CN104090527A - 一种掉电保护装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种掉电保护装置，结构简单，成本低，写入速度快，在不增加成本的基础上，可以显著提高掉电时系统需要保存的数据量。该掉电保护装置包括：供电模块、掉电检测模块和掉电数据保存模块；所述供电模块包括电容组，所述供电模块在所述外部供电电源掉电后向所述掉电数据保存模块供电；所述掉电检测模块的输入端与所述外部供电电源相连，在检测到所述外部供电电源的电压值低于预设阀值时，向所述掉电数据保存模块发送产生的中断信号；所述掉电数据保存模块与所述掉电检测模块相连，所述掉电数据保存模块包括信号处理单元和铁电存储器，所述掉电数据保存模块接收到中断信号后通过所述信号处理单元将现场数据写入所述铁电存储器。
Description
技术领域
本发明涉及工业控制技术领域，具体涉及一种掉电保护装置。
背景技术
工控领域中，在工控设备(如数控机床系统)意外断电时，通常需要维持系统保存现场运行数据，等系统重新上电后可以恢复到断电时的工作状态。目前，针对不同的应用场合，具有不间断电源(Uninterrupted Power Supply，UPS)、蓄电池、超级电容等作为后备电源的掉电保护方案。但是UPS成本太高，蓄电池寿命太短。
发明内容
本发明实施例提供了一种掉电保护装置，其结构简单，可靠性高，成本低，可以显著提高掉电时系统需要保存的数据量。
本发明实施例提供了一种掉电保护装置，可包括：
供电模块、掉电检测模块和掉电数据保存模块；
其中，所述供电模块的输入端与外部供电电源相连，所述供电模块包括电容组，所述供电模块的输出端与所述掉电数据保存模块连接，所述供电模块在所述外部供电电源掉电后向所述掉电数据保存模块供电；
所述掉电检测模块的输入端与所述外部供电电源相连，在检测到所述外部供电电源的电压值低于预设阀值时，向所述掉电数据保存模块发送产生的中断信号；
所述掉电数据保存模块与所述掉电检测模块相连，所述掉电数据保存模块包括信号处理单元和铁电存储器，所述信号处理单元和铁电存储器连接，所述信号处理单元与所述掉电检测模块连接；所述掉电数据保存模块接收到中断信号后通过所述信号处理单元将现场数据写入所述铁电存储器。
在一个可实施的方式中，所述供电模块还包括：电阻R1、电阻R2、二极管D1、二极管D2和二极管D3；所述电容组一端接地，另一端与所述电阻R2的一端、所述二极管D2的正极和所述二极管D3的负极连接，所述电阻R2的另一端与所述电阻R1的一端和所述二极管D3的正极连接，所述电阻R1的另一端与所述二极管D1的正极连接后再连接到所述外部供电电源和所述掉电检测模块上，所述二极管D1的负极与所述二极管D2的负极连接并作为供电模块的输出端；所述电容组为电解电容或超级电容。
在一个可实施的方式中，所述掉电检测模块包括：第一电源检测芯片、电阻R31、电阻R41和第一反相器U1；
其中，所述第一电源检测芯片包括八个接口，所述第一电源检测芯片的第1接口与所述第一电源检测芯片的第5接口连接，所述第一电源检测芯片的第2接口与所述电阻R41的一端连接并接地，所述电阻R41的另一端与所述第一电源检测芯片的第4接口和所述电阻R31的一端连接，所述电阻R31的另一端与所述外部供电电源连接，所述第一电源检测芯片的第8接口与所述第一反相器U1的输入端连接，所述第一反相器U1的输出端作为所述掉电检测模块的输出端。
进一步地，所述掉电检测模块还包括电阻R5、电阻R6和电容C1，
所述第一电源检测芯片的第8接口分别与所述电阻R5和电阻R6的一端连接，所述电阻R5的另一端与所述电容C1一端连接后接地，所述电阻R6的另一端分别与所述电容C1的另一端和所述第一反相器U1的输入端连接。
在一个可实施的方式中，所述掉电检测模块包括：第二电源检测芯片、电阻R32、电阻R42；
其中，所述第二电源检测芯片包括八个接口，所述第二电源检测芯片的第1接口与所述第二电源检测芯片的第5接口连接，所述第二电源检测芯片的第2接口与所述R42的一端连接并接地，所述R42的另一端与所述第二电源检测芯片的第4接口和所述R32的一端连接，所述R32的另一端与所述外部供电电源连接，所述第二电源检测芯片的第7接口作为所述掉电检测模块的输出端。
在一个可实施的方式中，所述掉电检测模块包括：电阻R7、电阻R8，电阻R9、NPN三极管P1和反相器U2；
其中，所述电阻R7一端与所述外部供电电源连接，所述电阻R7的另一端与所述NPN三极管P1的基极B连接，所述电阻R7的另一端还经所述电阻R8后接地，所述NPN三极管P1的发射极E接地，所述NPN三极管P1的集电极C与所述电阻R9的一端和所述反相器U2的输入端连接，所述电阻R9的另一端连接至所述供电模块，所述反相器U2的输出端作为所述掉电检测模块的输出端。
在一个可实施的方式中，所述掉电检测模块包括：NPN三极管P2、电阻R10、电阻R11、二极管D4；
其中，所述二极管D4的输入端与外部供电电源连接，所述二极管D4输出端与所述电阻R10的一端连接，所述电阻R10的另一端与所述NPN三极管P2的基极B连接，所述NPN三极管P2的集电极C与所述外部供电电源连接，所述NPN三极管P2的发射极E经所述电阻R11接地，所述NPN三极管P2的发射极E作为所述掉电检测模块的输出端。
可选地，所述信号处理单元为数字信号处理器DSP；所述DSP一端通过外部存储器接口EMIFA总线与所述FRAM连接，所述DSP另一端与所述掉电检测模块连接以接收中断信号。
可选地，所述FRAM为两片8k*8bit级联组成，采用并联传输方式。
可选地，所述电源检测芯片为电源监测芯片SP708、MAX708、IMP707、ASM707、SP707和CN708中的任意一个。
从以上技术方案可以看出，本发明实施例具有以下优点：
在本发明实施例提供的掉电保护装置主要包括供电模块、掉电检测模块和掉电数据保存模块；与现有技术相比，在掉电时，本发明实施例主要采用电解电容供电，采用FRAM写入现场数据，整个掉电保护装置结构简单，成本底，写入速度快，在不增加成本的基础上，可以显著提高掉电时系统需要保存的数据量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的掉电保护装置的结构示意图；
图2为本发明另一实施例提供的掉电保护装置的结构示意图；
图3为本发明另一实施例提供的掉电保护装置的结构示意图；
图4为本发明另一实施例提供的掉电保护装置的结构示意图；
图5为本发明另一实施例提供的掉电保护装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种掉电保护装置，用于提供一种可靠的现场数据保存方案，结构简单、成本低。
请参阅图1，图1为本发明实施例提供的掉电保护装置的结构示意图；如图1所示，一种掉电保护装置可包括：
供电模块10、掉电检测模块20和掉电数据保存模块30；
其中，所述供电模块10的输入端与外部供电电源相连，所述供电模块10中包括电容组101，所述电容组101的输出端与掉电数据保存模块30连接，所述供电模块10在所述外部供电电源掉电后向所述掉电数据保存模块30供电；
所述掉电检测模块20的输入端与所述外部供电电源相连，在检测到所述外部供电电源的电压值低于预设阀值时，向所述掉电数据保存模块30发送中断信号；
所述掉电数据保存模块30与所述掉电检测模块20相连，所述掉电数据保存模块30包括信号处理单元301和铁电存储器(Ferroelectric Random AccessMemory,FRAM)302，所述信号处理单元301和FRAM-302连接，所述信号处理单元301与所述掉电检测模块20连接；所述掉电数据保存模块30接收到中断信号后通过所述信号处理单元301将现场数据写入所述FRAM-302。
在外部电源供电时，供电模块10中的电容组处于充电状态；当掉电时，掉电检测模块20检测到外部供电电源的电压值低于预设阀值，向掉电数据保存模块30发送中断信号，以通知掉电数据保存模块30进行现场数据保存，而供电模块10将通过电容组来向掉电数据保存模块30供电(供电模块10和掉电数据保存模块30之间的连接关系未在附图1中进行标注)，也就是掉电数据保存模块30中的DSP301可以从电容组中获得工作电源，以保证掉电数据保存模块30能够完成现场数据保存；另外，掉电数据保存模块30中采用FRAM，可以快速写入，提高了现场数据的保存速度，整个掉电保护装置的结构简单，成本低。
可以理解的是，上述电容组101可以为电解电容或超级电容。电容组101的容量可以根据所需的蓄电时间进行调整，如通过并联电容以加大其容量，进一步延长续电时间，如2个电解电容并联，其中，电解电容的数量可以根据实际需要进行增减，所述电容组中的电容包括但不仅限于电解电容和超级电容。
在一个可实施的方式中，如图2所示，上述供电模块10还包括：电阻R1、电阻R2、二极管D1、二极管D2和二极管D3；
其中，所述电容组一端接地，另一端与所述电阻R2的一端、所述二极管D2的正极和所述二极管D3的负极连接，所述电阻R2的另一端与所述电阻R1的一端和所述二极管D3的正极连接，所述电阻R1的另一端与所述二极管D1的正极连接后再连接到所述外部供电电源和所述掉电检测模块，所述二极管D1的负极与所述二极管D2的负极连接，所述二极管D2的负极作为供电模组10的输出端。
可以理解的是，外部供电电源和供电模块10都是+5V电源。在所述外部电源正常供电时，先通过电阻R1和电阻R2对电容组进行充电，一段时间后，二极管D3导通，进而通过R1和二极管D3对电容组进行快速充电。当电容组中电容的电压上升到一定电压使所述二极管D3关断时，再转而通过电阻R1和电阻R2缓慢充电。在掉电时，所述电容组101通过二极管D2向掉电数据保存模块30供电，其中，供电模块供电的时间可以根据掉电保护装置的最低工作电压和电路单位时间内消耗的电荷量确定，以确保供电时间至少能够使得掉电数据保存装置能够完成现场数据的保存。所述二极管D2可以切断所述外部电源通过二极管D1和二极管D2直接给电容充电的路径，所述二极管D1可以切断所述电容组101放电时经二极管D2和二极管D1的放电路径，使电容组101能更好地为掉电检测模块20和掉电数据保存模块30供电。
在图2所示的实施例中，上述掉电检测模块20包括：第一电源检测芯片、电阻R31、电阻R41和第一反相器U1；
其中，所述第一电源检测芯片包括八个接口，该第一电源检测芯片中的第1接口与第5接口连接，该第一电源检测芯片中的第2接口与所述电阻R41的一端连接并接地，所述电阻R41的另一端与该第4接口和所述电阻R3的一端连接，该电阻R31的另一端与该第3接口连接后，与所述供电模块中连接，该第8接口与所述第一反相器U1的输入端连接，所述第一反相器U1的输出端作为所述掉电检测模块的输出端。
当然，掉电检测模块20除了包括上述第一电源检测芯片、电阻R31、电阻R41和第一反相器U1，该掉电检测模块20还包括：电阻R5、电阻R6和电容C1；
其中，第一电源检测芯片中的第8接口分别与所述电阻R5和电阻R6的一端连接，所述电阻R5的另一端与所述电容C1一端连接后接地，所述电阻R6的另一端分别与所述电容C1的另一端和所述第一反相器U1的输入端连接。具体地，第3接口与供电模块的输出端连接。所述电阻R6和所述电容C1有滤波作用，可以防抖动和噪声。
优选地，上述第一电源检测芯片可以是常使用的电源监测芯片，例如SP708、MAX708、IMP707、ASM707、SP707、CN708等。
举例来说，第一电源检测芯片为SP708时，上述第1接口对应SP708中的/MR引脚，即手动复位输入引脚；第2接口对应VCC引脚，即电源引脚；第3接口对应GND引脚，即接地引脚；第4接口对应PFI引脚，即掉电监测输入引脚；第5接口对应/PFO引脚，即掉电监测输出引脚；第6接口对应NC引脚，未使用；第7接口对应/RESET引脚，即复位信号输出，以输出低电平有效；第8接口对应RESET引脚，即复位信号输出，以输出高电平有效。
结合图2，当R31与R41的比值小于一定的比值时，第8接口输出一个高电平，经过反相器反相后，得到一个低电平，即掉电检测模块输出一个低电平作为中断信号输出给DSP，DSP根据该中断信号将现场数据写入FRAM进行保存。同时，第7接口输出的是第一个低电平，与第8接口输出的电平反相。
在掉电时，电源检测芯片检测外部供电电源(+5V)跌落，那么反相器U1将输出一个低电平，也就是中断信号，至所述掉电数据保存模块。
在另一个可实施的方式中，掉电检测模块20还可以采用如图3所示的电源检测芯片配合其它电器元件使用，以实现如附图2相同的效果，结构更加优化。如图3所示，该掉电检测模块20包括：第二电源检测芯片、电阻R32、电阻R42；
其中，所述第二电源检测芯片包括八个接口，所述第二电源检测芯片的第1接口与所述第二电源检测芯片的第5接口连接，所述第二电源检测芯片的第2接口与所述R42的一端连接并接地，所述R42的另一端与所述第二电源检测芯片的第4接口和所述R32的一端连接，所述R32的另一端与所述第二电源检测芯片的第3接口连接后，与所述外部供电电源连接，所述第二电源检测芯片的第7接口作为所述掉电检测模块的输出端。
同样地，上述第二电源检测芯片可以是常使用的电源监测芯片，例如SP708、MAX708、IMP707、ASM707、SP707、CN708等。
同样以SP708举例来说，第一电源检测芯片的第1接口对应SP708中的/MR引脚，即手动复位输入引脚；第2接口对应VCC引脚，即电源引脚；第3接口对应GND引脚，即接地引脚；第4接口对应PFI引脚，即掉电监测输入引脚；第5接口对应/PFO引脚，即掉电监测输出引脚；第6接口对应NC引脚，未使用；第7接口对应/RESET引脚，即复位信号输出，以输出低电平有效；第8接口对应RESET引脚，即复位信号输出，以输出高电平有效。
在附图3实施例中，当R31与R41的比值小于一定的比值时，第8接口输出一个高电平，而第7接口的输出端输出一个低电平，该低电平作为掉电检测模块的中断信号输出给DSP，DSP根据该中断信号将现场数据写入FRAM进行保存。同时，第7接口输出的是第一个低电平，与第8接口输出的电平反相。
在图2和图3中，上述掉电数据保存模块30中的信号处理单元具体为数字信号处理器DSP，该掉电数据保存模块30还有一个外部存储器接口EMIFA，DSP通过EMIFA接口与FRAM连接，DSP通过接口与第一反相器U1或者第二电源检测芯片的第7接口的输出端连接。
在掉电时，第一反相器U1或者第二电源检测芯片的第7接口输出的低电平，作为DSP的不可屏蔽中断(NMI，Non Maskable Interrupt)，优先级最高，在掉电瞬间DSP根据该低电平进入中断子程序完成现场数据的保存。
可以理解的是，现有的闪存和EEPROM采用浮动删技术，擦写时一般需要5-10ms的延迟，如EEPROM的擦写延迟约为5ms，但是FRAM可以忽略擦写时间，写入数据的时间就是CPU执行字节写入命令的时间。因此，采用FRAM可以在相同时间内，相较于其它非易失存储器可以保存更多数据，由于FRAM存储数据的速度快时间短，因此短时间给DSP供电即可实现数据的快速存储。现有技术中由于电解电容容量小，一般无法作为掉电数据保存的供电模块，本发明克服了该偏见，采用容量小的电解电容作为钓点数据保存的供电模块，降低了使用成本，且取得了较好的使用效果。另外，FRAM采用的是并行传输方式，能够更加快速写入。在本发明实施例中所采用的FRAM可以优选选用2片8k*8bit级联组成8k*16bit，以实现更快数据的写入。
本发明实施例还对上述图2所示的掉电检测模块20进行结构设计优化，具体如图4所示的掉电检测模块20。在图4中，该掉电检测模块20包括：电阻R7、电阻R8，电阻R9、NPN三极管P1和反相器U2；
其中，所述电阻R7一端与所述外部供电电源连接，所述电阻R7的另一端与所述NPN三极管P1的基极B连接，所述电阻R7的另一端还经所述电阻R8后接地，所述NPN三极管P1的发射极E接地，所述NPN三极管P1的集电极C与所述电阻R9的一端和所述反相器U2的输入端连接，所述电阻R9的另一端连接至所述供电模块，所述反相器U2的输出端作为所述掉电检测模块的输出端。
在本发明实施例中，将图2中的掉电检测电路20中的电源检测芯片替换成NPN三极管，可以进一步降低成本。其中，将电阻R9连接到供电模块上，那么在掉电后，可以由供电模块的输出电压变换得到一个电压，向掉电检测电路20和DSP提供一个维持几十毫秒的电压。在掉电时，通过电阻R7和电阻R8分压后得到的基极电压的是低电压，导致三极管NPN P1截止，反相器U2输出低电平，触发DSP的中断子程序将现场数据写入FRAM。
可以理解的是，通过调节R7和R8的阻值大小可以调节所述掉电检测模块20的预设阈值的大小。
在另一个可实施的方式中，本发明实施例还可以采用如图5所示的掉电检测模块替换图2和图4中的检测模块。具体如图5所示，上述掉电检测模块可以包括：NPN三极管P2、电阻R10、电阻R11、二极管D4；
其中，所述二极管D4的输入端与外部供电电源连接，所述二极管D4输出端与所述电阻R10的一端连接，所述电阻R10的另一端与所述NPN三极管P2的基极B连接，所述NPN三极管P2的集电极C与所述外部供电电源连接，所述NPN三极管P2的发射极E经所述电阻R11接地，所述NPN三极管P2的发射极E作为所述掉电检测模块的输出端。
优选地，上述二极管D4为硅二极管，在掉电瞬间，起到稳压作用，能够增加掉电后DSP用来保存现场数据的时间。与上述图4所示的电阻R7和电阻R8作用相同，经过电阻R10和电阻R11的是低电压，实现NPN三极管P2截止，发射极输出一个低电平，进而DSP触发中断子程序，将现场数据快速写入FRAM。
可以理解的是，二极管D4的大小可以采用多个串联的二极管来调节，调节掉电阀值电压，不影响其保存现场数据，以免造成现场数据丢失。
在本实施例中，该电路的预设阈值为二极管D4的压降加三极管be极之间的压降再加上电阻R10和电阻R11上的压降。可以理解地，通过调节所述二极管D4、电阻R10和电阻R11等相关参数可以调节所述预设阈值的大小。
在本发明实施例中，若电容组101以5个1000uF的电解电容为列，该电容组可以为DSP通过约40ms左右的续点时间。EMIFA总线时钟频率为60M，而将8k*16bit的FRAM写满数据约1ms，那么可以实现4M数据的掉电有效保护。可以保证掉电后数据的有效保护，
可以理解的是，针对不同时钟频率的外部总线，通过选择不同数量的电解电容，实现不同数据量的保存。
本发明实施例中实现了可以选用不同的电容来获取不同的续电时间，同时采用FRAM快速写入，所提供的掉电保护装置结构简单，写入数据速度快，提高有效可靠的掉电保护数据的时间。
以上对本发明所提供的一种掉电保护装置进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种掉电保护装置，其特征在于，包括：
供电模块、掉电检测模块和掉电数据保存模块；
其中，所述供电模块的输入端与外部供电电源相连，所述供电模块包括电容组，所述供电模块的输出端与所述掉电数据保存模块连接，所述供电模块在所述外部供电电源掉电后向所述掉电数据保存模块供电；
所述掉电检测模块的输入端与所述外部供电电源相连，在检测到所述外部供电电源的电压值低于预设阀值时，向所述掉电数据保存模块发送产生的中断信号；
所述掉电数据保存模块与所述掉电检测模块相连，所述掉电数据保存模块包括信号处理单元和铁电存储器，所述信号处理单元和铁电存储器连接，所述信号处理单元与所述掉电检测模块连接；所述掉电数据保存模块接收到中断信号后通过所述信号处理单元将现场数据写入所述铁电存储器。
2.根据权利要求1所述掉电保护装置，其特征在于，
所述供电模块还包括：电阻R1、电阻R2、二极管D1、二极管D2和二极管D3；所述电容组一端接地，另一端与所述电阻R2的一端、所述二极管D2的正极和所述二极管D3的负极连接，所述电阻R2的另一端与所述电阻R1的一端和所述二极管D3的正极连接，所述电阻R1的另一端与所述二极管D1的正极连接后再连接到所述外部供电电源和所述掉电检测模块上，所述二极管D1的负极与所述二极管D2的负极连接并作为供电模块的输出端；
所述电容组为电解电容或超级电容。
3.根据权利要求1或2所述的掉电保护装置，其特征在于，
所述掉电检测模块包括：第一电源检测芯片、电阻R31、电阻R41和第一反相器U1；
其中，所述第一电源检测芯片包括八个接口，所述第一电源检测芯片的第1接口与所述第一电源检测芯片的第5接口连接，所述第一电源检测芯片的第2接口与所述电阻R41的一端连接并接地，所述电阻R41的另一端与所述第一电源检测芯片的第4接口和所述电阻R31的一端连接，所述电阻R31的另一端与所述外部供电电源连接，所述第一电源检测芯片的第8接口与所述第一反相器U1的输入端连接，所述第一反相器U1的输出端作为所述掉电检测模块的输出端。
4.根据权利要求3所述的掉电保护装置，其特征在于，所述掉电检测模块还包括电阻R5、电阻R6和电容C1，
所述第一电源检测芯片的第8接口分别与所述电阻R5和电阻R6的一端连接，所述电阻R5的另一端与所述电容C1一端连接后接地，所述电阻R6的另一端分别与所述电容C1的另一端和所述第一反相器U1的输入端连接。
5.根据权利要求1或2所述的掉电保护装置，其特征在于，
所述掉电检测模块包括：第二电源检测芯片、电阻R32、电阻R42；
其中，所述第二电源检测芯片包括八个接口，所述第二电源检测芯片的第1接口与所述第二电源检测芯片的第5接口连接，所述第二电源检测芯片的第2接口与所述R42的一端连接并接地，所述R42的另一端与所述第二电源检测芯片的第4接口和所述R32的一端连接，所述R32的另一端与所述外部供电电源连接，所述第二电源检测芯片的第7接口作为所述掉电检测模块的输出端。
6.根据权利要求1或2所述的掉电保护装置，其特征在于，
所述掉电检测模块包括：电阻R7、电阻R8，电阻R9、NPN三极管P1和反相器U2；
其中，所述电阻R7一端与所述外部供电电源连接，所述电阻R7的另一端与所述NPN三极管P1的基极B连接，所述电阻R7的另一端还经所述电阻R8后接地，所述NPN三极管P1的发射极E接地，所述NPN三极管P1的集电极C与所述电阻R9的一端和所述反相器U2的输入端连接，所述电阻R9的另一端连接至所述供电模块，所述反相器U2的输出端作为所述掉电检测模块的输出端。
7.根据权利要求1或2所述的掉电保护装置，其特征在于，
所述掉电检测模块包括：NPN三极管P2、电阻R10、电阻R11、二极管D4；
其中，所述二极管D4的输入端与外部供电电源连接，所述二极管D4输出端与所述电阻R10的一端连接，所述电阻R10的另一端与所述NPN三极管P2的基极B连接，所述NPN三极管P2的集电极C与所述外部供电电源连接，所述NPN三极管P2的发射极E经所述电阻R11接地，所述NPN三极管P2的发射极E作为所述掉电检测模块的输出端。
8.根据权利要求1所述的掉电保护装置，其特征在于，
所述信号处理单元为数字信号处理器DSP；
所述DSP一端通过外部存储器接口EMIFA总线与所述FRAM连接，所述DSP另一端与所述掉电检测模块连接以接收中断信号。
9.根据权利要求1所述的掉电保护装置，其特征在于，
所述FRAM为两片8k*8bit级联组成，采用并联传输方式。
10.根据权利要求3所述的掉电保护装置，其特征在于，
所述电源检测芯片为电源监测芯片SP708、MAX708、IMP707、ASM707、SP707和CN708中的任意一个。
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