CN104087913A - 一种用于加速惰性硅化合物生长在衬底表面上的化学组合物 - Google Patents

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Abstract

本发明提供的一种用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化学组合物，包括以下重量百分数的组分：氟硅酸或氟硅酸盐类化合物0.1-25％，氨基酸类化合物0.1-15％，铵类化合物0.05-15％，无机酸0.001-30％，有机酸0.001-30％，表面活性剂0.001-0.05％，核心添加剂0.01-10％，余量为水。该辅助化学组合物成本低廉、使用方便、重复性好，将该辅助化学组合物应用于在硅片表面生成惰性硅化合物薄膜，制得的硅片整面色泽均匀，硅片表面惰性硅化合物薄膜分布均匀，该组合物特别适用于光伏、电子行业，可以大大降低惰性硅化合物在衬底表面生长所需要的温度，大大降低生产成本。

Description

一种用于加速惰性硅化合物生长在衬底表面上的化学组合物
技术领域
本发明属于材料领域，特别涉及一种用于优化惰性硅化合物生长在衬底表面上的化学组合物；更具体地，本发明涉及一种用于在低温情况下能加速惰性硅化合物生长在衬底表面上的辅助化学组合物。惰性硅化合物包含所有能将单质硅表面有悬键的硅原子反应生成不导电的硅的化合物。
背景技术
惰性硅化合物薄膜具有硬度高、耐磨性好、绝热性好、光透过率高、抗侵蚀能力强以及良好的介电性质。现有技术中，通过制备方法、工艺的开发和不同组分配比对二氧化硅薄膜的影响研究制备具有优良性能的透明惰性硅化合物薄膜的工作已经取得了很大进展。惰性硅化合物薄膜在诸多领域得到了很好的应用，如用于电子器件和集成器件、光学薄膜器件等相关器件中。
在工业应用领域，可用不同的方法使无机材料生长在工业衬底表面上。然而，现有的方法或者生产成本很高，或者应用工艺相当复杂，因此难以广泛应用。
化学蒸气沉积法(CVD)在衬底表面上生长无机薄膜是电子工业中应用最多的一种方法。该方法要求衬底表面的温度足够高，从而使得微小物质碎片在衬底表面自由迁移，这些碎片在表面移动直到它们发现热力学稳定的粘伏位置。因此，CVD法要求使用高温、挥发性化合物以及低压力，从而使工艺设备昂贵、工艺过程复杂，且可造成环境危害。
溶胶-凝胶是在衬底表面生成无机材料的另一种方法。该方法将溶胶凝胶前体化合物溶解在溶液中，加入其他试剂(通常为水或乙酸)反应，得凝胶；再将凝胶必须是旋涂到基材上，从而形成薄膜或涂层。因为大多数溶胶凝胶包括纳米颗粒或纳米颗粒簇，具有显著的有机含量，因此必须进行额外的热处理或化学处理。由此可见，尽管溶胶凝胶是一种低温方法，然而其包括多个步骤，工艺复杂。
液相淀积(LPD)是一种较新的在衬底表面生成无机材料方法。美国专利(US2505629，US5073408,US5132140)公开在30-50℃下在液体中在硅片表面上生长惰性硅化合物的方法，其利用氟硅酸和水反应生成氢氟酸和二氧化硅的原理在衬底表面生成惰性硅化合物。然而，该方法生成惰性硅化合物的速度非常缓慢，大约为每小时8纳米左右，很难在工业上推广应用。
为了提高惰性硅化合物的生长速度，大多研究者将反应液中增加硼酸、金属化合物或其他添加剂，但是大多情况下生长出的二氧化硅在衬底表面上分布不够均匀。
发明内容
发明目的：本发明的目的在于提供一种用于加速惰性硅化合物生长在衬底表面上的辅助化学组合物。
技术方案：本发明提供的一种用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化学组合物，包括以下重量百分数的组分：氟硅酸或氟硅酸盐类化合物0.1-25％，氨基酸类化合物0.1-15％，铵类化合物0.05-15％，无机酸0.001-30％，有机酸0.001-30％，表面活性剂0.001-0.05％，核心添加剂0.01-10％余量为水。
优选地，用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化学组合物，包括以下重量百分数的组分：氟硅酸或氟硅酸盐类化合物2-10％，氨基酸类化合物0.1-15％，铵类化合物0.5-15％，无机酸1-20％，有机酸1-20％，表面活性剂0.001-0.05％，核心添加剂0.1-5％余量为水。
更优选地，用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化学组合物，包括以下重量百分数的组分：氟硅酸或氟硅酸盐类化合物5-8％，氨基酸类化合物4-8％，铵类化合物2-10％，无机酸5-10％，有机酸5-10％，表面活性剂0.02-0.04％，核心添加剂1-3％余量为水。
作为另一种优选，所述氟硅酸或氟硅酸盐类化合物选自氟硅酸和氟硅酸铵中的一种或两种。
作为另一种优选，所述氨基酸类化合物选自甘氨酸、丝氨酸、苏氨酸、天冬氨酸、谷氨酰胺、赖氨酸、精氨酸和组氨酸中的一种或两种。
作为另一种优选，所述铵类化合物选自氢氧化铵、二甲基乙基-2-羟乙基氢氧化铵、氟化铵、三甲基-3-羟丁基氢氧化铵、三甲基-3-羟丙基氢氧化铵、三丁基2-羟基乙基氢氧化铵和氟化四甲基铵和EDTA-二铵盐中的一种或几种。
作为另一种优选，所述无机酸选自碲酸、锇酸、铼酸、铬酸、硅酸、钴酸、钒酸、磷酸、硫酸、氯酸、锰酸、钼酸、镍酸、硼酸、铅酸、砷酸、钛酸、碳酸、锑酸、铁酸、钨酸、硝酸、硒酸、锡酸、锌酸、溴酸、氙酸、锗酸、原硅酸、原磷酸、原硫酸、原碳酸、(偏)硅酸、偏硼酸、偏钛酸、偏铁酸、偏磷酸、偏亚砷酸、偏亚磷酸、偏铝酸、偏钒酸、偏高碘酸、亚碲酸、碘酸、亚硫酸、亚磷酸、亚氯酸、亚铬酸亚铅酸、亚砷酸、亚硝酸、亚硒酸、亚锡酸、亚铁酸、亚锑酸、次氟酸、次碘酸、次氯酸、次溴酸、次磷酸、次硫酸、高铼酸、高氯酸、高锰酸、高铁酸、高碘酸、高溴酸、高氙酸、连多硫酸、连二亚硫酸、连四硫酸、连二磷酸、过(氧)酸、过一硫酸、过二硫酸、过二碳酸、过硼酸、过碳酸、同多酸、二钼酸、三钼酸、七钼酸、八钼酸、十二钼酸、十二钨酸、二钒酸、三钒酸、四钒酸、五钒酸、十钒酸、重铬酸、三铬酸、四铬酸、四硼酸(焦硼酸)、二偏硅酸、三硅酸、焦硅酸、焦磷酸、三磷酸、焦亚磷酸、焦硫酸、焦亚硫酸、焦砷酸、焦亚砷酸、焦高碘酸、磷钼酸、磷钨酸、十二钼硅酸、十二钨硼酸、过硫代碳酸、硫代硫酸、硫代碳酸、氯磺酸、氟磺酸、单氟磷酸、氢碘酸、氢叠氮酸、氢碲酸、氢氟酸、氢硒酸、氢硫酸、氢氯酸、氢溴酸、硫氰酸、硒氰酸、氰酸、异氰酸、雷酸、二氯合铜、四羟基合铝(Ⅲ)酸、四羟基合铜(Ⅱ)酸、六羟基合铁(Ⅲ)酸、氟硼酸、氟硅酸、氟钛酸、氟锑酸、氟磷酸、氟铂酸、氟铅酸、氯金酸、氯铂酸、氯亚铂酸、氯铅酸、过氧酸、超氧酸，臭氧酸、氟锑磺酸、碳硼烷酸、偏铝酸、四羟基合铝(Ⅲ)酸、偏亚砷酸、亚砷酸、焦砷酸、氯金酸、硼酸、偏硼酸、四硼酸、氟硼酸、过硼酸、十二钨硼酸、碳硼烷酸、溴酸、亚溴酸、次溴酸、高溴酸、氢溴酸、碳酸、原碳酸、过硫代碳酸、硫代碳酸、过二碳酸、高氯酸、高氯酸、过碳酸、氢氟酸、硝酸、亚硝酸、氢叠氮酸、镍酸、铅酸、亚铅酸、氟铅酸、氯铅酸、氟铂酸、氯铂酸、氯亚铂酸、铼酸、硫酸、亚硫酸、氢硫酸、硫代硫酸、焦硫酸、次硫酸、连多硫酸、原硫酸、连二亚硫酸、过一硫酸、过二硫酸、氯磺酸、氟磺酸、锑酸、亚锑酸、氟锑酸、氟锑磺酸、硒酸、亚硒酸、氢硒酸、(偏)硅酸、氟硅酸、焦硅酸、锡酸、亚锡酸、碲酸、氢碲酸、亚碲酸、钛酸、偏钛酸、氟钛酸、钒酸、偏钒酸、二钒酸、三钒酸、四钒酸、五钒酸、十钒酸、钨酸、十二钨酸、磷钨酸、十二钨硼酸、氙酸、高氙酸、锌酸的一种或几种。
作为另一种优选，所述有机酸选自所述有机酸选自癸二酸、胶酸、甲酸、三氟甲基磺酸、水杨酸、花生酸、单宁酸、软木酸、苹果酸、癸酸、月桂酸、鞣花酸、马来酸、醋酸，酒石酸、辛酸、草酸、肥酸、琥珀酸、柠檬酸、硬脂酸、豆蔻酸、丙氨酸、缩苹果酸、杜鹃花酸和甲基丙烯酸中的一种或几种。
作为另一种优选，所述表面活性剂选自FS-10、FS-30、FS-31、FS-50、FS-81、FS-83、1157、1157D、1157N、1430、1440、1460、FS-3100、DehyponTM0054、FC-17、FC-23、FC-170、FC-171、FC-430、FC-431、FC-2000、FC-3000、FC-5000、FC-6000、17R2、17R4、25R2、25R4、31R1和10R5中的一种或几种。
作为另一种优选，所述核心添加剂包括氢气、氦气、锂、铍、硼粉、碳粉、氮气、氧气、氟气、氖气、钠、镁、铝、硅粉、红磷粉、硫黄粉、氯气、氩气、钾、钙、钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、镓、锗、砷粉、硒、溴、氪气、铷、锶、钇、锆、铌、钼、锝、钌、铑、钯、银、镉、铟、锡、锑、碲粉、碘粉、氙气、铯、钡、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、铪、钽、钨、铼、锇、铱、铂、金、汞、铊、铅、铋、砈粉中的一种或几种元素、化合物或单质；优选地，所述核心添加剂包括氢气、氦气、锂块、铍块、硼粉、碳粉、氮气、氧气、氟气、氖气、钠块、镁条、铝块、硅粉、红磷粉、硫黄粉、氯气、氩气、钾块、钙块、钪块、钛块、钒块、铬块、锰块、铁块、钴块、镍粉、铜粉、锌粉、镓块、锗粉、砷粉、硒粉、溴水、氪气、铷块、锶块、钇块、锆块、铌块、钼块、锝块、钌块、铑块、钯块、银块、镉块、铟块、锡、锑粉、碲粉、碘粉、氙气、铯块、钡块、镧块、铈块、镨块、钕块、钷块、钐块、铕块、钆块、铽块、镝块、钬块、铒块、铥块、镱块、镥块、铪块、钽块、钨块、铼块、锇块、铱块、铂块、金块、汞、铊块、铅块、铋块中的一种或几种。
有益效果：本发明提供的辅助化学组合物制备工艺简单、成本低廉、使用方便、重复性好，将该辅助化学组合物应用于在硅片表面生成惰性硅化合物，制得的硅片整面色泽均匀，硅片表面氧化膜分布均匀，该组合物特别适用于光伏、电子行业，可以大大降低氧化硅在衬底表面生长所需要的温度，大大降低生产成本。
附图说明
图1为本发明用于加速惰性硅化合物生长在衬底表面的设备的结构示意图。
图2为利用本发明在太阳能电池硅片上生成的惰性硅化合物图谱。
具体实施方式
下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
本发明中，惰性硅化合物被理解为包括含有硅，也可包括但不限于氧、氟和氢。
实施例1
组合物1，包括以下重量百分数的组分：氟硅酸0.1％，甘氨酸0.1％，氢氧化铵15％，十钒酸30％，癸二酸0.001％，FS-100.05％，锂块0.01％，余量为水。
实施例2
组合物2，包括以下重量百分数的组分：氟硅酸25％，丝氨酸15％，二甲基乙基-2-羟乙基氢氧化铵0.05％，十二钨酸0.001％，胶酸30％，FS-300.001％，氢气10％，余量为水。
实施例3
组合物3，包括以下重量百分数的组分：氟硅酸铵10％，苏氨酸15％，氟化铵0.5％，钨酸20％，甲酸1％，FS-310.001％，碘粉0.1％，余量为水。
实施例4
组合物4，包括以下重量百分数的组分：氟硅酸2％，天冬氨酸0.1％，三甲基-3-羟丁基氢氧化铵15％，磷钨酸1％，三氟甲基磺酸20％，FS-500.05％，砈粉5％，余量为水。
实施例5
组合物5，包括以下重量百分数的组分：氟硅酸5％，谷氨酰胺4％，三甲基-3-羟丙基氢氧化铵10％，十二钨硼酸5％，水杨酸10％，FS-810.02％，镁粉1％，余量为水。
实施例6
组合物6，包括以下重量百分数的组分：氟硅酸铵8％，赖氨酸8％，三丁基2-羟基乙基氢氧化铵2％，高氙酸10％，花生酸5％，FS-830.04％，硫黄粉3％，余量为水。
实施例7
组合物7，包括以下重量百分数的组分：氟硅酸6％，精氨酸5％，氟化四甲基铵5％，氙酸6％，单宁酸8％，11570.03％，砷粉1.5％，余量为水。
实施例8
组合物8，包括以下重量百分数的组分：氟硅酸铵7％，组氨酸6％，EDTA-二铵盐7％，锌酸8％，软木酸6％，1157D0.03％，红磷粉2.5％，余量为水。
实施例9
按表1配制辅助化学组合物，配制方法为：将所述组分混匀，即得。
各物质的量分别为：氟硅酸10％，组氨酸5％，氟化四甲基铵10％，无机酸5％，有机酸5％，表面活性剂0.02％，核心添加剂2％，余量为水。
表1化学组合物配方
实施例10
采用实施例8基本相同的组分及配比，分别以过碳酸、同多酸、二钼酸、三钼酸、七钼酸、八钼酸、十二钼酸、十二钨酸、二钒酸、三钒酸、四钒酸、五钒酸、十钒酸、重铬酸、三铬酸、四铬酸、四硼酸(焦硼酸)、二偏硅酸、三硅酸、焦硅酸、焦磷酸、三磷酸、焦亚磷酸、焦硫酸、焦亚硫酸、焦砷酸、焦亚砷酸、焦高碘酸、磷钼酸、磷钨酸、十二钼硅酸、十二钨硼酸、过硫代碳酸、硫代硫酸、硫代碳酸、氯磺酸、氟磺酸、单氟磷酸、氢碘酸、氢叠氮酸、氢碲酸、氢氟酸、氢硒酸、氢硫酸、氢氯酸、氢溴酸、硫氰酸、硒氰酸、氰酸、异氰酸、雷酸、二氯合铜、四羟基合铝(Ⅲ)酸、四羟基合铜(Ⅱ)酸、六羟基合铁(Ⅲ)酸、氟硼酸、氟硅酸、氟钛酸、氟锑酸、氟磷酸、氟铂酸、氟铅酸、氯金酸、氯铂酸、氯亚铂酸、氯铅酸、过氧酸、超氧酸，臭氧酸、氟锑磺酸、碳硼烷酸、偏铝酸、四羟基合铝(Ⅲ)酸、偏亚砷酸、亚砷酸、焦砷酸、氯金酸、硼酸、偏硼酸、四硼酸、氟硼酸、过硼酸、十二钨硼酸、碳硼烷酸、溴酸、亚溴酸、次溴酸、高溴酸、氢溴酸、碳酸、原碳酸、过硫代碳酸、硫代碳酸、过二碳酸、高氯酸、高氯酸、过碳酸、氢氟酸、硝酸、亚硝酸、氢叠氮酸、镍酸、铅酸、亚铅酸、氟铅酸、氯铅酸、氟铂酸、氯铂酸、氯亚铂酸、铼酸、硫酸、亚硫酸、氢硫酸、硫代硫酸、焦硫酸、次硫酸、连多硫酸、原硫酸、连二亚硫酸、过一硫酸、过二硫酸、氯磺酸、氟磺酸、锑酸、亚锑酸、氟锑酸、氟锑磺酸、硒酸、亚硒酸、氢硒酸、(偏)硅酸、氟硅酸、焦硅酸、锡酸、亚锡酸、碲酸、氢碲酸、亚碲酸、钛酸、偏钛酸、氟钛酸、钒酸、偏钒酸、二钒酸、三钒酸、四钒酸、五钒酸代替锌酸，制得组合物85-组合物231。
实施例11
采用以下配方，制得组合物232-组合物241。
组合物232：氟硅酸8份，甘氨酸8份，二甲基乙基-2-羟乙基氢氧化铵4份，17R20.01份，余量为水；
组合物233：氟硅酸铵5份，氢氧化铵5份，FC-230.01份，余量为水；
组合物234：氟硅酸铵8份，丝氨酸2份，三甲基-3-羟丁基氢氧化铵7份，CapstoneFS-100.001份，余量为水
组合物235：氟硅酸铵2份，天冬氨酸4份，氢氧化铵3份，FS-300.01份，1157D0.01份，余量为水；
组合物236：氟硅酸铵2份，苏氨酸2份，谷氨酰胺2份、氢氧化铵3份，EDTA-二铵盐1份，FS-310.01份，14400.02份，25R20.01份，FC-170.01份，余量为水；
组合物237：氟硅酸5份，氟硅酸铵10份，赖氨酸6份，氟化铵10份，FC-30000.005份、FC-4310.005份、FC-50000.01份、FC-60000.005份、31R10.01份、10R50.005份；
组合物238：氟硅酸铵25份，精氨酸0.1份，三甲基-3-羟丙基氢氧化铵15份，FS-830.005份、FS-31000.02份、FC-20000.005份、
组合物:239：氟硅酸0.1份，组氨酸15份，氟化四甲基铵0.5份，11570.005份、14600.005份、DehyponTM00540.005份、1157N0.005份、FC-4300.005份、
组合物240：氟硅酸铵10份，三丁基2-羟基乙基氢氧化铵0.05份，FS-810.01份、FC-1710.005份、14300.005份、25R40.005份、
组合物241：氟硅酸铵2份，天冬氨酸4份，氢氧化铵2份，FS-500.005份、17R40.005份、FC-1700.005份。
实施例12
用于加速惰性硅化合物生长在衬底表面的设备，见图1，包括物料罐1、辅料罐2、流量调节阀3和反应槽4，所述物料罐1和辅料罐2分别和流量调节阀3连接，所述流量调节阀3与反应槽4连接。
将反应物料置于物料罐1中，将本发明提供的组合物置于辅料罐2中，将衬底置于反应槽4内，反应物料和本发明提供的组合物通过流量调节阀3混合后，通入反应槽4内，从而使惰性硅化合物在衬底表面快速生长。
本发明组合物用于加速惰性硅化合物生长在衬底表面，包括以下步骤：
1.将衬底基片7进行化学预处理，使其激活能快速生长惰性硅化合物膜；
预处理方法采用二次激活法：
a.首次激活：将衬底基片5置于体积比为(0.5-1)：(0.5-1)：(4-6)的氨水、双氧水和去离子水的混合溶液中，于50-80℃浸泡3-6min；去离子水冲洗干净，吹干；
b.二次激活：将经首次激活的衬底基片5置于体积比为(0.5-1)：(0.5-1)：(4-6)的盐酸、双氧水和去离子水的混合溶液中，于50-80℃浸泡3-6min；去离子水冲洗干净，吹干；盐酸的浓度为2-10％；
2.反应物料和本发明提供的组合物通过流量调节阀3混合后，通入反应槽4内；将经预处理的衬底基片5置于反应槽4中；
3.调节反应槽4中的混合溶液的温度在25-55℃反应1-10min；即得厚度为50-200nm的惰性硅化合物。
将实施例12中的组合物232至241制备包括惰性硅化合物薄膜的衬底，条件及结果见表2。
利用本发明在太阳能电池硅片上生成的惰性硅化合物如图2所示，图中左上角部分为没有生成惰性硅化合物的表面，可以清楚看到本发明的优越性。
表2组合物232至241制备包括惰性硅化合物薄膜的衬底条件及结果
实施例13
采用实施例12中类似的方法，采用组合物232制备包括惰性硅化合物薄膜的衬底条件，以组合物1-231制备包括惰性硅化合物薄膜的衬底，制得的产品厚度见表3。
表3组合物1至231制备包括惰性硅化合物薄膜的衬底的结果
组合物 厚度nm 组合物 厚度nm 组合物 厚度nm 组合物 厚度nm
1 120 61 100 121 100 181 100
2 110 62 80 122 80 182 80
3 150 63 60 123 60 183 60
4 170 64 120 124 120 184 120
5 90 65 150 125 150 185 150
6 80 66 180 126 180 186 180
7 110 67 90 127 90 187 90
8 150 68 70 128 70 188 70
9 100 69 80 129 80 189 80
10 80 70 150 130 150 190 150
11 60 71 80 131 80 191 100
12 120 72 160 132 160 192 80
13 150 73 50 133 50 193 60
14 180 74 190 134 190 194 120
15 90 75 200 135 200 195 150
16 70 76 180 136 180 196 180
17 80 77 80 137 80 197 90
18 150 78 90 138 90 198 70
19 80 79 40 139 40 199 80
20 160 80 60 140 60 200 150
21 50 81 90 141 90 201 80
22 190 82 60 142 80 202 160
23 200 83 120 143 160 203 50
24 180 84 100 144 50 204 190
25 80 85 80 145 190 205 200
26 90 86 60 146 200 206 180
27 40 87 120 147 180 207 80
28 60 88 150 148 80 208 90
29 90 89 180 149 90 209 40
30 80 90 90 150 40 210 60
31 100 91 70 151 60 211 90
32 80 92 80 152 90 212 70
33 60 93 150 153 90 213 80
34 120 94 80 154 80 214 150
35 150 95 160 155 110 215 80
36 180 96 50 156 150 216 160
37 90 97 190 157 100 217 50
38 70 98 200 158 80 218 190
39 80 99 180 159 60 219 200
40 100 100 100 160 100 220 180
41 80 101 80 161 80 221 80
42 60 102 60 162 60 222 90
43 120 103 120 163 120 223 40
44 150 104 120 164 150 224 120
45 180 105 100 165 180 225 100
46 90 106 80 166 90 226 80
47 70 107 60 167 70 227 60
48 80 108 120 168 80 228 120
49 150 109 150 169 150 229 150
50 80 110 180 170 80 230 180
51 160 111 90 171 160 231 90
52 50 112 70 172 50
53 190 113 80 173 190
54 200 114 150 174 200
55 180 115 80 175 180
56 80 116 160 176 80
57 90 117 50 177 90
58 40 118 190 178 40
59 60 119 60 179 60
60 90 120 90 180 90
本发明的实施例可应用在各个领域,其中一个例子是应用在半导体芯片的介电层。在当前的芯片技术中惰性硅化合物(诸如SiO2)被用作栅极介电层和器件间的绝缘层中存在。另一广泛应用是光伏硅电池的减反射层惰性硅化合物层。目前，大多数半导体芯片和光伏硅电池的减反射层都是通过CVD制备。然而，本发明的实施例可以认为是实现为生长惰性硅化合物薄膜而提供一个更便宜，更简单的方法。
上面的讨论、描述和简图是实施本发明的基本原则。其它的变化和修改将变得显而易见，对于本领域的技术一旦上述发明公开将会被完全理解。权利要求中的顺序叙述并不旨在要求的步骤是每按顺序完成的，或者说，每一个步骤与另一步骤并不需要按一定的顺序进行。

Claims (10)

1.一种用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化学组合物，其特征在于：包括以下重量百分数的组分：氟硅酸或氟硅酸盐类化合物0.1-25％，氨基酸类化合物0.1-15％，铵类化合物0.05-15％，无机酸0.001-30％，有机酸0.001-30％，表面活性剂0.001-0.05％，核心添加剂0.01-10％，余量为水。
2.根据权利要求1所述的一种用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化学组合物，其特征在于：包括以下重量百分数的组分：氟硅酸或氟硅酸盐类化合物2-10％，氨基酸类化合物0.1-15％，铵类化合物0.5-15％，无机酸1-20％，有机酸1-20％，表面活性剂0.001-0.05％，核心添加剂0.1-5％，余量为水。
3.根据权利要求1所述的一种用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化学组合物，其特征在于：包括以下重量百分数的组分：氟硅酸或氟硅酸盐类化合物5-8％，氨基酸类化合物4-8％，铵类化合物2-10％，无机酸5-10％，有机酸5-10％，表面活性剂0.02-0.04％，核心添加剂1-3％，余量为水。
4.根据权利要求1所述的一种用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化学组合物，其特征在于：所述氟硅酸或氟硅酸盐类化合物选自氟硅酸和氟硅酸铵中的一种或两种。
5.根据权利要求1所述的一种用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化学组合物，其特征在于：所述氨基酸类化合物选自甘氨酸、丝氨酸、苏氨酸、天冬氨酸、谷氨酰胺、赖氨酸、精氨酸和组氨酸中的一种或两种。
6.根据权利要求1所述的一种用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化学组合物，其特征在于：所述铵类化合物选自氢氧化铵、二甲基乙基-2-羟乙基氢氧化铵、氟化铵、三甲基-3-羟丁基氢氧化铵、三甲基-3-羟丙基氢氧化铵、三丁基2-羟基乙基氢氧化铵和氟化四甲基铵和EDTA-二铵盐中的一种或几种。
7.根据权利要求1所述的一种用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化学组合物，其特征在于：所述无机酸选自碲酸、锇酸、铼酸、铬酸、硅酸、钴酸、钒酸、磷酸、硫酸、氯酸、锰酸、钼酸、镍酸、硼酸、铅酸、砷酸、钛酸、碳酸、锑酸、铁酸、钨酸、硝酸、硒酸、锡酸、锌酸、溴酸、氙酸、锗酸、原硅酸、原磷酸、原硫酸、原碳酸、硅酸、偏硼酸、偏钛酸、偏铁酸、偏磷酸、偏亚砷酸、偏亚磷酸、偏铝酸、偏钒酸、偏高碘酸、亚碲酸、碘酸、亚硫酸、亚磷酸、亚氯酸、亚铬酸亚铅酸、亚砷酸、亚硝酸、亚硒酸、亚锡酸、亚铁酸、亚锑酸、次氟酸、次碘酸、次氯酸、次溴酸、次磷酸、次硫酸、高铼酸、高氯酸、高锰酸、高铁酸、高碘酸、高溴酸、高氙酸、连多硫酸、连二亚硫酸、连四硫酸、连二磷酸、过酸、过一硫酸、过二硫酸、过二碳酸、过硼酸、过碳酸、同多酸、二钼酸、三钼酸、七钼酸、八钼酸、十二钼酸、十二钨酸、二钒酸、三钒酸、四钒酸、五钒酸、十钒酸、重铬酸、三铬酸、四铬酸、四硼酸、二偏硅酸、三硅酸、焦硅酸、焦磷酸、三磷酸、焦亚磷酸、焦硫酸、焦亚硫酸、焦砷酸、焦亚砷酸、焦高碘酸、磷钼酸、磷钨酸、十二钼硅酸、十二钨硼酸、过硫代碳酸、硫代硫酸、硫代碳酸、氯磺酸、氟磺酸、单氟磷酸、氢碘酸、氢叠氮酸、氢碲酸、氢氟酸、氢硒酸、氢硫酸、氢氯酸、氢溴酸、硫氰酸、硒氰酸、氰酸、异氰酸、雷酸、二氯合铜、四羟基合铝(Ⅲ)酸、四羟基合铜(Ⅱ)酸、六羟基合铁(Ⅲ)酸、氟硼酸、氟硅酸、氟钛酸、氟锑酸、氟磷酸、氟铂酸、氟铅酸、氯金酸、氯铂酸、氯亚铂酸、氯铅酸、过氧酸、超氧酸，臭氧酸、氟锑磺酸、碳硼烷酸、偏铝酸、四羟基合铝(Ⅲ)酸、偏亚砷酸、亚砷酸、焦砷酸、氯金酸、硼酸、偏硼酸、四硼酸、氟硼酸、过硼酸、十二钨硼酸、碳硼烷酸、溴酸、亚溴酸、次溴酸、高溴酸、氢溴酸、碳酸、原碳酸、过硫代碳酸、硫代碳酸、过二碳酸、高氯酸、高氯酸、过碳酸、氢氟酸、硝酸、亚硝酸、氢叠氮酸、镍酸、铅酸、亚铅酸、氟铅酸、氯铅酸、氟铂酸、氯铂酸、氯亚铂酸、铼酸、硫酸、亚硫酸、氢硫酸、硫代硫酸、焦硫酸、次硫酸、连多硫酸、原硫酸、连二亚硫酸、过一硫酸、过二硫酸、氯磺酸、氟磺酸、锑酸、亚锑酸、氟锑酸、氟锑磺酸、硒酸、亚硒酸、氢硒酸、硅酸、氟硅酸、焦硅酸、锡酸、亚锡酸、碲酸、氢碲酸、亚碲酸、钛酸、偏钛酸、氟钛酸、钒酸、偏钒酸、二钒酸、三钒酸、四钒酸、五钒酸、十钒酸、钨酸、十二钨酸、磷钨酸、十二钨硼酸、氙酸、高氙酸、锌酸的一种或几种。
8.根据权利要求1所述的一种用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化学组合物，其特征在于：所述有机酸选自所述有机酸选自癸二酸、胶酸、甲酸、三氟甲基磺酸、水杨酸、花生酸、单宁酸、软木酸、苹果酸、癸酸、月桂酸、鞣花酸、马来酸、醋酸，酒石酸、辛酸、草酸、肥酸、琥珀酸、柠檬酸、硬脂酸、豆蔻酸、丙氨酸、缩苹果酸、杜鹃花酸和甲基丙烯酸中的一种或几种。
9.根据权利要求1所述的一种用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化学组合物，其特征在于：所述表面活性剂选自FS-10、FS-30、FS-31、FS-50、FS-81、FS-83、1157、1157D、1157N、1430、1440、1460、FS-3100、DehyponTM0054、FC-17、FC-23、FC-170、FC-171、FC-430、FC-431、FC-2000、FC-3000、FC-5000、FC-6000、17R2、17R4、25R2、25R4、31R1和10R5中的一种或几种。
10.根据权利要求1所述的一种用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化学组合物，其特征在于：所述核心添加剂包括氢气、氦气、锂、铍、硼粉、碳粉、氮气、氧气、氟气、氖气、钠、镁、铝、硅粉、红磷粉、硫黄粉、氯气、氩气、钾、钙、钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、镓、锗、砷粉、硒、溴、氪气、铷、锶、钇、锆、铌、钼、锝、钌、铑、钯、银、镉、铟、锡、锑、碲粉、碘粉、氙气、铯、钡、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、铪、钽、钨、铼、锇、铱、铂、金、汞、铊、铅、铋、砈粉中的一种或几种元素、化合物或单质；优选地，所述核心添加剂包括氢气、氦气、锂块、铍块、硼粉、碳粉、氮气、氧气、氟气、氖气、钠块、镁条、铝块、硅粉、红磷粉、硫黄粉、氯气、氩气、钾块、钙块、钪块、钛块、钒块、铬块、锰块、铁块、钴块、镍粉、铜粉、锌粉、镓块、锗粉、砷粉、硒粉、溴水、氪气、铷块、锶块、钇块、锆块、铌块、钼块、锝块、钌块、铑块、钯块、银块、镉块、铟块、锡、锑粉、碲粉、碘粉、氙气、铯块、钡块、镧块、铈块、镨块、钕块、钷块、钐块、铕块、钆块、铽块、镝块、钬块、铒块、铥块、镱块、镥块、铪块、钽块、钨块、铼块、锇块、铱块、铂块、金块、汞、铊块、铅块、铋块中的一种或几种。
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