CN104183622A - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

提供了具有形成于像素限定层中的沟道的显示装置。所述显示装置包括衬底、设置在所述衬底上以限定像素区域的像素限定层、以及在不同像素区域之间延伸以允许沉积的材料从一个区域移动/流动至另一区域且实现基本平等分配的沟道。所述像素区域包括第一电极、位于所述第一电极上的发光层和位于所述发光层上的第二电极。还提供了用于制成这种显示装置的方法。

Description

有机发光显示装置及其制造方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年5月27日向韩国专利局提交的第10-2013-0059751号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及具有改进的像素限定层结构的有机发光显示装置及其制造方法。

背景技术

有机发光显示装置是自发光显示装置，有机发光二级管发光以显示图像。现今，有机发光显示装置作为可能的下一代主流显示装置而备受关注。有机发光显示装置提供了许多优点，例如，低功耗、高亮度、快速的响应速度等。

在有机发光显示装置中，用于显示图像的基本单位常被称为“像素”。像素包括第一电极、第二电极和设置在第一电极与第二电极之间的有机层。有机层一般包括被沉积的发光层。

有时在有机发光显示装置中提供像素限定层以使在有机发光显示装置中像素区域彼此分离。像素限定层可为网格形式以限定像素区域。像素区域是形成有像素的区域。也就是说，分离地形成第一电极，形成像素限定层以将第一电极分离成像素区域，并且将各种材料(例如，有机材料)沉积在像素区域之一中的至少一个第一电极上。在这个过程中，沉积的材料理想上被均匀设置在对应的像素区域中。

当材料被沉积以形成像素区域中的层时，材料还通常被沉积在围绕像素区域的像素限定层上。像素限定层高于第一电极，因为沉积的材料通常为流体，致使一些材料从像素限定层的顶部流至较低的像素区域。如果在材料流动期间材料被不均匀地分配到不同的像素区域中，则可能在不同的像素区域中沉积不同量的材料。材料的不均匀沉积导致每个像素中的发光可能是不均匀的。

发明内容

本发明概念的实施方式提供了一种具有像素限定层结构的有机发光显示装置以当材料(包括有机材料)被沉积在像素区域以形成像素时将有机材料均匀地分配到对应的像素区域，还提供了一种制造有机发光显示装置的方法。

本发明概念的实施方式提供了一种有机发光显示装置，其中沟道形成于像素限定层中，还提供一种在像素限定层中形成沟道的方法。

在一个方面，本发明概念涉及一种显示装置，其包括衬底和设置在所述衬底上且限定像素区域的像素限定层，其中每个所述像素区域包括第一电极、位于所述第一电极上的发光层和位于所述发光层上的第二电极，其中所述像素限定层具有在至少两个所述像素区域之间延伸的沟道。

所述像素限定层可包括基底，所述基底具有位于所述沟道中的沿所述沟道的纵向方向的斜坡。

所述斜坡相对于所述第一电极的表面的平均角度可为10°至45°。

所述沟道可沿至少一个方向延伸。

所述基底可具有位于所述沟道中的峰，并且所述斜坡从所述峰沿始自所述峰的不同方向向下延伸。

沿与所述沟道的纵向方向垂直的方向切割的下部的截面可具有U形、倒三角形和四方形中的一种。

所述像素区域中的至少一个还可包括位于所述第一电极与所述发光层之间的空穴注入层和空穴传输层中的至少一个。

每个所述像素区域还可包括位于所述第一电极上的空穴注入层、位于所述空穴注入层上的底漆层和位于所述底漆层上的空穴传输层。

在另一方面，本发明概念涉及一种有机发光显示装置的制造方法，其包括：在衬底上形成多个第一电极；在所述第一电极之间形成像素限定层；在所述第一电极上形成发光层；以及在所述发光层上形成第二电极，其中形成像素限定层包括形成沟道，所述沟道被配置为允许流体材料在所述第一电极之间流动。

形成像素限定层可包括使用光刻胶和掩模形成图案，所述掩模具有沟道形成单元，所述沟道形成单元被形成为改变沿纵向方向的透光性。

所述方法还可包括通过在形成发光层之前且在形成所述像素限定层之后，在所述第一电极和所述像素限定层上涂覆用于形成空穴注入层的材料和用于形成空穴传输层的材料中的至少一个。

涂覆用于形成空穴注入层的材料和用于形成空穴传输层的材料中的至少一个可能需要使用油墨印刷方法。

可在形成发光层时使用油墨印刷方法。

所述沟道基底中的斜坡可被配置为将沉积在衬底的一部分上的液体移动至另一部分。

所述沟道的基底可与第一电极处于相同的水平或更高。

在根据本发明概念的有机发光显示装置，沟道形成于像素限定层中，从而当各种有机材料在有机发光显示装置的制造过程中被沉积时，有机材料可被均匀地沉积在每个像素中。由此，有机发光显示装置中的发光均匀性可增加。

前面的概述仅是说明性的并且不用于任意方式的限制。除了上述的说明性方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和下面的详细描述，其它方面、实施方式和特征将变得明显。

附图说明

图1是示意性示出了根据本发明概念的实施方式的有机发光显示装置的结构的图示；

图2是示意性示出了根据本发明概念的实施方式的有机发光显示装置中的第一电极和像素限定层的结构的立体视图；

图3是图2所示的第一电极和像素限定层的俯视图；

图4A至图4D是沿沟道(作为形成于像素限定层中的沟道的结构的实施例)的纵向方向切割的剖视图；

图5A至图5C是沿沟道(作为形成于像素限定层中的沟道的结构的实施例)的宽度方向切割的剖视图；

图6更详细地示出了根据本发明概念的实施方式的有机发光显示装置的结构的实施例；

图7示出了根据本发明概念的实施方式的掩模的结构。

具体实施方式

下文参考附图中示出的实施方式详细描述本发明概念。然而，本发明概念的范围不限于下面的描述或附图中所示的实施方式。附图仅用于说明选自本发明概念的各种实施方式的实施方式，因此不应该限制本发明概念的范围。

在附图中，某些元件或形状可被简化或夸大以更好地说明本公开，存在于实际产品中的其它元件还可被省略。因此，附图旨在方便地理解本公开。

贯穿本公开，在本发明概念的各个附图和实施方式中相似的参考标号指向相似的元件。此外，当层或元件被称为“位于”另一层或元件“之上”时，层或元件可直接位于另一层或元件之上，或者它们之间可存在一个或多个中间层。

如图1所示，根据本发明概念的实施方式的有机发光显示装置可包括衬底100、位于衬底100上的多个第一电极200、位于第一电极200与圈定的像素区域之间的像素限定层300、位于第一电极200上的发光层400和位于发光层400上的第二电极500。而且，像素限定层300具有被设置在像素区域(例如，彼此相邻的像素区域)之间的沟道310。像素限定层300具有基底350。在图1的实施方式中，基底350具有近似位于沟道310连接的两个像素区域中点的最高点，并且具有朝向像素区域向下倾斜的两个表面。尽管向下倾斜部分被显示为关于最高点基本对称，但是这不是对本公开的限制。

图2和图3示出了根据本公开的实施方式的有机发光显示装置中的衬底100上的第一电极200和像素限定层300的结构。

图2是示出了衬底100、衬底100上的第一电极200和分离第一电极200的像素限定层300的结构的立体视图。如图2所示，沟道310形成于像素限定层300中。像素限定层300通过被设置在彼此相邻的第一电极之间(例如，通过建立“壁”)来限定像素区域。如上所述，相邻的像素区域可通过像素限定层300中的沟道310彼此连接。

如图2所示，沟道310开放，像素限定层300具有位于像素区域两侧的侧壁320并且具有沟道310。由侧壁320和基底350限定的空间在此被称为沟道310。沟道310可被形成为沟或谷的形状。在一些实施方式中，基底350可具有平坦表面。在其它实施方式中，例如图2所示的实施方式中，基底350可从位于两个像素区域之间的峰向下倾斜，使得从一个像素区域至另一个像素区域“切下”的沟道的截面具有三角形形状。

图3是第一电极200和像素限定层300的俯视图。

参考图2和图3，沟道310被形成为连接沿一个方向布置的第一电极200。更具体地，图2和图3示出了沟道310沿X方向延伸和布置的实施方式。在其它实施方式中，沟道310还可沿Y方向或对角方向形成。

沟道310形成于像素限定层300中以连接至少两个像素区域，并且沟道310可沿预定方向形成。图2和图3示出了沿X轴方向形成的沟道。这里，形成沟道310的方向可被称为沟道的长度方向或沟道的延伸方向。在图2和图3中，沟道的长度方向对应于X轴方向。Y轴方向对应于沟道的宽度方向。

沟道310连接沿一个方向彼此相邻的像素区域。换句话说，沟道310连接沿如图2和图3所示的X轴方向被定位在沟道310两端的两个像素区域(每个像素区域包括第一电极200)。

尽管在附图中未明确示出，沟道310可形成于多个方向以使三个或四个像素区域彼此连接。

如图2所示，基底350可具有沿沟道310的长度方向(X轴方向)具有不同斜坡的峰。沟道310中的峰与像素限定层300和/或侧壁320的上表面处于相同的高度，或沟道310中的峰低于像素限定层300和/或侧壁320的上表面。

像素限定层300形成于第一电极200的角落部分以分离对应的像素区域。通过形成像素限定层300，在第一电极200上限定像素区域。在形成像素限定层300之后，为了形成像素，将多种材料(具体地，各种有机材料)沉积在第一电极200的像素区域中。在一系列沉积中，希望将每种材料均匀地沉积在每个像素区域。然而，材料可能被不均匀地分配到每个像素区域中。

在沉积过程中，材料还可能掉在像素限定层300的除了像素区域以外的部分，并且这种材料可在干燥过程等中移动或向下流动至附近的像素区域。当材料流动至像素并且被不均匀地分配到对应的像素区域中时，材料的不均匀性发生在像素区域中。当材料的这种不均匀性发生时，每个像素的发光可能是不均匀的。在本公开中，为了抑制材料的不均匀性，在像素限定层300中形成沟道310，并且基底350可具有如上所述的斜坡。在沟道基底350具有斜坡的情况下，被涂覆在像素限定层300上的用于形成像素的材料可更有效地沿沟道移动/流动至像素区域。因此，沟道310和基底350使像素材料平等地分配到像素区域上。

基底350可具有峰(h)以形成斜坡，因此材料可被分配到峰(h)上。沟道310的尺寸和基底350的斜坡可根据待被沉积的材料的各种参数(例如，材料的量和粘度)而选择。

当沟道310中的基底350的斜坡的角度太小时，材料可能未有效地移动/流动。因此，斜坡越陡峭，材料移动得越快。由于像素限定层300的高度和沟道310的长度有限，因此斜坡的角度可被限制在一定的范围内。例如，斜坡关于第一电极200的表面的平均角度可为10°至45°。然而，斜坡可一般不限于此范围，范围在实施方式之间改变。为了使沟道310发挥作用，基底350的斜坡可随着像素限定层300的尺寸而变化。可在基底350的多个部分中形成弯部，使得沿斜坡的角度改变。

图4A是沿图3中的虚线I-I’切割的剖视图。此外，图4B至图4D示出了沿沟道310的纵向方向(X轴方向)切割的包含第一电极200和像素限定层300的结构的其它实施方式。

在图4A至图4D中，参考标号为“350”的部分代表沟道310的下部。

如图4A所示，沟道310的下部350可具有基于第一电极200顶面高度的峰和最低点。在附图中，基底350的峰对应于“h”所示的部分，最低点接近像素区域。

沟道310的基底350的峰(h)与最低点之间的高度差可为0.2μm至5μm。该高度差可根据像素限定层300的尺寸和高度而改变。当像素限定层300非常薄时，高度差可小于上述范围，并且当像素限定层300非常厚时，高度差可大于上述范围。

尽管沟道310形成于像素限定层300中，但是像素限定层300起到将第一电极200彼此分离和绝缘的作用。因此，沟道310中的基底350具有预定的最小高度。该高度从第一电极200的顶部开始测量。在因为沟道310被形成为较深所以沟道310的基底350的高度不同于第一电极200的高度的情况下，电流可在第一电极200之间流动。在这方面，要求基底350的峰(h)的高度大于预定最小高度。同时，基底350的峰的高度受限于像素限定层300的厚度。按照上述观点，最高点(h)可被形成为比第一电极200的顶面高大约0.3μm至5μm。

而且，沟道310的下部350的最低点可与第一电极200的顶面具有相同的高度，或者最低点可比第一电极200高0.3μm至几μm。

图4A至图4D示出了沟道310的下部350。

根据本公开的实施方式，如图4A所示，沟道310的基底350具有峰(h)，并且可基于峰(h)沿沟道的纵向方向具有不同斜坡。

根据另一实施方式，如图4B所示，沟道310的基底350沿沟道310的纵向方向在一端(在左像素区域)具有最低点并且在另一端(在右像素区域)具有最高点(h)。在此实施方式中，如图4A所示在相邻的像素区域的中点没有峰并且仅可能存在沿一个方向的斜坡。

根据又一实施方式，如图4C所示，沟道310中的基底350的最低点可与第一电极200的表面一致。

根据又一实施方式，如图4D所示，沟道310的基底350的峰的水平可与像素限定层300的顶面一致。

图5A是沿图3的线II-II’切割的剖视图。而且，图5B和图5C示出了沿沟道310的宽度方向切割的沟道310的结构的其它实施例的剖视图。如图5A至图5C所示，沿与沟道310的纵向方向垂直的方向(宽度方向)切割的沟道310的截面可具有四方形(图5A)或倒三角形(图5B)或U字形(图5C)的形状。

如图2和图5A至图5C所示，像素限定层300沿沟道310的纵向方向可具有沿沟道310两侧的侧壁320。根据本公开的实施方式，侧壁320之间的宽度可为2μm到10μm的范围，包括2μm和10μm。

根据本公开的实施方式，空穴注入层和空穴传输层中的至少一个可被设置在第一电极200与发光层400之间。空穴注入层和空穴传输层还可被设置在第一电极200与发光层400之间。

在一些情况下，空穴注入层和空穴传输层在极性方面不同于彼此，并且当在第一电极200上形成空穴注入层然后形成空穴传输层时，用于形成空穴传输层的材料可能被不均匀地涂覆在空穴注入层上。在这种情况下，可在空穴注入层上涂覆底漆。底漆可选自具有不会阻碍空穴传输的足以令人满意的空穴传输属性且改进空穴注入层与空穴传输层之间的接口属性的材料。在使用这种底漆的情况下，通过改进空穴注入层与空穴传输层之间的接口属性，用于形成空穴传输层的材料可被均匀地涂覆在空穴注入层上。而且，由于底漆，不会发生发光属性的任何问题。

在通过沉积各种材料形成像素的情况下，由于对应材料之间的属性差异，一种材料可能未被平滑地涂覆在另一材料层上。然而，通过本公开的发明概念，材料可通过流过沟道310均匀地分散。

根据本公开的实施方式的沟道310可有用地被应用以尤其当像素形成材料通过印刷方法被沉积时，使油墨均匀地分散在整个像素区域上。

本公开的实施方式还提供了制造具有沟道310的有机发光显示装置的方法。制造方法可包括在衬底100上形成多个第一电极200、在第一电极200之间形成像素限定层300、在第一电极200上形成发光层400和在发光层400上形成第二电极500。形成像素限定层300包括形成具有凹槽形状的截面且连接彼此相邻的第一电极200的沟道310。

图6更详细地示出了根据本公开的实施方式的有机发光显示装置的结构。下文参考图6描述根据实施方式的有机发光显示装置的制造方法。

在图6所示的有机发光显示装置中，在有机发光显示装置中通常使用的玻璃或聚合物塑料可被用作衬底100。衬底100可以是透明的或不透明的。衬底100可根据需要由本领域技术人员适当地选择。

在衬底100上形成第一电极200，可在形成第一电极200之前在衬底100上形成多个薄膜晶体管120。薄膜晶体管120包括栅电极121、漏电极122、源电极123和半导体层124。还可在薄膜晶体管120中提供栅绝缘层113和层间绝缘层115。薄膜晶体管120的结构不限于图6所示的结构，并且可以不同形式配置。而且，半导体层124可由有机材料或无机材料形成。还可在薄膜晶体管120与衬底100之间设置例如由硅氧化物、硅氮化物等形成的缓冲层111。

在薄膜晶体管120上顺序地形成第一电极200、发光层400和第二电极500。

第一电极200电联接至位于第一电极200下方的底层薄膜晶体管120，如果提供覆盖薄膜晶体管120的平坦化层117，则第一电极200位于平坦化层117上。这里，第一电极200通过设置在平坦化层117中的接触孔电联接至薄膜晶体管120。

图6示出了第一电极200充当阳极。第一电极200可以是透明电极或反射电极。当第一电极200为透明电极时，它可由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(III)(In₂O₃)形成，当第一电极200为反射电极时，它可包括由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的组合形成的反射层和反射层上由ITO、IZO、ZnO或In₂O₃形成的层。

可在第一电极200之间设置像素限定层300。像素限定层300由绝缘材料形成，并且将第一电极200分离成相应的像素单元。例如，像素限定层300位于第一电极200的边缘以将第一电极200分离成相应的像素单元，由此限定像素区域。也就是说，像素限定层300可覆盖第一电极200的边缘。除了限定像素区域，像素限定层300加宽第一电极200的边缘与第二电极400之间的空间以防止电场集中在第一电极200的边缘，由此防止第一电极200与第二电极400之间发生短路。

形成像素限定层300包括使用光刻胶形成图案。可通过在曝光部分被刻蚀的正性与未曝光部分被刻蚀的负性之间进行适当地选择来应用光刻胶。

详细地，在衬底100上形成第一电极200，在衬底100包括第一电极200的正面上沉积用于形成像素限定层的材料，然后图案化用于形成像素限定层的材料，由此形成像素限定层。在图案化用于形成像素限定层的材料的过程中使用光刻胶。通过图案化，去除第一电极200的上部的一些区域中的用于形成像素的材料以在第一电极200上形成开口。第一电极200上的开口对应于像素区域。

在图案化用于形成像素限定层的材料的过程中，通过图案化待形成沟道310的区域来形成沟道310。

形成图案化可包括使用掩模曝光。

换句话说，形成像素限定层可包括使用光刻胶和掩模形成图案，掩模具有沟道形成单元，沟道形成单元可被形成为改变沿纵向方向的透光性。

图7示出了掩模700的实施例。

掩模700包括支撑衬底701、以及位于支撑衬底701上的挡光部730和透光部710。在图7所示的掩模700中，透光部710对应于第一电极200上的开口。在使用正性光刻胶的情况下可应用掩模700。

掩模700具有位于透光部710之间的沟道形成单元720，沟道形成单元720被配置为改变沿沟道纵向方向的透光性。结果，在形成图案的过程中，曝光性可根据掩模的沟道形成单元的纵向方向而改变。

图7所示的掩模700是在沟道形成单元720中提供缝隙的实施例以改变沟道形成单元720沿沟道纵向方向的透光性。沟道形成单元720中标记有斜线的部分对应于缝隙，并且图7所示的掩模700通过改变缝隙之间的距离而改变透光性。

根据本公开的另一实施方式，透光性可沿掩模700的沟道形成单元720中的沟道的纵向方向改变。例如，代替提供缝隙，可提供一种方法，在该方法中用吸光材料涂覆沟道形成单元720，并且涂覆的吸光材料的浓度沿沟道的纵向方向改变。

根据本公开的一个实施方式，沟道形成单元720可被配置为当光在基于与掩模700的沟道形成单元720对应的部分中的沟道的纵向方向的一部分沿两个方向前进时改变透光性。

根据本发明的另一实施方式，沟道形成单元720可被配置为从掩模700的沟道形成单元720中的沟道的纵向方向的一端至另一端逐渐改变透光性。

根据本发明的实施方式，在形成像素限定层300的过程中，在沟道的纵向方向的两侧可形成具有2μm至10μm宽度的岸。

发光层400位于被像素限定层300分离的第一电极200的开口处。发光层400可包括红光发光层、绿光发光层和蓝光发光层。发光层400还可包括白光发光层。而且，发光层400可仅由白光发光层构成。在发光层400可仅由白光发光层构成的情况下，还可提供滤光层。

发光层400可以各种方法(例如，沉积方法、印刷方法或使用用于转印的供体膜的转印方法)形成。

同时，还可在第一电极200与发光层400之间设置空穴注入层和空穴传输层中的至少一个或多个。空穴注入层和空穴传输层可通过使用掩模或印刷方法由真空蒸发形成。

根据本公开的实施方式，在形成发光层400之前且在形成像素限定层300之后，还可包括在第一电极200和像素限定层300的正面上沉积用于形成空穴注入层的材料和用于形成空穴传输层的材料中的至少一种。在这种情况下，使用油墨的印刷方法可被应用以沉积用于形成空穴注入层的材料和用于形成空穴传输层的材料中的至少一种。

图6示出了空穴注入层450形成于第一电极200和像素限定层300上。例如，空穴注入层450可形成于整个第一电极200和整个像素限定层300上。

尽管在附图中未示出，在底漆可被沉积在空穴注入层450上之后，空穴传输层可形成于第一电极200的上部。

在印刷方法被用于形成发光层、空穴注入层或空穴传输层的情况下，如上所述形成于像素限定层300中的沟道310对实现均匀油墨分配很有用。换句话说，当应用印刷方法时，一些部分可能因材料之间的属性差异而未被平滑且平等地沉积，并且油墨可能未在对应的像素区域之间均匀地分配。然而，在像素限定层300中形成沟道310的情况下，油墨沿沟道流动至像素区域，并且由于沟道中形成有斜坡，因此有利于在像素区域之间分配油墨。

第二电极500位于发光层400和像素限定层300上。第二电极500可由本领域一般使用的材料形成。第二电极500可以是透明电极或反射电极。当第二电极500为透明电极时，它可包括由锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/氟(LiF/Al)、Al、Mg或它们的化合物/组合形成的层和其上由透明的电极形成材料(例如，ITO、IZO、ZnO、In₂O₃等)构成的层。当第二电极500为反射电极时，它可通过沉积锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂(LiF/Al)、Al、Mg或它们的化合物/组合提供。

空穴注入层和空穴传输层中的至少一个可位于发光层400与第二电极500之间。空穴注入层和空穴传输层可通过沉积方法、印刷方法或任何其它已知的方法形成。图6示出了形成于发光层400与第二电极500之间的电子注入层460。

尽管在附图中未示出，但是各种类型的保护层或密封层可位于第二电极500上。

由上可知，将理解已经为了说明在本文中描述了本公开的各种实施方式，并且可在不背离本公开范围和精神的前提下进行各种修改。由此，本文中公开的各个实施方式不用于限制，并且真正的范围和精神由下面的权利要求指定。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：

衬底；以及

像素限定层，设置在所述衬底上且限定像素区域，

其中每个所述像素区域包括：

第一电极；

位于所述第一电极上的发光层；以及

位于所述发光层上的第二电极，

其中所述像素限定层具有在至少两个所述像素区域之间延伸的沟道。

2.如权利要求1所述的显示装置，其中所述像素限定层包括基底，所述基底具有位于所述沟道中且沿所述沟道的纵向方向的斜坡。

3.如权利要求2所述的显示装置，其中所述斜坡相对于所述第一电极的表面的平均角度为10°至45°。

4.如权利要求2所述的显示装置，其中所述基底具有位于所述沟道中的峰，所述斜坡从所述峰沿始自所述峰的不同方向向下延伸。

5.如权利要求1所述的显示装置，其中沿与所述沟道的纵向方向垂直的方向切割的下部的截面具有U形、倒三角形和四方形中的一种。

6.如权利要求1所述的显示装置，其中每个所述像素区域还包括：

位于所述第一电极上的空穴注入层；

位于所述空穴注入层上的底漆层；以及

位于所述底漆层上的空穴传输层。

7.一种显示装置的制造方法，包括：

在衬底上形成多个第一电极；

在所述第一电极之间形成像素限定层；

在所述第一电极上形成发光层；以及

在所述发光层上形成第二电极，

其中形成像素限定层包括形成沟道，所述沟道被配置为允许流体材料在所述第一电极之间流动。

8.如权利要求7所述的显示装置的制造方法，其中形成像素限定层包括使用光刻胶和掩模形成图案，所述掩模具有沟道形成单元，所述沟道形成单元被形成为改变沿纵向方向的透光性。

9.如权利要求7所述的显示装置的制造方法，其中所述方法还包括通过在形成发光层之前且在形成所述像素限定层之后使用油墨印刷方法，在所述第一电极和所述像素限定层上涂覆用于形成空穴注入层的材料和用于形成空穴传输层的材料中的至少一个。

10.如权利要求7所述的显示装置的制造方法，包括使用用于形成发光层的油墨印刷方法。