CN104103496A - 基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

一种基板处理方法，进行第1处理工序，该第1处理工序一边使基板旋转，一边将含有纯水的液体供给于该基板，在第1处理工序之后，进行第2处理工序，该第2处理工序一边使基板旋转，一边将液体供给于该基板。第2处理工序是在基板的表面电势的增加率比第1处理工序低的条件下进行。例如，第2处理工序以比第1处理工序中的基板的旋转速度低的旋转速度地使基板旋转而进行。采用本发明的基板处理方法，可抑制基板表面的带电。

Description

基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种用纯水或超纯水等的液体对基板进行处理(例如冲洗)的方法，尤其涉及对形成在基板上的构造体(例如绝缘膜，或金属膜，或包含绝缘膜以及金属膜的器件)的带电进行抑制并对基板进行处理的基板处理方法。
背景技术
在半导体器件的制造工序中，在硅基板上形成有物理特性不同的各种膜，且对这些膜实施各种加工而形成细微的金属配线。例如，在镶嵌配线形成工序中，在膜上形成配线槽，将金属埋入在该配线槽内，然后利用化学机械研磨(CMP)去除多余金属而形成金属配线。对于经这种镶嵌配线形成工序制成的基板的表面，存在金属膜、阻隔膜和绝缘膜等多种膜。
对基板进行研磨的CMP装置(研磨装置)，通常具有对研磨后的基板进行清洗、干燥的基板清洗装置。基板的清洗是一边使基板旋转，一边使辊形海绵等的清洗件与基板滑动接触而进行的。基板表面清洗后，将超纯水(DIW)供给到旋转的基板的表面上，由此基板的表面得到冲洗。在使基板干燥之前，也一边使基板旋转一边将超纯水供给到基板的表面上，由此对基板表面进行冲洗。
发明所要解决的课题
供给到旋转的基板上的超纯水，一般我们知道其电阻率(≧15MΩ·cm)高，基板表面因与超纯水的接触而带电。实际上，当将超纯水供给到形成有金属配线和绝缘膜等的基板表面上时，基板带电的现象通过实验得到确认。该带电现象的主要原因被认为在于超纯水具有较高的电阻率和在旋转的基板上的超纯水的流动，但没有定论。基板表面的带电，是由理应通过清洗基板表面而被去除的微粒再附着或放电而造成的器件破损的原因。另外，在具有铜配线的器件中，铜自身(Cu)容易受表面带电的影响而移动，且有时铜附着在绝缘膜上。其结果，在配线之间有时产生短路或漏电，或有时引起铜配线与绝缘膜之间的密接不良。
专利文献1：日本专利特开平9-270412号公报
发明内容
本发明是为了解决上述问题而做成的，其目的在于提供一种能够抑制基板表面带电的基板处理方法。
用于解决课题的手段
为了实现上述目的，本发明的一形态是一种基板处理方法，其特点是，进行第1处理工序，在所述第1处理工序中一边使基板旋转，一边将含有纯水的液体供给于该基板，在所述第1处理工序之后，进行第2处理工序，在所述第2处理工序中一边使所述基板旋转，一边将所述液体供给于该基板，所述第2处理工序是在所述基板的表面电势的增加率比所述第1处理工序低的条件下进行的。
本发明的较佳形态其特点是，所述第2处理工序中的所述基板的旋转速度低于所述第1处理工序中的所述基板的旋转速度，或在所述第2处理工序中供给于所述基板的所述液体的流量少于在所述第1处理工序中供给于所述基板的所述液体的流量。
本发明的较佳形态其特点是，所述液体是纯水。
本发明的较佳形态其特点是，所述纯水是电阻率为15MΩ·cm以上的超纯水。
本发明的较佳形态其特点是，所述液体是由超纯水稀释的药液。
发明的效果
本发明者从很多的实验中发现，若改变基板的处理条件，则基板的带电倾向会改变。更具体来说，发现：当在基板的表面电势的增加率比先前的处理工序低的条件下进行下一处理工序时，基板的带电被抑制，即基板的表面电势的增加被抑制。因此，根据本发明，能够一边反复进行基板处理工序，一边抑制基板的带电。
附图说明
图1是表示具有研磨单元、清洗单元、以及干燥单元的研磨装置的示图。
图2是表示第1研磨单元的立体图。
图3是表示一次清洗单元(基板清洗装置)的立体图。
图4是表示在纯水的供给流量为一定的条件下使晶片以不同的旋转速度旋转时研究的晶片的表面电势变化情况的实验结果的曲线图。
图5是表示研究的晶片的带电倾向根据晶片的旋转速度如何变化的实验结果的曲线图。
图6是表示晶片的带电的实验结果的曲线图。
图7是表示笔型海绵类型的基板清洗装置的立体图。
符号说明
1A～1D     研磨装置
2          壳体
6          装载/卸载部
8          清洗部
10         动作控制部
12         前装载部
14         行进机构
16         输送机械手
20         研磨垫
22A～22D   研磨台
24A～24D   顶环
26A～26D   研磨液供给喷嘴
28A～28D   修整单元
30A～30D   喷雾器
31         顶环臂
40         第1线性传送装置
42         第2线性传送装置
44         升降器
46         摆动式传送装置
48         临时放置台
50         第1输送机械手
52         一次清洗单元
54         二次清洗单元
56         干燥单元
58         第2输送机械手
70         第1清洗单元
71～74     保持辊
77、78     辊形海绵
80、81  旋转机构
82      升降驱动机构
85、86  纯水供给喷嘴
87、88  清洗液供给喷嘴
89      导轨
91      基板保持部
92      笔型海绵
94      臂
95      夹头
96      纯水供给喷嘴
97      清洗液供给喷嘴
98      电动机
100     回旋轴
101     电动机
具体实施方式
下面，参照说明书附图来对本发明的实施方式进行说明。
图1是表示具有研磨单元、清洗单元、以及干燥单元的研磨装置的示图。该研磨装置是能够对晶片(基板)进行研磨、清洗、干燥的一系列工序的基板处理装置。如图1所示，研磨装置具有大致矩形的壳体2，壳体2的内部被隔板2a、2b划分为装载/卸载部6、研磨部1以及清洗部8。研磨装置具有对晶片处理动作进行控制的动作控制部10。
装载/卸载部6具有放置晶片盒的装载口12，晶片盒贮存许多晶片。在该装载/卸载部6上沿装载口12并排敷设有行进机构14，在该行进机构14上设置有能够沿晶片盒的排列方向移动的输送机械手(装料器)16。输送机械手16通过在行进机构14上移动而可对搭载在装载口12上的晶片盒进行存取。
研磨部1是研磨晶片的区域，具有：第1研磨单元1A、第2研磨单元1B、第3研磨单元1C以及第4研磨单元1D。第1研磨单元1A具有：第1研磨台22A，所述第1研磨台22A安装有具有研磨面的研磨垫20；第1顶环24A，所述第1顶环24A用于对晶片进行保持并将晶片按压到第1研磨台22A上的研磨垫20上从而进行研磨；第1研磨液供给喷嘴26A，所述第1研磨液供给喷嘴26A用于将研磨液(例如浆料)或修整液(例如纯水)供给于研磨垫20上；第1修整单元28A，所述第1修整单元28A用于对研磨垫20的研磨面进行修整；以及第1喷雾器30A，所述第1喷雾器30A将液体(例如纯水)和气体(例如氮气)的混合流体或液体(例如纯水)作成雾状喷射到研磨面上。
同样，第2研磨单元1B具有：安装有研磨垫20的第2研磨台22B、第2顶环24B、第2研磨液供给喷嘴26B、第2修整单元28B以及第2喷雾器30B，第3研磨单元1C具有：安装有研磨垫20的第3研磨台22C、第3顶环24C、第3研磨液供给喷嘴26C、第3修整单元28C以及第3喷雾器30C，第4研磨单元1D具有：安装有研磨垫20的第4研磨台22D、第4顶环24D、第4研磨液供给喷嘴26D、第4修整单元28D以及第4喷雾器30D。
第1线性传送装置40与第1研磨单元1A以及第2研磨单元1B相邻配置。该第1线性传送装置40是在四个输送位置(第1输送位置TP1、第2输送位置TP2、第3输送位置TP3、第4输送位置TP4)之间输送晶片的机构。另外，第2线性传送装置42与第3研磨单元1C以及第4研磨单元1D相邻配置。该第2线性传送装置42是在三个输送位置(第5输送位置TP5、第6输送位置TP6、第7输送位置TP7)之间输送晶片的机构。
用于从输送机械手16接受晶片的升降器44与第1输送位置TP1相邻配置。晶片通过该升降器44从输送机械手16被交接在第1线性传送装置40上。位于升降器44与输送机械手16之间并在隔板2a上设有闸门(未图示)，输送晶片时闸门打开，晶片从输送机械手16被交接到升降器44上。
晶片被输送机械手16交接到升降器44上，再从升降器44被交接到第1线性传送装置40，然后被第1线性传送装置40输送到研磨单元1A、1B。第1研磨单元1A的顶环24A通过其摆动动作而在第1研磨台22A的上方位置与第2输送位置TP2之间移动。因此，晶片向顶环24A的交接在第2输送位置TP2进行。
同样，第2研磨单元1B的顶环24B在研磨台22B的上方位置与第3输送位置TP3之间移动，晶片向顶环24B的交接在第3输送位置TP3进行。第3研磨单元1C的顶环24C在研磨台22C的上方位置与第6输送位置TP6之间移动，晶片向顶环24C的交接在第6输送位置TP6进行。第4研磨单元1D的顶环24D在研磨台22D的上方位置与第7输送位置TP7之间移动，晶片向顶环24D的交接在第7输送位置TP7进行。
在第1线性传送装置40、第2线性传送装置42、清洗部8之间配置有摆动式传送装置46。晶片被摆动式传送装置46从第1线性传送装置40输送到第2线性传送装置42。进一步，晶片被第2线性传送装置42输送到第3研磨单元1C以及/或者第4研磨单元1D。
在摆动式传送装置46的侧方配置有设置在未图示的框架上的晶片的临时放置台48。该临时放置台48如图1所示，与第1线性传送装置40相邻配置，并位于第1线性传送装置40与清洗部8之间。摆动式传送装置46在第4输送位置TP4、第5输送位置TP5、以及临时放置台48之间输送晶片。
放置在临时放置台48上的晶片，被清洗部8的第1输送机械手50输送到清洗部8。清洗部8具有：用清洗液对研磨后的晶片进行清洗的一次清洗单元52及二次清洗单元54；以及对清洗后的晶片进行干燥的干燥单元56。第1输送机械手50如下述地动作：将晶片从临时放置台48输送到一次清洗单元52，再从一次清洗单元52输送到二次清洗单元54。在二次清洗单元54与干燥单元56之间配置有第2输送机械手58。该第2输送机械手58如下述地动作：将晶片从二次清洗单元54输送到干燥单元56。
干燥后的晶片被输送机械手16从干燥单元56中取出，并送回到晶片盒。如此，对晶片进行包含研磨、清洗以及干燥在内的一系列的处理。
第1研磨单元1A、第2研磨单元1B、第3研磨单元1C以及第4研磨单元1D具有互相相同的结构。因此，下面对第1研磨单元1A进行说明。图2是表示第1研磨单元1A的立体图。如图2所示，第1研磨单元1A具有：对研磨垫20进行支承的研磨台22A；将晶片W按压到研磨垫20上的顶环24A；以及用于将研磨液(浆料)供给到研磨垫20的研磨液供给喷嘴26A。在图2中，省略了第1修整单元28A和第1喷雾器30A。
研磨台22A通过台轴23而与配置在其下方的台用电动机25连接，研磨台22A通过该台用电动机25而向箭头所示的方向旋转。研磨垫20贴附在研磨台22A的上表面上，研磨垫20的上表面构成对晶片W进行研磨的研磨面20a。顶环24A固定在顶环旋转轴27的下端上。顶环24A构成为，其下表面可通过真空吸附能够对晶片W进行保持。顶环旋转轴27与设置在顶环臂31内的未图示的旋转机构连接，顶环24A被该旋转机构经由顶环旋转轴27旋转驱动。
如下地进行晶片W的表面的研磨。使顶环24A以及研磨台22A分别向箭头所示的方向旋转，从研磨液供给喷嘴26A将研磨液(浆料)供给到研磨垫20上。在该状态下，通过顶环24A将晶片W按压到研磨垫20的研磨面20a上。晶片W的表面，通过研磨液所含的磨粒的机械作用和研磨液所含的化学成分的化学作用而被研磨。
一次清洗单元52以及二次清洗单元54具有互相相同的结构。因此，下面对一次清洗单元52进行说明。图3是表示一次清洗单元(基板清洗装置)52的立体图。如图3所示，第1清洗单元52具有：将晶片W保持成水平并使其旋转的四个保持辊71、72、73、74；与晶片W的上下表面接触的辊形海绵(清洗件)77、78；使这些辊形海绵77、78旋转的旋转机构80、81；将纯水(最好是超纯水)供给于晶片W的上表面(形成有绝缘膜或金属膜，或包含绝缘膜以及金属膜的器件等的构造体的面)的上侧纯水供给喷嘴85、86；以及将清洗液(药液)供给于晶片W的上表面的上侧清洗液供给喷嘴87、88。虽未图示，但设有将纯水供给于晶片W的下表面的下侧纯水供给喷嘴、以及将清洗液(药液)供给于晶片W的下表面的下侧清洗液供给喷嘴。
保持辊71、72、73、74通过未图示的驱动机构(例如气缸)能够向与晶片W接近以及离开的方向移动。使上侧辊形海绵77旋转的旋转机构80安装在对其上下方向的移动进行导向的导轨89上。另外，该旋转机构80支承在升降驱动机构82上，旋转机构80以及上侧辊形海绵77通过升降驱动机构82在上下方向上移动。另外，虽未图示，但使下侧辊形海绵78旋转的旋转机构81也支承在导轨上，旋转机构81以及下侧辊形海绵78通过升降驱动机构而上下移动。作为升降驱动机构，使用例如采用了滚珠丝杠的电动机驱动机构或气缸。在清洗晶片W时，辊形海绵77、78向互相接近的方向移动并与晶片W的上下表面接触。
接着，对清洗晶片W的工序进行说明。首先，使晶片W绕其轴心旋转。然后，清洗液从上侧清洗液供给喷嘴87、88以及未图示的下侧清洗液供给喷嘴供给到晶片W的上表面以及下表面上。在该状态下，通过辊形海绵77、78一边绕沿其水平延伸的轴心旋转一边与晶片W的上下表面滑动接触，从而对晶片W的上下表面进行摩擦清洗。
摩擦清洗后，通过将纯水供给于旋转的晶片W而对晶片W进行洗涤(冲洗)。晶片W的冲洗，可以在辊形海绵77、78与晶片W的上下表面滑动接触的同时进行，也可在辊形海绵77、78离开晶片W的上下表面的状态下进行。
被研磨部1研磨后的晶片W，通过一次清洗单元52以及二次清洗单元54如上述那样地被清洗。也可通过三个以上的清洗单元来进行多阶段的清洗。
已知在冲洗晶片W时，当将纯水尤其电阻率高(≧15MΩ·cm)的超纯水供给到晶片上时，晶片会带电。晶片的带电倾向根据晶片的冲洗条件而变化。具体来说，晶片的表面电势(绝对值)的增加倾向，根据晶片的旋转速度、以及供给于晶片的纯水的供给流量而变化。图4是表示研究的在纯水的供给流量为一定的条件下使晶片以不同的速度旋转时晶片的表面电势产生变化情况的实验结果的曲线图。在处理A中以300min-1使晶片旋转，在处理B中以600min-1使晶片旋转，在处理C中以900min-1使晶片旋转。在处理A、B、C中，纯水的供给流量都是1L/min。
如图4所示，处理C中的带电倾向比处理B中的带电倾向大，处理B中的带电倾向比处理A中的带电倾向大。即，在纯水的供给流量为一定的条件下，晶片的旋转速度越高，晶片的表面电势就越与时间一起增加。此处，在本说明书中，表面电势的增加是指表面电势“V”的绝对值的增加。另外，在本说明书中，所谓的表面电势的增加率是指单位规定处理时间的表面电势“V”的绝对值的增加量，换言之，是指根据处理时间而变化的表面电势“V”的绝对值的增加量。
图5是研究的在晶片的旋转速度不同的条件下晶片的带电倾向根据冲洗时间如何变化的实验结果的曲线图。该实验是在纯水向晶片的供给流量为相同条件下进行的。在图5中，纵轴表示晶片的表面电势“V”，横轴表示纯水的供给时间“秒”。在第1实验中，在低带电条件下进行晶片的冲洗。具体来说，将晶片的旋转速度保持成100min-1并以规定的流量将纯水供给到晶片的表面。在第2实验中，在高带电条件下进行晶片的冲洗。即，将晶片的旋转速度保持成300min-1并以上述规定的流量将纯水供给到晶片表面。在第3实验中，在初始阶段在高带电条件下进行晶片的冲洗，从中途在低带电条件下进行晶片的冲洗。即，最初使晶片以300min-1旋转并以上述规定的流量将纯水供给于晶片的表面，然后纯水的供给流量保持成一定，同时将晶片的旋转速度从300min-1切换成100min-1。在第1、第2、第3实验中，以相同的纯水供给时间进行实施。
从图5所示的实验结果可知，当以300min-1的旋转速度使晶片旋转时，晶片的表面电势随着纯水的供给时间急剧增加。当将晶片的旋转速度从300min-1切换成100min-1时，表面电势(绝对值)逐渐变小，不久，与在低带电条件下实施的实验1中的表面电势大致相等。即，当将冲洗条件从高带电条件切换为低带电条件时，带电倾向接近低带电条件下的带电倾向。从该实验结果可知，晶片表面的带电，不是简单的积蓄，而是能够根据作为带电主要原因的纯水的电阻率、纯水向晶片的供给流量、以及晶片的旋转速度而产生变化。该晶片表面的带电倾向，可表示为时间依赖性的数值，即表示为表面电势的时间性变化。即，根据晶片冲洗的处理条件，晶片的表面电势随着冲洗时间(纯水供给时间)而增加，或减少。
根据上述的实验结果，本发明者发现，在对晶片进行多阶段清洗的场合，通过改变各清洗工序中的冲洗条件，能够抑制晶片的带电。即，当晶片在比先前的冲洗工序难以带电的条件下实施下一冲洗工序时，每实施一冲洗工序，晶片的表面电势显示减少的倾向。这意味着晶片的带电被抑制。比较而言，当晶片在比先前的冲洗工序容易带电的条件下实施下一冲洗工序时，每实施一冲洗工序，晶片的表面电势显示增加的倾向。
图6是表示晶片的带电的实验结果的曲线图。在图6中，纵轴表示晶片的表面电势“V”，横轴表示处理时间“秒”。在该实验中，进行了由一次清洗工序、二次清洗工序、以及三次清洗工序构成的三个阶段清洗。在各清洗工序中，在摩擦清洗晶片后将纯水供给30秒钟于晶片上而对该晶片进行冲洗，对冲洗后晶片的表面电势进行测量。下面，将一次清洗工序中的晶片冲洗称为一次冲洗工序，将二次清洗工序中的晶片冲洗称为二次冲洗工序，将三次工序中的晶片冲洗称为三次冲洗工序。
在第4实验中，在相同的条件下进行一次冲洗工序、二次冲洗工序、以及三次冲洗工序。在第5实验中，在晶片比一次冲洗工序容易带电的条件下进行二次冲洗工序，再在晶片比二次冲洗工序容易带电的条件下进行三次冲洗工序。在第6实验中，在晶片比一次冲洗工序难以带电的条件下进行二次冲洗工序，再在晶片比二次冲洗工序难以带电的条件下进行三次冲洗工序。如图6所示，通过改变影响晶片的带电的条件，从而晶片的带电倾向产生变化。另外，图6的虚线表示各实验中在相同条件下进一步实施冲洗工序时的预想的带电倾向。即，第4实验中的n+1次冲洗工序的条件是与n次冲洗工序相同的，第5实验中的n+1次冲洗工序的条件是晶片比n次冲洗工序容易带电的条件，第6实验中的n+1次冲洗工序的条件是晶片比n次冲洗工序难以带电的条件。
在晶片的冲洗工序中，晶片的带电，是根据晶片的旋转速度及供给于晶片的纯水的流量的。更具体地说，晶片的旋转速度越高，晶片就更容易带电(晶片的表面电势增加更多)，纯水的流量越多，晶片就更容易带电。第4实验是在晶片的旋转速度及纯水的流量保持成一定的条件下实施的，第5实验及第6实验是一边改变晶片的旋转速度以及/或纯水的流量一边实施的。
图6的曲线图表示下述内容。即，在第4实验中，每进行一冲洗工序，晶片的表面电势(绝对值)就增加相同的量。在第5实验中，每进行一冲洗工序，晶片的表面电势的增加率就增加(即，促进晶片带电)。并且，在第6实验中，每进行一冲洗工序，晶片的表面电势的增加率就减少，结果晶片的带电被抑制。
本发明根据由实验结果发现的上述现象而做成的。即，在晶片的表面电势的增加率比先前冲洗工序低的条件下进行下一冲洗工序。更具体地说，使晶片的旋转速度比先前的冲洗工序低地进行下一冲洗工序，或使供给于晶片的纯水的流量比先前的冲洗工序少地进行下一冲洗工序。或者，也可以使晶片的旋转速度低于先前的冲洗工序，且使供给于晶片的纯水的流量少于先前的冲洗工序地进行下一冲洗工序。在这种条件下通过对晶片进行多阶段清洗，从而能够抑制晶片的带电。
虽未图示，但与晶片的旋转速度相同，通过实验确认了供给于晶片的纯水的流量(L/min)也影响晶片的表面电势。因此，若在使下一冲洗工序中的纯水的流量少于先前的冲洗工序的纯水的流量的条件下反复进行冲洗工序，则每实施一冲洗工序，晶片的表面电势就减少(接近0V)。
一次清洗单元52以及二次清洗单元54是图3所示的辊形海绵类型的基板清洗装置。也可以代替其将笔型海绵类型的基板清洗装置用于一次清洗单元52以及/或者二次清洗单元54。也可以例如，使用辊形海绵类型的基板清洗装置作为一次清洗单元52，使用笔型海绵类型的基板清洗装置作为二次清洗单元54。
图7是表示笔型海绵类型的基板清洗装置的立体图。如图7所示，该类型的基板清洗装置具有：对晶片W进行保持并使其旋转的基板保持部91；笔型海绵92；对笔型海绵92进行保持的臂94；将纯水供给于晶片W的上表面的纯水供给喷嘴96；以及将清洗液(药液)供给于晶片W的上表面的清洗液供给喷嘴97。笔型海绵92与配置在臂94内的旋转机构(未图示)连接，笔型海绵92绕沿铅垂方向延伸的中心轴线旋转。
基板保持部91具有对晶片W的周缘部进行保持的多个(图7中为四个)夹头95，通过这些夹头95将晶片W保持成水平。夹头95与电动机98连接，保持在夹头95上的晶片W通过电动机98而绕其轴心旋转。
臂94配置在晶片W的上方。在臂94的一端连接有笔型海绵92，在臂94的另一端连接有回旋轴100。在该回旋轴100上连接有作为使臂94回旋的臂回旋机构的电动机101。臂回旋机构除了电动机101，也可具有减速齿轮等。电动机101通过使回旋轴100旋转规定角度，从而使臂94在与晶片W平行的平面内回旋。由于臂94的回旋，支承在其上的笔型海绵92向晶片W的径向外侧移动。
晶片W如下述地被清洗。首先，使晶片W绕其轴心旋转。接着，将清洗液从清洗液供给喷嘴97供给到晶片W的上表面上。在该状态下，笔型海绵92一边绕其沿铅垂地延伸的轴心旋转，一边与晶片W的上表面滑动接触，进一步沿晶片W的径向摆动。在存在清洗液的状态下，通过笔型海绵92与晶片W的上表面滑动接触，从而对晶片W进行摩擦清洗。
摩擦清洗后，为了从晶片W上冲洗掉清洗液，而将纯水从纯水供给喷嘴96供给到旋转的晶片W的上表面上，对晶片W径向冲洗。接着，停止纯水向晶片W的供给。晶片W的冲洗既可在笔型海绵92与晶片W滑动接触时进行，也可在笔型海绵92离开晶片W的状态下进行。
上述的实施方式的基板清洗方法，虽然具有一边将清洗液供给到晶片W上一边用摩擦部件(辊形海绵、笔型海绵)对晶片W进行摩擦清洗的工序，但也可仅将清洗液供给到晶片W上地对晶片W进行冲洗。
上述例子是将本发明的基板处理方法适用于基板清洗方法的例子，但本发明的方法也可适用于对基板进行干燥的方法。例如，本发明也可适用于以低速使基板旋转，将纯水(或超纯水)供给到基板的表面上，然后以高速使基板旋转而使基板旋转干燥的基板干燥方法。此外，本发明也可适用于将包含纯水(例如超纯水)在内的液体供给于基板的基板处理方法。例如，本发明也可适用于一边使晶片旋转，一边将由超纯水稀释的药液供给于晶片的基板处理方法。在该场合，也可抑制晶片的带电。
上述的实施形态，是以本发明所属的技术领域中具有通常知识的人员能实施本发明为目的而描述的。上述实施方式的各种变形例若是技术人员就当然可实施，本发明的技术思想还可适用于其它的实施方式。因此，本发明不限于所描述的实施方式，应是由基于权利要求书所定义的技术思想的最宽大的范围来解释。

Claims (5)

1.一种基板处理方法，其特征在于，进行第1处理工序，在所述第1处理工序中一边使基板旋转，一边将含有纯水的液体供给于该基板，
在所述第1处理工序之后，进行第2处理工序，在所述第2处理工序中一边使所述基板旋转，一边将所述液体供给于该基板，
所述第2处理工序是在所述基板的表面电势的增加率比所述第1处理工序低的条件下进行的。
2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述第2处理工序中的所述基板的旋转速度低于所述第1处理工序中的所述基板的旋转速度，或在所述第2处理工序中供给于所述基板的所述液体的流量少于在所述第1处理工序中供给于所述基板的所述液体的流量。
3.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，所述液体是纯水。
4.如权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，所述纯水是电阻率为15MΩ·cm以上的超纯水。
5.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，所述液体是由超纯水稀释的药液。
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