CN105302269A - 一种微机系统掉电检测与数据存储电路 - Google Patents

一种微机系统掉电检测与数据存储电路 Download PDF

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CN105302269A CN201510850738.1A CN201510850738A CN105302269A CN 105302269 A CN105302269 A CN 105302269A CN 201510850738 A CN201510850738 A CN 201510850738A CN 105302269 A CN105302269 A CN 105302269A
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王留民
孙春香
刘冠达
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Abstract

本发明公开了一种微机系统掉电检测与数据存储电路,包括:微处理器(3)、时钟电路(1)、掉电检测电路(2)和铁电存储器(4)。微处理器(3)作为微机系统的中央处理器,时钟电路(1)记录系统掉电时刻的时间,铁电存储器(4)选用铁电存储器FM22L16-55-TG,存储掉电时刻的系统数据;掉电检测电路(2)检测到系统掉电时,立刻把系统时间和系统数据存储在存储器中。该电路硬件结构简单、成本低,在车辆、交通控制和智能化停车场管理系统等方面,具有一定的使用价值。

Description

一种微机系统掉电检测与数据存储电路
技术领域
本发明涉及一种微机系统检测与存储电路,特别是一种微机系统掉电检测与数据存储电路。
背景技术
在微机控制系统中,CPU要执行的程序、要处理的数据和处理的中间结果等都存放在存储器中,目前微机的存储器几乎全部采用易失性存储器,一旦系统意外失电,这些数据往往被丢失。因此,当系统意外失电时必须采取一定的检测措施进行系统的掉电保护,以避免系统产生混乱。
目前常用的掉电检测与数据存储电路也都包括:微处理器,还包括:时钟电路、掉电检测电路和铁电存储器三部分。在时钟电路设计时,牵涉到备用电源的选择,备用电源通常选用电池,但是由于电池的体积大,还需要安装底座,并且当电量用尽时,需要经常替换或取下充电,这样为电路板设计和生产安装及设备运行带来不便。
存储器是微机系统的记忆部件,其种类分为易失性和非易失性两类。若采用易失性存储器,为了防止断电后存储的数据丢失,必须增加备用电源为其供电,这就又增加了电路的复杂性,而非易失性存储器则断电后存储的数据不丢失。传统的非易失性存储器技术均源自ROM技术,有不易写入、写入需要特大功耗等缺点。
掉电检测电路,若存储器选用带备用电源的易失性存储器,掉电检测电路不但要实现电压检测预警,还要实现易失性存储器备用电源的切换。若存储器选用非易失性存储器,则无需备用电源切换。因此掉电检测电路的设计与存储器的选型相互关联。
发明内容
本发明目的在于提供一种微机系统掉电检测和数据存储电路,解决微机系统防止掉电数据丢失,重新上电数据及时恢复问题。
一种微机系统掉电检测与数据存储电路,包括:微处理器,还包括:时钟电路、掉电检测电路和铁电存储器,其中,时钟电路,包括:时钟芯片DS1302、晶振、电容C1、二极管D1、电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4;掉电检测电路,包括:分压电阻R5、分压电阻R6和掉电检测芯片MAX693ESE;铁电存储器型号为FM22L16-55-TG。时钟芯片DS1302的SCLK、I/O、/RST分别与微处理器的SCLK、I/O、/RST连接,其中时钟芯片DS1302的SCLK与上拉电阻R2的一端连接,上拉电阻R2的另一端与系统电源VCC相连,时钟芯片DS1302的I/O与上拉电阻R3的一端连接,上拉电阻R3的另一端与系统电源VCC相连,时钟芯片DS1302的/RST与上拉电阻R4的一端连接,上拉电阻R4的另一端与系统电源VCC相连,时钟芯片DS1302的X1和X2分别与晶振两端连接,时钟芯片DS1302的VCC1与电容C1的正极连接,电容C1的负极与系统地GND连接,系统电源VCC与二极管D1的正极连接,二极管D1的负极与电阻R1的一端连接,电阻R1的另一端均与电容C1的正极和时钟芯片DS1302的VCC1连接,时钟芯片DS1302的GND与系统GND连接,时钟芯片DS1302的VCC2与系统电源VCC连接。掉电检测芯片MAX693ESE的VBAT与系统GND连接,掉电检测芯片MAX693ESE的Vout与系统工作电压VCC连接;分压电阻R5的一端均与掉电检测芯片MAX693ESE的比较检测电压输入端PFI和分压电阻R6的一端连接,分压电阻R5的另一端与系统电源VCC连接,分压电阻R6的另一端与系统GND连接;掉电检测芯片MAX693ESE的比较检测电压输出端/PFO与微处理器中断输入端口INT连接。铁电存储器FM22L16-55-TG的18根地址线A0到A17分别与微处理器的18根地址线A0到A17一一对应连接,铁电存储器FM22L16-55-TG的16位数据线的低8位数据线D0到D7分别与微处理器的D0到D7一一对应连接、铁电存储器FM22L16-55-TG的16位数据线的高8位数据线D8到D15分别与微处理器的D0到D7一一对应连接,铁电存储器FM22L16-55-TG的片选信号/CE与微处理器的/CS连接,铁电存储器FM22L16-55-TG的写使能/WE、读使能/OE分别与微处理器的写读控制信号/WE、/RD对应连接,铁电存储器FM22L16-55-TG的高低字节选择/UB、/LB及睡眠模式选择/ZZ分别与微处理器的三个I/O口对应连接。
掉电检测芯片MAX693ESE的比较检测电压输入端PFI的输入电压是1.25V,由分压电阻R5、分压电阻R6对系统工作电压VCC分压,使比较检测电压输入端PFI输入电压为1.25V。在系统电源VCC下降过程中,当掉电检测芯片MAX693ESE的比较检测电压输入端PFI输入为1.25V时,掉电检测芯片MAX693ESE的/PFO输出低电平,触发微处理器中断,进行时间数据和系统数据存储操作,若掉电检测芯片MAX693ESE的比较检测电压输入端PFI输入大于1.25V时,掉电检测芯片MAX693ESE的/PFO输出拉高,不进行数据存储。
时钟芯片DS1302由时钟芯片DS1302的VCC1和VCC2两者中的较大者供电,当时钟芯片DS1302的VCC2的电压值大于时钟芯片DS1302的VCC1的电压值0.2V时,时钟芯片DS1302的VCC2给时钟芯片DS1302供电,当时钟芯片DS1302的VCC2的电压值小于时钟芯片DS1302的VCC1的电压值时,时钟芯片DS1302由时钟芯片DS1302的VCC1供电。当系统正常供电时,时钟芯片DS1302的VCC2等于系统电源VCC,由系统电源VCC为时钟芯片DS1302供电,同时系统电源VCC通过二极管D1给电容C1充电;当系统掉电时,时钟芯片DS1302的VCC2的电压值小于时钟芯片DS1302的VCC1的电压值,且时钟芯片DS1302的VCC1等于电容C1的端电压,由于二极管的反向截至特性,电容C1只给时钟芯片DS1302供电,保证时钟电路在掉电状态下继续工作,维持系统时间的连续性。在系统掉电时,读取时钟芯片DS1302此时的系统时间,并保存在铁电存储器FM22L16-55-TG中。对时钟芯片DS1302进行读写操作,必须把时钟芯片DS1302的/RST置高电平,若时钟芯片DS1302的/RST为低电平,则终止所有的数据传送,并且该管脚为高阻抗状态。在时钟芯片DS1302的/RST保持低电平时,时钟芯片DS1302的SCLK也必须保持低电平。对时钟芯片DS1302进行读操作,时钟芯片DS1302的/RST为高电平,先在八个时钟周期的上升沿输入一个读地址/命令字节,紧跟八个时钟周期的下降沿,数据被读出,并且数据从Bit0位到Bit7位依次输出。对时钟芯片DS1302进行写操作,时钟芯片DS1302的/RST为高电平,先在八个时钟周期的上升沿输入一个写地址/命令字节,紧跟八个时钟周期的上升沿,数据被写入时钟芯片DS1302,并且数据从Bit0位开始到Bit7位依次写入。
当掉电检测电路产生掉电中断触发信号时,微处理器开始对铁电存储器FM22L16-55-TG进行写操作,把此时的系统时间和系统数据写入铁电存储器FM22L16-55-TG,保证系统数据的完整性。当系统重新上电时,微处理器对铁电存储器FM22L16-55-TG进行读操作,对系统数据进行重新恢复。对铁电存储器FM22L16-55-TG进行读写操作时,铁电存储器FM22L16-55-TG的/CE是低电平且铁电存储器FM22L16-55-TG的/ZZ是高电平,选择铁电存储器FM22L16-55-TG,并在铁电存储器FM22L16-55-TG的/CE的下降沿地址被锁存;在铁电存储器FM22L16-55-TG的/CE是低电平时,改变铁电存储器FM22L16-55-TG的A0和A1地址,按页模式操作;写操作时,在铁电存储器FM22L16-55-TG的/WE上升沿数据被写入数据总线,下降沿数据保持;读操作时,当铁电存储器FM22L16-55-TG的/OE低电平,铁电存储器FM22L16-55-TG驱动数据总线读出数据;若按高低字节读写操作时,当铁电存储器FM22L16-55-TG的/UB为低电平时,高字节操作,使能铁电存储器FM22L16-55-TG的D8到D15高8位数据线,当铁电存储器FM22L16-55-TG的/UB高电平时,铁电存储器的D8到D15高8位数据线高阻抗;当铁电存储器的/LB为低电平时,低字节操作:在读写时,使能铁电存储器FM22L16-55-TG的D0到D7低8位数据线,当铁电存储器FM22L16-55-TG的/LB高电平时,铁电存储器FM22L16-55-TG的D0到D7低8位数据线高阻抗。睡眠模式操作时,铁电存储器FM22L16-55-TG的/ZZ低电平时,铁电存储器FM22L16-55-TG进入睡眠模式。
本发明完成了系统电压的掉电检测、时钟电路的电源切换,实现掉电时系统时间及系统数据的存储,在系统重新上电时,读取铁电存储器中的系统时间及系统数据,对系统进行状态恢复,保证系统数据的完整性。
附图说明
图1一种微机系统掉电检测与数据存储电路的连接关系示意图。
1.时钟电路2.掉电检测电路3.微处理器4.铁电存储器。
具体实施方式
一种微机系统掉电检测与数据存储电路,包括:微处理器3,还包括:时钟电路1、掉电检测电路2和铁电存储器4,其中,时钟电路1,包括:时钟芯片DS1302、晶振、电容C1、二极管D1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4;掉电检测电路2,包括:分压电阻R5、分压电阻R6和掉电检测芯片MAX693ESE;铁电存储器型号为FM22L16-55-TG。时钟芯片DS1302的SCLK、I/O、/RST分别与微处理器的SCLK、I/O、/RST连接,其中时钟芯片DS1302的SCLK与上拉电阻R2的一端连接,上拉电阻R2的另一端与系统电源VCC相连,时钟芯片DS1302的I/O与上拉电阻R3的一端连接,上拉电阻R3的另一端与系统电源VCC相连,时钟芯片DS1302的/RST与上拉电阻R4的一端连接,上拉电阻R4的另一端与系统电源VCC相连,时钟芯片DS1302的X1和X2分别与晶振两端连接,时钟芯片DS1302的VCC1与电容C1的正极连接,电容C1的负极与系统地GND连接,系统电源VCC与二极管D1的正极连接,二极管D1的负极与电阻R1的一端连接,电阻R1的另一端均与电容C1的正极和时钟芯片DS1302的VCC1连接,时钟芯片DS1302的GND与系统GND连接,时钟芯片DS1302的VCC2与系统电源VCC连接。掉电检测芯片MAX693ESE的VBAT与系统GND连接,掉电检测芯片MAX693ESE的Vout与系统工作电压VCC连接;分压电阻R5的一端均与掉电检测芯片MAX693ESE的比较检测电压输入端PFI和分压电阻R6的一端连接,分压电阻R5的另一端与系统电源VCC连接,分压电阻R6的另一端与系统GND连接;掉电检测芯片MAX693ESE的比较检测电压输出端/PFO与微处理器中断输入端口INT连接。铁电存储器FM22L16-55-TG的18根地址线A0到A17分别与微处理器的18根地址线A0到A17一一对应连接,16位数据线的低8位数据线D0到D7分别与微处理器的D0到D7一一对应连接、16位数据线的高8位数据线D8到D15分别与微处理器的D0到D7一一对应连接,铁电存储器FM22L16-55-TG的片选信号/CE与微处理器的/CS连接,铁电存储器FM22L16-55-TG的写使能/WE、读使能/OE分别与微处理器的写读控制信号/WE、/RD对应连接,铁电存储器FM22L16-55-TG的高低字节选择/UB、/LB及睡眠模式选择/ZZ分别与微处理器的三个I/O口对应连接。
掉电检测芯片MAX693ESE的比较检测电压输入端PFI的输入电压是1.25V,由分压电阻R5、分压电阻R6对系统工作电压VCC分压,使比较检测电压输入端PFI输入电压为1.25V。在系统电源VCC下降过程中,当掉电检测芯片MAX693ESE的比较检测电压输入端PFI输入为1.25V时,掉电检测芯片MAX693ESE的/PFO输出低电平,触发微处理器中断,进行时间数据和系统数据存储操作,若掉电检测芯片MAX693ESE的比较检测电压输入端PFI输入大于1.25V时,掉电检测芯片MAX693ESE的/PFO输出拉高,不进行数据存储。
时钟芯片DS1302由时钟芯片DS1302的VCC1和VCC2两者中的较大者供电,当时钟芯片DS1302的VCC2的电压值大于时钟芯片DS1302的VCC1的电压值0.2V时,时钟芯片DS1302的VCC2给时钟芯片DS1302供电,当时钟芯片DS1302的VCC2的电压值小于时钟芯片DS1302的VCC1的电压值时,时钟芯片DS1302由时钟芯片DS1302的VCC1供电。当系统正常供电时,时钟芯片DS1302的VCC2等于系统电源VCC,由系统电源VCC为时钟芯片DS1302供电,同时系统电源VCC通过二极管D1给电容C1充电;当系统掉电时,时钟芯片DS1302的VCC2的电压值小于时钟芯片DS1302的VCC1的电压值,且时钟芯片DS1302的VCC1等于电容C1的端电压,由于二极管的反向截至特性,电容C1只给时钟芯片DS1302供电,保证时钟电路在掉电状态下继续工作,维持系统时间的连续性。在系统掉电时,读取时钟芯片DS1302此时的系统时间,并保存在铁电存储器FM22L16-55-TG中。对时钟芯片DS1302进行读写操作,必须把时钟芯片DS1302的/RST置高电平,若时钟芯片DS1302的/RST为低电平,则终止所有的数据传送,并且该管脚为高阻抗状态。在时钟芯片DS1302的/RST保持低电平时,时钟芯片DS1302的SCLK也必须保持低电平。对时钟芯片DS1302进行读操作,时钟芯片DS1302的/RST为高电平,先在八个时钟周期的上升沿输入一个读地址/命令字节,紧跟八个时钟周期的下降沿,数据被读出,并且数据从Bit0位到Bit7位依次输出。对时钟芯片DS1302进行写操作,时钟芯片DS1302的/RST为高电平,先在八个时钟周期的上升沿输入一个写地址/命令字节,紧跟八个时钟周期的上升沿,数据被写入时钟芯片DS1302,并且数据从Bit0位开始到Bit7位依次写入。
当掉电检测电路产生掉电中断触发信号时,微处理器开始对铁电存储器FM22L16-55-TG进行写操作,把此时的系统时间和系统数据写入铁电存储器FM22L16-55-TG,保证系统数据的完整性。当系统重新上电时,微处理器对铁电存储器FM22L16-55-TG进行读操作,对系统数据进行重新恢复。对铁电存储器FM22L16-55-TG进行读写操作时,铁电存储器FM22L16-55-TG的/CE是低电平且铁电存储器FM22L16-55-TG的/ZZ是高电平,选择铁电存储器FM22L16-55-TG,并在铁电存储器FM22L16-55-TG的/CE的下降沿地址被锁存;在铁电存储器FM22L16-55-TG的/CE是低电平时,改变铁电存储器FM22L16-55-TG的A0和A1地址,按页模式操作;写操作时,在铁电存储器FM22L16-55-TG的/WE上升沿数据被写入数据总线,下降沿数据保持;读操作时,当铁电存储器FM22L16-55-TG的/OE低电平,铁电存储器FM22L16-55-TG驱动数据总线读出数据;若按高低字节读写操作时,当铁电存储器FM22L16-55-TG的/UB为低电平时,高字节操作,使能铁电存储器FM22L16-55-TG的D8到D15高8位数据线,当铁电存储器FM22L16-55-TG的/UB高电平时,铁电存储器的D8到D15高8位数据线高阻抗;当铁电存储器的/LB为低电平时,低字节操作:在读写时,使能铁电存储器FM22L16-55-TG的D0到D7低8位数据线,当铁电存储器FM22L16-55-TG的/LB高电平时,铁电存储器FM22L16-55-TG的D0到D7低8位数据线高阻抗。睡眠模式操作时,铁电存储器FM22L16-55-TG的/ZZ低电平时,铁电存储器FM22L16-55-TG进入睡眠模式。
本发明完成了系统电压的掉电检测、时钟电路的电源切换,实现掉电时系统时间及系统数据的存储,在系统重新上电时,读取铁电存储器中的系统时间及系统数据,对系统进行状态恢复,保证系统数据的完整性。
一种微机系统掉电检测与数据存储电路完成了系统电压的掉电检测、时钟电路的电源切换,实现掉电时系统时间及系统数据的存储,在系统重新上电时,读取铁电存储器中的系统时间及系统数据,对系统进行状态恢复,保证系统数据的完整性。

Claims (1)

1.一种微机系统掉电检测与数据存储电路,包括:微处理器(3),其特征在于还包括:时钟电路(1)、掉电检测电路(2)和铁电存储器(4),其中,时钟电路(1),包括:时钟芯片DS1302、晶振、电容C1、二极管D1、电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4;掉电检测电路(2),包括:分压电阻R5、分压电阻R6和掉电检测芯片MAX693ESE;铁电存储器(4)型号为FM22L16-55-TG;时钟芯片DS1302的SCLK、I/O、/RST分别与微处理器(3)的SCLK、I/O、/RST连接,其中时钟芯片DS1302的SCLK与上拉电阻R2的一端连接,上拉电阻R2的另一端与系统电源VCC相连,时钟芯片DS1302的I/O与上拉电阻R3的一端连接,上拉电阻R3的另一端与系统电源VCC相连,时钟芯片DS1302的/RST与上拉电阻R4的一端连接,上拉电阻R4的另一端与系统电源VCC相连,时钟芯片DS1302的X1和X2分别与晶振两端连接,时钟芯片DS1302的VCC1与电容C1的正极连接,电容C1的负极与系统地GND连接,系统电源VCC与二极管D1的正极连接,二极管D1的负极与电阻R1的一端连接,电阻R1的另一端均与电容C1的正极和时钟芯片DS1302的VCC1连接,时钟芯片DS1302的GND与系统GND连接,时钟芯片DS1302的VCC2与系统电源VCC连接;掉电检测芯片MAX693ESE的VBAT与系统GND连接,掉电检测芯片MAX693ESE的Vout与系统工作电压VCC连接;分压电阻R5的一端均与掉电检测芯片MAX693ESE的比较检测电压输入端PFI和分压电阻R6的一端连接,分压电阻R5的另一端与系统电源VCC连接,分压电阻R6的另一端与系统GND连接;掉电检测芯片MAX693ESE的比较检测电压输出端/PFO与微处理器(3)中断输入端口INT连接;铁电存储器(4)FM22L16-55-TG的18根地址线A0到A17分别与微处理器(3)的18根地址线A0到A17一一对应连接,铁电存储器(4)FM22L16-55-TG的16位数据线的低8位数据线D0到D7分别与微处理器(3)的D0到D7一一对应连接、铁电存储器(4)FM22L16-55-TG的16位数据线的高8位数据线D8到D15分别与微处理器(3)的D0到D7一一对应连接,铁电存储器(4)FM22L16-55-TG的片选信号/CE与微处理器(3)的/CS连接,铁电存储器(4)FM22L16-55-TG的写使能/WE、读使能/OE分别与微处理器(3)的写读控制信号/WE、/RD对应连接,铁电存储器(4)FM22L16-55-TG的高低字节选择/UB、/LB及睡眠模式选择/ZZ分别与微处理器(3)的三个I/O口对应连接;
掉电检测芯片MAX693ESE的比较检测电压输入端PFI的输入电压是1.25V,由分压电阻R5、分压电阻R6对系统工作电压VCC分压,使比较检测电压输入端PFI输入电压为1.25V;在系统电源VCC下降过程中,当掉电检测芯片MAX693ESE的比较检测电压输入端PFI输入为1.25V时,掉电检测芯片MAX693ESE的/PFO输出低电平,触发微处理器(3)中断,进行时间数据和系统数据存储操作,当掉电检测芯片MAX693ESE的比较检测电压输入端PFI输入大于1.25V时,掉电检测芯片MAX693ESE的/PFO输出拉高,不进行数据存储;
时钟芯片DS1302由时钟芯片DS1302的VCC1和VCC2两者中的较大者供电,当时钟芯片DS1302的VCC2的电压值大于时钟芯片DS1302的VCC1的电压值0.2V时,时钟芯片DS1302的VCC2给时钟芯片DS1302供电,当时钟芯片DS1302的VCC2的电压值小于时钟芯片DS1302的VCC1的电压值时,时钟芯片DS1302由时钟芯片DS1302的VCC1供电;当系统正常供电时,时钟芯片DS1302的VCC2等于系统电源VCC,由系统电源VCC为时钟芯片DS1302供电,同时系统电源VCC通过二极管D1给电容C1充电;当系统掉电时,时钟芯片DS1302的VCC2的电压值小于时钟芯片DS1302的VCC1的电压值,且时钟芯片DS1302的VCC1等于电容C1的端电压,由于二极管的反向截至特性,电容C1只给时钟芯片DS1302供电,保证时钟电路(1)在掉电状态下继续工作,维持系统时间的连续性;在系统掉电时,读取时钟芯片DS1302此时的系统时间,并保存在铁电存储器FM22L16-55-TG中;对时钟芯片DS1302进行读写操作,必须把时钟芯片DS1302的/RST置高电平,当时钟芯片DS1302的/RST为低电平,则终止所有的数据传送,并且该管脚为高阻抗状态;在时钟芯片DS1302的/RST保持低电平时,时钟芯片DS1302的SCLK也必须保持低电平;对时钟芯片DS1302进行读操作,时钟芯片DS1302的/RST为高电平,先在八个时钟周期的上升沿输入一个读地址/命令字节,紧跟八个时钟周期的下降沿,数据被读出,并且数据从Bit0位到Bit7位依次输出;对时钟芯片DS1302进行写操作,时钟芯片DS1302的/RST为高电平,先在八个时钟周期的上升沿输入一个写地址/命令字节,紧跟八个时钟周期的上升沿,数据被写入时钟芯片DS1302,并且数据从Bit0位开始到Bit7位依次写入;
当掉电检测电路(2)产生掉电中断触发信号时,微处理器(3)开始对铁电存储器FM22L16-55-TG进行写操作,把此时的系统时间和系统数据写入铁电存储器FM22L16-55-TG,保证系统数据的完整性;当系统重新上电时,微处理器(3)对铁电存储器FM22L16-55-TG进行读操作,对系统数据进行重新恢复;对铁电存储器FM22L16-55-TG进行读写操作时,铁电存储器FM22L16-55-TG的/CE是低电平且铁电存储器FM22L16-55-TG的/ZZ是高电平,选择铁电存储器FM22L16-55-TG,并在铁电存储器FM22L16-55-TG的/CE的下降沿地址被锁存;在铁电存储器FM22L16-55-TG的/CE是低电平时,改变铁电存储器FM22L16-55-TG的A0和A1地址,按页模式操作;写操作时,在铁电存储器FM22L16-55-TG的/WE上升沿数据被写入数据总线,下降沿数据保持;读操作时,当铁电存储器FM22L16-55-TG的/OE低电平,铁电存储器FM22L16-55-TG驱动数据总线读出数据;当按高低字节读写操作,铁电存储器FM22L16-55-TG的/UB为低电平时,高字节操作,使能铁电存储器FM22L16-55-TG的D8到D15高8位数据线,当铁电存储器FM22L16-55-TG的/UB高电平时,铁电存储器(4)的D8到D15高8位数据线高阻抗;当铁电存储器的/LB为低电平时,低字节操作:在读写时,使能铁电存储器FM22L16-55-TG的D0到D7低8位数据线,当铁电存储器FM22L16-55-TG的/LB高电平时,铁电存储器FM22L16-55-TG的D0到D7低8位数据线高阻抗;睡眠模式操作时,铁电存储器FM22L16-55-TG的/ZZ低电平时,铁电存储器FM22L16-55-TG进入睡眠模式。
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