供，然后在处理气体与载气混合处下游可被分配至多个流动路径，以促进处理气体和载气输送到任何单独的气体输送区。然而，本发明人注意到，将混合气体分配至多个流动路径需要昂贵的装备。此外，本发明人发现，此类系统对输送到各气体输送区的处理气体的量的控制是有限的。
因此，本发明人提供改良的气体输送系统。
发明内容
在此提供气体输送系统和气体输送系统的使用方法。在一些实施方式中，气体输送系统可包括第一气体供应器，以沿着第一流动路径提供第一气体；流量分配器，流量分配器设置在第一流动路径中以将第一流动路径划分成通往多个对应气体输送区的多个第二流动路径；和多个第二气体供应器，第二气体供应器分别耦接至对应的一个第二流动路径，以独立地提供第二气体至多个第二流动路径的相应一个。
在一些实施方式中，基板处理系统可包括腔室主体，腔室主体具有基板支撑件，基板支撑件用于支撑设置于腔室主体的内容积内的基板，内容积具有多个气体输送区；第一气体供应器，以提供第一气体至内容积；流量分配器，流量分配器设置在第一气体供应器与腔室主体之间，以将来自第一气体供应器的第一气流划分成多个流动路径，流动路径流体耦接至多个气体输送区的相应一个；和多个第二气体供应器，每一个第二气体供应器各自耦接至多个流动路径的对应流动路径，以独立地提供第二气体至多个流动路径。
在一些实施方式中，处理基板的方法可包括以下步骤：将来自第一气体供应器的第一气流划分成多个流动路径，流动路径耦接至处理腔室的对应多个气体输送区，用于处理基板；以及独立于第一气流，向多个流动路径的每一个提供第二气流，以形成流入多个气体输送区的每一个的可独立控制的第一气体与第二气体的混合物。
本发明的其他和进一步的实施方式描述如下。
附图说明
可通过参照描绘于附图中的本发明的说明性实施方式来理解上文简要概述的并在下文更详细地讨论的本发明的实施方式。然而，应注意附图仅图示本发明的典型实施方式，因此不应被视为本发明范围的限制，因为本发明可允许其他等效的实施方式。
图1是根据本发明的一些实施方式的气体输送设备。
图2是适合与根据本发明的一些实施方式的气体输送设备一起使用的处理腔室。
为了便于理解，尽可能以相同的参考数字来标示各图共有的相同元件。附图并未按比例绘制，并且为清楚起见可予以简化。预期一个实施方式的元件和特征结构可有益地并入其他实施方式而无需进一步详述。
具体实施方式
在此提供气体输送系统的实施方式。在一些实施方式中，本发明在此所述的气体输送系统可有助于在低流量下分配处理气体，因而不需要昂贵的高流量流量比控制器。在一些实施方式中，本发明在此所述的气体输送设备可有利于提供遍及多个气体输送区的实质上均匀的流场，从而促进组合气体均匀输送遍及处理腔室。在一些实施方式中，本发明在此所述的气体输送设备可有助于相对于各气体输送区来独立控制处理气体/载气混合物的流量和组成。
图1描绘根据本发明的一些实施方式的气体输送系统100的示意图。在一些实施方式中，气体输送系统100一般可包括第一气体供应器104，以提供第一气体至第一流动路径136，流量分配器112，流量分配器112设置在第一流动路径136中以将第一流动路径136划分成多个第二流动路径138，和多个第二气体供应器102，第二气体供应器102分别耦接至多个第二流动路径138，以独立地提供第二气体至多个第二流动路径138的相应一个。在一些实施方式中，多个第二气体供应器102分别耦接至在与第一气体供应器104接合处上游的多个第二流动路径138。在一些实施方式中，多个第二流动路径138各自可提供第一气体与第二气体的混合物至处理腔室128的两个或更多个气体输送区140，第一气体和第二气体分别由第一气体供应器104和多个第二气体供应器102提供。
第一气体供应器104可包括在处理腔室128中进行预期工艺所需的任何数量的气体供应器(例如图1所示的气体供应器110A-N)。例如，在一些实施方式中，第一气体供应器104可包括一个气体供应器(例如气体供应器110A)，或在一些实施方式中为两个或更多个气体供应器(例如气体供应器110A-N)。在第一气体供应器104包括两个或更多个气体供应器110A-N的实施方式中，气体供应器110A-N可为气体面板的一部分，或在一些实施方式中，诸如图1所示为各自耦接至第一流动路径136。在一些实施方式中，第一气体供应器104的各气体供应器110A-N可包括流量控制机构111A-N，例如，诸如流量限制器、质量流量控制器、阀、流量比控制器或类似者，以控制由气体供应器110A-N供应的各气体的流量。
第一气体可为任何适合在处理腔室128中进行预期工艺的处理气体或气体混合物。在一些实施方式中，例如当进行沉积工艺(诸如外延沉积工艺)以沉积例如III-V族半导体材料时，气体供应器示例性地可提供包括镓(Ga)、铟(In)、砷(As)、铝(Al)或类似者的处理气体。亦可根据需要提供其他气体或气体混合物以进行特定工艺。
第二气体可为任何适合与第一气体混合并被输送到处理腔室128的气体。在一些实施方式中，第二气体可为适于促进处理气体输送到处理腔室128的载气，例如，诸如氢(H2)、氮(N2)、氩(Ar)、氦(He)或类似气体。在一些实施方式中，由多个第二气体供应器102的每一个提供的第二气体可为相同的气体。或者，由多个第二气体供应器102的每一个提供的第二气体可为不同的气体。
在一些实施方式中，例如，诸如以低流量(例如流量小于约2000sccm，或在一些实施方式中为约5sccm至约10sccm)提供第一气体时，可在第一气体供应器104上游设置第三气体供应器113，以提供第三气体至第一流动路径。在此类实施方式中，流量控制机构115(例如质量流量控制器、流量限制器或类似者)可耦接至第三气体供应器113，以便于控制第三气体的流量。当提供第三气体时，第三气体可起“推流(push flow)”作用，以促进第一气体朝流量分配器112移动通过第一流动路径136。第三气体可为任何适于促进这种移动的气体，例如诸如上述任何载气。
本发明人发现，在传统的气体供应系统中，诸如上述处理气体(即第一气体)的处理气体通常是经由高流量(例如流量大于约5000sccm，或在一些实施方式中为大于约10000sccm)的载气(即第二气体)被输送到处理腔室。在此类系统中，处理气体和载气混合成单一流动流(flow stream)，随后在下游分开成多个流动路径，以促进混合气体输送到气体输送区。然而，本发明人注意到，即使处理气体(无载气)的流量可能很低，由于促进处理气体输送需要高流量的载气，因此在载气供应器下游分开气流仍需要昂贵的装备(例如高流量流量比控制器(FRC))。
因此在一些实施方式中，流量分配器112可设置在多个第二气体供应器102上游的第一流动路径136中，以将第一流动路径136划分成多个第二流动路径138。本发明人发现，由于与载气的流量相比，处理气体的流量相对较低，因此把流量分配器112设置在多个第二气体供应器102上游能允许第一流动路径136在低流量(例如流量小于约2000sccm，或在一些实施方式中为小于约3000sccm)下被划分成多个第二流动路径，从而不需要昂贵的高流量流量比控制器。
流量分配器112可将第一流动路径136划分成任何数量的第二流动路径138。例如，尽管只示出两个第二流动路径138(第二流动路径142、144)，但在一些实施方式中，可使用超过两个第二流动路径138，例如三个或更多个。可基于诸如处理腔室128的物理特征(例如尺寸、形状、对称性或类似特征)、在处理腔室128中进行的工艺类型、待处理的基板、上述因素的组合或类似因素，确定所用的第二流动路径138的数量。在一些实施方式中，流量控制机构114、116(例如流量比控制器、质量流量控制器、流量限制器或类似者)可耦接至各第二流动路径138，以独立地控制由第一气体供应器104提供至各第二流动路径138的处理气体的量。
通过把流量分配器112设置在第二气体供应器102上游和利用可选的(optional)流量控制机构114、116，可彼此独立地控制由第一气体供应器104提供至多个第二流动路径138的各流动路径(例如第二流动路径142、144)的处理气体的量，从而允许对提供至各气体输送区122、124、126的载气内的处理气体的浓度进行控制，因此提供工艺灵活性和可调性。
在一些实施方式中，多个第二气体供应器102的每一个分别耦接至多个第二流动路径138的相应一个，以供应第一气体(即载气)至各第二流动路径142、144，以促进由第一气体供应器104提供的处理气体输送到处理腔室128。例如，如图1所示，第二流动路径142、144各自具有分别与之耦接的第二气体供应器106、108。在一些实施方式中，流量控制机构107、109(例如，诸如流量限制器、质量流量控制器、阀、流量比控制器或类似者)可耦接至各第二气体供应器106、108，以便于控制由各第二气体供应器106、108提供的载气(即第一气体)的流量。在一些实施方式中，多个第二气体供应器102可设有具有输出的公共(common)气体供应器，公共气体供应器被划分然后被独立地控制，以提供独立的多个第二气体供应器。
本发明人发现，通过把第二气体供应器106、108设置在多个第二流动路径138的每一个，可彼此独立地调整多个第二流动路径138的每一个内的载气流量，从而便于独立调整两个或更多个气体输送区140的每一个中的流场。然而，本发明人进一步发现，通过经由多个第二气体供应器102将载气分别提供至多个第二流动路径138的每一个，可独立于载气内的处理气体的浓度(例如由第一气体供应器104和/或流量控制机构111A-N确定)，调整多个第二流动路径138内处理气体与载气的混合物的整体流量，从而允许独立于两个或更多个气体输送区140的每一个中的流场，调整载气内的处理气体的浓度。
因此，根据本发明的气体输送设备可有利于独立控制提供至各气体输送区的处理气体(或第一气体)的量和各气体输送区中处理气体与载气(或第二气体)的比率。相比之下，本发明人发现，在于处理气体与载气混合处下游分开处理气体与载气的混合物的传统设备中，无法独立地控制各气体输送区中载气内的处理气体浓度，从而限制工艺可调性和/或灵活性。此外，本发明人进一步发现，以这种方式分开处理气体与载气的混合物会因多个流动路径有不同长度造成流动传导性不同，而在处理腔室内造成不均匀的流场，从而导致处理气体输送不均匀。例如，在具有三个气体输送区(例如诸如下述处理腔室128的气体输送区122、124、126)的处理腔室中，与处理气体和载气的混合物在内部区域中(例如气体输送区124)的流量相比，处理气体和载气的混合物在外部区域中(例如气体输送区122、126)的流量实质上较大，从而产生遍及处理腔室的具有外部偏流(bias)的流场。或者，处理气体与载气的混合物在外部区域中(例如气体输送区122、126)的流量实质上大于在内部区域中(例如气体输送区124)的流量，从而产生遍及处理腔室的具有内部偏流的流场。
多个第二流动路径138提供组合气体(由第一气体供应器104提供的第一气体和由多个第二气体供应器102提供的第二气体)至处理腔室128的两个或更多个气体输送区140。在一些实施方式中，可经由两组或更多组入口(图示三组入口130、132、134)提供组合气体至两个或更多个气体输送区140。如在此使用的，一组可包括一个或更多个入口。在一些实施方式中，两组或更多组入口130、132、134可耦接至设置在处理腔室128内的气体输送机构，诸如喷头、喷嘴或类似机构。
尽管图1示出三个气体输送区122、124、126，但也可采用两个或更多个气体输送区，以于处理腔室128内提供所需的流动模式。可基于诸如处理腔室128的物理特征(例如尺寸、形状、对称性或类似特征)之类的因素，确定气体输送区140的数量。例如，在一些实施方式中，诸如图1所示，两个或更多个气体输送区140可包括内部气体输送区(例如气体输送区124)和外部气体输送区(例如气体输送区122、126)。
多个第二流动路径138的各流动路径可提供组合气体至两个或更多个气体输送区140的一个或更多个。例如，在一些实施方式中，多个第二流动路径138的一个(例如第二流动路径142)可经由流量分配器118划分成两个或更多个第三(tertiary)流动路径(图示两个第三流动路径150、152)，以提供组合气体至两个或更多个气体输送区140的外部气体输送区(例如气体输送区122、126)。在此类实施方式中，多个第二流动路径138的另一流动路径(例如第二流动路径144)可提供组合气体至两个或更多个气体输送区140的内部区域(例如气体输送区124)。本发明人发现，通过提供组合气体至对称布置的两个或更多个气体输送区140(如上所述)，可遍及气体输送区122、124、126产生实质上均匀的流场(由点划线146、148表示)，从而促进组合气体均匀输送遍及处理腔室128。
尽管图1只示出一个气体输送系统100，但应理解可有一个以上的气体输送系统100(例如两个或更多个气体输送系统100)耦接至处理腔室(例如处理腔室128)。采用一个以上的气体输送系统100可允许多个气体混合物(例如不兼容或反应性气体混合物)分别输送到处理腔室，从而避免将多个气体混合物输送到处理腔室(例如处理腔室128)的气体输送区(例如气体输送区122、126)之前，多个气体混合物之间反应。
图2描绘适合与根据本发明的一些实施方式的气体输送系统100一起使用的处理腔室200(例如，诸如以上参照图1所述的处理腔室128)的示意性侧视图。在一些实施方式中，处理腔室200可由市售的处理腔室修改而得，诸如购自位于美国California(加利福尼亚州)Santa Clara(圣克拉拉市)的AppliedMterials,Inc.(应用材料公司)的反应器或任何适于进行外延硅沉积工艺的合适的半导体处理腔室。如上所述，根据本文教导的气体输送系统亦可用于其他处理腔室(包括不用于外延沉积的处理腔室)中。
处理腔室200一般可包括腔室主体210、控温反应容积201、注入器214、可选的喷头270和加热排放歧管218。用于支撑基板225的基板支撑件224可设置在控温反应容积201内。处理腔室200可进一步包括支撑系统230和控制器240，如下更加详细地讨论。
气体输送系统100可用于经由注入器214和/或喷头270(当存在时)提供一种或更多种处理气体至处理腔室。在一些实施方式中，单一气体输送系统100可耦接至注入器214和/或喷头270两者。或者，在一些实施方式中，诸如图2所示，气体输送系统100可耦接至注入器214和喷头270的每一个。
注入器214可设置在置于腔室主体210内侧的基板支撑件224的第一侧221上，以从例如上述气体输送系统100提供一种或更多种处理气体至处理腔室200。注入器214可具有第一流动路径以提供第一处理气体，和具有第二流动路径以独立于第一处理气体提供第二处理气体。
加热排放歧管218可设置在与注入器214相对的基板支撑件224的第二侧229，以将一种或更多种处理气体从处理腔室200排出。加热排放歧管218可包括开口，开口的宽度约与基板225的直径相同或更大。加热排放歧管可包括附着力减少衬垫(未示出)。例如，附着力减少衬垫217可包括石英、镍浸渍的氟聚合物、二氧化镍或类似者的一种或更多种。
腔室主体210一般包括上部202、下部204和壳体(enclosure)220。上部202置于下部204上，且上部202包括腔室盖206和上腔室衬垫216。在一些实施方式中，可设置上高温计256，以提供处理期间有关基板处理表面温度的数据。图2省略额外元件，诸如设置在腔室盖206顶上的夹环和/或可安置上腔室衬垫的底板，但处理腔室200可选择性包括这些元件。腔室盖206可具有任何适合的几何形状，诸如平的(如图所示)或类拱顶(dome-like)状(未示出)或其他形状，预期也可以是诸如反向曲线盖(reverse curve lid)。在一些实施方式中，腔室盖206可包括诸如石英之类的材料或类似材料。因此，腔室盖206可至少部分地反射从基板225和/或设置在基板支撑件224下方的灯辐射的能量。在设置喷头270且喷头270为设置在盖(未示出)下方的分离部件的实施方式中，喷头270可包括诸如石英之类的材料或类似材料，以至少部分地反射如上所述的能量。
上腔室衬垫216可设置在注入器214和加热排放歧管218上方并位于腔室盖206下方。在一些实施方式中，上腔室衬垫216例如可包括诸如石英之类的材料或类似材料，以至少部分地反射如上所述的能量。在一些实施方式中，上腔室衬垫216、腔室盖206和下腔室衬垫231(如下讨论)可为石英，从而有利于提供围绕基板225的石英封套(envelope)。
下部204一般包括底板组件219、下腔室衬垫231、下拱顶(dome)232、基板支撑件224、预热环222、基板升降组件260、基板支撑组件264、加热系统251和下高温计258。加热系统251可设置在基板支撑件224下方，以向基板支撑件224提供热能。加热系统251可包括一个或更多个外部灯252和一个或更多个内部灯254。虽然术语“环”用于描述处理腔室的某些部件，诸如预热环222，但可以预见的是这些部件的形状未必为圆形，并且可包括任何形状，包括但不限于矩形、多边形、椭圆形和类似形状。下腔室衬垫231例如可设置在注入器214和加热排放歧管218下方并位于底板组件219上方。注入器214和加热排放歧管218通常设置在上部202与下部204之间，并且注入器214和加热排放歧管218可耦接至上部202和下部204的任一者或两者。
在一些实施方式中，当存在喷头270时，则喷头270可设置在基板支撑件224上方(例如基板支撑件224对面)，以提供一种或更多种处理气体至基板225的处理表面223。在一些实施方式中，气体输送系统100可耦接至喷头270，以经由喷头270提供一种或更多种处理气体至处理腔室200。
喷头270与腔室盖206可成一体(如图2所示)或可为分离的部件。例如，出口271可为钻入腔室盖206的孔且可选择性包括插入物(insert)，插入物设置成穿过钻入腔室盖206的孔。或者，喷头270可为设置在腔室盖206底下的分离的部件。在一些实施方式中，喷头270和腔室盖206例如均可包括石英，以限制喷头270或腔室盖206吸收来自外部灯252、内部灯254或来自基板225的能量。
基板支撑件224可为任何适合的基板支撑件，诸如板(如图2所示)或环(如图2中的点划线所示)，以支撑其上的基板225。基板支撑组件264一般包括支撑托架(bracket)234，支撑托架234具有多个支撑销266，支撑销266耦接至基板支撑件224。基板升降组件260包括基板升降轴226和多个升降销模块261，升降销模块261选择性安置于基板升降轴226的各个垫(pad)227上。在一个实施方式中，升降销模块261包括升降销228的可选的上部，升降销228设置成可移动通过基板支撑件224中的第一开口262。在操作中，基板升降轴226移动以啮合升降销228。啮合时，升降销228可将基板225升高至基板支撑件224上方或把基板225降至基板支撑件224上。
基板支撑件224可进一步包括耦接至基板支撑组件264的升降机构272和旋转机构274。升降机构272能够用于在与基板225的处理表面223垂直的方向上移动基板支撑件224。例如，升降机构272可用于相对于喷头270和注入器214来定位基板支撑件224。旋转机构274能够用于使基板支撑件224绕着中心轴旋转。在操作中，升降机构可有助于动态控制基板225相对于由注入器214和/或喷头270产生的流场的位置。动态控制基板225的位置，结合旋转机构274持续旋转基板225，可使基板225的处理表面223最有效地暴露于流场，进而最优化沉积均匀性和/或组成，并使残余物最小化形成于处理表面223上。
处理期间，基板225设置于基板支撑件224上。外部灯252和内部灯254为红外线(IR)辐射(即热)源，在操作中，灯产生遍及基板225的预定温度分布。如上所述，腔室盖206、上腔室衬垫216和下拱顶232可由石英形成；然而，其他IR可穿透(IR-transparent)且工艺兼容的材料亦可用于形成这些部件。外部灯252和内部灯254可为多区灯加热设备的一部分，以向基板支撑件224背侧提供热均匀性。例如，加热系统251可包括多个加热区，其中各加热区包括多个灯。例如，一个或更多个外部灯252可为第一加热区，一个或更多个内部灯254可为第二加热区。外部灯252和内部灯254可提供约200摄氏度至约900摄氏度的宽热范围。外部灯252和内部灯254可提供每秒约5摄氏度至约20摄氏度的快速响应控制。例如，外部灯252和内部灯254的热范围和快速响应控制可提供基板225上的沉积均匀性。另外，下拱顶232可通过例如主动冷却、窗口设计或类似者控制温度，以进一步协助控制基板支撑件224的背侧和/或基板225的处理表面223上的热均匀性。
控温反应容积201可由包括腔室盖206的多个腔室部件形成。例如，这些腔室部件可包括腔室盖206、上腔室衬垫216、下腔室衬垫231和基板支撑件224的一个或更多个。控温反应容积201可包括包含石英的内表面，诸如形成控温反应容积201的任何一个或更多个腔室部件的表面。控温反应容积201可为约20公升(liter)至约40公升。控温反应容积201可容纳任何适当尺寸的基板，例如，诸如200mm、300mm或类似尺寸。例如，在一些实施方式中，如果基板225为约300mm，则例如上腔室衬垫216和下腔室衬垫231的内表面离基板225的边缘可达约50mm。例如，在一些实施方式中，诸如上腔室衬垫216和下腔室衬垫231的内表面离基板225的边缘可达基板225直径的约18％的距离。例如，在一些实施方式中，基板225的处理表面223可离腔室盖206达到约100毫米、或在约0.8英寸至约1英寸的范围内。
控温反应容积201可具有不同容积，例如当升降机构272将基板支撑件224升起靠近腔室盖206时，控温反应容积201的尺寸会缩小，当升降机构272将基板支撑件224降下远离腔室盖206时，控温反应容积201的尺寸会扩大。控温反应容积201可由一个或更多个主动或被动冷却部件来冷却。例如，控温反应容积201可由处理腔室200的壁来被动冷却，壁例如可为不锈钢或类似者。例如，控温反应容积201可单独或结合被动冷却而被主动冷却，例如通过使冷却剂在处理腔室200附近流动来主动冷却。例如，冷却剂可为气体。
支撑系统230包括用于执行和监控处理腔室200中的预定工艺(例如生长外延硅膜)的部件。这些部件一般包括处理腔室200的各种子系统(例如气体面板、气体分配导管、真空和排放子系统和类似物)和装置(例如电源、工艺控制仪器和类似物)。
控制器240可直接(如图2所示)或经由与处理腔室和/或支撑系统关联的计算机(或控制器)耦接至处理腔室200和支撑系统230。控制器240可为能够用在控制各种腔室和子处理器的工业设定中的任何形式的通用计算机处理器之一。CPU 242的存储器或计算机可读介质244可为一个或更多个容易取得的存储器，诸如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘、硬盘或任何其他形式的本地或远程数字存储器。支持电路246以传统方式耦接至CPU 242，用于支持处理器。这些电路包括高速缓存存储器、电源、时钟电路、输入/输出电路和子系统和类似物。
因此，本文提供气体输送系统和气体输送系统的使用方法。在一些实施方式中，本发明的气体输送系统可有利于在高流量载气供应器的上游设置流量分配器，从而允许在低流量下分配处理气体，因而不需要昂贵的高流量流量比控制器。在一些实施方式中，本发明的气体输送设备可有利于提供处理气体至对称布置的两个或更多个气体输送区，从而遍及多个气体输送区提供实质上均匀的流场，从而促进组合气体均匀输送遍及处理腔室。在一些实施方式中，本发明的气体输送设备可有利于分别提供载气至多个流动路径的每一个，从而允许相对于其他流动路径而独立地调整载气的流量。此外，通过分别提供载气至多个流动路径的每一个，本发明的气体输送设备可进一步有助于独立于载气内的处理气体的浓度，调整各流动路径内处理气体与载气的混合物的整体流量，从而允许独立于载气内的处理气体的浓度，调整处理腔室中的流场。
虽然以上是针对本发明的实施方式，但在不脱离本发明基本范围的情况下，可设计本发明的其他和进一步的实施方式。

Claims (15)

1.一种气体输送系统，包括：
第一气体供应器，以沿着第一流动路径提供第一气体；
流量分配器，所述流量分配器设置在所述第一流动路径中以将所述第一流动路径划分成通往多个对应气体输送区的多个第二流动路径；和
多个第二气体供应器，所述第二气体供应器分别耦接至对应的一个所述第二流动路径，以独立地提供第二气体至所述多个第二流动路径的相应一个。
2.如权利要求1所述的气体输送系统，其中所述第一气体是处理气体，所述第二气体是载气。
3.如权利要求1所述的气体输送系统，进一步包括以下至少之一：
流量比控制器，所述流量比控制器耦接至所述多个第二流动路径的每一个，以控制提供至所述多个第二流动路径的每一个的所述第一气体的量；或
流量控制器，所述流量控制器耦接至所述第一气体供应器或所述多个第二气体供应器的至少一个，以控制所述第一气体和所述第二气体的至少一个的流量。
4.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的气体输送系统，其中所述多个第二流动路径耦接至多个气体输送区，以将所述第一气体和所述第二气体提供至所述多个气体输送区。
5.如权利要求4所述的气体输送系统，其中所述多个第二流动路径的每一个经由多个入口将所述第一气体和所述第二气体提供至所述多个气体输送区。
6.如权利要求5所述的气体输送系统，其中所述多个入口耦接至各气体注入喷嘴或喷头。
7.如权利要求4所述的气体输送系统，其中所述多个气体输送区是处理腔室的各气体输送区。
8.如权利要求7所述的气体输送系统，其中所述多个气体输送区包括内部气体输送区和两个外部气体输送区，其中所述两个外部气体输送区的每一个被设置成邻近所述内部气体输送区的相对侧并邻近于所述内部气体输送区。
9.如权利要求8所述的气体输送系统，其中所述多个第二流动路径包括两个第二流动路径，其中所述两个第二流动路径的一个耦接至所述内部气体输送区，所述两个第二流动路径的另一个耦接至所述两个外部气体输送区。
10.一种基板处理系统，包括：
腔室主体，所述腔室主体具有基板支撑件，所述基板支撑件用于支撑设置于所述腔室主体的内容积内的基板，所述内容积具有多个气体输送区；
第一气体供应器，以提供第一气体至所述内容积；
流量分配器，所述流量分配器设置在所述第一气体供应器与所述腔室主体之间，以将来自所述第一气体供应器的第一气体流划分成多个流动路径，所述流动路径流体耦接至所述多个气体输送区的相应一个；和
多个第二气体供应器，每一个第二气体供应器各自耦接至所述多个流动路径的一个对应的流动路径，以独立地提供第二气体至所述多个流动路径。
11.如权利要求10所述的基板处理系统，其中所述第一气体是处理气体，所述第二气体是载气。
12.如权利要求10所述的基板处理系统，进一步包括以下至少之一：
流量比控制器，所述流量比控制器耦接至所述多个流动路径的每一个，以控制提供至所述多个流动路径的每一个的所述第一气体的量；或
流量控制器，所述流量控制器耦接至所述第一气体供应器或所述多个第二气体供应器的至少一个，以控制所述第一气体和所述第二气体的至少一个的流量。
13.如权利要求10至权利要求12中任一项所述的基板处理系统，其中所述多个流动路径的每一个经由多个入口提供所述第一气体和所述第二气体至所述多个气体输送区。
14.如权利要求13所述的基板处理系统，其中所述多个入口耦接至各气体注入喷嘴或喷头，所述气体注入喷嘴或喷头设置在所述处理腔室的所述内容积内。
15.一种处理基板的方法，包括：
将来自第一气体供应器的第一气流划分成多个流动路径，所述流动路径耦接至处理腔室的对应多个气体输送区，用于处理基板；和
独立于所述第一气流，向所述多个流动路径的每一个提供第二气流，以形成流入所述多个气体输送区的每一个的可独立控制的所述第一气体与所述第二气体的混合物。
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