CN104094439A - 用于oled的透明所承载电极 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于OLED的所承载电极,包括:-折射率被包括在1,3和1,6之间的透明或半透明的非导体衬底(1),-被沉积在衬底表面的至少一个区上的金属线的连续网(2),所述金属线由呈现至少等于5.106S.m-1电导率的金属或金属合金所构成,所述金属线具有被包括在0,05和3μm之间、优选地在0,2和2μm之间、特别地在0,3和1,5μm之间的平均宽度L,这些金属线限定多个非金属化区域,其具有被包括在0,1和7,0pm之间的平均等效直径D,D/L比被包括在0,8和5之间、优选地在1,2和4,5之间并且特别地在2和3,5之间,并且金属线连续网的表面的至少20%呈现相对于衬底和电极的平面形成被包括在15和75°之间的角的切线,-透明或半透明层(3),其呈现被包括在1,6和2,4之间的折射率以及大于金属线连续网的电阻率并且小于104Ω.cm的电阻率,所述层完全覆盖金属线的网和所述非金属化区域,金属线的连续网(2)以及透明或半透明层(3)一起形成被称为电极层的合成层。

Description

用于OLED的透明所承载电极
技术领域
本发明涉及旨在使用于有机电致发光二极管中优选地作为阳极的所承载电极。
背景技术
有机电致发光二极管(OLED,英语为Organic Light Emitting Diode(有机发光二极管))是一种包括两个电极和薄层堆叠的光电子设备,所述两个电极中至少一个是对可见光透明的,所述薄层堆叠包括至少一层发光层(EL层)。该发光层至少被夹在一方面位于EL层和阴极之间的电子注入或输送层(EIL或ETL)以及另一方面位于EL层和阳极之间的空穴注入或输送层(HIL或HTL)之间。
包括透明电极载体和与所述载体相接触的透明电极的OLED通常被称为穿过衬底而发射的OLED或向低处发射的OLED(底部发射OLED)。所述透明电极在这种情况下通常是阳极。
类似地,包括不透明电极载体的OLED被称为向高处发射的OLED(顶部发射OLED),因此发射穿过不与载体相接触的透明电极(通常为阴极)而进行。
在给定电势阈值以上,OLED的发光功率直接取决于在阳极和阴极之间的电势差。为了制造在其整个表面上呈现均质发光功率的大尺寸OLED,有必要尽可能多地限制在电流进口(通常位于OLED的边缘)以及OLED中心之间的欧姆降。用于限制该欧姆降的已知途径是降低电极的方块电阻(                                                或RS,英语为sheet resistance(方块电阻)),这通常通过增大其厚度来实现。
然而,当其涉及透明电极时,对电极厚度这样的增大提出重大问题。事实上,用于这些电极的材料、例如ITO(铟锡氧化物)呈现不充足的光透射以及非常昂贵的成本,这导致大于500nm的厚度就非常不太令人感兴趣了。实际上,ITO层不超过大约150nm。
例如在美国申请2004/0150326、WO2005/008800和WO2009/07182中已经提议通过使透明电极加倍或者通过在其中并入足够细以使得以裸眼不可见的金属段(brin)或线的网来补救该问题。这些线使得能够改善整体(TCO+栅格(grille))的等效方块电阻并且于是更有效地将电流带至OLED模块的中心,同时限制欧姆损耗并且因此按比例地改善发光效率。相反地,在OLED堆叠中捕集的光通过全反射的固有损耗并不通过根据现有技术的这些栅格而得以改善。
以上的现有技术文档推荐限制由金属段覆盖全部表面,否则可能会不合期望地降低电极的光透射。于是,在WO 2005/008800中可以读到,金属结构优选地不覆盖多于衬底表面的10%。US2004/0150306在[0040]段解释了光透射随着未由金属结构所覆盖的区域的尺寸而减低,并且最后,申请WO2009/07182推荐了相对于金属段宽度而言很大的空隙尺寸,以便得到高的光透射。于是至此仍存在技术偏见,根据所述技术偏见,本领域技术人员应当在过大的从而使得不能够获得希望的方块电阻的开口率(未由金属结构所覆盖的表面百分比)与过低的从而不合期望地使透明电极不透明的开口率之间找到折衷。
本发明基于令人意外的发现,即透明电极开口率的减低不一定导致自EL层(经由HTL或ETL层)和电极的透明层提取向玻璃载体并且结束于空气中的光量的降低。
与在EL层中所产生的光的反射和折射相关的复杂现象事实上对自EL层抵达直到空气的光量有完全同样的影响。事实上,HTL/EL/ETL层的堆叠呈现接近1,8的高折射率(indice de réfraction),然而透明载体当其为普通玻璃制成时的折射率为大约1,5,并且空气的折射率等于1。光在不同界面(堆叠/透明电极、透明电极/载体以及载体/空气)上的全内反射使得OLED是波导,其中很大一部分光被反射很多次并且最终被吸收。
已知通过典型的光漫射手段(诸如毛糙表面或漫射元件(微粒子、纳米粒子、微孔或纳米孔)的存在)来减少光在OLED界面处的全内反射现象。这些漫射元件可以被并入在衬底或电极中,或者适宜地其可以以附加漫射层的形式插入在电极和衬底之间,如例如在国际申请WO2009/116531中描述的。
然而,这些漫射元件的效率被以下事实限制,即当它们以过大的量存在时具有不合期望的阻光效应。
发明内容
本发明基于以下想法,即减少光在透明电极(指数(indice)接近于HTL/EL/ETL堆叠的)与玻璃载体(n=1,5)之间的界面处的全内反射现象,这并不凭借漫射元件的存在,而是
-通过使所讨论的界面对于易由其反射的光线是不太可达到的,和
-通过重定向这些光线以使得减小其入射角并且使得其能够在玻璃载体中通过。
换句话说,对于在透明电极与玻璃之间的界面处易经受全反射的光线而言,在透明电极与玻璃之间的界面区大部分由栅格段荫蔽,光线通过由于所述段的几何结构导致偏向而在所述栅格段上被反射。
Snell-Descartes(斯涅耳-笛卡尔)定律()使得能够计算入射角,超过所述入射角则光线被光学指数不同的两个介质之间的界面全反射(=90°)。作为示例,于是可以计算,来自OLED的高指数层的堆叠并且射在透明电极(n=1,8)与载体(n=1,5)之间的界面上的光线当其入射角大于大约56°时被该界面全反射。在玻璃载体上(n=1,5),对于分别呈现等于1,9和2的指数的透明电极,该角等于52°和49°。
诸如在文档US 2004/0150326、WO 2005/008800和WO2009/07182中描述的合成电极中,以过高的所有光线(下文中称为“几乎水平射入(rasant)”光线)于是被反射并且不穿透下面的玻璃衬底。为了阻止这些几乎水平射入的光线来射在电极/衬底界面上,申请人在本发明中提议减小非金属化区域的平均尺寸。事实上对于金属段的给定高度,在所述区域的平均尺寸或段之间的平均距离微小时,几乎水平射入的光线有较少的机会抵达电极/衬底界面。
不同地表达,对于非金属化区域的给定平均尺寸,在金属段的高度高时,几乎水平射入的光线有较少的机会抵达电极/衬底界面。
如此使金属段相靠近至此尚未被提议,这是因为存在技术偏见,根据所述技术偏见,非金属化表面的百分比(下文称为“开口率”)的降低体现为由合成电极透射的光的分数的不合期望的减低。
然而,申请人观察到,令人意外地,该偏见并非有充分根据并且在某些条件下,合成电极开口率的减低并不导致从OLED提取的光量的显著减低。由合成电极透射的光量并未降低,尽管其开口率降低了,这或许由于以下事实,即由金属段反射的光线被重定向,并且在已经由金属反电极反射了之后,来以较小的入射角射在界面的非金属化表面上,从而最终使得其能够穿透下面的玻璃衬底。
因此,本发明的目的在于一种用于OLED的透明合成电极,其在透明衬底上包括由连续金属网所形成的电极层,所述金属网是规律或不规律的栅格类型,被并入在透明导体层中,并且其中非金属化“网格”(英语为mesh)的平均尺寸相对于至此已知的合成电极被减小。
更确切地,本发明的目的在于一种用于有机电致发光二极管的电极,其包括:
(a)透明或半透明的非导体衬底,其折射率被包括在1,3和1,6之间,
(b)被沉积在衬底(a)表面的至少一个区上的金属线的连续网,所述金属线由呈现至少等于5.106 S.m-1电导率的金属或金属合金构成,所述金属线具有被包括在0,05和3μm之间的平均宽度L,并且限定了多个非金属化区域,所述区域具有被包括在0,1和7,0μm之间的平均等效直径D,D/L比被包括在0,8和5之间,
(c)透明或半透明层,其呈现被包括在1,6和2,4之间、优选地在1,75和2,05之间的折射率,以及大于金属线连续网的电阻率的并且小于104Ω.cm、优选地小于103Ω.cm的电阻率,所述层完全覆盖了金属线的网和非金属化区域,所述金属线的连续网(b)以及透明或半透明层(c)一起形成被称为电极层的合成层。
本发明的目的还在于一种包含此类电极的OLED,该电极优选地为阳极,并且OLED优选地为穿过衬底而发射的OLED。
在本发明中使用的非导体衬底可以是典型地使用于OLED领域中的无论哪种无机或有机玻璃衬底。其还可以涉及由塑料材料制成的柔性片材或膜。
透明或半透明衬底理解为呈现对于光(根据NF EN 410规范所确定的)至少等于85%的光透射(TL)的衬底。其一般涉及平面和扁平的衬底,其如有必要则是光滑的,呈现两个主要表面和一个薄片(tranche)。衬底的厚度优选地被包括在0,05和5mm之间。
本申请中折射率理解为以550nm的波长所确定的材料折射率。用作透明衬底的某些各向异性的材料、例如单向或双向的塑料膜可以呈现多于单一的折射率。在这种情况下,各向异性衬底的折射率中至少一个在550nm处呈现被包括在1,3和1,6之间的值。事实上,在其中以不同入射和根据不同的偏振来实现OLED的发光的情况下,OLED的电磁辐射的至少一个非零分量将沿着具有被包括在1,3和1,6之间的折射率的轴而发射。
金属线的连续网一般沉积在衬底的主要表面的仅一个上。该主要表面在一个或多个区上由金属线的连续网所覆盖。当其涉及单一区时,这可以覆盖衬底的整个主要表面或者仅仅该表面的一部分。事实上,使例如该表面的外围区自由可能是有意义的。重要的是注意到,由金属线的连续网所覆盖的一个或多个区的面积在本申请中将用作参考值,例如用于定义和计算金属网的开口率或磅数(grammage)。
形成金属线的连续网(b)的金属或金属合金优选地具有被包括在6.106 S.m-1和6,3.107S.m-1之间的电导率,该后一个值对应于银的电导率,其大于所有其它金属的电导率。金属或金属合金优选地在由以下各项形成的组中选择:银、铜、铝、金以及基于这些金属的合金。
在所有之中,银是优选的金属材料,因为其同时呈现可能的最佳电导率以及大于所有其它金属的反射系数。然而,其涉及比铝和铜显著更贵的金属。
在本发明的电极的特别令人感兴趣的实施例中,金属线的连续网因此由基于镀银的铝和/或铜的网形成。镀银可以通过简单的并且在本领域中众所周知的电化学方法来进行。这样的镀银的铜或铝合成网呈现银的反射系数以及接近于下面的金属(Al或Cu)的成本。
在本申请中,金属线的连续网的几何结构具有很大的重要性。其由以下参数所表征:
非金属化区域的平均等效直径(D):该平均等效直径是非金属化区域(也称为“开口”)的等效直径的集合的平均值,其通过在电子或光学显微镜检查底片(cliché)上的图像分析来确定。非金属化区域的等效直径是面积与所述非金属化区域相同的圆的直径。
开口率(T)是非金属化表面与由金属线的连续网覆盖的区的总表面(非金属化表面+金属化表面)的比。如平均等效直径一样,该开口率通过图像分析来测量。
重要的是将该开口率(T)与典型地被称为电极层光透射(TL)的进行区分。按照NF EN 410规范所测得的光透射是由材料透射的光通量与入射光通量的比。光透射除其它外尤其取决于所考虑的材料的厚度和吸收系数。在根据本发明的合成电极的情况下,光透射(TL)总是显著小于开口率。事实上,向由金属线的连续网(b)对光的吸收和反射添加由层(c)对光的吸收和反射。作为示例,由呈现70%的开口率的金属网(其由呈现(在不存在网(b)的情况下)80%的光透射的透明层(c)填充和覆盖)构成的合成电极将总体上具有大约56%的TL
金属线的平均宽度L通过基于以上定义的两个实验量值(D和T)的计算而得到,这通过凭借以下公式将连续的网看作相似于包括边(C)的方形开口的规律金属栅格来进行:
其中,
T为金属线的连续网的开口率并且
D是金属线的连续网的平均等效直径。
本发明的电极的金属线连续网的平均等效直径D被包括在0,1和7,0μm之间、优选地在0,3和4,0μm之间、更优选地在0,4和3,0μm之间并且理想地在0,5和2,0μm之间。
金属线的连续网应当很好地理解为使得非金属化区域的等效直径的分布是相对窄的。这对于良好的照明均质性而言是不可缺少的条件。所述电极优选地免去以裸眼可见的非金属化区域,因为该可见性将由观看者感测为缺陷。更具体地,具有大于15μm的等效直径的非金属化区域的累积表面优选地不超过金属线的连续网在其上延伸的总表面的5%、特别地不超过2%并且理想地不超过1%。
虽然金属线的连续网的开口率原则上可以被包括在相对宽的限制之间,例如在由所述网覆盖的区的20%和80%之间,但是申请人已经观察到使用被包括在30和70%之间、优选地30%和60%之间以及甚至在35%和小于50%之间的电极层开口率是更有利的。
如在介绍中所解释的,本发明基于对由EL层发射的并且射在金属线的网上的几乎水平射入的光线进行重定向的原理。为了使该重定向是有效的,其应当通过当光线在已经例如由反电极反射之后返回来重新射在衬底/电极层的界面上时所述光线入射角的减小而体现出来。通过考虑根据本发明的OLED的几何光学模型,其中连续的金属网将只包括与衬底/电极层界面垂直的表面和平行的表面,这样的重定向将不发生并且光线以相同入射角返回到衬底/层的表面上,如已在图1中所表示的。为了使重定向是有效的,金属连续网的表面应当理想地包括相对于衬底和电极的平面形成接近于45°角的表面。
本发明的电极的金属线连续网因此基本上免去与电极层(c)和衬底(a)之间的界面平面垂直或平行的表面。该技术特征很好地理解为不涉及在所述网和衬底之间的接触表面而是仅仅涉及在金属网(b)和层(c)之间的接触表面。根据本发明的此类电极的横截面被表示在图2中。
金属线的连续网(b)有利地以很大比例(即以多于30%、优选地以多于50%和甚至更好地以多于80%)而免去与电极层和衬底之间的界面平面垂直或平行的表面。
在本发明有利的特定实施例中,金属线的连续网的表面的至少20%、优选地至少40%、更优选地至少60%相对于衬底和电极的平面呈现被包括在15和75°之间、优选地在25和65°之间并且特别地在33°和57°之间的角度,这些百分比和这些角度涉及网(b)/层(c)界面。这些角度可以估计为在横向剖面上对于金属网的切线的斜率:所述斜率可以通过对电极横截面的扫描电子显微镜检查(MEB)或透射电子显微镜检查(TEM)随后图像分析来确定,所述横截面例如通过切割或低温下直截了当(franche)的断裂而获得。
为了使金属连续网阻止几乎水平射入的光线来射在非金属化区域上,所述金属线应当呈现某一高度。该高度优选地至少等于金属线宽度L的三分之一并且优选地被包括在L/2和L/1,5之间。
金属线连续网(b)的表面质量优选地被包括在电极的4和1000μg/cm2之间、特别地在电极的20和600μg/cm2之间、并且理想地在电极的50和300μg/cm2之间。很好理解,当金属网基本上由铝构成、必要时覆盖有银时,要用大约为4的因子来除这些值。
金属线的连续网的“开口”由导电的透明或半透明材料填充。该材料呈现被包括在1,70和2,40之间、优选地在1,75和2,05之间、特别地在1,80和1,98之间的折射率以及大于金属线的连续网的电阻率并且小于104Ω.cm的电阻率。该层不仅填充由金属网留出的空隙而且还完全覆盖该后者。为了制造呈现均匀发光度的良好质量OLED,重要的是平面化的该层(c)要尽可能最不粗糙。特别地,在其中该层为金属氧化物的情况下,其粗糙度RMS优选地小于5nm、特别地小于3nm。
对于透明或半透明的该层(c),原则上可以使用呈现足够高(接近于HTL/EL/ITL堆叠的平均折射率)的折射率以及小于所述金属网的电导率的无论哪种透明或半透明的导体材料。作为此类材料的示例,可以引用透明导体氧化物,诸如掺杂了铝的锌氧化物(AZO)、掺杂了铟的锡氧化物(ITO)、锡和锌的氧化物(SnZnO)或锡的二氧化物(SnO2)。这些材料有利地具有非常多地小于形成HTL/EL/ITL堆叠的有机材料的吸收系数,优选地吸收系数小于0,005、特别地小于0,0005。
当透明导体氧化物不是ITO时,可能有必要用呈现的输出功大于层(c)的附加薄层来覆盖层(c),例如一层ITO、MoO3、WO3或V2O5
诸如阴极溅射、磁控管真空沉积、溶胶凝胶方法或热解之类的对这些氧化物的沉积技术一般不会产生足够平滑以使得作为OLED电极而应用的层。因此一般将有必要在沉积之后进行抛光步骤。
PEDOT(聚(3,4-乙烯二氧噻吩))是已知的导电有机聚合物,其可以构成对于以上提及的导体氧化物的令人感兴趣的替换方案,只要例如通过并入高指数的氧化物(诸如钛氧化物)的纳米粒子来调整其折射率。以液体形式来沉积该聚合物的可能性事实上使得能够产生表面平滑性足够的层(c),其可以使抛光步骤变成多余的。
本发明还包括一些实施例,其中层(c)不仅起到阳极的作用,而且还起到空穴输送(HTL)层的作用,换句话说这些实施例其中电极不包括分离的电极层和HTL层。在OLED堆叠的实现期间所沉积的HTL事实上是完全可同时用作HTL和用作阳极的材料,因为由于邻近其被沉积于之上的金属栅格,低导电率就足够了。在这种情况下,可能有必要在层(c)下方安置呈现合适输出功的附加薄层,例如一层ITO、MoO3、WO3或V2O5
已知的是在OLED的某些透明层中并入粒子或孔,旨在促进从其中通过漫射的光提取。本发明的电极的层(c)于是可以包含某一分数的粒子或孔,其具有被包括在0,05和2μm之间、优选地在0,1和0,5μm之间的平均等效直径。此类粒子的存在,如果其有效地有助于光的提取,以过大的浓度却体现为所述层的某种不透明性。由于本发明的合成电极层的特定几何结构,光提取的问题在很大一部分上被解决并且漫射粒子或孔的存在变得不太重要或甚至多余。合成电极层的层(c)因此包含体积上少于1%、优选地体积上少于0,8%的孔或粒子,所述孔或粒子具有被包括在0,05和2μm之间的平均等效直径。其优选地涉及一种透明层,其基本上免去具有被包括在0,05和2μm之间的平均等效直径的此类漫射孔和粒子。
本发明的由金属线连续网(b)和由透明或半透明层(c)形成的合成电极层优选地具有被包括在0,1和3μm之间、特别地在0,2和1,0μm之间并且更优选地在0,3和0,6μm之间的总厚度。
其方块电阻()优选地尽可能最低并且尤其小于5、优选地被包括在0,05和2,0之间、特别地在0,1和1之间。
根据本领域技术人员熟悉的方法、利用已知步骤和材料,本发明的电极可以被用于制造OLED。
该制造不呈现任何与电极的技术特征相关的特定困难。本领域技术人员很好地理解到将注意不对电极的完整性带来损害,以便不使其固有质量降级。
本发明的OLED的HTL/EL/ITL堆叠的层优选地具有被包括在1,7和2,1之间的平均折射率,也就是说其折射率接近于与所述堆叠直接接触的透明或半透明层(c)的折射率。
本发明的所承载电极可以例如以如下方式来制造:
通过磁控管阴极溅射将由铝或银制成的连续金属层沉积在呈大约300nm的厚度的无机玻璃片材上。然后使带有金属层的所述衬底经受光刻(photolithogravure)操作以便得到具有开口(非金属化区域)的规律金属栅格,所述开口具有大约3μm2的表面(=等效直径为1,95μm)。通过图像分析所测得的开口率T为48%。
基于参数D和T,借助于前述公式(1)计算所述栅格的金属线的宽度L:0,76μm。
然后使如此“镂空”的层经受受限的化学侵蚀,目的在于使所述栅格的金属表面纹理化(texturer)以便增大相对于电极平面呈现接近于45°角的表面的比例。
然后通过阴极溅射在纹理化的金属网的整体上沉积一层AZO,其呈约为500nm的厚度。然后使该层经受抛光以便获得小于2nm的表面粗糙度。
附图说明
本发明的基本想法被图示在附图中,其中:
图1表示出包含对照电极的OLED的横截面视图,
图2表示出包含根据本发明的电极的OLED的横截面视图。
具体实施方式
更特别地,在图1上表示出具有非导体载体或衬底(1)的OLED,所述载体或衬底支承由金属线的连续网(2)所构成的合成阳极,其空隙由透明导体氧化物(3)所填充。与阴极(5)接触的HTL/EL/ETL层的堆叠(4)被置于所述合成阳极之上。金属线的连续网(2)的表面整体要么平行于要么垂直于阳极/载体界面(6)。呈现高入射角(大于57°)的光线R由界面(6)、金属连续网(2)的表面、阴极(5)反射,然后重新以等于的角来射在界面(6)上。
在图2上表示出的根据本发明的电极的组成与图1的相同。唯一的差别存在于以下事实,即金属网(2)的表面既不垂直也不平行于在电极(3)和载体(1)之间的界面(6)。光线的捕集现象于是是不可能的。呈现高入射角的光线R由界面(6)、金属连续网(2)的表面、反电极(阴极)(5)反射,然后重新以小于并且足够小以使得由界面(6)折射的角来射在界面(6)上。

Claims (15)

1.一种用于有机电致发光二极管的电极,包括:
(a)透明或半透明的非导体衬底(1),其折射率被包括在1,3和1,6之间,
(b)被沉积在衬底表面的至少一个区上的金属线的连续网(2),所述金属线由呈现至少等于5.106 S.m-1电导率的金属或金属合金所构成,所述金属线具有被包括在0,05和3μm之间、优选地在0,2和2μm之间、特别地在0,3和1,5μm之间的平均宽度L,这些金属线限定多个非金属化区域,其具有被包括在0,1和7,0μm之间的平均等效直径D,D/L比被包括在0,8和5之间、优选地在1,2和4,5之间并且特别地在2和3,5之间,并且金属线连续网的表面的至少20%呈现相对于衬底和电极的平面形成被包括在15和75°之间的角的切线,
(c)透明或半透明层(3),其呈现被包括在1,6和2,4之间的折射率以及大于金属线连续网的电阻率的并且小于104Ω.cm的电阻率,所述层完全覆盖金属线的网和所述非金属化区域,
金属线的连续网(b)以及透明或半透明层(c)一起形成被称为电极层的合成层。
2.根据权利要求1所述的电极,其特征在于,平均等效直径D被包括在0,3和4,0μm之间、优选地在0,4和3,0μm之间并且特别地在0,5和2,0μm之间。
3.根据前述权利要求中任一项所述的电极,其特征在于,所述金属线呈现至少等于L/3、优选地被包括在L/2和L/1,5之间的高度。
4.根据前述权利要求中任一项所述的电极,其特征在于,电极层的开口率被包括在20和80%之间、优选地在30和70%之间。
5.根据前述权利要求中任一项所述的电极,其特征在于,形成金属线连续网(b)的金属或金属合金具有被包括在6.106 S.m-1和6,3.107 S.m-1之间的电导率。
6.根据权利要求5所述的电极,其特征在于,所述金属或金属合金从由以下各项所形成的组中选择:银、铜、铝、金、以及基于这些金属的合金。
7.根据前述权利要求中任一项所述的电极,其特征在于,金属线的连续网是基于镀银的铝和/或铜的网。
8.根据前述权利要求中任一项所述的电极,其特征在于,金属线的连续网(b)基本上免去了与层(c)和衬底(a)之间的界面平面相平行或垂直的表面。
9.根据前述权利要求中任一项所述的电极,其特征在于,金属线的连续网(b)的表面质量被包括在电极的4和1000μg/cm2之间、优选地在电极的20和600μg/cm2之间、并且特别地在50和300μg/cm2之间。
10.根据前述权利要求中任一项所述的电极,其特征在于,所述层(c)具有小于5nm的表面粗糙度RMS。
11.根据前述权利要求中任一项所述的电极,其特征在于,所述层(c)是透明层,其基本上免去了具有被包括在0,05和2μm之间的平均等效直径的漫射粒子和孔。
12.根据前述权利要求中任一项所述的电极,其特征在于,电极层的方块电阻(                                               )小于5、优选地被包括在0,05和2,0之间、特别地在0,1和1之间。
13.根据前述权利要求中任一项所述的电极,其特征在于,电极层具有被包括在0,1和3μm之间、优选地在0,2和1,0μm之间、特别地在0,3和0,6μm之间的厚度。
14.根据前述权利要求中任一项所述的电极,其特征在于,其还包含覆盖了层(c)并且呈现大于层(c)的输出功的一层,优选地为一层ITO、MoO3、WO3或V2O5
15.包括根据前述权利要求中任一项所述的电极、优选地作为阳极的有机电致发光二极管。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9395072B2 (en) 2013-11-13 2016-07-19 Industrial Technology Research Institute Illumination device
FR3020179B1 (fr) * 2014-04-22 2017-10-06 Saint Gobain Electrode supportee transparente pour oled
US11211724B2 (en) * 2015-10-30 2021-12-28 Core Technologies Llc Small form factor power conversion system
CN113345949A (zh) * 2021-06-25 2021-09-03 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 阵列基板及显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133080A (ja) * 2001-10-30 2003-05-09 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子
JP2008097845A (ja) * 2006-10-06 2008-04-24 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US20110084253A1 (en) * 2009-10-12 2011-04-14 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting diode lighting apparatus and method for manufacturing the same

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3767057B2 (ja) * 1996-12-28 2006-04-19 カシオ計算機株式会社 電界発光素子
US20040150306A1 (en) 2000-05-17 2004-08-05 Steedly John W. Portable display, storage and transport case
JP4711273B2 (ja) * 2000-11-20 2011-06-29 スタンレー電気株式会社 照明付き液晶表示装置
JP3988935B2 (ja) 2002-11-25 2007-10-10 富士フイルム株式会社 網目状導電体及びその製造方法並びに用途
US20060180807A1 (en) 2003-07-16 2006-08-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electroluminescent device with homogeneous brightness
JP2005302508A (ja) * 2004-04-12 2005-10-27 Fuji Photo Film Co Ltd 透明導電性シートおよびそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子
JP2005353419A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Pioneer Electronic Corp 表示パネル
JP2007080579A (ja) * 2005-09-12 2007-03-29 Toyota Industries Corp 面発光装置
JP2008288102A (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Fujifilm Corp 透明導電性フイルム、透明導電性フイルムの製造方法、透明電極フイルム、色素増感太陽電池、エレクトロルミネッセンス素子及び電子ペーパー
WO2009007182A1 (de) 2007-07-09 2009-01-15 Robert Bosch Gmbh Füllstandsgeber
FR2924274B1 (fr) * 2007-11-22 2012-11-30 Saint Gobain Substrat porteur d'une electrode, dispositif electroluminescent organique l'incorporant, et sa fabrication
CN101978781A (zh) 2008-03-18 2011-02-16 旭硝子株式会社 电子器件用基板、有机led元件用层叠体及其制造方法、有机led元件及其制造方法
JP5181793B2 (ja) * 2008-04-04 2013-04-10 コニカミノルタホールディングス株式会社 透明導電性フィルムその製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5254711B2 (ja) * 2008-09-01 2013-08-07 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、およびその製造方法
JP2010177615A (ja) * 2009-02-02 2010-08-12 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロニクス素子および有機エレクトロニクス素子の製造方法
FR2944147B1 (fr) * 2009-04-02 2011-09-23 Saint Gobain Procede de fabrication d'une structure a surface externe texturee pour dispositif a diode electroluminescente organique et struture a surface externe texturee
FR2944148B1 (fr) * 2009-04-02 2012-03-02 Saint Gobain Procede de fabrication d'une structure a surface texturee pour dispositif a diode electroluminescente organique et structure a surface texturee obtenue par ce procede
EP2427926B1 (en) * 2009-05-08 2015-09-30 Koninklijke Philips N.V. Electroluminescent device
JP2010272466A (ja) * 2009-05-25 2010-12-02 Fujifilm Corp 透明導電体及びその製造方法
JP4816985B2 (ja) * 2009-06-16 2011-11-16 Tdk株式会社 有機el表示装置
JP2011034711A (ja) * 2009-07-30 2011-02-17 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPWO2011016086A1 (ja) * 2009-08-05 2013-01-10 株式会社東芝 有機電界発光素子およびその製造方法
JP5720680B2 (ja) * 2010-05-28 2015-05-20 コニカミノルタ株式会社 有機電子デバイス用電極

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133080A (ja) * 2001-10-30 2003-05-09 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子
JP2008097845A (ja) * 2006-10-06 2008-04-24 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US20110084253A1 (en) * 2009-10-12 2011-04-14 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting diode lighting apparatus and method for manufacturing the same

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