CN104143903B - 电源转换电路的控制信号产生电路和相关的逻辑重生电路 - Google Patents
电源转换电路的控制信号产生电路和相关的逻辑重生电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104143903B CN104143903B CN201310162604.1A CN201310162604A CN104143903B CN 104143903 B CN104143903 B CN 104143903B CN 201310162604 A CN201310162604 A CN 201310162604A CN 104143903 B CN104143903 B CN 104143903B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- dielectric layer
- metallic object
- serpentine shape
- shape metallic
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
本发明提出一种电源转换电路的控制信号产生电路和相关的逻辑重生电路，该电源转换电路包含逻辑重生电路、第一开关、第二开关、以及电感装置。电感装置耦接于第一开关和第二开关之间的节点。逻辑重生电路利用上桥控制信号和下桥控制信号来分别控制第一开关和第二开关。控制信号产生电路包含：控制电路用于产生第一信号；第一逻辑电路，用于依据第一信号产生第二信号；第一传输装置，用于依据第二信号以及参考信号产生第一控制信号，其中，参考信号对应于该节点上的电压。第一传输装置形成一等效电容，且逻辑重生电路依据至少第一控制信号来产生上桥控制信号和下桥控制信号。藉由第一传输装置的设置，可避免控制信号产生电路遭受到高压信号的破坏。
Description
技术领域
本发明有关电源转换电路(power converter)，尤指一种电源转换电路的控制信号产生电路和相关的逻辑重生电路。
背景技术
在工业级的应用中，电源转换电路的输入电压比一般日常用电的伏特数高出许多，例如，1000伏特，甚至高达1200伏特。传统电源转换电路中的控制信号产生电路通常无法承受如此高的电压值，因此，若电源转换电路的输入电压逆流至控制信号产生电路，便会使控制信号产生电路受损，进而导致电源转换电路发生故障。
发明内容
有鉴于此，如何提升电源转换电路内部的控制信号产生电路的抗高压能力，实为业界有待解决的问题。
本说明书提供一种电源转换电路的控制信号产生电路，该电源转换电路包含一逻辑重生电路、一第一开关、一第二开关、以及一电感装置，该电感装置耦接于该第一开关和该第二开关之间的一节点，且该逻辑重生电路利用一上桥控制信号和一下桥控制信号来分别控制该第一开关和该第二开关，该控制信号产生电路包含：一控制电路，设置成产生一第一信号；一第一逻辑电路，耦接于该控制电路，且设置成依据该第一信号产生一第二信号；以及一第一传输装置，耦接于该第一逻辑电路，且设置成依据该第二信号以及一参考信号产生一第一控制信号，其中，该参考信号对应于该节点上的一电压；其中，该第一传输装置形成一第一等效电容，且该逻辑重生电路依据至少该第一控制信号来产生该上桥控制信号和该下桥控制信号。
本说明书另提供一种电源转换电路的逻辑重生电路，该电源转换电路包含一控制信号产生电路、一第一开关、一第二开关、以及一电感装置，该电感装置耦接于该第一开关和该第二开关之间的一节点，该逻辑重生电路包含：一第一传输装置，当耦接于该控制信号产生电路时，该第一传输装置依据该控制信号产生电路产生的一第二信号以及一参考信号，产生一第一控制信号，其中，该参考信号对应于该节点上的一电压；一第二逻辑电路，耦接于该第一传输装置，且设置成依据至少该第一控制信号产生一设置信号以及一重置信号；一正反器，耦接于该第二逻辑电路，且设置成依据该设置信号以及该重置信号产生一上桥控制信号，以控制该第一开关的导通时间；以及一第三逻辑电路，耦接于该正反器，且设置成依据该上桥控制信号产生一下桥控制信号，以控制该第二开关的导通时间；其中，该第一传输装置形成一第一等效电容。
本说明书另提供一种电源转换电路的控制电路，该电源转换电路包含一逻辑重生电路、一第一开关、一第二开关、以及一电感装置，该电感装置耦接于该第一开关和该第二开关之间的一节点，且该逻辑重生电路利用一上桥控制信号和一下桥控制信号来分别控制该第一开关和该第二开关，该控制电路包含：一控制电路，设置成产生差动式的一第一信号以及一第一反相信号；以及一第一传输装置，耦接于该控制电路，且设置成依据该第一信号以及一参考信号产生一第三控制信号，其中，该参考信号对应于该节点上的一电压；其中，该第一传输装置形成一第一等效电容，且该逻辑重生电路依据至少该第三控制信号来产生该上桥控制信号和该下桥控制信号。
上述实施例的优点之一，是可避免电源转换电路内部的控制信号产生电路遭受到高压信号的破坏。
上述实施例的另一优点，是可提升电源转换电路的抗噪声能力。
本发明的其他优点将藉由以下的说明和附图进行更详细的解说。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。
图1为本发明一实施例的电源转换电路简化后的功能方块图。
图2为图1的电源转换电路的一运作实施例简化后的时序图。
图3为图1中的第一传输装置的第一实施例简化后的示意图。
图4为图3中的第一传输装置沿着A-A’方向简化后的剖面示意图。
图5为图1中的第一传输装置的第二实施例简化后的示意图。
图6为图5中的第一传输装置沿着B-B’方向简化后的剖面示意图。
图7为图1中的第一传输装置的第三实施例简化后的示意图。
图8为图7中的第一传输装置沿着C-C’方向简化后的剖面示意图。
图9为图1中的第一传输装置的第四实施例简化后的示意图。
图10为图9中的第一传输装置沿着D-D’方向简化后的剖面示意图。
图11为本发明另一实施例的电源转换电路简化后的功能方块图。
具体实施方式
以下将配合相关附图来说明本发明的实施例。在附图中，相同的标号表示相同或类似的元件或流程步骤。
图1为本发明一实施例的电源转换电路100简化后的功能方块图。电源转换电路100包含控制信号产生电路(control signal generating circuit)110、逻辑重生电路(logic regeneration circuit)130、第一开关150、第二开关170、以及电感装置190。控制信号产生电路110设置成产生第一控制信号HS1及第二控制信号HS2。逻辑重生电路130耦接于控制信号产生电路110，且设置成依据第一控制信号HS1及第二控制信号HS2，产生上桥控制信号UG及下桥控制信号LG。第一开关150的第一端耦接于一输入电压HV，第一开关150的第二端耦接于节点LX，且第一开关150的控制端耦接于逻辑重生电路130。第二开关170的第一端耦接于节点LX，第二开关170的第二端耦接于一固定电位端(例如，接地端)，且第二开关170的控制端耦接于逻辑重生电路130。电感装置190的一端耦接于第一开关150和第二开关170之间的节点LX。在工业级的应用中，前述的输入电压HV可以是1000伏特、1200伏特，甚至是更高伏特数的高压信号。
逻辑重生电路130会利用上桥控制信号UG来设置第一开关150的导通时间，并会利用下桥控制信号LG来设置第二开关170的导通时间。电感装置190用于依据节点LX上的电压产生后级电路所需的输出电压信号。
实作上，第一开关150与第二开关170可用控制逻辑相同的两晶体管来实现，也可分别采用控制逻辑相反的两晶体管来实现。
为了图面简明而便于说明，电源转换电路100中的其他元件与连接关系并未绘示于图1中。
在图1的实施例中，控制信号产生电路110包含有控制电路111、第一逻辑电路113、第一传输装置115、以及第二传输装置117。控制电路111设置成产生一对差动式的第一信号S1以及第一反相信号S1b。第一逻辑电路113耦接于控制电路111，且设置成依据第一信号S1产生不完全同步于第一反相信号S1b的第二信号S2。在本实施例中，第二信号S2与第一反相信号S1b不同步的时间长度，是上桥控制信号UG或下桥控制信号LG处于有效状态的时间长度的至少20%。第一传输装置115耦接于第一逻辑电路113，且设置成依据第二信号S2以及参考信号REF产生第一控制信号HS1。前述的参考信号REF对应于前述节点LX上的电压大小。第二传输装置117耦接于控制电路111，且设置成依据第一反相信号S1b以及参考信号REF产生第二控制信号HS2。在本实施例中，第一传输装置115会形成一第一等效电容，第二传输装置117会形成一第二等效电容，且第一等效电容和第二等效电容皆具有足够高的电容值。
实作上，控制电路111可用各种PWM信号产生器或PFM信号产生器来实现。例如，控制电路111可用正反器、闩锁器、或是其他逻辑电路的组合实现。
第一传输装置115的等效电容值愈高，第一传输装置115承受高压信号冲击的能力会愈强。同样地，第二传输装置117的等效电容值愈高，第二传输装置117承受高压信号冲击的能力也会愈强。在电源转换电路100运作的过程中，倘若输入电压HV逆流至控制信号产生电路110，则可利用第一传输装置115和第二传输装置117的高等效电容值，来吸收输入电压HV的高压冲击，以避免输入电压HV的高压成分直接冲击到控制信号产生电路110中的第一逻辑电路113和控制电路111。换言之，藉由第一传输装置115和第二传输装置117的设置，可有效避免电源转换电路100中的控制信号产生电路110受到输入电压HV的高压破坏。
前述第一传输装置115和第二传输装置117所耦接的参考信号REF，可以是一外部预设信号或是电源转换电路100内部的信号。例如，控制信号产生电路110可直接利用节点LX上的电压信号来作为参考信号REF。或者，控制信号产生电路110也可以将节点LX上的电压信号进行降压，以产生与节点LX上的电压信号具有比例关系的降压信号，再利用该降压信号作为参考信号REF。当利用节点LX上的电压信号来作为参考信号REF时，能有效降低第一传输装置115和第二传输装置117所承受的电压差，故可提升第一传输装置115和第二传输装置117承受输入电压HV的能力。
接着，逻辑重生电路130会依据第一控制信号HS1以及第二控制信号HS2，产生上桥控制信号UG以及下桥控制信号LG，以分别控制第一开关150以及第二开关170的导通时间。
在本实施例中，逻辑重生电路130包含有第二逻辑电路131、正反器133、以及第三逻辑电路135。当第二逻辑电路131耦接于第一传输装置115以及第二传输装置117时，第二逻辑电路131会产生设置信号Set以及重置信号Reset。正反器133耦接于第二逻辑电路131，且设置成依据设置信号Set以及重置信号Reset产生上桥控制信号UG，以控制第一开关150的导通时间。第三逻辑电路135耦接于正反器133，且设置成依据上桥控制信号UG产生下桥控制信号LG，以控制第二开关170的导通时间。
前述电源转换电路100中的不同功能方块可分别用不同的电路来实现，也可整合在一单一电路芯片中。例如，可将第一开关150以及第二开关170整合到逻辑重生电路130中。
图2为图1的电源转换电路100中的一运作实施例简化后的时序图。为方便说明起见，在此系假设控制信号产生电路110的控制电路111是用PWM信号产生器来实现。在图2的实施例中，控制电路111的内部元件所产生的脉宽调变信号PWM，会在时间T1时由低准位切换至高准位，且在时间T2时由高准位切换至低准位。为方便说明起见，在此假设脉宽调变信号PWM、上桥控制信号UG、和下桥控制信号LG皆为高电平有效信号。
控制电路111会产生与脉宽调变信号PWM的边缘相对应的一对差动式的第一信号S1和第一反相信号S1b。如前所述，第一逻辑电路113会依据第一信号S1产生不完全同步于第一反相信号S1b的第二信号S2。如图2所示，第一逻辑电路113会在第二信号S2中加入一段额外的有效脉波，以形成一保护窗(protection window)210，使得第二信号S2与第一反相信号S1b不同步的时段为一保护时段P1。在一实施例中，前述的保护时段P1占了T1～T2时段的至少20%。亦即，保护时段P1的时间长度，相当于是脉宽调变信号PWM处于有效状态的时间长度的至少20%。
第一传输装置115会依据第二信号S2产生相对应的第一控制信号HS1。第二传输装置117会依据第一反相信号S1b产生相对应的第二控制信号HS2。由于第二信号S2与第一反相信号S1b不完全同步，故第一控制信号HS1也不完全同步于第二控制信号HS2。在对应于第二信号S2中的保护窗210的信号边缘的时间点，第一传输装置115所产生的第一控制信号HS1中，会出现相对应的第一指示脉波220以及第二指示脉波230。
如图2所示，当逻辑重生电路130中的第二逻辑电路131第一次侦测到第一控制信号HS1与第二控制信号HS2开始呈现差动式信号的变化态样时，第二逻辑电路131会将设置信号Set切换至有效状态。当第二逻辑电路131将设置信号Set切换至有效状态时，正反器133会受到设置信号Set的边缘触发，而将上桥控制信号UG切换至有效状态，以导通第一开关150。此时，第三逻辑电路135会依据上桥控制信号UG将下桥控制信号LG切换至无效状态，以截止第二开关170。
在本实施例中，第二逻辑电路131不会一直藉由比较第一控制信号HS1与第二控制信号HS2间的相位关系，来决定设置信号Set的准位。相反地，第二逻辑电路131会在经过预定数量的工作时脉周期时，例如，在图2中的时间T3，便忽略第一控制信号HS1与第二控制信号HS2间的相位关系，并将设置信号Set切换至无效状态。此时，后级的正反器133的输出信号不会受到影响，因此，上桥控制信号UG仍会维持在有效状态，而下桥控制信号LG仍会维持在无效状态。如此一来，如图2所示，即使之后第一控制信号HS1与第二控制信号HS2中有噪声出现，也不会影响到上桥控制信号UG和下桥控制信号LG的状态。换言之，前述第二逻辑电路131产生设置信号Set的方式，可提升电源转换电路100的抗噪声能力。
第二逻辑电路131可藉由侦测第一控制信号HS1中的第一指示脉波220和第二指示脉波230的方式，来辨识出前述保护窗210所对应的保护时段P1的所在时间。在保护时段P1中，第二逻辑电路131会无视于第二控制信号HS2的变化，以避免因第二控制信号HS2中的噪声而误触发重置信号Reset的情况发生。换言之，前述第一逻辑电路113在第二信号S2中所设置的保护窗210，可降低第二逻辑电路131因第二控制信号HS2中的噪声而发生误作动的情况，故能提升电源转换电路100的抗噪声能力。
在保护时段P1结束之后，若第二逻辑电路131侦测到第一控制信号HS1与第二控制信号HS2又再次呈现差动式信号的变化态样，则第二逻辑电路131会将重置信号Reset切换至有效状态。当第二逻辑电路131将重置信号Reset切换至有效状态时，正反器133会受到重置信号Reset的边缘触发，而将上桥控制信号UG切换至无效状态，以截止第一开关150。此时，第三逻辑电路135会依据上桥控制信号UG将下桥控制信号LG切换至有效状态，以导通第二开关170。
同样地，第二逻辑电路131会在经过预定数量的工作时脉周期时，例如，在图2中的时间T4，便忽略第一控制信号HS1与第二控制信号HS2间的相位关系，并将重置信号Reset切换至无效状态。此时，后级的正反器133的输出信号不会受到影响，因此，上桥控制信号UG仍会维持在无效状态，而下桥控制信号LG仍会维持在有效状态。如此一来，即使之后第一控制信号HS1与第二控制信号HS2中有噪声出现，也不会影响到上桥控制信号UG和下桥控制信号LG的状态。换言之，前述第二逻辑电路131产生重置信号Reset的方式，可提升电源转换电路100的抗噪声能力。
由上述的说明可知，逻辑重生电路130会依据控制信号产生电路110输出的第一控制信号HS1与第二控制信号HS2，来产生与脉宽调变信号PWM相对应的上桥控制信号UG和下桥控制信号LG，且上桥控制信号UG和下桥控制信号LG和边缘会对应于脉宽调变信号PWM的边缘。因此，前述第二信号S2与第一反相信号S1b不同步的时间长度，亦即保护时段P1的时间长度，会相当于是上桥控制信号UG和下桥控制信号LG的其中之一处于有效状态的时间长度的至少20%。例如，在前述图2的实施例中，前述第二信号S2与第一反相信号S1b不同步的时间长度，会相当于是上桥控制信号UG处于有效状态的时间长度的至少20%。
以下将搭配图3至图10来进一步说明前述的第一传输装置115和第二传输装置117的实施方式。
请参考图3及图4。图3为图1中的第一传输装置115的第一实施例简化后的示意图。图4为图3中的第一传输装置115沿着A-A’方向简化后的剖面示意图。第一传输装置115包含有基底310、第一介电层320、第二介电层330、第一蜿蜒状(meandering)金属体340、以及第二蜿蜒状金属体350。基底310的第二表面314耦接于参考信号REF。第一介电层320位于基底310上。第二介电层330位于第一介电层320上。第一蜿蜒状金属体340位于第二介电层330中，且垂直于基底310的第一表面312。第二蜿蜒状金属体350位于第二介电层330中，且垂直于基底310的第一表面312。换言之，第一蜿蜒状金属体340与第二蜿蜒状金属体350两者皆垂直于基底310。
在本实施例中，第一蜿蜒状金属体340与第二蜿蜒状金属体350彼此相邻但不接触，使得第一蜿蜒状金属体340与第二蜿蜒状金属体350间形成具有高电容值的等效电容，可避免输入电压HV经由信号传递路径，逆流回控制信号产生电路110而损坏控制信号产生电路110中的电路。
如图4所示，基底310的第一表面312与第二表面314间会形成第一寄生电容410。基底310与第二介电层330间则会形成第二寄生电容420。前述的第一寄生电容410与第二寄生电容420会形成串联组态，并可等效成一等效寄生电容。藉由电容的串联效应，上述等效寄生电容的电容值，会小于第一寄生电容410以及第二寄生电容420的个别电容值。因此，基底310中的第一寄生电容410，以及第一介电层320中的第二寄生电容420不会影响到第一控制信号HS1的传输质量。换言之，采用图3和图4架构的第一传输装置115，并不会影响到逻辑重生电路130所产生的上桥控制信号UG以及下桥控制信号LG的信号质量。
第二传输装置117与第一传输装置115的架构相同，因此，有关前述图3与图4中的第一传输装置115的实施方式、运作方式、以及优点的说明，也适用于第二传输装置117。为简明起见，在此不重复叙述。
由前述说明可知，藉由第一传输装置115和第二传输装置117的设置，可有效避免电源转换电路100中的控制信号产生电路110受到输入电压HV的高压破坏，且不会影响到第一控制信号HS1和第二控制信号HS2的传输质量。另外，前述控制信号产生电路110中的第一逻辑电路113产生第二信号S2的方式，可降低逻辑重生电路130因第二控制信号HS2中的噪声而发生误作动的情况，故能提升电源转换电路100的抗噪声能力。再者，前述逻辑重生电路130中的第二逻辑电路131产生设置信号Set和重置信号Reset的方式，也可降低逻辑重生电路130因第一控制信号HS1和第二控制信号HS2中的噪声而发生误作动的情况，同样能提升电源转换电路100的抗噪声能力。
请参考图5及图6。图5为图1中的第一传输装置115的第二实施例简化后的示意图。图6为图5中的第一传输装置115沿着B-B’方向简化后的剖面示意图。第一传输装置115包含有基底510、第一介电层520、第二介电层530、第三介电层540、第一蜿蜒状金属体550、以及第二蜿蜒状金属体560。第一介电层520位于基底510上。第二介电层530位于第一介电层520上。第三介电层540的第一表面542直接连接于基底510，且第三介电层540的第二表面544耦接于参考信号REF。第一蜿蜒状金属体550位于第二介电层530中，且垂直于第三介电层540的第一表面542。第二蜿蜒状金属体560位于第二介电层530中，且垂直于第三介电层540的第一表面542。换言之，第一蜿蜒状金属体550与第二蜿蜒状金属体560两者皆垂直于基底510。
在本实施例中，第一蜿蜒状金属体550与第二蜿蜒状金属体560彼此相邻但不接触，使得第一蜿蜒状金属体550与第二蜿蜒状金属体560间形成具有高电容值的等效电容，可避免输入电压HV经由信号传递路径，逆流回控制信号产生电路110而损坏控制信号产生电路110中的电路。
如图6所示，第一介电层520与第三介电层540间会形成第一寄生电容610。基底510与第二介电层530间会形成第二寄生电容620。第三介电层540的第一表面542与第二表面544间会形成第三寄生电容640。前述的第一寄生电容610、第二寄生电容620、以及第三寄生电容640会形成串联组态，并可等效成一等效寄生电容。藉由电容的串联效应，上述等效寄生电容的电容值，会小于第一寄生电容610的电容值、第二寄生电容620的电容值、以及第三寄生电容640的电容值。因此，基底510中的第一寄生电容610、第一介电层520中的第二寄生电容620、以及第三介电层540中的第三寄生电容640不会影响到第一控制信号HS1的传输质量。换言之，采用图5和图6架构的第一传输装置115，并不会影响到逻辑重生电路130所产生的上桥控制信号UG以及下桥控制信号LG的信号质量。
请参考图7及图8。图7为图1中的第一传输装置115的第三实施例简化后的示意图。图8为图7中的第一传输装置115沿着C-C’方向简化后的剖面示意图。第一传输装置115包含有基底710、第一介电层720、第二介电层730、导孔层740、第三介电层750、第一蜿蜒状金属体760、以及第二蜿蜒状金属体770。基底710的第二表面714耦接于参考信号REF。第一介电层720位于基底710上。第二介电层730位于第一介电层720上。导孔层740位于第二介电层730上。第三介电层750位于导孔层740上。第一蜿蜒状金属体760垂直于基底710的第一表面712。第一蜿蜒状金属体760的第一部份位于第三介电层750中，第一蜿蜒状金属体760的第二部份位于第二介电层730中，且第一蜿蜒状金属体760的第一部份和第二部份藉由导孔层740相耦接。第二蜿蜒状金属体770垂直于基底710的第一表面712。第二蜿蜒状金属体770的第一部份位于第三介电层750中，第二蜿蜒状金属体770的第二部份位于第二介电层730中，且第二蜿蜒状金属体770的第一部份和第二部份藉由导孔层740相耦接。换言之，第一蜿蜒状金属体760与第二蜿蜒状金属体770两者皆垂直于基底710。
在本实施例中，第一蜿蜒状金属体760与第二蜿蜒状金属体770彼此相邻但不接触，使得第一蜿蜒状金属体760与第二蜿蜒状金属体770间形成具有高电容值的等效电容，可避免输入电压HV经由信号传递路径，逆流回控制信号产生电路110而损坏控制信号产生电路110中的电路。
如图8所示，基底710的第一表面712与第二表面714间会形成第一寄生电容810。基底710与第二介电层730间会形成第二寄生电容820。前述的第一寄生电容810与第二寄生电容820会形成串联组态，并可等效成一等效寄生电容。藉由电容的串联效应，上述等效寄生电容的电容值，会小于第一寄生电容810的电容值以及第二寄生电容820的电容值。因此，基底710中的第一寄生电容810，以及第一介电层720中的第二寄生电容820不会影响到第一控制信号HS1的传输质量。换言之，采用图7和图8架构的第一传输装置115，并不会影响到逻辑重生电路130所产生的上桥控制信号UG以及下桥控制信号LG的信号质量。
请参考图9及图10。图9为图1中的第一传输装置115的第四实施例简化后的示意图。图10为图9中的第一传输装置115沿着D-D’方向简化后的剖面示意图。第一传输装置115包含有基底910、阻隔区920、连接区930、第一蜿蜒状金属体940、以及第二蜿蜒状金属体950。基底910的第二表面914耦接于参考信号REF。阻隔区920包含有至少一阻隔区介电层922，且每一阻隔区介电层922上设置有一阻隔区导孔层924。连接区930包含有至少三个连接区介电层932，且每两个连接区介电层932间设置有一连接区导孔层934。第一蜿蜒状金属体940包含至少一第一金属区段942以及多个第二金属区段944。第二蜿蜒状金属体950包含至少一第三金属区段952以及多个第四金属区段954。
如图10所示，各第一金属区段942、各第二金属区段944、各第三金属区段952、以及各第四金属区段954皆垂直于基底910的第一表面912。换言之，第一蜿蜒状金属体940与第二蜿蜒状金属体950两者皆垂直于基底910。
各第一金属区段942的至少一部份位于阻隔区920的至少一阻隔区介电层922，各第一金属区段942中的多个部份分别位于多个连接区介电层932，且各第一金属区段942中的不同部份藉由至少一阻隔区导孔层924和多个连接区导孔层934相耦接。另外，各第二金属区段944中的多个部份分别位于多个连接区介电层932，且各第二金属区段944中的不同部份藉由多个连接区导孔层934相耦接。
各第三金属区段952的至少一部份位于阻隔区920的至少一阻隔区介电层922，各第三金属区段952中的多个部份分别位于多个连接区介电层932，且第三金属区段952中的不同部份藉由至少一阻隔区导孔层924和多个连接区导孔层934相耦接。此外，各第四金属区段954中的多个部份分别位于多个连接区介电层932，且各第四金属区段954中的不同部份藉由多个连接区导孔层934相耦接。
藉由多个连接区导孔层934耦接第一蜿蜒状金属体940中的多个部分金属体，以及耦接第二蜿蜒状金属体950中的多个部分金属体，可增加第一蜿蜒状金属体940与第二蜿蜒状金属体950相邻交错但不接触的面积，故可在有限的空间中形成具有更高电容值的等效电容，以避免输入电压HV经由信号传递路径，逆流回控制信号产生电路110而损坏控制信号产生电路110中的电路。
上述的第一金属区段942以及第三金属区段952的金属体积，大于各第二金属区段944以及各第四金属区段954的金属体积，故可利用第一金属区段942以及第三金属区段952来避免各第二金属区段944以及各第四金属区段954受到外部的噪声干扰。
如图10所示，基底910的第一表面912与第二表面914间会形成第一寄生电容1010。基底910与连接区930之间形成第二寄生电容1020。前述的第一寄生电容1010与第二寄生电容1020，会形成串联组态，并可等效成一等效寄生电容。藉由电容的串联效应，上述等效寄生电容的电容值，会小于第一寄生电容1010的电容值以及第二寄生电容1020的电容值。因此，第一寄生电容1010以及第二寄生电容1020不会影响到第一控制信号HS1的传输质量。换言之，采用图9和图10架构的第一传输装置115，并不会影响到逻辑重生电路130所产生的上桥控制信号UG以及下桥控制信号LG的信号质量。
第二传输装置117与第一传输装置115的架构相同，因此，有关前述图5至图10中的第一传输装置115的实施方式、运作方式、以及优点的说明，也适用于第二传输装置117。为简明起见，在此不重复叙述。
图11为本发明另一实施例的电源转换电路1100简化后的功能方块图。电源转换电路1100包含有控制信号产生电路1110、逻辑重生电路130、第一开关150、第二开关170、以及电感装置190。图11的实施例与图1的实施例相似，主要差别在于电源转换电路1100中的控制信号产生电路1110，省略了前述控制信号产生电路110中的第一逻辑电路113，以精简电路的架构。
在图11的实施例中，第一传输装置115会直接依据第一信号S1以及参考信号REF产生第三控制信号HS3。由于第一信号S1与第一反相信号S1b为同步的差动式信号，故第三控制信号HS3也会同步于第二传输装置117产生的第二控制信号HS2。
前述实施例中的逻辑重生电路130、第一开关150、第二开关170、以及电感装置190等元件的实施方式、运作方式、以及相关优点的说明，也适用于图11的实施例中，为简明起见，在此不重复叙述。
实作上，可将前述控制信号产生电路110或控制信号产生电路1110中的传输装置117省略，以进一步简化电路架构。此时，逻辑重生电路130可单独依据第一控制信号HS1或第三控制信号HS3来产生上桥控制信号UG以及下桥控制信号LG，进而降低电路的复杂度。
在上述的实施例中，每一个功能方块都能够以多个电路元件的方式实施，或者多个功能方块皆能够适当的结合为单一个电路元件。例如，亦可将前述的第一传输装置115以及第二传输装置117改整合到逻辑重生电路130中。
请注意，在说明书及申请专利范围中使用的「电压信号」一词在实作上可用电流形式来表达，而在说明书及申请专利范围中使用的「电流信号」一词在实作上也可用电压形式来表达。
在说明书及申请专利范围中使用了某些词汇来指称特定的元件。然而，所属技术领域的技术人员应可理解，同样的元件可能会用不同的名词来称呼。说明书及申请专利范围并不以名称的差异作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异来作为区分的基准。在说明书及申请专利范围所提及的「包含」为开放式的用语，故应解释成「包含但不限定于」。另外，「耦接」在此包含任何直接及间接的连接手段。因此，若文中描述第一元件耦接于第二元件，则代表第一元件可通过电性连接或无线传输、光学传输等信号连接方式而直接地连接于第二元件，或者通过其他元件或连接手段间接地电性或信号连接至该第二元件。
在此所使用的「及/或」的描述方式，包含所列举的其中之一或多个项目的任意组合。另外，除非说明书中特别指明，否则任何单数格的用语都同时包含复数格的涵义。
在说明书及申请专利范围当中所提及的「元件」(element)一词，包含了构件(component)、层构造(layer)、或区域(region)的概念。
附图的某些元件的尺寸及相对大小会被加以放大，或者某些元件的形状会被简化，以便能更清楚地表达实施例的内容。因此，除非申请人有特别指明，附图中各元件的形状、尺寸、相对大小及相对位置等仅是便于说明，而不应被用来限缩本发明的专利范围。此外，本发明可用许多不同的形式来体现，在解释本发明时，不应仅局限于本说明书所提出的实施例态样。
为了说明上的方便，说明书中可能会使用一些与空间中的相对位置有关的叙述，对附图中某元件的功能或是该元件与其他元件间的相对空间关系进行描述。例如，「于…上」、「在…上方」、「于…下」、「在…下方」、「高于…」、「低于…」、「向上」、「向下」等等。所属技术领域的技术人员应可理解，这些与空间中的相对位置有关的叙述，不仅包含所描述的元件在附图中的指向关系(orientation)，也包含所描述的元件在使用、运作、或组装时的各种不同指向关系。例如，若将附图上下颠倒过来，则原先用「于…上」来描述的元件，就会变成「于…下」。因此，在说明书中所使用的「于…上」的描述方式，解释上包含了「于…下」以及「于…上」两种不同的指向关系。同理，在此所使用的「向上」一词，解释上包含了「向上」以及「向下」两种不同的指向关系。
在说明书及申请专利范围中，若描述第一元件位于第二元件上、在第二元件上方、连接、接合、耦接于第二元件或与第二元件相接，则表示第一元件可直接位在第二元件上、直接连接、直接接合、直接耦接于第二元件，亦可表示第一元件与第二元件间存在其他元件。相对之下，若描述第一元件直接位在第二元件上、直接连接、直接接合、直接耦接、或直接相接于第二元件，则代表第一元件与第二元件间不存在其他元件。
以上仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
Claims (55)
1.一种电源转换电路的控制信号产生电路，该电源转换电路包含一逻辑重生电路、一第一开关、一第二开关、以及一电感装置，其中，该电感装置耦接于该第一开关和该第二开关之间的一节点，且该逻辑重生电路利用一上桥控制信号和一下桥控制信号来分别控制该第一开关和该第二开关，其特征在于，该控制信号产生电路包含：
一控制电路，设置成产生一第一信号；
一第一逻辑电路，耦接于该控制电路，且设置成依据该第一信号产生一第二信号；以及
一第一传输装置，耦接于该第一逻辑电路，且设置成依据该第二信号以及一参考信号产生一第一控制信号，其中，该参考信号对应于该节点上的一电压；
其中，该第一传输装置形成一第一等效电容，且该逻辑重生电路依据至少该第一控制信号来产生该上桥控制信号和该下桥控制信号。
2.如权利要求1的控制信号产生电路，其特征在于，该第一传输装置另包含：
一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，该第二表面耦接于该参考信号；
一第一介电层，位于该基底的该第一表面上；
一第二介电层，位于该第一介电层上；
一第一蜿蜒状金属体，位于该第二介电层中，且垂直于该基底的该第一表面；以及
一第二蜿蜒状金属体，位于该第二介电层中，且垂直于该基底的该第一表面；
其中，该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触，使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第一等效电容。
3.如权利要求2的控制信号产生电路，其特征在于，该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容，该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容，其中，该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
4.如权利要求1的控制信号产生电路，其特征在于，该第一传输装置另包含：
一基底；
一第一介电层，位于该基底上；
一第二介电层，位于该第一介电层上；
一第三介电层，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，该第一表面直接连接于该基底，且该第二表面耦接于该参考信号；
一第一蜿蜒状金属体，位于该第二介电层中，且垂直于该第三介电层的该第一表面；以及
一第二蜿蜒状金属体，位于该第二介电层中，且垂直于该第三介电层的该第一表面；
其中，该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触，使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第一等效电容。
5.如权利要求4的控制信号产生电路，其特征在于，该第一介电层与该第三介电层间形成一第一寄生电容、该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容，以及该第一表面与该第二表面间形成一第三寄生电容，其中，该第一寄生电容、该第二寄生电容以及该第三寄生电容彼此串联。
6.如权利要求1的控制信号产生电路，其特征在于，该第一传输装置另包含：
一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，该第二表面耦接于该参考信号；
一第一介电层，位于该基底的该第一表面上；
一第二介电层，位于该第一介电层上；
一导孔层，位于该第二介电层上；
一第三介电层，位于该导孔层上；
一第一蜿蜒状金属体，垂直于该基底的该第一表面，其中，该第一蜿蜒状金属体的一第一部份位于该第三介电层中，该第一蜿蜒状金属体的一第二部份位于该第二介电层中，且该第一蜿蜒状金属体的该第一部份和该第二部份藉由该导孔层相耦接；以及
一第二蜿蜒状金属体，垂直于该基底的该第一表面，其中，该第二蜿蜒状金属体的一第一部份位于该第三介电层中，该第二蜿蜒状金属体的一第二部份位于该第二介电层中，且该第二蜿蜒状金属体的该第一部份和该第二部份藉由该导孔层相耦接；
其中，该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触，使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第一等效电容。
7.如权利要求6的控制信号产生电路，其特征在于，该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容，以及该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容，其中，该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
8.如权利要求1的控制信号产生电路，其特征在于，该第一传输装置另包含：
一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，该第二表面耦接于该参考信号；
一阻隔区，包含有至少一阻隔区介电层，且每一阻隔区介电层上设置有一阻隔区导孔层；
一连接区，包含有至少三个连接区介电层，且每两个连接区介电层间设置有一连接区导孔层；
一第一蜿蜒状金属体，包含至少一第一金属区段以及多个第二金属区段；以及
一第二蜿蜒状金属体，包含至少一第三金属区段以及多个第四金属区段；
其中，该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触，使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第一等效电容，且各第一金属区段、各第二金属区段、各第三金属区段、以及各第四金属区段皆垂直于该基底的该第一表面；
其中，各第一金属区段的至少一部份位于该阻隔区的至少一阻隔区介电层，各第一金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层，且各第一金属区段中的不同部份藉由至少一阻隔区导孔层和多个连接区导孔层相耦接；
其中，各第二金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层，且各第二金属区段中的不同部份藉由多个连接区导孔层相耦接；
其中，各第三金属区段的至少一部份位于该阻隔区的至少一阻隔区介电层，各第三金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层，且各第三金属区段中的不同部份藉由至少一阻隔区导孔层和多个连接区导孔层相耦接；以及
其中，各第四金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层，且各第四金属区段中的不同部份藉由多个连接区导孔层相耦接。
9.如权利要求8的控制信号产生电路，其特征在于，该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容，该基底与该连接区之间形成一第二寄生电容，其中，该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
10.如权利要求1的控制信号产生电路，其特征在于，该控制电路还会产生一第一反相信号，且该控制信号产生电路另包含：
一第二传输装置，耦接于该控制电路，且设置成依据该第一反相信号以及该参考信号产生一第二控制信号；
其中，该第二传输装置形成一第二等效电容，该第一逻辑电路产生的该第二信号并非完全同步于该第一反相信号，该第二信号与该第一反相信号不同步的时间长度，是该上桥控制信号或该下桥控制信号处于有效状态的时间长度的至少20％，且该逻辑重生电路依据该第一控制信号及该第二控制信号，来产生该上桥控制信号以及该下桥控制信号。
11.如权利要求10的控制信号产生电路，其特征在于，该第二传输装置另包含：
一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，该第二表面耦接于该参考信号；
一第一介电层，位于该基底的该第一表面上；
一第二介电层，位于该第一介电层上；
一第一蜿蜒状金属体，位于该第二介电层中，且垂直于该基底的该第一表面；以及
一第二蜿蜒状金属体，位于该第二介电层中，且垂直于该基底的该第一表面；
其中，该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触，使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第二等效电容。
12.如权利要求11的控制信号产生电路，其特征在于，该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容，该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容，其中，该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
13.如权利要求10的控制信号产生电路，其特征在于，该第二传输装置另包含：
一基底；
一第一介电层，位于该基底上；
一第二介电层，位于该第一介电层上；
一第三介电层，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，该第一表面直接连接于该基底，且该第二表面耦接于该参考信号；
一第一蜿蜒状金属体，位于该第二介电层中，且垂直于该第三介电层的该第一表面；以及
一第二蜿蜒状金属体，位于该第二介电层中，且垂直于该第三介电层的该第一表面；
其中，该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触，使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第二等效电容。
14.如权利要求13的控制信号产生电路，其特征在于，该第一介电层与该第三介电层间形成一第一寄生电容、该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容，以及该第一表面与该第二表面间形成一第三寄生电容，其中，该第一寄生电容、该第二寄生电容以及该第三寄生电容彼此串联。
15.如权利要求10的控制信号产生电路，其特征在于，该第二传输装置另包含：
一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，该第二表面耦接于该参考信号；
一第一介电层，位于该基底的该第一表面上；
一第二介电层，位于该第一介电层上；
一导孔层，位于该第二介电层上；
一第三介电层，位于该导孔层上；
一第一蜿蜒状金属体，垂直于该基底的该第一表面，其中，该第一蜿蜒状金属体的一第一部份位于该第三介电层中，该第一蜿蜒状金属体的一第二部份位于该第二介电层中，且该第一蜿蜒状金属体的该第一部份和该第二部份藉由该导孔层相耦接；以及
一第二蜿蜒状金属体，垂直于该基底的该第一表面，其中，该第二蜿蜒状金属体的一第一部份位于该第三介电层中，该第二蜿蜒状金属体的一第二部份位于该第二介电层中，且该第二蜿蜒状金属体的该第一部份和该第二部份藉由该导孔层相耦接；
其中，该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触，使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第二等效电容。
16.如权利要求15的控制信号产生电路，其特征在于，该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容，以及该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容，其中，该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
17.如权利要求10的控制信号产生电路，其特征在于，该第二传输装置另包含：
一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，该第二表面耦接于该参考信号；
一阻隔区，包含有至少一阻隔区介电层，且每一阻隔区介电层上设置有一阻隔区导孔层；
一连接区，包含有至少三个连接区介电层，且每两个连接区介电层间设置有一连接区导孔层；
一第一蜿蜒状金属体，包含至少一第一金属区段以及多个第二金属区段；以及
一第二蜿蜒状金属体，包含至少一第三金属区段以及多个第四金属区段；
其中，该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触，使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第二等效电容，且各第一金属区段、各第二金属区段、各第三金属区段、以及各第四金属区段皆垂直于该基底的该第一表面；
其中，各第一金属区段的至少一部份位于该阻隔区的至少一阻隔区介电层，各第一金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层，且各第一金属区段中的不同部份藉由至少一阻隔区导孔层和多个连接区导孔层相耦接；
其中，各第二金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层，且各第二金属区段中的不同部份藉由多个连接区导孔层相耦接；
其中，各第三金属区段的至少一部份位于该阻隔区的至少一阻隔区介电层，各第三金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层，且各第三金属区段中的不同部份藉由至少一阻隔区导孔层和多个连接区导孔层相耦接；以及
其中，各第四金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层，且各第四金属区段中的不同部份藉由多个连接区导孔层相耦接。
18.如权利要求17的控制信号产生电路，其特征在于，该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容，该基底与该连接区之间形成一第二寄生电容，其中，该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
19.一种电源转换电路的逻辑重生电路，该电源转换电路包含一控制信号产生电路、一第一开关、一第二开关、以及一电感装置，其中，该电感装置耦接于该第一开关和该第二开关之间的一节点，其特征在于，该逻辑重生电路包含：
一第一传输装置，当耦接于该控制信号产生电路时，该第一传输装置依据该控制信号产生电路产生的一第二信号以及一参考信号，产生一第一控制信号，其中，该参考信号对应于该节点上的一电压；
一第二逻辑电路，耦接于该第一传输装置，且设置成依据至少该第一控制信号产生一设置信号以及一重置信号；
一正反器，耦接于该第二逻辑电路，且设置成依据该设置信号以及该重置信号产生一上桥控制信号，以控制该第一开关的导通时间；以及
一第三逻辑电路，耦接于该正反器，且设置成依据该上桥控制信号产生一下桥控制信号，以控制该第二开关的导通时间；
其中，该第一传输装置形成一第一等效电容。
20.如权利要求19的逻辑重生电路，其特征在于，该第一传输装置另包含：
一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，该第二表面耦接于该参考信号；
一第一介电层，位于该基底的该第一表面上；
一第二介电层，位于该第一介电层上；
一第一蜿蜒状金属体，位于该第二介电层中，且垂直于该基底的该第一表面；以及
一第二蜿蜒状金属体，位于该第二介电层中，且垂直于该基底的该第一表面；
其中，该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触，使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第一等效电容。
21.如权利要求20的逻辑重生电路，其特征在于，该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容，该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容，其中，该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
22.如权利要求19的逻辑重生电路，其特征在于，该第一传输装置另包含：
一基底；
一第一介电层，位于该基底上；
一第二介电层，位于该第一介电层上；
一第三介电层，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，该第一表面直接连接于该基底，且该第二表面耦接于该参考信号；
一第一蜿蜒状金属体，位于该第二介电层中，且垂直于该第三介电层的该第一表面；以及
一第二蜿蜒状金属体，位于该第二介电层中，且垂直于该第三介电层的该第一表面；
其中，该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触，使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第一等效电容。
23.如权利要求22的逻辑重生电路，其特征在于，该第一介电层与该第三介电层间形成一第一寄生电容、该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容，以及该第一表面与该第二表面间形成一第三寄生电容，其中，该第一寄生电容、该第二寄生电容以及该第三寄生电容彼此串联。
24.如权利要求19的逻辑重生电路，其特征在于，该第一传输装置另包含：
一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，该第二表面耦接于该参考信号；
一第一介电层，位于该基底的该第一表面上；
一第二介电层，位于该第一介电层上；
一导孔层，位于该第二介电层上；
一第三介电层，位于该导孔层上；
一第一蜿蜒状金属体，垂直于该基底的该第一表面，其中，该第一蜿蜒状金属体的一第一部份位于该第三介电层中，该第一蜿蜒状金属体的一第二部份位于该第二介电层中，且该第一蜿蜒状金属体的该第一部份和该第二部份藉由该导孔层相耦接；以及
一第二蜿蜒状金属体，垂直于该基底的该第一表面，其中，该第二蜿蜒状金属体的一第一部份位于该第三介电层中，该第二蜿蜒状金属体的一第二部份位于该第二介电层中，且该第二蜿蜒状金属体的该第一部份和该第二部份藉由该导孔层相耦接；
其中，该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触，使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第一等效电容。
25.如权利要求24的逻辑重生电路，其特征在于，该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容，以及该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容，其中，该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
26.如权利要求19的逻辑重生电路，其特征在于，该第一传输装置另包含：
一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，该第二表面耦接于该参考信号；
一阻隔区，包含有至少一阻隔区介电层，且每一阻隔区介电层上设置有一阻隔区导孔层；
一连接区，包含有至少三个连接区介电层，且每两个连接区介电层间设置有一连接区导孔层；
一第一蜿蜒状金属体，包含至少一第一金属区段以及多个第二金属区段；以及
一第二蜿蜒状金属体，包含至少一第三金属区段以及多个第四金属区段；
其中，该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触，使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第一等效电容，且各第一金属区段、各第二金属区段、各第三金属区段、以及各第四金属区段皆垂直于该基底的该第一表面；
其中，各第一金属区段的至少一部份位于该阻隔区的至少一阻隔区介电层，各第一金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层，且各第一金属区段中的不同部份藉由至少一阻隔区导孔层和多个连接区导孔层相耦接；
其中，各第二金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层，且各第二金属区段中的不同部份藉由多个连接区导孔层相耦接；
其中，各第三金属区段的至少一部份位于该阻隔区的至少一阻隔区介电层，各第三金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层，且各第三金属区段中的不同部份藉由至少一阻隔区导孔层和多个连接区导孔层相耦接；以及
其中，各第四金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层，且各第四金属区段中的不同部份藉由多个连接区导孔层相耦接。
27.如权利要求26的逻辑重生电路，其特征在于，该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容，该基底与该连接区之间形成一第二寄生电容，其中，该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
28.如权利要求19的逻辑重生电路，其特征在于，另包含：
一第二传输装置，当耦接于该控制信号产生电路时，该第二传输装置依据该控制信号产生电路产生的一第一反相信号以及该参考信号，产生一第二控制信号；
其中，该第二传输装置形成一第二等效电容，且该第二逻辑电路依据该第一控制信号以及该第二控制信号产生该设置信号以及该重置信号。
29.如权利要求28的逻辑重生电路，其特征在于，该第二信号并非完全同步于该第一反相信号，且该第二信号与该第一反相信号不同步的时间长度，是该上桥控制信号或该下桥控制信号处于有效状态的时间长度的至少20％。
30.如权利要求28的逻辑重生电路，其特征在于，该第二传输装置另包含：
一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，该第二表面耦接于该参考信号；
一第一介电层，位于该基底的该第一表面上；
一第二介电层，位于该第一介电层上；
一第一蜿蜒状金属体，位于该第二介电层中，且垂直于该基底的该第一表面；以及
一第二蜿蜒状金属体，位于该第二介电层中，且垂直于该基底的该第一表面；
其中，该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触，使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第二等效电容。
31.如权利要求30的逻辑重生电路，其特征在于，该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容，该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容，其中，该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
32.如权利要求28的逻辑重生电路，其特征在于，该第二传输装置另包含：
一基底；
一第一介电层，位于该基底上；
一第二介电层，位于该第一介电层上；
一第三介电层，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，该第一表面直接连接于该基底，且该第二表面耦接于该参考信号；
一第一蜿蜒状金属体，位于该第二介电层中，且垂直于该第三介电层的该第一表面；以及
一第二蜿蜒状金属体，位于该第二介电层中，且垂直于该第三介电层的该第一表面；
其中，该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触，使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第二等效电容。
33.如权利要求32的逻辑重生电路，其特征在于，该第一介电层与该第三介电层间形成一第一寄生电容、该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容，以及该第一表面与该第二表面间形成一第三寄生电容，其中，该第一寄生电容、该第二寄生电容以及该第三寄生电容彼此串联。
34.如权利要求28的逻辑重生电路，其特征在于，该第二传输装置另包含：
一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，该第二表面耦接于该参考信号；
一第一介电层，位于该基底的该第一表面上；
一第二介电层，位于该第一介电层上；
一导孔层，位于该第二介电层上；
一第三介电层，位于该导孔层上；
一第一蜿蜒状金属体，垂直于该基底的该第一表面，其中，该第一蜿蜒状金属体的一第一部份位于该第三介电层中，该第一蜿蜒状金属体的一第二部份位于该第二介电层中，且该第一蜿蜒状金属体的该第一部份和该第二部份藉由该导孔层相耦接；以及
一第二蜿蜒状金属体，垂直于该基底的该第一表面，其中，该第二蜿蜒状金属体的一第一部份位于该第三介电层中，该第二蜿蜒状金属体的一第二部份位于该第二介电层中，且该第二蜿蜒状金属体的该第一部份和该第二部份藉由该导孔层相耦接；
其中，该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触，使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第二等效电容。
35.如权利要求34的逻辑重生电路，其特征在于，该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容，以及该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容，其中，该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
36.如权利要求28的逻辑重生电路，其特征在于，该第二传输装置另包含：
一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，该第二表面耦接于该参考信号；
一阻隔区，包含有至少一阻隔区介电层，且每一阻隔区介电层上设置有一阻隔区导孔层；
一连接区，包含有至少三个连接区介电层，且每两个连接区介电层间设置有一连接区导孔层；
一第一蜿蜒状金属体，包含至少一第一金属区段以及多个第二金属区段；以及
一第二蜿蜒状金属体，包含至少一第三金属区段以及多个第四金属区段；
其中，该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触，使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第二等效电容，且各第一金属区段、各第二金属区段、各第三金属区段、以及各第四金属区段皆垂直于该基底的该第一表面；
其中，各第一金属区段的至少一部份位于该阻隔区的至少一阻隔区介电层，各第一金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层，且各第一金属区段中的不同部份藉由至少一阻隔区导孔层和多个连接区导孔层相耦接；
其中，各第二金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层，且各第二金属区段中的不同部份藉由多个连接区导孔层相耦接；
其中，各第三金属区段的至少一部份位于该阻隔区的至少一阻隔区介电层，各第三金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层，且各第三金属区段中的不同部份藉由至少一阻隔区导孔层和多个连接区导孔层相耦接；以及
其中，各第四金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层，且各第四金属区段中的不同部份藉由多个连接区导孔层相耦接。
37.如权利要求36的逻辑重生电路，其特征在于，该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容，该基底与该连接区之间形成一第二寄生电容，其中，该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
38.一种电源转换电路的控制信号产生电路，该电源转换电路包含一逻辑重生电路、一第一开关、一第二开关、以及一电感装置，其中，该电感装置耦接于该第一开关和该第二开关之间的一节点，且该逻辑重生电路利用一上桥控制信号和一下桥控制信号来分别控制该第一开关和该第二开关，其特征在于，该控制信号产生电路包含：
一控制电路，设置成产生一第一信号；以及
一第一传输装置，耦接于该控制电路，且设置成依据该第一信号以及一参考信号产生一第三控制信号，其中，该参考信号对应于该节点上的一电压；
其中，该第一传输装置形成一第一等效电容，且该逻辑重生电路依据至少该第三控制信号来产生该上桥控制信号和该下桥控制信号。
39.如权利要求38的控制信号产生电路，其特征在于，该第一传输装置另包含：
一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，该第二表面耦接于该参考信号；
一第一介电层，位于该基底的该第一表面上；
一第二介电层，位于该第一介电层上；
一第一蜿蜒状金属体，位于该第二介电层中，且垂直于该基底的该第一表面；以及
一第二蜿蜒状金属体，位于该第二介电层中，且垂直于该基底的该第一表面；
其中，该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触，使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第一等效电容。
40.如权利要求39的控制信号产生电路，其特征在于，该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容，该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容，其中，该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
41.如权利要求38的控制信号产生电路，其特征在于，该第一传输装置另包含：
一基底；
一第一介电层，位于该基底上；
一第二介电层，位于该第一介电层上；
一第三介电层，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，该第一表面直接连接于该基底，且该第二表面耦接于该参考信号；
一第一蜿蜒状金属体，位于该第二介电层中，且垂直于该第三介电层的该第一表面；以及
一第二蜿蜒状金属体，位于该第二介电层中，且垂直于该第三介电层的该第一表面；
其中，该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触，使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第一等效电容。
42.如权利要求41的控制信号产生电路，其特征在于，该第一介电层与该第三介电层间形成一第一寄生电容、该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容，以及该第一表面与该第二表面间形成一第三寄生电容，其中，该第一寄生电容、该第二寄生电容以及该第三寄生电容彼此串联。
43.如权利要求38的控制信号产生电路，其特征在于，该第一传输装置另包含：
一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，该第二表面耦接于该参考信号；
一第一介电层，位于该基底的该第一表面上；
一第二介电层，位于该第一介电层上；
一导孔层，位于该第二介电层上；
一第三介电层，位于该导孔层上；
一第一蜿蜒状金属体，垂直于该基底的该第一表面，其中，该第一蜿蜒状金属体的一第一部份位于该第三介电层中，该第一蜿蜒状金属体的一第二部份位于该第二介电层中，且该第一蜿蜒状金属体的该第一部份和该第二部份藉由该导孔层相耦接；以及
一第二蜿蜒状金属体，垂直于该基底的该第一表面，其中，该第二蜿蜒状金属体的一第一部份位于该第三介电层中，该第二蜿蜒状金属体的一第二部份位于该第二介电层中，且该第二蜿蜒状金属体的该第一部份和该第二部份藉由该导孔层相耦接；
其中，该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触，使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第一等效电容。
44.如权利要求43的控制信号产生电路，其特征在于，该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容，以及该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容，其中，该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
45.如权利要求38的控制信号产生电路，其特征在于，该第一传输装置另包含：
一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，该第二表面耦接于该参考信号；
一阻隔区，包含有至少一阻隔区介电层，且每一阻隔区介电层上设置有一阻隔区导孔层；
一连接区，包含有至少三个连接区介电层，且每两个连接区介电层间设置有一连接区导孔层；
一第一蜿蜒状金属体，包含至少一第一金属区段以及多个第二金属区段；以及
一第二蜿蜒状金属体，包含至少一第三金属区段以及多个第四金属区段；
其中，该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触，使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第一等效电容，且各第一金属区段、各第二金属区段、各第三金属区段、以及各第四金属区段皆垂直于该基底的该第一表面；
其中，各第一金属区段的至少一部份位于该阻隔区的至少一阻隔区介电层，各第一金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层，且各第一金属区段中的不同部份藉由至少一阻隔区导孔层和多个连接区导孔层相耦接；
其中，各第二金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层，且各第二金属区段中的不同部份藉由多个连接区导孔层相耦接；
其中，各第三金属区段的至少一部份位于该阻隔区的至少一阻隔区介电层，各第三金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层，且各第三金属区段中的不同部份藉由至少一阻隔区导孔层和多个连接区导孔层相耦接；以及
其中，各第四金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层，且各第四金属区段中的不同部份藉由多个连接区导孔层相耦接。
46.如权利要求45的控制信号产生电路，其特征在于，该参考信号耦接于该节点，且于该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容，该基底与该连接区之间形成一第二寄生电容，其中，该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
47.如权利要求38的控制信号产生电路，其特征在于，该控制电路还会产生一第一反相信号，且该控制信号产生电路另包含：
一第二传输装置，耦接于该控制电路，且设置成依据该第一反相信号以及该参考信号产生一第二控制信号；
其中，该第二传输装置形成一第二等效电容，且该逻辑重生电路依据该第三控制信号及该第二控制信号，来产生该上桥控制信号以及该下桥控制信号。
48.如权利要求47的控制信号产生电路，其特征在于，该第二传输装置另包含：
一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，该第二表面耦接于该参考信号；
一第一介电层，位于该基底的该第一表面上；
一第二介电层，位于该第一介电层上；
一第一蜿蜒状金属体，位于该第二介电层中，且垂直于该基底的该第一表面；以及
一第二蜿蜒状金属体，位于该第二介电层中，且垂直于该基底的该第一表面；
其中，该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触，使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第二等效电容。
49.如权利要求48的控制信号产生电路，其特征在于，该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容，该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容，其中，该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
50.如权利要求47的控制信号产生电路，其特征在于，该第二传输装置另包含：
一基底；
一第一介电层，位于该基底上；
一第二介电层，位于该第一介电层上；
一第三介电层，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，该第一表面直接连接于该基底，且该第二表面耦接于该参考信号；
一第一蜿蜒状金属体，位于该第二介电层中，且垂直于该第三介电层的该第一表面；以及
一第二蜿蜒状金属体，位于该第二介电层中，且垂直于该第三介电层的该第一表面；
其中，该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触，使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第二等效电容。
51.如权利要求50的控制信号产生电路，其特征在于，该第一介电层与该第三介电层间形成一第一寄生电容、该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容，以及该第一表面与该第二表面间形成一第三寄生电容，其中，该第一寄生电容、该第二寄生电容以及该第三寄生电容彼此串联。
52.如权利要求47的控制信号产生电路，其特征在于，该第二传输装置另包含：
一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，该第二表面耦接于该参考信号；
一第一介电层，位于该基底的该第一表面上上；
一第二介电层，位于该第一介电层上；
一导孔层，位于该第二介电层上；
一第三介电层，位于该导孔层上；
一第一蜿蜒状金属体，垂直于该基底的该第一表面，其中，该第一蜿蜒状金属体的一第一部份位于该第三介电层中，该第一蜿蜒状金属体的一第二部份位于该第二介电层中，且该第一蜿蜒状金属体的该第一部份和该第二部份藉由该导孔层相耦接；以及
一第二蜿蜒状金属体，垂直于该基底的该第一表面，其中，该第二蜿蜒状金属体的一第一部份位于该第三介电层中，该第二蜿蜒状金属体的一第二部份位于该第二介电层中，且该第二蜿蜒状金属体的该第一部份和该第二部份藉由该导孔层相耦接；
其中，该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触，使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第二等效电容。
53.如权利要求52的控制信号产生电路，其特征在于，该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容，以及该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容，其中，该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
54.如权利要求47的控制信号产生电路，其特征在于，该第二传输装置另包含：
一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，该第二表面耦接于该参考信号；
一阻隔区，包含有至少一阻隔区介电层，且每一阻隔区介电层上设置有一阻隔区导孔层；
一连接区，包含有至少三个连接区介电层，且每两个连接区介电层间设置有一连接区导孔层；
一第一蜿蜒状金属体，包含至少一第一金属区段以及多个第二金属区段；以及
一第二蜿蜒状金属体，包含至少一第三金属区段以及多个第四金属区段；
其中，该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触，使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第二等效电容，且各第一金属区段、各第二金属区段、各第三金属区段、以及各第四金属区段皆垂直于该基底的该第一表面；
其中，各第一金属区段的至少一部份位于该阻隔区的至少一阻隔区介电层，各第一金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层，且各第一金属区段中的不同部份藉由至少一阻隔区导孔层和多个连接区导孔层相耦接；
其中，各第二金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层，且各第二金属区段中的不同部份藉由多个连接区导孔层相耦接；
其中，各第三金属区段的至少一部份位于该阻隔区的至少一阻隔区介电层，各第三金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层，且各第三金属区段中的不同部份藉由至少一阻隔区导孔层和多个连接区导孔层相耦接；以及
其中，各第四金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层，且各第四金属区段中的不同部份藉由多个连接区导孔层相耦接。
55.如权利要求54的控制信号产生电路，其特征在于，该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容，该基底与该连接区之间形成一第二寄生电容，其中，该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310162604.1A CN104143903B (zh) | 2013-05-06 | 2013-05-06 | 电源转换电路的控制信号产生电路和相关的逻辑重生电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310162604.1A CN104143903B (zh) | 2013-05-06 | 2013-05-06 | 电源转换电路的控制信号产生电路和相关的逻辑重生电路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104143903A CN104143903A (zh) | 2014-11-12 |
| CN104143903B true CN104143903B (zh) | 2016-12-28 |
Family
ID=51853007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310162604.1A Expired - Fee Related CN104143903B (zh) | 2013-05-06 | 2013-05-06 | 电源转换电路的控制信号产生电路和相关的逻辑重生电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104143903B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1181848A (zh) * | 1995-12-27 | 1998-05-13 | 菲利浦电子有限公司 | 用于半桥电路的集成驱动器 |
| US6859087B2 (en) * | 2002-10-31 | 2005-02-22 | International Rectifier Corporation | Half-bridge high voltage gate driver providing protection of a transistor |
| CN1691480A (zh) * | 2004-04-14 | 2005-11-02 | 株式会社瑞萨科技 | 电源设备和开关式电源设备 |
| CN1783717A (zh) * | 2004-11-29 | 2006-06-07 | 株式会社瑞萨科技 | 电源驱动器电路 |
| CN1856929A (zh) * | 2003-09-25 | 2006-11-01 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 开关式电源转换器 |
-
2013
- 2013-05-06 CN CN201310162604.1A patent/CN104143903B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1181848A (zh) * | 1995-12-27 | 1998-05-13 | 菲利浦电子有限公司 | 用于半桥电路的集成驱动器 |
| US6859087B2 (en) * | 2002-10-31 | 2005-02-22 | International Rectifier Corporation | Half-bridge high voltage gate driver providing protection of a transistor |
| CN1856929A (zh) * | 2003-09-25 | 2006-11-01 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 开关式电源转换器 |
| CN1691480A (zh) * | 2004-04-14 | 2005-11-02 | 株式会社瑞萨科技 | 电源设备和开关式电源设备 |
| CN1783717A (zh) * | 2004-11-29 | 2006-06-07 | 株式会社瑞萨科技 | 电源驱动器电路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104143903A (zh) | 2014-11-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103762969B (zh) | 一种抗噪声干扰的高压侧栅驱动电路 | |
| CN101917811B (zh) | 一种抗噪声干扰的高端驱动电路 | |
| KR102067200B1 (ko) | 공진 클록 모드와 통상의 클록 모드 간의 전이 | |
| TW200843441A (en) | A method to reduce power in active shield circuits that use complementary traces | |
| CN106257668A (zh) | 半导体器件 | |
| CN106134080B (zh) | 电平移位电路 | |
| ITMI982844A1 (it) | Variatore di livello per circuiteria a tensione d'alimentazionemultipla | |
| CN104851845A (zh) | 具有降低的寄生回路电感的集成电路封装 | |
| CN103457597A (zh) | 包括过应力保护的转换器 | |
| CN104579253B (zh) | 一种具有抗扰特性的仿生时钟电路及其实现方法 | |
| CN104143903B (zh) | 电源转换电路的控制信号产生电路和相关的逻辑重生电路 | |
| CN105529907A (zh) | 一种dc-dc负压产生电路及方法 | |
| CN203813657U (zh) | 一种电源自适应的电荷泵装置 | |
| CN109878442B (zh) | 电源箱、车载电源系统及车辆 | |
| CN111884626B (zh) | 双边沿d触发器 | |
| CN100367644C (zh) | 具有隔离式接地的电子电路 | |
| CN101079325B (zh) | 移位寄存器电路 | |
| CN103187965A (zh) | 具有数字地的栅极驱动器 | |
| ITTO20010530A1 (it) | Buffer di uscita per una memoria non volatile con riduzione del rumore di commutazione sul segnale di uscita e memoria non volatile comprend | |
| JPH10257768A (ja) | 電源装置 | |
| US20110025378A1 (en) | Semiconductor integrated circuit and layout method thereof | |
| CN209297308U (zh) | 电子电路 | |
| CN206259915U (zh) | 一种低功耗小尺寸的上电复位电路 | |
| CN219780133U (zh) | 隔离通信电路及电气系统 | |
| CN105048998A (zh) | 冗余时钟转变容限锁存电路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20161228 |