CN104143600A - 一种密封led灯及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
一种密封led灯及其制作方法，所述密封led灯包括：陶瓷基板、环氧树脂模塑料(Epoxy Molding Compound，EMC)半球形堵头、荧光胶体和led发光芯片，其中，所述陶瓷基板上预先布置有线路，并在靠近连接电源的两端安装EMC半球形堵头，在两个半球形堵头之间预先布置的线路上设有倒装的led发光芯片，所述两个EMC半球形堵头之间的陶瓷基板和led发光芯片上具有封装用增粘剂的覆盖层，荧光胶体通过模具注塑的方式包裹所述两个EMC半球形堵头之间的陶瓷基板。，这样能够使得led灯具有更好的密封性，使其能够适应更多的使用环境。
Description
技术领域
本发明涉及led灯技术，特别是指一种密封led灯及其制作方法。
背景技术
led(Light Emitting Diode)灯是一种利用发光二极管，将电能转化为可见光的固态的半导体器件，它可以直接把电能转化为光能。Led灯的核心是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子占主导地位。这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是led灯发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。
最初led灯是用作仪器仪表的指示光源，后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用。在现有的应用中，有些时候需要将led灯浸泡在液体中，而浸泡时会出现荧光胶体部分与基板脱离导致led灯失效的问题，同时在焊接过程中容易出现引脚脱落的现象。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例的主要目的在于提供一种密封led灯及其制作方法，能够防止led灯浸泡在液体中时，液体渗入造成光源失效。
为达到上述目的，本发明实施例的技术方案是这样实现的：
本发明提供了一种密封led灯，所述密封led灯包括：陶瓷基板、环氧树脂模塑料(Epoxy Molding Compound，EMC)半球形堵头、荧光胶体和led发光芯片，其中，
所述陶瓷基板上预先布置有线路，并在靠近连接电源的两端安装EMC半球形堵头，在两个半球形堵头之间预先布置的线路上设有倒装的led发光芯片，所述两个EMC半球形堵头之间的陶瓷基板和led发光芯片上具有封装用增粘剂的覆盖层，荧光胶体通过模具注塑的方式包裹所述两个EMC半球形堵头之间的陶瓷基板。
其中，所述陶瓷基板上预先布置有线路，具体为：通过蚀刻、蒸镀的方法在陶瓷基板上预先布置线路。
其中，所述在靠近连接电源的两端安装EMC半球形堵头，具体为：将EMC材料通过模具注塑的方式，形成与陶瓷基板一体化的半球形堵头。
其中，所述倒装的led发光芯片，具体为：通过共晶焊接方式固定在陶瓷基板的预先布置的线路上。
本发明还提供了一种密封led灯的制作方法，所述方法包括：
在预先布置有线路的陶瓷基板靠近连接电源的两端安装EMC半球形堵头；
在两个EMC半球形堵头之间预先布置的线路上安装倒装的led发光芯片；
在两个EMC半球形堵头之间的陶瓷基板和led发光芯片上喷涂封装用增粘剂的覆盖层；
通过模具注塑的方式，用荧光胶体在两个EMC半球形堵头之间完成封装。
其中，所述预先布置有线路的陶瓷基板，具体为：通过蚀刻、蒸镀的方法在陶瓷基板上预先布置线路。
其中，所述在预先布置有线路的陶瓷基板靠近连接电源的两端安装EMC半球形堵头，具体为：将EMC材料通过模具注塑的方式，形成与陶瓷基板一体化的半球形堵头。
其中，所述倒装的led发光芯片，具体为：通过共晶焊接方式固定在陶瓷基板的预先布置的线路上。
本发明实施例提供的一种密封led灯及其制作方法，所述密封led灯包括：陶瓷基板、环氧树脂模塑料(Epoxy Molding Compound，EMC)半球形堵头、荧光胶体和led发光芯片，其中，所述陶瓷基板上预先布置有线路，并在靠近连接电源的两端安装EMC半球形堵头，在两个半球形堵头之间预先布置的线路上设有倒装的led发光芯片，所述两个EMC半球形堵头之间的陶瓷基板和led发光芯片上具有封装用增粘剂的覆盖层，荧光胶体通过模具注塑的方式包裹所述两个EMC半球形堵头之间的陶瓷基板。，这样能够使得led灯具有更好的密封性，使其能够适应更多的使用环境。
附图说明
图1是传统led灯的结构示意图；
图2是本发明一种密封led灯的示意图；
图3为本发明试验中装置的结构示意图。
具体实施方式
下面通过附图及具体实施例对本发明实施例再做进一步的详细说明。
为了更好的了解本发明，先介绍一下传统led灯的结构，图1是传统led灯的结构示意图，如图1所示，传统led灯包括：金属连接片11、荧光胶体12、金丝键合线13、led发光芯片14和陶瓷基板15，其中，led发光芯片14固定在陶瓷基板15上，并通过金丝键合线13连接各个芯片，金属连接片11通过粘接的方式固定在陶瓷基板15的两端用于连接电源，荧光胶体12通过涂布或模具封装的方式固定在整个陶瓷基板15上。
本发明实施例提供了一种密封led灯，图2是本发明一种密封led灯的示意图，如图2所示，所述密封led灯包括：陶瓷基板21、环氧树脂模塑料(EpoxyMolding Compound，EMC)半球形堵头22、荧光胶体23和led发光芯片24，其中，
所述陶瓷基板21上预先布置有线路，并在靠近连接电源的两端安装EMC半球形堵头22，在两个半球形堵头22之间预先布置的线路上设有倒装的led发光芯片24，所述两个EMC半球形堵头22之间的陶瓷基板21和led发光芯片24上具有封装用增粘剂的覆盖层，荧光胶体23通过模具注塑的方式包裹所述两个EMC半球形堵头22之间的陶瓷基板21。
具体的，所述陶瓷基板21上预先布置有线路，具体为：通过蚀刻、蒸镀的方法在陶瓷基板21上预先布置线路。所述在靠近连接电源的两端安装EMC半球形堵头22，具体为：将EMC材料通过模具注塑的方式，形成与陶瓷基板21一体化的半球形堵头22。所述倒装的led发光芯片24，具体为：通过共晶焊接方式固定在陶瓷基板21的预先布置的线路上。所述倒装的led发光芯片24可以避免采用芯片之间的金属键合线，有效解决因led发光芯片24受热膨胀时引起的键合线断裂导致led光源失效。所述封装用增粘剂的覆盖层，具体为：与硅胶和EMC能够粘连的材料。该覆盖层的作用是：荧光胶体23固化后与EMC的结合力较差，易脱落，而封装用增粘剂与荧光胶体23(例如硅胶)和EMC的结合力都较强，使用封装用增粘剂的覆盖层作为介质可以有效防止硅胶与EMC和陶瓷基板被液体浸透导致的分离现象。
在实际应用中，两个EMC半球形堵头22为中空的模式，能够与最终包裹在最外层的荧光胶体23形成保护层，避免液体渗入led灯内。
图3是本发明一种密封led灯的制作方法的流程示意图，如图3所示，所述方法包括：
步骤301，在预先布置有线路的陶瓷基板21靠近连接电源的两端安装EMC半球形堵头22；
具体的，所述预先布置有线路的陶瓷基板21，具体为：通过蚀刻、蒸镀的方法在陶瓷基板21上预先布置线路。所述在预先布置有线路的陶瓷基板21靠近连接电源的两端安装EMC半球形堵头22，具体为：将EMC材料通过模具注塑的方式，形成与陶瓷基板21一体化的半球形堵头22。
步骤302，在两个EMC半球形堵头22之间预先布置的线路上安装倒装的led发光芯片24；
具体的，所述倒装的led发光芯片24，具体为：通过共晶焊接方式固定在陶瓷基板21的预先布置的线路上。所述倒装的led发光芯片24可以避免采用芯片之间的金属键合线，有效解决因led发光芯片24受热膨胀时引起的键合线断裂导致led光源失效。
步骤303，在两个EMC半球形堵头22之间的陶瓷基板21和led发光芯片24上喷涂封装用增粘剂的覆盖层；
具体的，所述封装用增粘剂的覆盖层，具体为：与硅胶和EMC能够粘连的材料。该覆盖层的作用是：荧光胶体23固化后与EMC的结合力较差，易脱落，而封装用增粘剂与荧光胶体23(例如硅胶)和EMC的结合力都较强，使用封装用增粘剂的覆盖层作为介质可以有效防止硅胶与EMC和陶瓷基板被液体浸透导致的分离现象。
步骤304，通过模具注塑的方式，用荧光胶体23在两个EMC半球形堵头22之间完成封装。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种密封led灯，其特征在于，所述密封led灯包括：陶瓷基板、环氧树脂模塑料(Epoxy Molding Compound，EMC)半球形堵头、荧光胶体和led发光芯片，其中，
所述陶瓷基板上预先布置有线路，并在靠近连接电源的两端安装EMC半球形堵头，在两个半球形堵头之间预先布置的线路上设有倒装的led发光芯片，所述两个EMC半球形堵头之间的陶瓷基板和led发光芯片上具有封装用增粘剂的覆盖层，荧光胶体通过模具注塑的方式包裹所述两个EMC半球形堵头之间的陶瓷基板。
2.根据权利要求1所述的密封led灯，其特征在于，所述陶瓷基板上预先布置有线路，具体为：通过蚀刻、蒸镀的方法在陶瓷基板上预先布置线路。
3.根据权利要求1所述的密封led灯，其特征在于，所述在靠近连接电源的两端安装EMC半球形堵头，具体为：将EMC材料通过模具注塑的方式，形成与陶瓷基板一体化的半球形堵头。
4.根据权利要求1所述的密封led灯，其特征在于，所述倒装的led发光芯片，具体为：通过共晶焊接方式固定在陶瓷基板的预先布置的线路上。
5.一种密封led灯的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在预先布置有线路的陶瓷基板靠近连接电源的两端安装EMC半球形堵头；
在两个EMC半球形堵头之间预先布置的线路上安装倒装的led发光芯片；
在两个EMC半球形堵头之间的陶瓷基板和led发光芯片上喷涂封装用增粘剂的覆盖层；
通过模具注塑的方式，用荧光胶体在两个EMC半球形堵头之间完成封装。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述预先布置有线路的陶瓷基板，具体为：通过蚀刻、蒸镀的方法在陶瓷基板上预先布置线路。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在预先布置有线路的陶瓷基板靠近连接电源的两端安装EMC半球形堵头，具体为：将EMC材料通过模具注塑的方式，形成与陶瓷基板一体化的半球形堵头。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述倒装的led发光芯片，具体为：通过共晶焊接方式固定在陶瓷基板的预先布置的线路上。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105156918A (zh) * | 2015-05-04 | 2015-12-16 | 苏州百奥丽光电科技有限公司 | 一种光源无需封装的led灯及其生产工艺 |
| CN105179406A (zh) * | 2015-08-20 | 2015-12-23 | 哈尔滨工业大学 | 一种高温光纤传感器的胶封方法及装置 |
| CN107507900A (zh) * | 2017-10-03 | 2017-12-22 | 浙江中宙光电股份有限公司 | 一种注塑封装的led灯珠及其制作方法 |
| CN110021698A (zh) * | 2019-04-25 | 2019-07-16 | 吴宇嘉 | 双层封胶结构的led显示屏的封装工艺 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN202561540U (zh) * | 2012-03-21 | 2012-11-28 | 陈晓东 | 一种led防水柔性灯带 |
| CN103367612A (zh) * | 2013-07-03 | 2013-10-23 | 深圳雷曼光电科技股份有限公司 | Led封装结构及工艺 |
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2014
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN202561540U (zh) * | 2012-03-21 | 2012-11-28 | 陈晓东 | 一种led防水柔性灯带 |
| CN103367612A (zh) * | 2013-07-03 | 2013-10-23 | 深圳雷曼光电科技股份有限公司 | Led封装结构及工艺 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105156918A (zh) * | 2015-05-04 | 2015-12-16 | 苏州百奥丽光电科技有限公司 | 一种光源无需封装的led灯及其生产工艺 |
| CN105179406A (zh) * | 2015-08-20 | 2015-12-23 | 哈尔滨工业大学 | 一种高温光纤传感器的胶封方法及装置 |
| CN107507900A (zh) * | 2017-10-03 | 2017-12-22 | 浙江中宙光电股份有限公司 | 一种注塑封装的led灯珠及其制作方法 |
| CN110021698A (zh) * | 2019-04-25 | 2019-07-16 | 吴宇嘉 | 双层封胶结构的led显示屏的封装工艺 |
| CN110021698B (zh) * | 2019-04-25 | 2020-05-29 | 吴宇嘉 | 双层封胶结构的led显示屏的封装工艺 |
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