CN104083211A - 一种半导体激光脱毛仪中半导体激光器的保护方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种半导体激光脱毛仪中半导体激光器的保护方法,包括系统开机露点监测及消除部分与系统工作中露点实时监测及消除部分;本发明在本技术领域内首次提出了解决半导体激光器工作时结露的方法,即利用露点监测技术避免半导体激光脱毛仪中的半导体激光器在其进入结露点时继续工作或在低于结露点时开始工作,有效地保护了半导体激光器;本发明可以通过风冷散热器加快半导体激光脱毛仪内水冷系统与周围环境的热交换速度,使开机时的低温水快速升温,半导体激光器工作过程中产生的高温水快速的降温,提高了系统内水冷系统的升温、降温效率。

Description

一种半导体激光脱毛仪中半导体激光器的保护方法
技术领域
本发明涉及半导体激器应用技术领域,尤其涉及一种半导体激光脱毛仪中的半导体激光器的保护方法。
背景技术
半导体激光器由于其高效率、高可靠性等优点,在民用领域有着越来越广泛的应用。但因其价格昂贵,如何在使用中做好半导体激光器的保护工作变得尤为重要。
大功率半导体激光脱毛仪采用半导体激光器作为其光源。大功率半导体激光器在作为光源连续放光的过程中,会释放出大量热能,导致其温度急剧升高,在不采取制冷措施的情况下,半导体激光器很容易被烧坏。此外,高温工作会降低半导体激光器的使用寿命。因此,现有的激光器的保护工作大多数是针对如何避免半导体激光器在高温下工作这一方面。
目前,在半导体激光脱毛仪中,通常采用水冷方法为半导体激光器降温。即将冷水不断注入半导体激光器中,通过热交换将手具内的热能释放到外部环境中。与此同时,对手具内温度进行实时监测,当监测到内部温度过高,在该环境下继续工作可能会损坏半导体激光器时,立即停止工作,防止温度继续升高,烧坏半导体激光器。
虽然以上方法可以防止半导体激光器因高温而损坏,但在实际应用中,现有水冷技术存在因制冷导致半导体激光器在工作过程中结露而损坏的情况。且半导体激光器在低温环境中亦存在结露现象。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种克服现有水冷技术中因制冷保护方式不当和低温结露而引起半导体激光器损坏的保护方法。
为解决上述技术问题,本发明的技术方案是:一种半导体激光脱毛仪中半导体激光器的保护方法,所述半导体激光脱毛仪内设有系统控制模块、半导体激光器手具单元和温控模块,所述系统控制模块内设有系统微处理器,所述半导体激光器手具单元内设有半导体激光器,所述温控模块内设有风冷散热器和制冷器,该方法包括系统开机露点监测及消除部分:
所述系统开机露点监测及消除部分包括以下工作步骤:
步骤一、开机启动;
步骤二、对所述温控模块内的水速进行监测,并将监测参数传输至所述系统控制模块内;
所述系统控制模块判断水速满足所述半导体激光器的工作条件参数时,进入步骤三;
所述系统控制模块判断水速不能满足所述半导体激光器的工作条件参数时,所述半导体激光脱毛仪开始水速报警,并禁止所述半导体激光器启动,重新进入步骤二,并依次进行后续步骤的工作;
步骤三、对所述半导体激光器工作前的水温、手具内温度和手具内空气相对湿度进行监测,并将各个监测参数传输至所述系统控制模块内,所述系统控制模块进入露点计算模式得出该条件下手具内空气的露点温度,所述系统控制模块开始将半导体激光器工作前的水温与露点温度进行比较;
经比较判断半导体激光器工作前的水温大于露点温度时,半导体激光器未结露,进入步骤四;
经比较判断半导体激光器工作前的水温小于露点温度时,半导体激光器结露,所述半导体激光脱毛仪开始露点报警,禁止半导体激光器启动,开启风冷散热器,停止制冷器,升高水流温度,改善半导体激光器启动前工作环境,然后返回至步骤二,并依次进行后续步骤的工作;
步骤四、对所述半导体激光脱毛仪工作前的环境温度进行监测,并将监测参数传输至所述系统控制模块内,所述系统控制模块开始将半导体激光器工作前水温与半导体激光脱毛仪工作前环境温度进行比较;
经比较判断半导体激光器工作前水温大于半导体激光脱毛仪工作前环境温度时,启动制冷器,为半导体激光器创造低温工作环境,开启风冷散热器,提高制冷效率,允许半导体激光器启动,进入步骤五;
经比较判断半导体激光器工作前水温小于半导体激光脱毛仪工作前环境温度时,启动制冷器,为半导体激光器创造低温工作环境,停止风冷散热器,允许半导体激光器启动,进入步骤五;
步骤五、允许半导体激光器工作;
启动半导体激光器工作,则进入步骤六;
未启动半导体激光器工作,则返回步骤二,并依次进行后续步骤的工作;
步骤六、进入系统工作中露点实时监测及消除部分。
作为优选的技术方案,还包括系统工作中露点实时监测及消除部分,所述系统工作中露点实时监测及消除部分,包括以下工作步骤:
步骤一、所述系统开机露点监测及消除部分允许半导体激光器开启,并启动半导体激光器后,该所述系统工作中露点实时监测及消除部分即开始启动;
步骤二、对所述半导体激光器工作过程中温控模块内的水速进行监测,并将监测参数传输至所述系统控制模块内;
所述系统控制模块判断水速满足所述半导体激光器的工作条件参数时,进入步骤三;
所述系统控制模块判断水速不能满足所述半导体激光器的工作条件参数时,所述半导体激光脱毛仪开始水速报警,并停止所述半导体激光器工作,重新进入所述系统开机露点监测及消除部分的步骤二,并依次进行后续步骤的工作;
步骤三、对所述半导体激光器工作过程中手具内空气相对湿度进行实时监测,并将监测参数传输至所述系统控制模块内;
所述系统控制模块判断手具内空气相对湿度满足所述半导体激光器的工作条件参数时,进入步骤四;
所述系统控制模块判断手具内空气相对湿度不满足所述半导体激光器的工作条件参数时,即手具存在漏水现象导致手具内空气相对湿度上升,所述半导体激光脱毛仪开始湿度报警,并停止所述半导体激光器工作,返回所述系统开机露点监测及消除部分的步骤二,并依次进行后续步骤的工作;
步骤四、对所述半导体激光器工作过程中的水温、手具内温度进行监测,并将各个监测参数传输至所述系统控制模块内,所述系统控制模块进入露点计算模式得出该条件下手具内空气的露点温度,所述系统控制模块开始将半导体激光器工作过程中的水温与露点温度进行比较;
经比较判断半导体激光器工作过程中的水温大于露点温度时,半导体激光器未结露,进入步骤五;
经比较判断半导体激光器工作过程中的水温小于露点温度时,半导体激光器结露,继续工作可能会损坏,所述半导体激光脱毛仪开始露点报警,停止半导体激光器工作,开启风冷散热器,停止制冷器,升高水流温度,改善半导体激光器工作环境,返回开所述系统开机露点监测及消除部分的步骤二,并依次进行后续步骤的工作;
步骤五、对所述半导体激光脱毛仪工作过程中的环境温度进行监测,并将监测参数传输至所述系统控制模块内,所述系统控制模块开始将半导体激光器工作过程中的水温与半导体激光脱毛仪工作过程中的环境温度进行比较;
经比较判断半导体激光器工作过程中的水温大于半导体激光脱毛仪工作过程中的环境温度时,启动制冷器,降低半导体激光器温度,开启风冷散热器,提高制冷效率,允许半导体激光器继续工作,继续循环监测工作,即返回步骤二,并依次进行后续步骤的工作;
经比较判断半导体激光器工作过程中的水温小于半导体激光脱毛仪工作过程中的环境温度时,启动制冷器,降低半导体激光器温度,停止风冷散热器,降低水流速度,允许半导体激光器继续工作,继续循环监测工作,即返回步骤二,并依次进行后续步骤的工作。
作为优选的技术方案,所述系统微处理器连接有系统露点检测装置,所述系统露点检测装置包括依次连接在所述系统微处理器上的水速监测单元、水温监测单元、手具内空气相对湿度监测单元、手具内温度监测单元、室温监测单元、系统风冷散热器控制单元、制冷器控制单元和恒流输出控制单元。
作为优选的技术方案,所述手具内温度和所述手具内空气相对湿度通过手具状态参数检测模块检测获得,所述手具状态参数检测模块包括手具内温度传感器和手具内空气相对湿度传感器,所述手具内温度传感器连接至所述手具内温度监测单元,所述手具内空气相对湿度传感器连接至所述手具内空气相对湿度监测单元。
作为优选的技术方案,所述手具状态参数检测模块还包括与所述半导体激光器连接的水流入端和水流出端,所述水流出端与所述风冷散热器、所述制冷器连通;所述半导体激光器还连接有电流驱动正极和电流驱动负极,且所述电流驱动正极和所述电流驱动负极分别与所述恒流输出控制单元连接。
由于采用了上述技术方案,本发明具有以下有益效果:1、本发明在现有水冷方法的基础上,增加了水流温度、手具内激光器工作环境的温度、手具内激光器工作环境的空气相对湿度三项数值的监测,首次提出了解决半导体激光器工作时结露的方法,即利用露点监测技术避免半导体激光脱毛仪中的半导体激光器在其进入结露点时继续工作或低于结露点时开始工作,从而有效地保护了半导体激光器。
2、本发明在半导体激光器开始运行前,会根据其工作前的水温和环境温度的对比,以及根据上述各项参数计算开机工作时的结露点,有效地避免半导体激光器在低于结露点时开始工作。
3、本发明可以通过风冷散热器加快半导体激光脱毛仪内水冷系统与周围环境的热交换速度,使开机时的低温水快速升温,半导体激光器工作过程中产生的高温水快速的降温,提高了系统内的水冷系统的升温、降温效率。
4、本发明在发现半导体激光器处于结露状态时,立即禁止半导体激光器工作,启动风冷散热器,加速工作环境改善,使半导体激光器尽快脱离结露状态,重新开始工作。本发明既满足了露点保护,又降低了半导体激光器的工作温度。
附图说明
以下附图仅旨在于对本发明做示意性说明和解释,并不限定本发明的范围。其中:
图1是本发明实施例系统露点检测装置的结构框图;
图2是本发明实施例手具状态参数检测模块的结构框图;
图3是本发明实施例系统开机露点监测及消除部分和系统工作时露点实时监测及消除部分的流程图;
图4是本发明实施例温控模块的水流循环示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,进一步阐述本发明。在下面的详细描述中,只通过说明的方式描述了本发明的某些示范性实施例。毋庸置疑,本领域的普通技术人员可以认识到,在不偏离本发明的精神和范围的情况下,可以用各种不同的方式对所描述的实施例进行修正。因此,附图和描述在本质上是说明性的,而不是用于限制权利要求的保护范围。
如图1所示,系统露点监测装置的核心是系统微处理器,所述系统露点检测装置包括依次连接在所述系统微处理器上的水速监测单元、水温监测单元、手具内空气相对湿度监测单元、手具内温度监测单元、室温监测单元、系统风冷散热器控制单元、制冷器控制单元和恒流输出控制单元。
如图2所示,所述半导体激光器手具单元内设有半导体激光器,所述半导体激光器连接有光波导窗口,所述光波导窗口连接有半导体制冷器,所述手具内温度和所述手具内空气相对湿度通过手具状态参数检测模块检测获得,所述手具状态参数检测模块包括手具内温度传感器和手具内空气相对湿度传感器,所述手具内温度传感器连接至所述手具内温度监测单元,所述手具内空气相对湿度传感器连接至所述手具内空气相对湿度监测单元。所述手具状态参数检测模块还包括与所述半导体激光器连接的水流入端和水流出端,所述水流出端与所述风冷散热器、所述制冷器连通,与温控模块一起实现对半导体激光器的温度控制。高温时,开启风冷散热器可用于对半导体激光器进行降温,防止其烧坏;低温时,开启风冷散热器可用于对半导体激光器进行升温防止出现结露现象。通过风冷散热器和水冷系统调节半导体激光器的温度,既满足了露点保护,又降低了半导体激光器的工作温度。所述半导体激光器还连接有电流驱动正极和电流驱动负极,且所述电流驱动正极和所述电流驱动负极分别与所述恒流输出控制单元连接,用于驱动半导体激光器。
如图4所示,所述温控模块内设有系统水循环单元和系统制冷单元,所述系统水循环单元内设有水泵,所述水泵一端通过管路连接水箱,在水箱上安装有水温监测器,可以实时监测所述水箱内的水温,与所述水温监测单元连接,所述水泵另一端通过管路连接有过滤器,所述过滤器通过管路连接有离子交换器,所述离子交换器通过管路连接至所述半导体激光器手具单元,具体的所述离子交换器通过管路连接至所述半导体激光器的所述水流入端;所述系统制冷单元包括与所述半导体激光器的所述水流出端连接的风冷散热器,所述风冷散热器上安装有风冷器控制器,所述风冷散热器控制器和所述风冷散热器与所述风冷散热器控制单元连接,以便于系统控制模块根据实际情况来控制风冷散热器的工作状态,且所述风冷散热器的一端通过管路连接至制冷器,所述制冷器连接有制冷器控制器,所述制冷器控制器与所述制冷器与所述制冷器控制单元连接,用于对半导体激光器进行降温,所述制冷器的另一端通过管路连接至所述水箱。
在半导体激光脱毛仪的实际使用中,采用水冷方法对半导体激光器及其手具进行制冷时,如果半导体激光脱毛仪的工作环境突然发生改变,会存在半导体激光脱毛仪的工作环境温度远大于半导体激光脱毛仪内半导体激光器的温度。例如,将半导体激光脱毛仪从5℃存储环境中突然转移到20℃的工作环境中时,由于水的比热容大于空气的比热容,水的升温速度会远低于空气的升温速度,因此,半导体激光脱毛仪的手具内空气温度可能已经接近20℃,而水温仍停留在5℃左右,如果在此时将5℃左右的冷水流注入半导体激光器内,当水温、手具内温度、手具内的空气相对湿度三者满足结露条件时,会在半导体激光器表面会出现结露现象。如果半导体激光器在结露的情况下通电工作,附着在半导体激光器上的水珠会引起电路短路,从而损坏半导体激光器。因此如果可以对半导体激光脱毛仪手具的内环境进行实时监测,并通过一定技术手段对半导体激光器的工作环境进行改善,就可以避免半导体激光器在结露的情况下进行工作,有效地降低半导体激光器的损坏率。
本实施例主要阐述的是一种半导体激光脱毛仪中半导体激光器的保护方法,该方法包括系统开机露点监测及消除部分与系统工作时露点实时监测及消除部分。
如图3所示,所述开机露点监测及消除部分包括以下工作步骤:
步骤一、开机启动;
步骤二、对所述温控模块内的水速进行监测,并将监测参数传输至所述系统控制模块内;
所述系统控制模块判断水速满足所述半导体激光器的工作条件参数时,进入步骤三;
所述系统控制模块判断水速不能满足所述半导体激光器的工作条件参数时,所述半导体激光脱毛仪开始水速报警,并禁止所述半导体激光器启动,重新进入步骤二,并依次进行后续步骤的工作;
步骤三、对所述半导体激光器工作前的水温、手具内温度和手具内空气相对湿度进行监测,并将各个监测参数传输至所述系统控制模块内,所述系统控制模块进入露点计算模式得出该条件下手具内空气的露点温度,所述系统控制模块开始将半导体激光器工作前的水温与露点温度进行比较;
经比较判断半导体激光器工作前的水温大于露点温度时,半导体激光器未结露,进入步骤四;
经比较判断半导体激光器工作前的水温小于露点温度时,半导体激光器结露,所述半导体激光脱毛仪开始露点报警,禁止半导体激光器启动,开启风冷散热器,停止制冷器,升高水流温度,改善半导体激光器启动前工作环境,然后返回至步骤二,并依次进行后续步骤的工作;
步骤四、对所述半导体激光脱毛仪工作前的环境温度进行监测,并将监测参数传输至所述系统控制模块内,所述系统控制模块开始将半导体激光器工作前水温与半导体激光脱毛仪工作前环境温度进行比较;
经比较判断半导体激光器工作前水温大于半导体激光脱毛仪工作前环境温度时,启动制冷器,为半导体激光器创造低温工作环境,开启风冷散热器,提高制冷效率,允许半导体激光器启动,进入步骤五;
经比较判断半导体激光器工作前水温小于半导体激光脱毛仪工作前环境温度时,启动制冷器,为半导体激光器创造低温工作环境,停止风冷散热器,允许半导体激光器启动,进入步骤五;
步骤五、允许半导体激光器工作;
启动半导体激光器工作,则进入步骤六;
未启动半导体激光器工作,则返回步骤二,并依次进行后续步骤的工作;
步骤六、进入系统工作时露点实时监测及消除部分。
本实施例中半导体激光器的露点温度计算方法如下所述:
水(冰)表面的饱和水蒸汽压计算公式为:
E S = E 0 × 10 ( at b + t ) - - - ( 1 )
式中:
1、E0为空气温度为0℃时的饱和水蒸汽压,取E0=6.11hPa。
2、t为空气温度,单位为0℃。
3、a、b为参数,对于水面(t>0℃),a=7.5,b=237.3;对于冰面(t≤0℃),a=9.5,b=265.5。
当空气相对湿度为f时,空气的水蒸汽压可按下式计算:
e=f·ES    (2)
式中:
1、e为空气的水蒸汽压,单位为hPa。
2、f为空气的相对湿度,单位为%。
3、Es为空气的饱和水蒸汽压,单位为hPa。
空气的露点温度可按下式计算:
T d = b a lg e 6.11 - 1 - - - ( 3 )
式中:
1、Td为空气的露点温度,单位为0℃。
2、e为空气的水蒸汽压,单位为hPa。
3、a、b为参数,a=7.5,b=237.3。
将(1)、(2)式带入(3)中,可得到t℃下空气的露点温度。
T d = b a lg f · E S 6.11 - 1 = b a lg f · E 0 × 10 ( at b + t ) 6.11 - 1 = b a lg f + at b + t - 1 - - - ( 4 )
在半导体激光脱毛仪系统中,半导体激光器的工作温度始终大于0°C,故取a=7.5,b=237.3。f为手具内的空气相对湿度,t为手具内空气温度。当手具内半导体激光器的温度小于等于Td时,在半导体激光器表面就会出现结露现象。
使用水冷系统对半导体激光器进行制冷时,半导体激光器的局部温度会接近于水温。也就是说,手具内半导体激光器的最低温度大于等于水温。在相同环境中,固体的温度越低,其表面出现结露现象的可能性就越大。因此,在本发明中采用水温代替半导体激光器的温度。也就是说,当系统的水温小于等于由公式(4)计算的到的Td值时,手具内的半导体激光器会出现结露现象,应该停止工作。
半导体激光脱毛仪开始工作后,会先执行系统工作中露点实时监测及消除部分,对半导体激光器的工作环境温度、空气相对湿度及水温进行实时监测。当水速满足散热要求,且手具内空气相对湿度满足系统工作要求时,将手具内温度、空气相对湿度带入公式(4)计算出半导体激光器的露点温度。如果水温大于露点温度,说明半导体激光器不存在结露现象,可以正常工作。如果水温小于等于露点温度,说明半导体激光器已经结露,无法正常工作,此时需要开启风冷散热器,加快外部环境与水流的热交换速度,停止制冷器,升高水流温度,使半导体激光器尽快脱离结露状态,以满足重新开始工作的条件。
如图3所示,所述系统工作中露点实时监测及消除部分,具体的包括以下工作步骤:
步骤一、所述系统开机露点监测及消除部分允许半导体激光器开启,并启动半导体激光器后,该所述系统工作中露点实时监测及消除部分即开始启动;
步骤二、对所述半导体激光器工作过程中温控模块内的水速进行监测,并将监测参数传输至所述系统控制模块内;
所述系统控制模块判断水速满足所述半导体激光器的工作条件参数时,进入步骤三;
所述系统控制模块判断水速不能满足所述半导体激光器的工作条件参数时,所述半导体激光脱毛仪开始水速报警,并停止所述半导体激光器工作,重新进入所述系统开机露点监测及消除部分的步骤二,并依次进行后续步骤的工作;
步骤三、对所述半导体激光器工作过程中手具内空气相对湿度进行实时监测,并将监测参数传输至所述系统控制模块内;
所述系统控制模块判断手具内空气相对湿度满足所述半导体激光器的工作条件参数时,进入步骤四;
所述系统控制模块判断手具内空气相对湿度不满足所述半导体激光器的工作条件参数时,即手具存在漏水现象导致手具内空气相对湿度上升,所述半导体激光脱毛仪开始湿度报警,并停止所述半导体激光器工作,返回所述系统开机露点监测及消除部分的步骤二,并依次进行后续步骤的工作;
步骤四、对所述半导体激光器工作过程中的水温、手具内温度进行监测,并将各个监测参数传输至所述系统控制模块内,所述系统控制模块进入露点计算模式得出该条件下手具内空气的露点温度,所述系统控制模块开始将半导体激光器工作过程中的水温与露点温度进行比较;
经比较判断半导体激光器工作过程中的水温大于露点温度时,半导体激光器未结露,进入步骤五;
经比较判断半导体激光器工作过程中的水温小于露点温度时,半导体激光器结露,继续工作可能会损坏,所述半导体激光脱毛仪开始露点报警,停止半导体激光器工作,开启风冷散热器,停止制冷器,升高水流温度,改善半导体激光器工作环境,返回开所述系统开机露点监测及消除部分的步骤二,并依次进行后续步骤的工作;
步骤五、对所述半导体激光脱毛仪工作过程中的环境温度进行监测,并将监测参数传输至所述系统控制模块内,所述系统控制模块开始将半导体激光器工作过程中的水温与半导体激光脱毛仪工作过程中的环境温度进行比较;
经比较判断半导体激光器工作过程中的水温大于半导体激光脱毛仪工作过程中的环境温度时,启动制冷器,降低半导体激光器温度,开启风冷散热器,提高制冷效率,允许半导体激光器继续工作,继续循环监测工作,即返回步骤二,并依次进行后续步骤的工作;
经比较判断半导体激光器工作过程中的水温小于半导体激光脱毛仪工作过程中的环境温度时,启动制冷器,降低半导体激光器温度,停止风冷散热器,降低水流速度,允许半导体激光器继续工作,继续循环监测工作,即返回步骤二,并依次进行后续步骤的工作。
总之,当半导体激光器开始工作后,对工作环境进行实时监测,一旦发现水速过低或温度、空气相对湿度过高,立即停止工作。在工作过程中,半导体激光器会释放出大量的热能,当半导体激光器出水端的水流温度大于外部环境温度时,需要开启风冷散热器,加速半导体激光器降温。
本实施例具有以下有益效果:
1、本发明在现有水冷方法的基础上,增加了水流温度、手具内激光器工作环境的温度、手具内激光器工作环境的空气相对湿度三项数值的监测,首次提出了解决半导体激光器工作时结露问题的方法,即利用露点监测技术避免半导体激光脱毛仪中的半导体激光器在其进入结露点时继续工作或在低于结露点时开始工作,从而有效地保护了半导体激光器。
2、本发明在半导体激光器开始运行前,会根据其工作前的水温和环境温度的对比,以及根据上述各项参数计算开机工作时的结露点,有效地避免半导体激光器在低于结露点时开始工作。
3、本发明可以通过风冷散热器加快半导体激光脱毛仪内水冷系统与周围环境的热交换速度,使开机时的低温水快速升温,半导体激光器工作过程中产生的高温水快速的降温,提高了系统内的水冷系统的升温、降温效率。
4、本发明在发现半导体激光器处于结露状态时,立即禁止半导体激光器工作,启动风冷散热器,加速工作环境改善,使半导体激光器尽快脱离结露状态,重新开始工作。本发明既满足了露点保护,又降低了半导体激光器的工作温度。
本发明的描述是为了示例和描述起见而给出的,而并不是无遗漏的或者将本发明限于所公开的形式。很多修改和变化对于本领域的普通技术人员而言是显然的。选择和描述实施例是为了更好说明本发明的原理和实际应用,并且使本领域的普通技术人员能够理解本发明从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施例。

Claims (5)

1.一种半导体激光脱毛仪中半导体激光器的保护方法,所述半导体激光脱毛仪内设有系统控制模块、半导体激光器手具单元和温控模块,所述系统控制模块内设有系统微处理器,所述半导体激光器手具单元内设有半导体激光器,所述温控模块内设有风冷散热器和制冷器,其特征在于,该方法包括系统开机露点监测及消除部分:
所述系统开机露点监测及消除部分包括以下工作步骤:
步骤一、开机启动;
步骤二、对所述温控模块内的水速进行监测,并将监测参数传输至所述系统控制模块内;
所述系统控制模块判断水速满足所述半导体激光器的工作条件参数时,进入步骤三;
所述系统控制模块判断水速不能满足所述半导体激光器的工作条件参数时,所述半导体激光脱毛仪开始水速报警,并禁止所述半导体激光器启动,重新进入步骤二,并依次进行后续步骤的工作;
步骤三、对所述半导体激光器工作前的水温、手具内温度和手具内空气相对湿度进行监测,并将各个监测参数传输至所述系统控制模块内,所述系统控制模块进入露点计算模式得出该条件下手具内空气的露点温度,所述系统控制模块开始将半导体激光器工作前的水温与露点温度进行比较;
经比较判断半导体激光器工作前的水温大于露点温度时,半导体激光器未结露,进入步骤四;
经比较判断半导体激光器工作前的水温小于露点温度时,半导体激光器结露,所述半导体激光脱毛仪开始露点报警,禁止半导体激光器启动,开启风冷散热器,停止制冷器,升高水流温度,改善半导体激光器启动前工作环境,然后返回至步骤二,并依次进行后续步骤的工作;
步骤四、对所述半导体激光脱毛仪工作前的环境温度进行监测,并将监测参数传输至所述系统控制模块内,所述系统控制模块开始将半导体激光器工作前水温与半导体激光脱毛仪工作前环境温度进行比较;
经比较判断半导体激光器工作前水温大于半导体激光脱毛仪工作前环境温度时,启动制冷器,为半导体激光器创造低温工作环境,开启风冷散热器,提高制冷效率,允许半导体激光器启动,进入步骤五;
经比较判断半导体激光器工作前水温小于半导体激光脱毛仪工作前环境温度时,启动制冷器,为半导体激光器创造低温工作环境,停止风冷散热器,允许半导体激光器启动,进入步骤五;
步骤五、允许半导体激光器工作;
启动半导体激光器工作,则进入步骤六;
未启动半导体激光器工作,则返回步骤二,并依次进行后续步骤的工作;
步骤六、进入系统工作中露点实时监测及消除部分。
2.如权利要求1所述的一种半导体激光脱毛仪中半导体激光器的保护方法,其特征在于,还包括系统工作中露点实时监测及消除部分,所述系统工作中露点实时监测及消除部分,包括以下工作步骤:
步骤一、所述系统开机露点监测及消除部分允许半导体激光器开启,并启动半导体激光器后,该所述系统工作中露点实时监测及消除部分即开始启动;
步骤二、对所述半导体激光器工作过程中温控模块内的水速进行监测,并将监测参数传输至所述系统控制模块内;
所述系统控制模块判断水速满足所述半导体激光器的工作条件参数时,进入步骤三;
所述系统控制模块判断水速不能满足所述半导体激光器的工作条件参数时,所述半导体激光脱毛仪开始水速报警,并停止所述半导体激光器工作,重新进入所述系统开机露点监测及消除部分的步骤二,并依次进行后续步骤的工作;
步骤三、对所述半导体激光器工作过程中手具内空气相对湿度进行实时监测,并将监测参数传输至所述系统控制模块内;
所述系统控制模块判断手具内空气相对湿度满足所述半导体激光器的工作条件参数时,进入步骤四;
所述系统控制模块判断手具内空气相对湿度不满足所述半导体激光器的工作条件参数时,即手具存在漏水现象导致手具内空气相对湿度上升,所述半导体激光脱毛仪开始湿度报警,并停止所述半导体激光器工作,返回所述系统开机露点监测及消除部分的步骤二,并依次进行后续步骤的工作;
步骤四、对所述半导体激光器工作过程中的水温、手具内温度进行监测,并将各个监测参数传输至所述系统控制模块内,所述系统控制模块进入露点计算模式得出该条件下手具内空气的露点温度,所述系统控制模块开始将半导体激光器工作过程中的水温与露点温度进行比较;
经比较判断半导体激光器工作过程中的水温大于露点温度时,半导体激光器未结露,进入步骤五;
经比较判断半导体激光器工作过程中的水温小于露点温度时,半导体激光器结露,继续工作可能会损坏,所述半导体激光脱毛仪开始露点报警,停止半导体激光器工作,开启风冷散热器,停止制冷器,升高水流温度,改善半导体激光器工作环境,返回开所述系统开机露点监测消及除露点的步骤二,并依次进行后续步骤的工作;
步骤五、对所述半导体激光脱毛仪工作过程中的环境温度进行监测,并将监测参数传输至所述系统控制模块内,所述系统控制模块开始将半导体激光器工作过程中的水温与半导体激光脱毛仪工作过程中的环境温度进行比较;
经比较判断半导体激光器工作过程中的水温大于半导体激光脱毛仪工作过程中的环境温度时,启动制冷器,降低半导体激光器温度,开启风冷散热器,提高制冷效率,允许半导体激光器继续工作,继续循环监测工作,即返回步骤二,并依次进行后续步骤的工作;
经比较判断半导体激光器工作过程中的水温小于半导体激光脱毛仪工作过程中的环境温度时,启动制冷器,降低半导体激光器温度,停止风冷散热器,降低水流速度,允许半导体激光器继续工作,继续循环监测工作,即返回步骤二,并依次进行后续步骤的工作。
3.如权利要求1所述的一种半导体激光脱毛仪中半导体激光器的保护方法,其特征在于,所述系统微处理器连接有系统露点检测装置,所述系统露点检测装置包括依次连接在所述系统微处理器上的水速监测单元、水温监测单元、手具内空气相对湿度监测单元、手具内温度监测单元、室温监测单元、系统风冷散热器控制单元、制冷器控制单元和恒流输出控制单元。
4.如权利要求2所述的一种半导体激光脱毛仪中半导体激光器的保护方法,其特征在于,所述手具内温度和所述手具内空气相对湿度通过手具状态参数检测模块检测获得,所述手具状态参数检测模块包括手具内温度传感器和手具内空气相对湿度传感器,所述手具内温度传感器连接至所述手具内温度监测单元,所述手具内空气相对湿度传感器连接至所述手具内空气相对湿度监测单元。
5.如权利要求4所述的一种半导体激光脱毛仪中半导体激光器的保护方法,其特征在于,所述手具状态参数检测模块还包括与所述半导体激光器连接的水流入端和水流出端,所述水流出端与所述风冷散热器、所述制冷器连通;所述半导体激光器还连接有电流驱动正极和电流驱动负极,且所述电流驱动正极和所述电流驱动负极分别与所述恒流输出控制单元连接。
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