CN104199578A - 一种触控面板及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种触控面板及其制作方法。该触控面板包括第一基板、第二基板、位于第一基板和第二基板之间的显示介质层、黑矩阵、多个驱动电极单元和多个感应电极单元,所述驱动电极单元与所述感应电极单元间隔分布,其中,每个驱动电极单元或感应电极单元均包括多个透明电极,所述透明电极的边界在具有所述黑矩阵的基板的投影位于所述黑矩阵覆盖的范围内或者与所述黑矩阵覆盖的范围重合。利用本发明,有效地降低了菱形ITO触控电极之间耦合电容的变化对LCD显示屏显示效果的不利影响。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域,尤其是一种触控面板及其制作方法。
背景技术
对于液晶显示屏(Liquid Crystal Display,LCD)而言,液晶层中的液晶分子在公共电极与像素电极之间电场的作用下发生偏转,使光线能够通过液晶层或不通过液晶层,并通过控制像素电极上的电压来调节液晶分子的偏转量,进而控制显示画面的灰阶变化。
通常,LCD显示屏中公共电极与电容式触控电极共用,电容式触控电极包括驱动电极和感应电极,驱动电极与感应电极之间形成耦合电容,当有人体接触触摸屏时,人体电场就会影响该耦合电容的电容值,进而改变感应电极耦合出的电压信号,驱动电极通过逐行扫描检测到电压信号的改变,感应电极对电压信号发生改变的位置进行定位,进而能够确定触点位置。
如图1所示,图1是现有的菱形触控电极在公共电极层中位置分布的俯视图。以四个菱形触控电极为例,实际上触控电极是以阵列结构排列于公共电极层中,公共电极层每一行或每一列均设置有多个菱形触控电极。图1中,四个菱形触控电极设置在同一层,竖直方向上的两个菱形触控电极为感应电极Rx,水平方向的两个菱形触控电极为驱动电极Tx,两个感应电极直接连接,两个驱动电极通过铟锡氧化物(ITO)桥10连接。
从图1可以看出,菱形触控电极中的驱动电极或感应电极的边界与像素区中各像素单元的边界是相互交叉,互不平行的。由于各菱形触控电极的边界与像素区中各像素单元的边界相互交叉、互不平行,使各菱形触控电极之间耦合电容的变化会在一定程度上影响像素电极与公共电极之间的电场,进而影响液晶分子的偏转,最终体现在显示效果上对LCD显示屏的显示效果产生不利影响。
发明内容
有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种触控面板及其制作方法,以降低菱形ITO触控电极之间耦合电容的变化对LCD显示屏显示效果的不利影响。
为达到上述目的,本发明实施例提供了一种触控面板,包括第一基板、第二基板、位于第一基板和第二基板之间的显示介质层、黑矩阵、多个驱动电极单元和多个感应电极单元,所述驱动电极单元与所述感应电极单元间隔分布,其中,每个驱动电极单元或感应电极单元均包括多个透明电极,所述透明电极的边界在具有所述黑矩阵的基板的投影位于所述黑矩阵覆盖的范围内或者与所述黑矩阵覆盖的范围重合。
优选地,所述透明电极为四边形透明电极,各四边形透明电极在驱动电极单元或感应电极单元内是纵向设置的,任意相邻的驱动电极单元与感应电极单元呈插指排列;在横向,驱动电极单元的四边形透明电极与感应电极单元的四边形透明电极间隔排列,相互绝缘;在纵向,感应电极单元中的各四边形透明电极连接为一体,驱动电极单元中相邻的两个四边形透明电极连接作为一个驱动电极子单元,相邻的两个驱动电极子单元之间相互绝缘,且在驱动电极子单元所在的横向各驱动电极子单元采用过桥连接;或者,驱动电极单元中的各四边形透明电极连接为一体,感应电极单元中相邻的两个四边形透明电极连接作为一个感应电极子单元,相邻的两个感应电极子单元之间相互绝缘,且在感应电极子单元所在的横向各感应电极子单元采用过桥连接。
优选地,所述黑矩阵形成于所述第一基板,所述多个驱动电极单元和多个感应电极单元形成于所述第二基板。所述第一基板为彩色滤光(CF)基板,所述第二基板为薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)阵列基板,所述显示介质层为液晶层。所述多个驱动电极单元和多个感应电极单元形成于所述薄膜晶体管阵列基板的同一层,该层为公共电极层。
优选地,所述四边形透明电极的边界在所述薄膜晶体管阵列基板非公共电极层的投影位于所述薄膜晶体管阵列基板的栅极线或数据线覆盖的范围内或者与所述薄膜晶体管阵列基板的栅极线或数据线覆盖的范围重合。
优选地,所述四边形透明电极为长方形透明电极或正方形透明电极。
优选地,所述四边形透明电极是采用铟锡氧化物ITO材料制作的ITO透明电极。
优选地,所述任意相邻的驱动电极单元与感应电极单元之间采用钝化材料进行绝缘。
优选地,所述钝化材料采用氮化硅、二氧化硅、磷硅玻璃PSG或硼磷硅玻璃BPSG。
优选地,所述过桥采用金属过桥或ITO过桥。
为达到上述目的,本发明实施例还提供了一种制作上述触控面板的方法,包括制作第一基板、第二基板、位于第一基板和第二基板之间的显示介质层、黑矩阵、多个驱动电极单元和多个感应电极单元的步骤,其中,在所述制作多个驱动电极单元和多个感应电极单元的步骤中,将驱动电极单元与感应电极单元间隔分布,且每个驱动电极单元或感应电极单元均包括多个透明电极,所述透明电极的边界在具有所述黑矩阵的基板的投影位于所述黑矩阵覆盖的范围内或者与所述黑矩阵覆盖的范围重合。
优选地,所述黑矩阵形成于所述第一基板,所述多个驱动电极单元和多个感应电极单元形成于所述第二基板,所述第一基板为CF基板,所述第二基板为TFT阵列基板,所述显示介质层为液晶层,所述多个驱动电极单元和多个感应电极单元形成于所述TFT阵列基板的同一层,该层为公共电极层。
优选地,所述制作多个驱动电极单元和多个感应电极单元的步骤包括:在薄膜晶体管阵列基板上外延生长ITO层,对该ITO层进行刻蚀形成多个驱动电极单元和多个感应电极单元;在形成有多个驱动电极单元和多个感应电极单元的薄膜晶体管阵列基板上外延生长一层钝化层,对该钝化层进行刻蚀于任意相邻的驱动电极单元与感应电极单元之间形成绝缘结构;以及在于任意相邻的驱动电极单元与感应电极单元之间形成有绝缘结构的薄膜晶体管阵列基板上外延生长一层ITO层或金属层,对该ITO层或金属层进行刻蚀形成ITO过桥或金属过桥。
优选地,所述对该钝化层进行刻蚀于任意相邻的驱动电极单元与感应电极单元之间形成绝缘结构的步骤中,还包括:对该钝化层进行刻蚀,在横向,于驱动电极单元的四边形透明电极与感应电极单元的四边形透明电极之间形成绝缘结构;对该钝化层进行刻蚀,在纵向,感应电极单元中的各四边形透明电极连接为一体,驱动电极单元中相邻的两个四边形透明电极连接作为一个驱动电极子单元,于相邻的两个驱动电极子单元之间形成绝缘结构;或者,驱动电极单元中的各四边形透明电极连接为一体,感应电极单元中相邻的两个四边形透明电极连接作为一个感应电极子单元,于相邻的两个感应电极子单元之间形成绝缘结构。
优选地,所述对该ITO层或金属层进行刻蚀形成ITO过桥或金属过桥的步骤中,包括:在纵向,感应电极单元中的各四边形透明电极连接为一体,驱动电极单元中相邻的两个四边形透明电极连接作为一个驱动电极子单元,相邻的两个驱动电极子单元之间相互绝缘,对该ITO层或金属层进行刻蚀在驱动电极子单元所在的横向各驱动电极子单元之间形成ITO过桥或金属过桥;或者,驱动电极单元中的各四边形透明电极连接为一体,感应电极单元中相邻的两个四边形透明电极连接作为一个感应电极子单元,相邻的两个感应电极子单元之间相互绝缘,对该ITO层或金属层进行刻蚀在感应电极子单元所在的横向各感应电极子单元之间形成ITO过桥或金属过桥。
本发明实施例提供的这种触控面板,在位于其TFT阵列基板同一层的多个驱动电极单元和多个感应电极单元均包括多个透明电极,该透明电极的边界在CF基板的投影位于CF基板的黑矩阵覆盖的范围内或者与CF基板的黑矩阵覆盖的范围重合,使该透明电极的边界在CF基板上有黑矩阵遮挡。当有人体接触触摸屏产生触摸(Touch)信号时,CF基板上的黑矩阵能够遮挡触控电极之间耦合电容的变化对像素电极与公共电极之间电场的影响,进而避免因触控电极之间耦合电容的变化对液晶分子偏转的影响,避免LCD显示屏显示效果不良的发生,优化和提升LCD显示屏的显示效果。
附图说明
图1是现有的菱形触控电极在公共电极层中位置分布的俯视图。
图2是现有的菱形触控电极在触摸显示屏中位置分布的剖面图。
图3至图3A是依照本发明实施例的触控电极在公共电极层中位置分布的俯视图。
图4是依照本发明实施例的触控电极在触控面板中位置分布的剖面图。
图5A至图5G是依照本发明实施例的制作图3、图3A和图4中位于TFT阵列基板的多个驱动电极单元和多个感应电极单元的工艺流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本发明进一步详细说明。
本发明实施例提供了一种触控面板及其制作方法,用以降低菱形ITO触控电极之间耦合电容的变化对LCD显示屏显示效果的不利影响。
本发明实施例提供的这种触控面板,是由电容式触摸屏和显示屏集成而制作的触摸显示屏,电容式触摸屏内嵌于显示屏中。电容式触摸屏和显示屏同时生产出来。这种触摸显示屏的设置方式不仅可以有效减小触摸显示屏的厚度,而且可以降低触摸显示屏制作工艺的难度,进而节约成本。但本发明实施例提供的这种触控面板结构不局限于内嵌电容式触摸屏,也可以应用到外挂电容式触摸屏。
下面简单介绍一下上述由电容式触摸屏和显示屏集成而制作的触摸显示屏的结构。如图2所示,图2是现有的菱形触控电极在触摸显示屏中位置分布的剖面图。TFT阵列基板20、液晶层21和CF基板22自下而上依次叠层设置,TFT阵列基板20具有由ITO透明电极201形成的公共电极层和多条横向设置的栅极线和数据线202,ITO透明电极201对应于图1中示出的菱形触控电极,栅极线和数据线202所处的位置对应于CF基板22中黑矩阵BM所处的位置。
本发明实施例提供的触控面板,其包括的透明电极不同于图1和图2中所示的菱形触控电极,其具体结构可以参照图3、图3A和图4所示,其中图3和图3A均是依照本发明实施例的触控电极在公共电极层中位置分布的俯视图,图3示出了栅极线和数据线,图3A未示出栅极线和数据线,图4是依照本发明实施例的触控电极在触摸显示屏中位置分布的剖面图。下面结合图3、图3A和图4详细说明本发明实施例提供的技术方案。
如图3、图3A和图4所示,本发明实施例提供的这种触控面板,包括第一基板、第二基板、位于第一基板和第二基板之间的显示介质层、黑矩阵(BM)、多个驱动电极单元31和多个感应电极单元32,所述驱动电极单元31与所述感应电极单元32间隔分布,其中,每个驱动电极单元31或感应电极单元32均包括多个透明电极,所述透明电极的边界在具有所述黑矩阵(BM)的基板的投影位于所述黑矩阵(BM)覆盖的范围内或者与所述黑矩阵(BM)覆盖的范围重合。
在本实施例中,黑矩阵(BM)形成于第一基板,多个驱动电极单元和多个感应电极单元形成于第二基板,第一基板为CF基板22,第二基板为TFT阵列基板40,显示介质层为液晶层21。较佳地,多个驱动电极单元31和多个感应电极单元32形成于TFT阵列基板40的同一层,即形成于TFT阵列基板40的公共电极层。
在本实施例中,透明电极为四边形透明电极,如图3和图3A所示,各四边形透明电极在任意一个驱动电极单元或感应电极单元内是纵向设置的,其边界与TFT阵列基板的像素区中各像素单元的边界相互平行。任意相邻的驱动电极单元与感应电极单元呈插指排列。在横向,驱动电极单元的四边形透明电极与感应电极单元的四边形透明电极间隔排列,相互绝缘。在纵向,感应电极单元中的各四边形透明电极连接为一体,驱动电极单元中相邻的两个四边形透明电极连接作为一个驱动电极子单元,相邻的两个驱动电极子单元之间相互绝缘,且在驱动电极子单元所在的横向各驱动电极子单元采用过桥连接;或者,驱动电极单元中的各四边形透明电极连接为一体,感应电极单元中相邻的两个四边形透明电极连接作为一个感应电极子单元,相邻的两个感应电极子单元之间相互绝缘,且在感应电极子单元所在的横向各感应电极子单元采用过桥连接。
这些四边形透明电极的边界在CF基板22的投影位于CF基板22的黑矩阵BM覆盖的范围内或者与CF基板22的黑矩阵BM覆盖的范围重合,使这些四边形透明电极的边界在CF基板22上有黑矩阵BM来遮挡。当有人体接触触摸屏产生Touch信号时,CF基板22上的黑矩阵BM能够遮挡由这些四边形透明电极构成的驱动电极单元31与感应电极单元32之间耦合电容的变化对像素电极与公共电极之间电场的影响,进而避免了因驱动电极单元31与感应电极单元32之间耦合电容的变化对液晶分子偏转的影响,避免了LCD显示屏显示效果不良的发生,优化和提升了LCD显示屏的显示效果。
需要说明的是,在图3、图3A和图4所示的实施例中,驱动电极单元31中的各驱动电极子单元在横向采用过桥连接,此时相邻的两个感应电极单元32之间是不连接的。在实际应用中,驱动电极单元与感应电极单元的位置可以互换,即在其他实施例中,感应电极单元32中的各感应电极子单元在横向可以采用过桥连接,且此时相邻的两个驱动电极单元31之间是不连接的。
较佳地,如图4所示,四边形透明电极的边界在TFT阵列基板40非公共电极层的投影位于TFT阵列基板40的栅极线或数据线覆盖的范围内或者与TFT阵列基板40的栅极线或数据线覆盖的范围重合。
较佳地,四边形透明电极为长方形透明电极或正方形透明电极,采用ITO材料制作而成。
较佳地,任意相邻的驱动电极单元与感应电极单元之间采用钝化材料进行绝缘,该钝化材料可以采用氮化硅、二氧化硅、磷硅玻璃或硼磷硅玻璃等,但不限于此。
较佳地,相邻的两个驱动电极单元31或感应电极单元32之间的过桥采用金属过桥或ITO过桥,用以实现相邻的两个驱动电极单元31或感应电极单元32之间的电连接。
下面阐述本发明实施例提供的这种触控面板,如何来降低菱形ITO触控电极之间耦合电容的变化对LCD显示屏显示效果的不利影响。
参照图3、图3A和图4所示,本发明实施例提供的这种触控面板,在其TFT阵列基板40包括横向设置的多个驱动电极单元31和多个感应电极单元32,这些驱动电极单元31与感应电极单元32是位于同一层,即TFT阵列基板40的公共电极层,每个驱动电极单元31或感应电极单元32均包括多个纵向设置的边界在CF基板22的投影位于CF基板22的黑矩阵覆盖的范围内或者与CF基板22的黑矩阵覆盖的范围重合的四边形透明电极,这些四边形透明电极的边界在TFT阵列基板40非公共电极层的投影位于TFT阵列基板40的栅极线或数据线覆盖的范围内或者与TFT阵列基板40的栅极线或数据线覆盖的范围重合,由于TFT阵列基板40的栅极线和数据线402所处的位置对应于CF基板22上黑矩阵BM所处的位置,因此这些四边形透明电极的边界在CF基板22的投影位于CF基板22的黑矩阵BM覆盖的范围内或者与CF基板22的黑矩阵BM覆盖的范围重合,使这些四边形透明电极的边界在CF基板22上有黑矩阵BM来遮挡。当有人体接触触摸屏产生Touch信号时,CF基板22上的黑矩阵BM能够遮挡由这些四边形透明电极构成的驱动电极单元31与感应电极单元32之间耦合电容的变化对像素电极与公共电极之间电场的影响,进而避免因驱动电极单元31与感应电极单元32之间耦合电容的变化对液晶分子偏转的影响,避免LCD显示屏显示效果不良的发生,优化和提升了LCD显示屏的显示效果。
进一步地,参照图3、图3A和图4所示,本发明实施例还提供了一种制作图3、图3A和图4所示的触控面板的方法,该方法包括制作第一基板、第二基板、位于第一基板和第二基板之间的显示介质层、黑矩阵、多个驱动电极单元和多个感应电极单元的步骤,其中,在制作多个驱动电极单元和多个感应电极单元的步骤中,将驱动电极单元与感应电极单元间隔分布,且每个驱动电极单元或感应电极单元均包括多个透明电极,所述透明电极的边界在具有所述黑矩阵的基板的投影位于所述黑矩阵覆盖的范围内或者与所述黑矩阵覆盖的范围重合。
较佳地,黑矩阵形成于第一基板,多个驱动电极单元和多个感应电极单元形成于第二基板,第一基板为CF基板,第二基板为TFT阵列基板,显示介质层为液晶层,多个驱动电极单元和多个感应电极单元形成于TFT阵列基板的同一层,该层为公共电极层。
其中,制作CF基板、TFT阵列基板、位于CF基板和TFT阵列基板之间的显示介质层、位于所述CF基板的黑矩阵BM的步骤采用现有技术中的工艺,这里就不再赘述,制作多个驱动电极单元和多个感应电极单元的步骤包括:
步骤10:在薄膜晶体管阵列基板上外延生长ITO层,对该ITO层进行刻蚀形成多个驱动电极单元和多个感应电极单元;
步骤20:在形成有多个驱动电极单元和多个感应电极单元的薄膜晶体管阵列基板上外延生长一层钝化层,对该钝化层进行刻蚀于任意相邻的驱动电极单元与感应电极单元之间形成绝缘结构;
步骤30:在于任意相邻的驱动电极单元与感应电极单元之间形成有绝缘结构的薄膜晶体管阵列基板上外延生长一层ITO层或金属层,对该ITO层或金属层进行刻蚀形成ITO过桥或金属过桥。
较佳地,步骤20中所述对该钝化层进行刻蚀于任意相邻的驱动电极单元与感应电极单元之间形成绝缘结构,还包括:
对该钝化层进行刻蚀,在横向,于驱动电极单元的四边形透明电极与感应电极单元的四边形透明电极之间形成绝缘结构;
对该钝化层进行刻蚀,在纵向,感应电极单元中的各四边形透明电极连接为一体,驱动电极单元中相邻的两个四边形透明电极连接作为一个驱动电极子单元,于相邻的两个驱动电极子单元之间形成绝缘结构;或者,驱动电极单元中的各四边形透明电极连接为一体,感应电极单元中相邻的两个四边形透明电极连接作为一个感应电极子单元,于相邻的两个感应电极子单元之间形成绝缘结构。
较佳地,步骤30中所述对该ITO层或金属层进行刻蚀形成ITO过桥或金属过桥,包括:
在纵向,感应电极单元中的各四边形透明电极连接为一体,驱动电极单元中相邻的两个四边形透明电极连接作为一个驱动电极子单元,相邻的两个驱动电极子单元之间相互绝缘,对该ITO层或金属层进行刻蚀在驱动电极子单元所在的横向各驱动电极子单元之间形成ITO过桥或金属过桥;
或者,驱动电极单元中的各四边形透明电极连接为一体,感应电极单元中相邻的两个四边形透明电极连接作为一个感应电极子单元,相邻的两个感应电极子单元之间相互绝缘,对该ITO层或金属层进行刻蚀在感应电极子单元所在的横向各感应电极子单元之间形成ITO过桥或金属过桥。
以下图5A至图5G所示的实施例详细描述制作位于TFT阵列基板的多个驱动电极单元和多个感应电极单元的步骤。
如图5A至图5G所示,图5A至图5G是依照本发明实施例的制作图3、图3A和图4中位于TFT阵列基板的多个驱动电极单元和多个感应电极单元的工艺流程图,该方法包括以下步骤:
如图5A所示,选择一个基板作为TFT阵列基板51。
如图5B所示,在该TFT阵列基板51上外延生长ITO层52。
如图5C所示,对该ITO层52进行刻蚀,形成横向设置的多个驱动电极单元52a和多个感应电极单元52b。
如图5D所示,在形成有多个驱动电极单元52a和多个感应电极单元52b的TFT阵列基板51上外延生长一层钝化层(PVX),对该钝化层进行刻蚀,于任意相邻的驱动电极单元与感应电极单元之间形成绝缘结构53。
如图5E所示,在于任意相邻的驱动电极单元与感应电极单元之间形成有绝缘结构53的TFT阵列基板51上外延生长一层ITO层或金属层54。
如图5F所示,对该ITO层或金属层54进行刻蚀,于相邻的两个驱动电极单元52a之间形成ITO过桥或金属过桥55。
在上述实施例中,ITO过桥或金属过桥55形成于相邻的两个驱动电极单元52a之间,在实际应用中,由于驱动电极单元与感应电极单元的位置可以互换,因此在其他实施例中,ITO过桥或金属过桥55也可以形成于相邻的两个感应电极单元52b之间,其实现过程与上述实施例类似,这里就不再赘述。
从上述实施例可以看出,本发明实施例提供的这种触控面板,通过对公共电极层中构成驱动电极单元与感应电极单元的四边形透明电极进行图形化设计,将这些四边形透明电极的边界在CF基板的投影位于CF基板的黑矩阵BM覆盖的范围内或者与CF基板的黑矩阵BM覆盖的范围重合,使这些四边形透明电极的边界在CF基板上有黑矩阵BM来遮挡。当有人体接触触摸屏产生Touch信号时,CF基板上的黑矩阵BM能够遮挡由这些四边形透明电极构成的驱动电极单元与感应电极单元之间耦合电容的变化对像素电极与公共电极之间电场的影响,进而避免因驱动电极单元与感应电极单元之间耦合电容的变化对液晶分子偏转的影响,避免LCD显示屏显示效果不良的发生,优化和提升了LCD显示屏的显示效果。
以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (16)
1.一种触控面板,包括第一基板、第二基板、位于第一基板和第二基板之间的显示介质层、黑矩阵、多个驱动电极单元和多个感应电极单元,所述驱动电极单元与所述感应电极单元间隔分布,其特征在于,
每个驱动电极单元或感应电极单元均包括多个透明电极,所述透明电极的边界在具有所述黑矩阵的基板的投影位于所述黑矩阵覆盖的范围内或者与所述黑矩阵覆盖的范围重合。
2.根据权利要求1所述的触控面板,其特征在于,所述透明电极为四边形透明电极,各四边形透明电极在驱动电极单元或感应电极单元内是纵向设置的,任意相邻的驱动电极单元与感应电极单元呈插指排列;
在横向,驱动电极单元的四边形透明电极与感应电极单元的四边形透明电极间隔排列,相互绝缘;
在纵向,感应电极单元中的各四边形透明电极连接为一体,驱动电极单元中相邻的两个四边形透明电极连接作为一个驱动电极子单元,相邻的两个驱动电极子单元之间相互绝缘,且在驱动电极子单元所在的横向各驱动电极子单元采用过桥连接;或者,驱动电极单元中的各四边形透明电极连接为一体,感应电极单元中相邻的两个四边形透明电极连接作为一个感应电极子单元,相邻的两个感应电极子单元之间相互绝缘,且在感应电极子单元所在的横向各感应电极子单元采用过桥连接。
3.根据权利要求2所述的触控面板,其特征在于,所述黑矩阵形成于所述第一基板,所述多个驱动电极单元和多个感应电极单元形成于所述第二基板。
4.根据权利要求3所述的触控面板,其特征在于,所述第一基板为彩色滤光基板,所述第二基板为薄膜晶体管阵列基板,所述显示介质层为液晶层。
5.根据权利要求4所述的触控面板,其特征在于,所述多个驱动电极单元和多个感应电极单元形成于所述薄膜晶体管阵列基板的同一层,该层为公共电极层。
6.根据权利要求4所述的触控面板,其特征在于,所述四边形透明电极的边界在所述薄膜晶体管阵列基板非公共电极层的投影位于所述薄膜晶体管阵列基板的栅极线或数据线覆盖的范围内或者与所述薄膜晶体管阵列基板的栅极线或数据线覆盖的范围重合。
7.根据权利要求2所述的触控面板,其特征在于,所述四边形透明电极为长方形透明电极或正方形透明电极。
8.根据权利要求2或7所述的触控面板,其特征在于,所述四边形透明电极是采用铟锡氧化物ITO材料制作的ITO透明电极。
9.根据权利要求2所述的触控面板,其特征在于,所述任意相邻的驱动电极单元与感应电极单元之间采用钝化材料进行绝缘。
10.根据权利要求9所述的触控面板,其特征在于,所述钝化材料采用氮化硅、二氧化硅、磷硅玻璃PSG或硼磷硅玻璃BPSG。
11.根据权利要求2所述的触控面板,其特征在于,所述过桥采用金属过桥或ITO过桥。
12.一种权利要求1至11中任一项所述的触控面板的制作方法,包括制作第一基板、第二基板、位于第一基板和第二基板之间的显示介质层、黑矩阵、多个驱动电极单元和多个感应电极单元的步骤,其中,在所述制作多个驱动电极单元和多个感应电极单元的步骤中,将驱动电极单元与感应电极单元间隔分布,且每个驱动电极单元或感应电极单元均包括多个透明电极,所述透明电极的边界在具有所述黑矩阵的基板的投影位于所述黑矩阵覆盖的范围内或者与所述黑矩阵覆盖的范围重合。
13.根据权利要求12所述的触控面板的制作方法,其特征在于,所述黑矩阵形成于所述第一基板,所述多个驱动电极单元和多个感应电极单元形成于所述第二基板,所述第一基板为彩色滤光基板,所述第二基板为薄膜晶体管阵列基板,所述显示介质层为液晶层,所述多个驱动电极单元和多个感应电极单元形成于所述薄膜晶体管阵列基板的同一层,该层为公共电极层。
14.根据权利要求13所述的触控面板的制作方法,其特征在于,所述制作多个驱动电极单元和多个感应电极单元的步骤包括:
在薄膜晶体管阵列基板上外延生长ITO层,对该ITO层进行刻蚀形成多个驱动电极单元和多个感应电极单元;
在形成有多个驱动电极单元和多个感应电极单元的薄膜晶体管阵列基板上外延生长一层钝化层,对该钝化层进行刻蚀于任意相邻的驱动电极单元与感应电极单元之间形成绝缘结构;以及
在于任意相邻的驱动电极单元与感应电极单元之间形成有绝缘结构的薄膜晶体管阵列基板上外延生长一层ITO层或金属层,对该ITO层或金属层进行刻蚀形成ITO过桥或金属过桥。
15.根据权利要求14所述的触控面板的制作方法,其特征在于,所述对该钝化层进行刻蚀于任意相邻的驱动电极单元与感应电极单元之间形成绝缘结构的步骤中,还包括:
对该钝化层进行刻蚀,在横向,于驱动电极单元的四边形透明电极与感应电极单元的四边形透明电极之间形成绝缘结构;
对该钝化层进行刻蚀,在纵向,感应电极单元中的各四边形透明电极连接为一体,驱动电极单元中相邻的两个四边形透明电极连接作为一个驱动电极子单元,于相邻的两个驱动电极子单元之间形成绝缘结构;或者,驱动电极单元中的各四边形透明电极连接为一体,感应电极单元中相邻的两个四边形透明电极连接作为一个感应电极子单元,于相邻的两个感应电极子单元之间形成绝缘结构。
16.根据权利要求14所述的触控面板的制作方法,其特征在于,所述对该ITO层或金属层进行刻蚀形成ITO过桥或金属过桥的步骤中,包括:
在纵向,感应电极单元中的各四边形透明电极连接为一体,驱动电极单元中相邻的两个四边形透明电极连接作为一个驱动电极子单元,相邻的两个驱动电极子单元之间相互绝缘,对该ITO层或金属层进行刻蚀在驱动电极子单元所在的横向各驱动电极子单元之间形成ITO过桥或金属过桥;
或者,驱动电极单元中的各四边形透明电极连接为一体,感应电极单元中相邻的两个四边形透明电极连接作为一个感应电极子单元,相邻的两个感应电极子单元之间相互绝缘,对该ITO层或金属层进行刻蚀在感应电极子单元所在的横向各感应电极子单元之间形成ITO过桥或金属过桥。
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