CN104183734A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

一种有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

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冯小明
黄辉
王平
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Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
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Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和封装盖板，所述封装盖板和玻璃基板形成封闭空间，所述阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极容置在所述封闭空间内；所述空穴传输层的材质为金属氧化物，所述电子传输层的材质为富勒烯或者所述富勒烯的衍生物，本发明采用热稳定性好的无机材料作为载流子传输层，不但能使器件具有较高的发光效率，还能改善有机材料在器件使用过程中易变形、不耐用的缺陷，从而提高了器件的寿命；本发明还公开了该有机电致发光器件的制备方法。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光领域，特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光二极管（OLED）具有一种类似三明治的结构，其上下分别是阴极和阳极，二个电极之间夹着单层或多层不同材料种类和不同结构的有机材料功能层，依次为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。有机电致发光器件是载流子注入型发光器件，在阳极和阴极加上工作电压后，空穴从阳极，电子从阴极分别注入到工作器件的有机材料层中，两种载流子在有机发光材料中形成空穴-电子对发光，然后光从电极一侧发出。
目前，科研人员通过选择合适的有机材料和设计合理的器件结构，使器件性能的各项指标得到了很大的提升，例如，有机电致发光二极管的光效目前已经能够达到140lm/W，相应的主动矩阵有机发光二极体（AMOLED）和被动矩阵有机发光二极体（PMOLED）开发技术也得到了迅速发展。但是OLED还没有大规模的在我们的日常生活中使用，除了昂贵的价格以外，使用寿命短，也是制约其应用的一个重要原因。在OLED器件结构中，由于大量采用有机材料，而通常有机材料的热稳定性能一般，在器件的使用过程中产生的热量会使有机材料发生不同程度的降解，从而逐渐导致器件失效。如果器件中的电子传输、空穴传输材料都属于有机材料，不但会导致器件导电性较差，还会使器件产生的热量更多，使用寿命下降更快，因此不利于OLED的实际应用。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和封装盖板，所述封装盖板和玻璃基板形成封闭空间，所述阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极容置在所述封闭空间内，所述空穴传输层和电子传输层采用了热稳定性高且载流子传输性能好的无机材料，提高了器件的使用寿命，本发明还公开了该有机电致发光器件的制备方法，该制备方法取材容易，工艺简单。
一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和封装盖板，所述封装盖板和玻璃基板形成封闭空间，所述阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极容置在所述封闭空间内，所述空穴传输层的材质为ⅤB族到ⅦB族的金属氧化物，所述电子传输层的材质为富勒烯或所述富勒烯的衍生物。
优选地，所述ⅤB族到ⅦB族的金属氧化物为铼（Re）的氧化物、钨（W）的氧化物、钼（Mo）的氧化物、钒（V）的氧化物或钽（Ta）的氧化物。
更优选地，所述铼的氧化物为三氧化铼（ReO3），所述钨的氧化物为三氧化钨（WO3），所述钼的氧化物为三氧化钼（MoO3），所述钒的氧化物为五氧化二钒（V2O5），所述钽的氧化物为五氧化二钽（Ta2O5）。
优选地，所述富勒烯为碳60或碳70。
优选地，所述空穴传输层的厚度为15nm-40nm；所述电子传输层的厚度为15nm-40nm。
具体地，所述阳极的材质为本领域常用的半导体导电氧化物薄膜，优选为铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、铝锌氧化物（AZO）或镓锌氧化物（GZO），厚度为80nm-150nm。
优选地，所述空穴注入层的材质为氧化锌（ZnO），厚度为0.5nm-2nm。
具体地，所述发光层的材质为本领域常用的材质，优选为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃（DCJTB）掺杂8-羟基喹啉铝(Alq3)的混合材料，其中，Alq3的掺杂质量分数优选为8%，所述发光层的厚度为5nm。
优选地，所述电子注入层的材质为碱金属氧化物或碱金属氟化物，厚度为0.5nm-2nm。
更优选地，所述碱金属氧化物为氧化锂（Li2O），所述碱金属氟化物为氟化锂（LiF）、氟化铯（CsF）或氟化钠（NaF）。
优选地，所述阴极的材质为银（Ag）、铝（Al）、镁（Mg）、Mg-Al合金或Mg-Ag合金，厚度为70nm-100nm。
优选地，所述封装盖板为玻璃盖板。
现有技术有机电致发光器件通常采用有机材料作为传输层或者其他功能层的材料，由于有机材料的热稳定性能较差，长时期使用，器件内部产热容易导致有机材料发生降解，或者导致有机薄膜的形态发生变化，影响器件使用寿命。
本发明提供的有机电致发光器件的载流子传输层采用了热稳定性好的无机材料，能改善传统有机材料在器件使用过程中易变形、不耐用的缺点，其中，采用无机材料金属氧化物如ReO3、V2O5、WO3、MoO3或Ta2O5作为空穴传输层的材料，采用无机材料富勒烯或者富勒烯的衍生物作为电子传输层的材料；此外，所述金属氧化物不但具有较高的空穴迁移率，还具有与ITO的相匹配的能级，因此其空穴注入效率也较高，所述富勒烯分子表面具有一个非常大的分子共轭结构，这使其具有很好的电子传输特性，有利于载流子的注入；相对于有机材料，这些无机材料不仅具有更好的热稳定性，有利于器件寿命的提高，还能使器件具有和有机材料相匹配的发光效率。
另一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）取洁净玻璃基板置于真空溅射镀膜室中，设置真空度为1×10-5Pa-1×10-3Pa，采用真空溅射的方法在所述玻璃基板上制备阳极，溅射速率为0.2nm/s-2nm/s；
（2）将经步骤（1）处理后的玻璃基板置于真空热蒸镀膜室中，设置真空度为1×10-5Pa-1×10-3Pa，在所述阳极表面依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，蒸镀速率为0.02nm/s-1nm/s，其中，所述空穴传输层的材质为ⅤB族到ⅦB族的金属氧化物，所述电子传输层的材质为富勒烯或所述富勒烯的衍生物；
（3）在阴极上覆盖封装盖板，所述封装盖板和玻璃基板通过光固化粘合剂连接形成封闭空间，将所述阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极容置在所述封闭空间内，得到所述有机电致发光器件。
优选地，所述ⅤB族到ⅦB族的金属氧化物为Re的氧化物、W的氧化物、Mo的氧化物、V的氧化物或Ta的氧化物。
更优选地，所述Re的氧化物为ReO3，所述W的氧化物为WO3，所述Mo的氧化物为MoO3，所述V的氧化物为V2O5，所述Ta的氧化物为Ta2O5。
优选地，所述富勒烯为碳60或碳70。
优选地，所述空穴传输层的厚度为15nm-40nm；所述电子传输层的厚度为15nm-40nm。
具体地，所述阳极的材质为本领域常用的半导体导电氧化物薄膜，优选为ITO、IZO、AZO或GZO，厚度为80nm-150nm。
优选地，所述空穴注入层的材质为ZnO，厚度为0.5nm-2nm。
具体地，所述发光层的材质为本领域常用的材质，优选为DCJTB掺杂Alq3的混合材料，其中，Alq3的掺杂质量分数优选为8%，所述发光层的厚度为5nm。
优选地，所述电子注入层的材质为碱金属氧化物或碱金属氟化物，厚度为0.5nm-2nm。
更优选地，所述碱金属氧化物为Li2O，所述碱金属氟化物为LiF、CsF或NaF。
优选地，所述阴极的材质为Ag、Al、Mg、Mg-Al合金或Mg-Ag合金，为厚度为70nm-100nm。
制备完阴极后，在阴极上覆盖封装盖板进行封装，并在封装盖板和玻璃基底形成的密闭空间中设置干燥剂，便于测试和防止水、氧对器件的侵蚀。
优选地，所述封装盖板为玻璃盖板。
优选地，所述封装盖板与所述玻璃基板形成的封闭空间中设置有干燥剂。
优选地，所述干燥剂为氧化钡（BaO）或氧化钙（CaO）。
优选地，所述光固化粘合剂为光固化聚丙烯酸树脂或光固化环氧树脂。
本发明提供的有机电致发光器件的制备方法，该方法采用大量无机材料制备器件的功能层，取材容易，工艺简单；本发明还在器件的阴极上设置了封装盖板，可以更好地阻挡外界水、氧对器件的侵蚀，进一步提高器件的使用寿命。
实施本发明实施例，具有以下有益效果：
（1）本发明提供的有机电致发光器件的载流子传输层采用了热稳定性好的无机材料，能改善传统有机材料在器件使用过程中易变形、不耐用的缺点，其中，采用金属氧化物如ReO3、V2O5、WO3、MoO3或Ta2O5作为空穴传输层的材料，采用富勒烯或者富勒烯衍生物作为电子传输层的材料，所述金属氧化物不具有较高的空穴迁移率，能提高空穴注入率，所述富勒烯分子表面具有一个非常大的分子共轭结构，能提高电子传输性能，因此，相对于有机材料，本发明采用热稳定性高的无机材料作为器件的载流子传输层，不仅能使器件具有较高的发光效率，还能提高器件的使用寿命；
（2）本发明提供有机电致发光器件在阴极上设置了封装盖板，并在封装盖板与所述玻璃基板形成的封闭空间中设置有干燥剂，可以更好地阻挡外界水、氧对器件的侵蚀，进一步提高器件的使用寿命；
（3）本发明提供的有机电致发光器件的制备方法，该方法采用大量无机材料制备器件的功能层，取材容易，工艺简单。
附图说明
图1是本发明实施例1提供的有机电致发光器件的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。
实施例1
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）提供玻璃基板，将所述玻璃基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干；将洁净后的玻璃基板置于真空度为1×10-5Pa的真空溅射镀膜室中，采用磁控溅射的方法，在玻璃基板上制备阳极，阳极的材质为ITO，厚度为100nm，溅射速率为1nm/s，得到具有阳极的玻璃基板；
（2）将所得具有阳极的玻璃基板置于真空度为1×10-4Pa的真空热蒸镀膜室中，在阳极上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其中，空穴注入层的材质为ZnO，厚度为0.5nm，蒸镀速度为0.02nm/s，空穴传输层的材质为ReO3，厚度为15nm，蒸镀速度为0.5nm/s，发光层的材质为DCJTB掺杂Alq3（Alq3的掺杂质量分数为8%），厚度为5nm，蒸镀速度为0.1nm/s，电子传输层的材质为C60，厚度为20nm，蒸镀速度为0.2nm/s，电子注入层的材质为LiF，厚度为2nm，蒸镀速度为0.0nm/s，阴极的材质为Ag，厚度为100nm，蒸镀速度为1nm/s；
（3）随后在阴极上覆盖玻璃盖板，所述玻璃盖板通过光固化环氧树脂和玻璃基板连接，玻璃基板和玻璃盖板形成封闭空间，阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极容置在该封闭空间内，制得有机电致发光器件，该器件包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和玻璃盖板，具体结构表示为：玻璃基板/ITO(100nm)/ZnO(0.5nm)/ReO3(15nm)/DCJTB:Alq3(8%,5nm)/C60(20nm)/LiF(2nm)/Ag(100nm)/玻璃盖板，其中，斜杠“/”表示层状结构，DCJTB:Alq3中的冒号“：”表示混合，DCJTB:Alq3(8%,5nm)中的8%表示Alq3的掺杂质量分数为8%，下同。
图1为本实施例1制备的有机电致发光器件的结构示意图，本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板101、阳极102、空穴注入层103、空穴传输层104、发光层105、电子传输层106、电子注入层107、阴极108和玻璃盖板109，其中，阳极102的材质为ITO，厚度为100nm，空穴注入层103的材质为ZnO，厚度为0.5nm，空穴传输层104的材质为ReO3，厚度为15nm，发光层105的材质为DCJTB掺杂Alq3（Alq3的掺杂质量分数为8%），厚度为5nm，电子传输层106的材质为C60，厚度为20nm，电子注入层107的材质为LiF，厚度为2nm，阴极108的材质为Ag，厚度为100nm，该实施例1提供的有机电致发光器件的具体结构可以表示为：玻璃基板/ITO(100nm)/ZnO(0.5nm)/ReO3(15nm)/DCJTB:Alq3(8%,5nm)/C60(20nm)/LiF(2nm)/Ag(100nm)/玻璃盖板，其中，斜杠“/”表示层状结构，DCJTB:Alq3中的冒号“：”表示混合，DCJTB:Alq3(8%,5nm)中的8%表示Alq3的掺杂质量分数为8%。
实施例2
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）提供玻璃基板，将所述玻璃基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干；将洁净后的玻璃基板置于真空度为1×10-4Pa的真空溅射镀膜室中，采用磁控溅射的方法，在玻璃基板上制备阳极，阳极材质为IZO，厚度为150nm，溅射速率为2nm/s，得到具有阳极的玻璃基板；
（2）将所得具有阳极的玻璃基板置于真空度为1×10-4Pa的真空热蒸镀膜室中，在阳极上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其中，空穴注入层的材质为ZnO，厚度为1nm，蒸镀速度为0.02nm/s，空穴传输层的材质为WO3，厚度为20nm，蒸镀速度为0.5nm/s，发光层的材质为DCJTB掺杂Alq3（Alq3的掺杂质量分数为8%），厚度为5nm，蒸镀速度为0.1nm/s，电子传输层的材质为C70，厚度为15nm，蒸镀速度为0.2nm/s，电子注入层的材质为NaF，厚度为0.5nm，蒸镀速度为0.02nm/s，阴极的材质为Al，厚度为100nm，蒸镀速度为1nm/s；
（3）随后在阴极上覆盖玻璃盖板，所述玻璃盖板通过光固化环氧树脂和玻璃基板连接，玻璃基板和玻璃盖板形成封闭空间，阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极容置在该封闭空间内，制得有机电致发光器件，该器件包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和玻璃盖板，具体结构表示为：玻璃基板/IZO(150nm)/ZnO(1nm)/WO3(20nm)/DCJTB:Alq3(8%,5nm)/C70(15nm)/NaF(0.5nm)/Al(100nm)/玻璃盖板。
实施例3
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）提供玻璃基板，将所述玻璃基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干；将洁净后的玻璃基板置于真空度为1×10-3Pa的真空溅射镀膜室中，采用磁控溅射的方法，在玻璃基板上制备阳极，阳极的材质为AZO，厚度为100nm，溅射速率为1nm/s，得到具有阳极的玻璃基板；
（2）将所得具有阳极的玻璃基板置于真空度为1×10-4Pa的真空热蒸镀膜室中，在阳极上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其中，空穴注入层的材质为ZnO，厚度为0.5nm，蒸镀速度为0.02nm/s，空穴传输层的材质为MoO3，厚度为40nm，蒸镀速度为0.5nm/s，发光层的材质为DCJTB掺杂Alq3（Alq3的掺杂质量分数为8%），厚度为5nm，蒸镀速度为0.1nm/s，电子传输层的材质为C70，厚度为40nm，蒸镀速度为0.5nm/s，电子注入层的材质为Li2O，厚度为1nm，蒸镀速度为0.02nm/s，阴极的材质为Mg-Al，厚度为70nm，蒸镀速度为0.5nm/s；
（3）随后在阴极上覆盖玻璃盖板，所述玻璃盖板通过光固化环氧树脂和玻璃基板连接，玻璃基板和玻璃盖板形成封闭空间，阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极容置在该封闭空间内，制得有机电致发光器件，该器件包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和玻璃盖板，具体结构表示为：玻璃基板/AZO(100nm)/ZnO(0.5nm)/MoO3(40nm)/DCJTB:Alq3(8%,5nm)/C70(40nm)/Li2O(1nm)/Mg-Al(70nm)/玻璃盖板。
实施例4
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）提供玻璃基板，将所述玻璃基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干；将洁净后的玻璃基板置于真空度为1×10-4Pa的真空溅射镀膜室中，采用磁控溅射的方法，在玻璃基板上制备阳极，阳极的材质为ITO，厚度为80nm，溅射速率为0.2nm/s，得到具有阳极的玻璃基板；
（2）将所得具有阳极的玻璃基板置于真空度为1×10-4Pa的真空热蒸镀膜室中，在阳极上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其中，空穴注入层的材质为ZnO，厚度为0.5nm，蒸镀速度为0.02nm/s，空穴传输层的材质为V2O5，厚度为40nm，蒸镀速度为0.5nm/s，发光层的材质为DCJTB掺杂Alq3（Alq3的掺杂质量分数为8%），厚度为5nm，蒸镀速度为0.1nm/s，电子传输层的材质为C70，厚度为25nm，蒸镀速度为0.5nm/s，电子注入层的材质为RbF，厚度为0.5nm，蒸镀速度为0.02nm/s，阴极的材质为Mg-Al，厚度为100nm，蒸镀速度为0.5nm/s；
（3）随后在阴极上覆盖玻璃盖板，所述玻璃盖板通过光固化环氧树脂和玻璃基板连接，玻璃基板和玻璃盖板形成封闭空间，阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极容置在该封闭空间内，制得有机电致发光器件，该器件包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和玻璃盖板，具体结构表示为：玻璃基板/ITO(80nm)/ZnO(0.5nm)/V2O5(40nm)/DCJTB:Alq3(8%,5nm)/C70(25nm)/RbF(0.5nm)/Mg-Al(100nm)/玻璃盖板。
实施例5
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）提供玻璃基板，将所述玻璃基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干；将洁净后的玻璃基板置于真空度为1×10-4Pa的真空溅射镀膜室中，采用磁控溅射的方法，在玻璃基板上制备阳极，阳极的材质为GZO，厚度为100nm，溅射速率为1nm/s，得到具有阳极的玻璃基板；
（2）将所得具有阳极的玻璃基板置于真空度为1×10-4Pa的真空热蒸镀膜室中，在阳极上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其中，空穴注入层的材质为ZnO，厚度为0.5nm，蒸镀速度为0.02nm/s，空穴传输层的材质为Ta2O5，厚度为25nm，蒸镀速度为0.5nm/s，发光层的材质为DCJTB掺杂Alq3（Alq3的掺杂质量分数为8%），厚度为5nm，蒸镀速度为0.1nm/s，电子传输层的材质为C60，厚度为25nm，蒸镀速度为0.5nm/s，电子注入层的材质为CsF厚度为1nm，蒸镀速度为0.02nm/s，阴极的材质为Mg-Ag，厚度为70nm，蒸镀速度为0.5nm/s；
（3）随后在阴极上覆盖玻璃盖板，所述玻璃盖板通过光固化环氧树脂和玻璃基板连接，玻璃基板和玻璃盖板形成封闭空间，阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极容置在该封闭空间内，制得有机电致发光器件，该器件包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和玻璃盖板，具体结构表示为：玻璃基板/GZO(100nm)/ZnO(1nm)/Ta2O5(25nm)/DCJTB:Alq3(8%,5nm)/C60(25nm)/CsF(1nm)/Mg-Ag(70nm)/玻璃盖板。
对比实施例
为体现为本发明的创造性，本发明还设置了对比实施例，该对比实施例与实施例1的区别在于对比实施例中空穴注入层的材质为m-MTDATA，空穴传输层的材质为NPB，电子传输层的材质为BPhen，电子注入层的材质为LiF；该对比实施例制备的有机电致发光器件的具体结构为：玻璃基板/ITO(100nm)/m-MTDATA(20nm)/NPB(20nm)/DCJTB:Alq3(8%,5nm)/TPBi(20nm)/LiF(2nm)/Ag(100nm)/玻璃盖板，分别对应玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和玻璃盖板。
为有效证明本发明有机电致发光器件及其制备方法的有益效果，采用光纤光谱仪（美国海洋光学Ocean Optics公司，型号：USB4000）、电流-电压测试仪（美国Keithly公司，型号：2400）和色度计（日本柯尼卡美能达公司，型号：CS-100A）测试本发明提供的实施例1-5与对比实施例制得的有机电致电致发光器件的发光性能数据，包括器件的寿命和发光效率，结果如表1所示：
表1实施例1-5和对比实施例制备的器件的寿命和发光效率
光效（lm/W） T70寿命(h)
实施例1 8.2 4000
实施例2 12.4 5100
实施例3 9.8 4900
实施例4 10.3 4800
实施例5 9.7 3800
对比实施例 12.7 1000
表1是实施例1-5和对比实施例所制作的器件的发光性能数据。从表中可以看出，本发明提供的有机电致发光器件中的空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层使用了热稳定性好的无机材料，因此避免了有机材料不耐热易变形的问题，器件使用寿命大大提高。相比对比实施例，虽然对比实施例的光效稍高于实施例，但是在使用寿命方面，实施例1-5制备的有机电致发光器件的使用寿命是对比实施例的3.8-5.1倍，其中，T70寿命数据是在器件的起始亮度为1000cd/m2时，亮度衰减到起始亮度70%时的使用时间。
从表1中也可以看到，本发明提供的是实施例与对比实施例的发光效率相差不大，说明本发明采用的无机材料对光效不存在不利的影响。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和封装盖板，所述封装盖板和玻璃基板形成封闭空间，所述阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极容置在所述封闭空间内，所述空穴传输层的材质为ⅤB族到ⅦB族的金属氧化物，所述电子传输层的材质为富勒烯或所述富勒烯的衍生物。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述ⅤB族到ⅦB族的金属氧化物为铼的氧化物、钨的氧化物、钼的氧化物、钒的氧化物或钽的氧化物。
3.如权利要求2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述铼的氧化物为三氧化铼，所述钨的氧化物为三氧化钨，所述钼的氧化物为三氧化钼，所述钒的氧化物为五氧化二钒，所述钽的氧化物为五氧化二钽。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述富勒烯为碳60或碳70。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为15nm-40nm；所述电子传输层的厚度为15nm-40nm。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下操作步骤：
（1）取洁净玻璃基板置于真空溅射镀膜室中，设置真空度为1×10-5Pa-1×10-3Pa，采用真空溅射的方法在所述玻璃基板上制备阳极，溅射速率为0.2nm/s-2nm/s；
（2）将经步骤（1）处理后的玻璃基板置于真空热蒸镀膜室中，设置真空度为1×10-5Pa-1×10-3Pa，在所述阳极表面依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，蒸镀速率为0.02nm/s-1nm/s，其中，所述空穴传输层的材质为ⅤB族到ⅦB族的金属氧化物，所述电子传输层的材质为富勒烯或所述富勒烯的衍生物；
（3）在所述阴极上覆盖封装盖板，所述封装盖板和玻璃基板通过光固化粘合剂连接形成封闭空间，将所述阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极容置在所述封闭空间内，得到所述有机电致发光器件。
7.如权利要求6所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述ⅤB族到ⅦB族的金属氧化物为铼的氧化物、钨的氧化物、钼的氧化物、钒的氧化物或钽的氧化物。
8.如权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述铼的氧化物为三氧化铼，所述钨的氧化物为三氧化钨，所述钼的氧化物为三氧化钼，所述钒的氧化物为五氧化二钒，所述钽的氧化物为五氧化二钽。
9.如权利要求6所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述富勒烯为碳60或碳70。
10.如权利要求6所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为15nm-40nm；所述电子传输层的厚度为15nm-40nm。
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