CN104078606A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

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钟铁涛
王平
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Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
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Abstract

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层、阴极及封装盖，所述封装盖将所述发光层及阴极封装于所述阳极上，所述封装盖包括第一有机阻挡层、形成于所述第一有机阻挡层表面的第一无机阻挡层、形成于所述第一无机阻挡层表面的第二有机阻挡层及形成于所述第二有机阻挡层表面的第二无机阻挡层，第一有机阻挡层的材料包括空穴传输材料及电子传输材料，所述第一无机阻挡层的材料包括氮化物、硼化物及合金，所述第二有机阻挡层的材料包括空穴传输材料及电子传输材料，所述第二无机阻挡层的材料包括氮化物及碳化物。上述有机电致发光器件的寿命较长。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。

Description

有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件（OLED）是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在ITO玻璃上制备一层几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有一层低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光辐射。
有机电致发光器件受到湿气和潮气侵蚀后，会引起有机电致发光器件内部元件的材料发生老化进而失效，从而所述有机电致发光器件的寿命较短。
发明内容
基于此，有必要提供一种寿命较长的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层及阴极，所述有机电致发光器件还包括封装盖，所述封装盖将所述发光层及阴极封装于所述阳极上，所述封装盖包括第一有机阻挡层、形成于所述第一有机阻挡层表面的第一无机阻挡层、形成于所述第一无机阻挡层表面的第二有机阻挡层及形成于所述第二有机阻挡层表面的第二无机阻挡层；
所述第一有机阻挡层的材料包括空穴传输材料及电子传输材料，所述第一无机阻挡层的材料包括氮化物、硼化物及合金，所述第二有机阻挡层的材料包括空穴传输材料及电子传输材料，所述第二无机阻挡层的材料包括氮化物及碳化物，所述空穴传输材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-联苯二胺、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺、1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯中的至少一种，所述电子传输材料选自4,7-二苯基邻菲罗啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羟基喹啉铝、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝及3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑中的至少一种，所述氮化物选自氮化硅、氮化铝、氮化硼、氮化铪、氮化钽及氮化钛中的至少一种，所述硼化物选自硼化铝、六硼化镧、硼化钒、硼化铌、二硼化钛及硼化钼中的至少一种，所述合金为镍钛合金、铝锆合金、镍钒合金、金锌合金、镍镉合金或铝银合金，所述碳化物选自碳化硅、碳化钨、碳化钽、碳化硼、碳化钛及碳化铪中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述封装盖的数量为2～4，2～4个封装盖依次层叠。
在其中一个实施例中，所述第一有机阻挡层的厚度为200nm～300nm；所述第一无机阻挡层的厚度为100nm～200nm；所述第二有机阻挡层的厚度为200nm～300nm；所述第二无机阻挡层的厚度为100nm～200nm。
在其中一个实施例中，所述第一有机阻挡层中，所述空穴传输材料与所述电子传输材料的摩尔比为40:100～60:100；所述第一无机阻挡层中所述氮化物的质量百分含量为20%～40%，所述合金的质量百分含量为10%～30%；所述第二有机阻挡层中，所述空穴传输材料与所述电子传输材料的摩尔比为40:100～60:100；所述第二无机阻挡层中所述碳化物的质量百分含量为10%～20%。
在其中一个实施例中，所述封装盖与所述阳极配合形成有收容腔，所述发光层及阴极均收容于所述收容腔。
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
在阳极表面制备发光层；
在所述发光层表面制备阴极；及
在所述阴极表面制备封装盖，所述封装盖将所述发光层及阴极封装于所述阳极上，所述封装盖包括第一有机阻挡层、形成于所述第一有机阻挡层表面的第一无机阻挡层、形成于所述第一无机阻挡层表面的第二有机阻挡层及形成于所述第二有机阻挡层表面的第二无机阻挡层，所述第一有机阻挡层的材料包括空穴传输材料及电子传输材料，所述第一无机阻挡层的材料包括氮化物、硼化物及合金，所述第二有机阻挡层的材料包括空穴传输材料及电子传输材料，所述第二无机阻挡层的材料包括氮化物及碳化物，所述空穴传输材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-联苯二胺、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺、1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯中的至少一种，所述电子传输材料选自4,7-二苯基邻菲罗啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羟基喹啉铝、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝及3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑中的至少一种，所述氮化物选自氮化硅、氮化铝、氮化硼、氮化铪、氮化钽及氮化钛中的至少一种，所述硼化物选自硼化铝、六硼化镧、硼化钒、硼化铌、二硼化钛及硼化钼中的至少一种，所述合金为镍钛合金、铝锆合金、镍钒合金、金锌合金、镍镉合金或铝银合金，所述碳化物选自碳化硅、碳化钨、碳化钽、碳化硼、碳化钛及碳化铪中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述第一有机阻挡层中，所述空穴传输材料与所述电子传输材料的摩尔比为40:100～60:100；所述第一无机阻挡层中所述氮化物的质量百分含量为20%～40%，所述合金的质量百分含量为10%～30%；所述第二有机阻挡层中，所述空穴传输材料与所述电子传输材料的摩尔比为40:100～60:100；所述第二无机阻挡层中所述碳化物的质量百分含量为10%～20%。
在其中一个实施例中，所述封装盖的数量为2～4，2～4个封装盖依次层叠。
在其中一个实施例中，所述第一有机阻挡层的厚度为200nm～300nm；所述第一无机阻挡层的厚度为100nm～200nm；所述第二有机阻挡层的厚度为200nm～300nm；所述第二无机阻挡层的厚度为100nm～200nm。
在其中一个实施例中，所述封装盖与所述阳极配合形成有收容腔，所述发光层及阴极均收容于所述收容腔。
上述有机电致发光器件及其制备方法，封装盖包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层、第二无机阻挡层，四层配合可以有效的阻挡水氧的腐蚀，提高防水氧能力，从而有机电致发光器件的寿命较长。
附图说明
图1为一实施例的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为一实施例的有机电致发光的制备方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的具有阳极图案的阳极10、功能层20、阴极30及封装盖40。
阳极10为导电玻璃或导电有机聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）薄膜基板。阳极10上具有制备有阳极图形的ITO层。ITO层的厚度为100nm～150nm。
功能层20形成于基底10表面。功能层20包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。可以理解，空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层可以省略，此时功能层20仅包括发光层。
本实施方式中，空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺（NPB）及掺杂在NPB中的氧化钼（MoO3）。MoO3的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。
空穴传输层的材料为4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）。空穴传输层的厚度为30nm。
发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)。客体材料的质量百分含量为5%。发光层的厚度为20nm。
电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）。电子传输层的厚度为10nm。
电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯（CsN3）。CsN3的质量百分含量为30%。电子注入层的厚度为20nm。
需要说明的是，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层也可以根据需要采用其他材料。空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层的厚度也可以根据需要进行调整。
阴极30形成于功能层20表面。阴极的厚度为100nm。阴极30的材料为铝（Al）。
封装盖40形成于阴极30的表面。本实施方式中，封装盖40罩设于功能层20及阴极30，且封装盖40的边缘与阳极10固接，从而将功能层20及阴极30封装在阳极10上。封装盖40形成有收容腔。收容腔为自封装盖40的表面凹陷的凹槽。封装盖40将功能层20及阴极30收容于收容腔。
封装盖40包括依次层叠的第一有机阻挡层41、第一无机阻挡层42、第二有机阻挡层43及第二无机阻挡层44。
第一有机阻挡层41形成于阴极30的表面，且覆盖阴极30及功能层20的端面以及阳极10的部分表面，从而将将功能层20及阴极30封装在阳极10上。
第一有机阻挡层41的材料包括空穴传输材料和电子传输材料。空穴传输材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-联苯二胺（TPD）、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺（NPB）、1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷（TAPC）、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽（MADN）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）及1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯（mCP）中的至少一种。电子传输材料选自4,7-二苯基邻菲罗啉（Bphen）、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉（BCP）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝（Balq）及3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑（TAZ）中的至少一种。第一有机阻挡层41的厚度为200nm～300nm。
进一步的，第一有机阻挡层41中，空穴传输材料与电子传输材料的摩尔比为40:100～60:100。
第一无机阻挡层42形成于第一无机阻挡层41的表面。第一无机阻挡层42的材料包括氮化物、硼化物及合金。氮化物选自氮化硅（Si3N4）、氮化铝（AlN）、氮化硼（BN）、氮化铪（HfN）、氮化钽（TaN）及氮化钛（TiN）中的至少一种。硼化物选自硼化铝（AlB2）、六硼化镧（LaB6）、硼化钒（VB2）、硼化铌（NbB）、二硼化钛（TiB2）及硼化钼（MoB）中的至少一种。合金为镍钛合金（NiTi）、铝锆合金（AlZr）、镍钒合金（NiV）、金锌合金（AuZn）、镍镉合金（NiCr）或铝银合金（AlAg）中的至少一种。第一无机阻挡层42的厚度为100nm～200nm。
进一步的，第一无机阻挡层42中氮化物的质量百分含量为20%～40%，合金的质量百分含量为10%～30%。
第二有机阻挡层43形成于第一无机阻挡层42的表面。第二有机阻挡层43的材料包括空穴传输材料和电子传输材料。空穴传输材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-联苯二胺（TPD）、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺（NPB）、1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷（TAPC）、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽（MADN）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）及1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯（mCP）中的至少一种。电子传输材料选自4,7-二苯基邻菲罗啉（Bphen）、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉（BCP）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝（Balq）及3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑（TAZ）中的至少一种。第二有机阻挡层43的厚度为200nm～300nm。
进一步的，第二有机阻挡层43中，空穴传输材料与电子传输材料的摩尔比为40:100～60:100。
第二无机阻挡层44形成于第二有机阻挡层43的表面。第二无机阻挡层44的材料包括氮化物及碳化物。氮化物选自氮化硅（Si3N4）、氮化铝（AlN）、氮化硼（BN）、氮化铪（HfN）、氮化钽（TaN）及氮化钛（TiN）中的至少一种。碳化物选自碳化硅（SiC）、碳化钨（WC）、碳化钽（TaC）、碳化硼（BC）、碳化钛（TiC）及碳化铪（HfC）中的至少一种。第二无机阻挡层44的厚度为100nm～200nm。
进一步的，第二无机阻挡层44中碳化物的质量百分含量为10%～20%。
优选的，封装盖40的数量为2～4，2～4个封装盖40依次层叠。即2～4个封装盖40均罩设于功能层20及阴极30，且位于外侧的封装盖40罩设于位于内侧的封装盖40上，从而多个封装盖40形成如下的层叠结构：第一有机阻挡层41/第一无机阻挡层42/第二有机阻挡层43/第二无机阻挡层44/…/第一有机阻挡层41/第一无机阻挡层42/第二有机阻挡层43/第二无机阻挡层44。
上述有机电致发光器件100中，封装盖40包括依次层叠的第一有机阻挡层41、第一无机阻挡层42、第二有机阻挡层43及第二无机阻挡层44，四层配合可以有效的阻挡水氧的腐蚀，封装盖40把功能层20及阴极30封装在阳极10上，可有效的提高防水氧能力，从而有机电致发光器件100的寿命较长。
可以理解，封装盖40的收容腔可以省略，此时直接在阳极10上设置收容腔即可。
请同时参阅图2，一实施方式的有机电致发光器件100的制备方法，其包括以下步骤：
步骤S110、在阳极10上形成功能层20。
功能层20包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。
阳极10可以为导电玻璃基底或导电有机聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）薄膜基板。阳极10具有制备有阳极图形的ITO层。ITO层的厚度为100nm～150nm。
阳极10表面在形成功能层20之前先进行预处理以去除基底10表面的污染物，并进行表面活化增加阳极10表面的含氧量以提高阳极10表面的功函数。具体为，将阳极10依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
本实施方式中，空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺（NPB）及掺杂在NPB中的氧化钼（MoO3）。MoO3的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
空穴传输层的材料为4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)。客体材料的质量百分含量为5%。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯（CsN3），CsN3的质量百分含量为30%。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
需要说明的是，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层也可以根据需要采用其他材料。空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层可以省略，此时功能层20仅包括发光层。
步骤S120、在功能层20表面形成阴极30。
阴极30的材料为铝（Al）。阴极30的厚度为100nm。阴极30由真空蒸镀形成，真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为
步骤S130、在阴极30表面制备封装盖40。
封装盖40形成于阴极30的表面。本实施方式中，封装盖40罩设于功能层20及阴极30，且封装盖40的边缘与阳极10固接，从而将功能层20及阴极30封装在阳极10上。封装盖40形成有收容腔。收容腔为自封装盖40的表面凹陷的凹槽。封装盖40将功能层20及阴极30收容于收容腔。
封装盖40包括依次层叠的第一有机阻挡层41、第一无机阻挡层42、第二有机阻挡层43及第二无机阻挡层44。
第一有机阻挡层41形成于阴极30的表面，且覆盖阴极30及功能层20的端面以及阳极10的部分表面，从而将将功能层20及阴极30封装在阳极10上。
第一有机阻挡层41的材料包括空穴传输材料和电子传输材料。空穴传输材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-联苯二胺（TPD）、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺（NPB）、1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷（TAPC）、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽（MADN）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）及1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯（mCP）中的至少一种。电子传输材料选自4,7-二苯基邻菲罗啉（Bphen）、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉（BCP）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝（Balq）及3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑（TAZ）中的至少一种。第一有机阻挡层41的厚度为200nm～300nm。
进一步的，第一有机阻挡层41中，空穴传输材料与电子传输材料的摩尔比为40:100～60:100。
第一有机阻挡层41由真空蒸镀形成，真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa，电子传输材料的蒸发速度
第一无机阻挡层42形成于第一无机阻挡层41的表面。第一无机阻挡层42的材料包括氮化物、硼化物及合金。氮化物选自氮化硅（Si3N4）、氮化铝（AlN）、氮化硼（BN）、氮化铪（HfN）、氮化钽（TaN）及氮化钛（TiN）中的至少一种。硼化物选自硼化铝（AlB2）、六硼化镧（LaB6）、硼化钒（VB2）、硼化铌（NbB）、二硼化钛（TiB2）及硼化钼（MoB）中的至少一种。合金为镍钛合金（NiTi）、铝锆合金（AlZr）、镍钒合金（NiV）、金锌合金（AuZn）、镍镉合金（NiCr）或铝银合金（AlAg）中的至少一种。第一无机阻挡层42的厚度为100nm～200nm。
进一步的，第一无机阻挡层42中氮化物的质量百分含量为20%～40%，合金的质量百分含量为10%～30%。
第一无机阻挡层42由磁控溅射制备，本底真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa。
第二有机阻挡层43形成于第一无机阻挡层42的表面。第二有机阻挡层43的材料包括空穴传输材料和电子传输材料。空穴传输材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-联苯二胺（TPD）、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺（NPB）、1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷（TAPC）、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽（MADN）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）及1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯（mCP）中的至少一种。电子传输材料选自4,7-二苯基邻菲罗啉（Bphen）、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉（BCP）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝（Balq）及3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑（TAZ）中的至少一种。第二有机阻挡层43的厚度为200nm～300nm。
进一步的，第二有机阻挡层43中，空穴传输材料与电子传输材料的摩尔比为40:100～60:100。
第二有机阻挡层43由真空蒸镀形成，真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa，蒸发速度
第二无机阻挡层44形成于第二有机阻挡层43的表面。第二无机阻挡层44的材料包括氮化物及碳化物。氮化物选自氮化硅（Si3N4）、氮化铝（AlN）、氮化硼（BN）、氮化铪（HfN）、氮化钽（TaN）及氮化钛（TiN）中的至少一种。碳化物选自碳化硅（SiC）、碳化钨（WC）、碳化钽（TaC）、碳化硼（BC）、碳化钛（TiC）及碳化铪（HfC）中的至少一种。第二无机阻挡层44的厚度为100nm～200nm。
第二无机阻挡层44由磁控溅射制备，本底真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa。
进一步的，第二无机阻挡层44中碳化物的质量百分含量为10%～20%。
优选的，封装盖40的数量为2～4，2～4个封装盖40依次层叠。即2～4个封装盖40均罩设于功能层20及阴极30，且位于外侧的封装盖40罩设于位于内侧的封装盖40上，从而多个封装盖40形成如下的层叠结构：第一有机阻挡层41/第一无机阻挡层42/第二有机阻挡层43/第二无机阻挡层44/…/第一有机阻挡层41/第一无机阻挡层42/第二有机阻挡层43/第二无机阻挡层44。
封装盖40形成于阴极30的表面。本实施方式中，封装盖40罩设于功能层20及阴极30，且封装盖40的边缘与阳极10固接，从而将功能层20及阴极30封装在阳极10上。封装盖40形成有收容腔。收容腔为自封装盖40的表面凹陷的凹槽。封装盖40将功能层20及阴极30收容于收容腔。
可以理解，封装盖40的收容腔可以省略，此时直接在阳极10上设置收容腔即可。
上述有机电致发光器件的制备方法，制备工艺简单，容易大批量制备。
以下结合具体实施例对本发明提供的有机电致发光器件制备方法进行详细说明。
实施例1
本实施例制备结构为：ITO/NPB：MoO3/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen：CsN3/Al/封装盖的有机电致发光器件；其中，斜杆“/”表示层状结构，冒号“：”表示掺杂，下同。
上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
1、在阳极上形成功能层。
阳极10为导电玻璃。阳极10具有制备有阳极图形的ITO层。ITO层的厚度为100nm。
阳极10表面在形成功能层20之前先进行预处理以去除基底10表面的污染物，并进行表面活化增加阳极10表面的含氧量以提高阳极10表面的功函数。具体为，将阳极10依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺（NPB）及掺杂在NPB中的氧化钼（MoO3）。MoO3的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
空穴传输层的材料为4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)。客体材料的质量百分含量为5%。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯（CsN3），CsN3的质量百分含量为30%。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
2、在功能层表面形成阴极。
阴极的材料为铝。阴极的厚度为100nm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
3、在阴极表面制备封装盖。
封装盖形成于阴极的表面，且覆盖阴极及功能层的端面以及阳极的部分表面，从而将将功能层及阴极封装在阳极上。
封装盖包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层及第二无机阻挡层。
第一有机阻挡层采用真空蒸发制备，材料包括TPD及Bphen，TPD与Bphen的摩尔比为55：100，真空度1×10-5Pa，Bphen的蒸发速度厚度300nm；
第一无机阻挡层由磁控溅射制备，材料包括AlB2、Si3N4及NiTi，本底真空度1×10-5Pa，Si3N4的质量百分含量为30%，NiTi的质量百分含量为10%，其余为AlB2，厚度180nm；
第二有机阻挡层采用真空蒸发制备，材料包括TPD及Bphen，TPD与Bphen的摩尔比为55：100，真空度1×10-5Pa，Bphen的蒸发速度厚度300nm；
第二无机阻挡层由磁控溅射制备，材料包括Si3N4及SiC，本底真空度1×10-5Pa，SiC的质量百分含量为20%，其余为Si3N4，厚度200nm；
封装盖的数量为4，4个封装盖依次层叠。封装盖的结构为(TPD：Bphen/AlB2：Si3N4：NiTi/TPD：Bphen/Si3N4：SiC)4
实施例2
本实施例制备结构为：ITO/NPB：MoO3/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen：CsN3/Al/封装盖的有机电致发光器件。
上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
1、在阳极上形成功能层。
阳极10为导电玻璃。阳极10具有制备有阳极图形的ITO层。ITO层的厚度为100nm。
阳极10表面在形成功能层20之前先进行预处理以去除基底10表面的污染物，并进行表面活化增加阳极10表面的含氧量以提高阳极10表面的功函数。具体为，将阳极10依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺（NPB）及掺杂在NPB中的氧化钼（MoO3）。MoO3的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
空穴传输层的材料为4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)。客体材料的质量百分含量为5%。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯（CsN3），CsN3的质量百分含量为30%。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
2、在功能层表面形成阴极。
阴极的材料为铝。阴极的厚度为100nm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
3、在阴极表面蒸镀保护层。
保护层的材料为NPB。保护层40的厚度为300nm。保护层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
4、在保护层表面制备封装盖。
封装盖形成于阴极的表面，且覆盖阴极及功能层的端面以及阳极的部分表面，从而将将功能层及阴极封装在阳极上。
封装盖包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层及第二无机阻挡层。
第一有机阻挡层采用真空蒸发制备，材料包括NPB及BCP，NPB与BCP的摩尔比为50：100，真空度5×10-5Pa，BCP的蒸发速度厚度250nm；
第一无机阻挡层由磁控溅射制备，材料包括LaB6、AlN及AlZr，本底真空度1×10-5Pa，AlN的质量百分含量为40%，AlZr的质量百分含量为15%，其余为LaB6，厚度200nm；
第二有机阻挡层采用真空蒸发制备，材料包括NPB及BCP，NPB与BCP的摩尔比为50：100，真空度5×10-5Pa，BCP的蒸发速度厚度250nm；
第二无机阻挡层由磁控溅射制备，材料包括AlN及WC，本底真空度1×10-4Pa，WC的质量百分含量为10%，其余为AlN，厚度150nm；
封装盖的数量为3，3个封装盖依次层叠。封装盖的结构为(NPB：BCP/LaB6：AlN：AlZr/NPB：BCP/AlN：WC)3
实施例3
本实施例制备结构为：ITO/NPB：MoO3/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen：CsN3/Al/封装盖的有机电致发光器件。
上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
1、在阳极上形成功能层。
阳极10为导电玻璃。阳极10具有制备有阳极图形的ITO层。ITO层的厚度为100nm。
阳极10表面在形成功能层20之前先进行预处理以去除基底10表面的污染物，并进行表面活化增加阳极10表面的含氧量以提高阳极10表面的功函数。具体为，将阳极10依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺（NPB）及掺杂在NPB中的氧化钼（MoO3）。MoO3的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
空穴传输层的材料为4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)。客体材料的质量百分含量为5%。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯（CsN3），CsN3的质量百分含量为30%。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
2、在功能层表面形成阴极。
阴极的材料为铝。阴极的厚度为100nm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
3、在阴极表面制备封装盖。
封装盖形成于阴极的表面，且覆盖阴极及功能层的端面以及阳极的部分表面，从而将将功能层及阴极封装在阳极上。
封装盖包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层及第二无机阻挡层。
第一有机阻挡层采用真空蒸发制备，材料包括TAPC及TPBi，TAPC与TPBi的摩尔比为50：100，真空度5×10-5Pa，TPBi的蒸发速度厚度200nm；
第一无机阻挡层由磁控溅射制备，材料包括VB2、BN及NiV，本底真空度1×10-5Pa，BN的质量百分含量为20%，NiV的质量百分含量为30%，其余为VB2，厚度100nm；
第二有机阻挡层采用真空蒸发制备，材料包括TAPC及TPBi，TAPC与TPBi的摩尔比为50：100，真空度5×10-5Pa，TPBi的蒸发速度厚度200nm；
第二无机阻挡层由磁控溅射制备，材料包括BN及TaC，本底真空度1×10-4Pa，TaC的质量百分含量为15%，其余为BN，厚度100nm；
封装盖的数量为3，3个封装盖依次层叠。封装盖的结构为(TAPC：TPBi/VB2：BN：NiV/TAPC：TPBi/BN：TaC)3
实施例4
本实施例制备结构为：ITO/NPB：MoO3/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen：CsN3/Al/封装盖的有机电致发光器件。
上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
1、在阳极上形成功能层。
阳极10为导电玻璃。阳极10具有制备有阳极图形的ITO层。ITO层的厚度为150nm。
阳极10表面在形成功能层20之前先进行预处理以去除基底10表面的污染物，并进行表面活化增加阳极10表面的含氧量以提高阳极10表面的功函数。具体为，将阳极10依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺（NPB）及掺杂在NPB中的氧化钼（MoO3）。MoO3的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
空穴传输层的材料为4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)。客体材料的质量百分含量为5%。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯（CsN3），CsN3的质量百分含量为30%。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
2、在功能层表面形成阴极。
阴极的材料为铝。阴极的厚度为100nm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
3、在阴极表面蒸镀保护层。
保护层的材料为SiO。保护层40的厚度为200nm。保护层由真空蒸镀形成，真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为
4、在保护层表面制备封装盖。
封装盖形成于阴极的表面，且覆盖阴极及功能层的端面以及阳极的部分表面，从而将将功能层及阴极封装在阳极上。
封装盖包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层及第二无机阻挡层。
第一有机阻挡层采用真空蒸发制备，材料包括MADN及Alq3，MADN与Alq3的摩尔比为60：100，真空度5×10-5Pa，Alq3的蒸发速度厚度250nm；
第一无机阻挡层由磁控溅射制备，材料包括NbB、HfN及AuZn，本底真空度5×10-5Pa，HfN的质量百分含量为30%，AuZn的质量百分含量为20%，其余为NbB，厚度170nm；
第二有机阻挡层采用真空蒸发制备，材料包括MADN及Alq3，MADN与Alq3的摩尔比为60：100，真空度5×10-5Pa，Alq3的蒸发速度厚度250nm；
第二无机阻挡层由磁控溅射制备，材料包括HfN及BC，本底真空度1×10-4Pa，BC的质量百分含量为12%，其余为HfN，厚度140nm；
封装盖的数量为3，3个封装盖依次层叠。封装盖的结构为(MADN：Alq3/NbB：HfN：AuZn/MADN：Alq3/HfN：BC)3
实施例5
本实施例制备结构为：ITO/NPB：MoO3/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen：CsN3/Al/封装盖的有机电致发光器件。
上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
1、在阳极上形成功能层。
阳极10为导电玻璃。阳极10具有制备有阳极图形的ITO层。ITO层的厚度为120nm。
阳极10表面在形成功能层20之前先进行预处理以去除基底10表面的污染物，并进行表面活化增加阳极10表面的含氧量以提高阳极10表面的功函数。具体为，将阳极10依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺（NPB）及掺杂在NPB中的氧化钼（MoO3）。MoO3的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
空穴传输层的材料为4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)。客体材料的质量百分含量为5%。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯（CsN3），CsN3的质量百分含量为30%。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
2、在功能层表面形成阴极。
阴极的材料为铝。阴极的厚度为100nm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为
3、在阴极表面制备封装盖。
封装盖形成于阴极的表面，且覆盖阴极及功能层的端面以及阳极的部分表面，从而将将功能层及阴极封装在阳极上。
封装盖包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层及第二无机阻挡层。
第一有机阻挡层采用真空蒸发制备，材料包括TCTA及Balq，TCTA与Balq的摩尔比为50：100，真空度5×10-5Pa，Balq的蒸发速度厚度250nm；
第一无机阻挡层由磁控溅射制备，材料包括TiB2、TaN及NiCr，本底真空度5×10-5Pa，TaN的质量百分含量为30%，NiCr的质量百分含量为18%，其余为TiB2，厚度160nm；
第二有机阻挡层采用真空蒸发制备，材料包括TCTA及Balq，TCTA与Balq的摩尔比为50：100，真空度5×10-5Pa，Balq的蒸发速度厚度250nm；
第二无机阻挡层由磁控溅射制备，材料包括TaN及TiC，本底真空度1×10-4Pa，TiC的质量百分含量为17%，其余为TaN，厚度130nm；
封装盖的数量为3，3个封装盖依次层叠。封装盖的结构为(TCTA：Balq/TiB2：TaN：NiCr/TCTA：Balq/TaN：TiC)3
实施例6
本实施例制备结构为：ITO/NPB:MoO3/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen：CsN3/Al/封装盖的有机电致发光器件。
上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
1、在阳极上形成功能层。
阳极10为导电玻璃。阳极10具有制备有阳极图形的ITO层。ITO层的厚度为100nm。
阳极10表面在形成功能层20之前先进行预处理以去除基底10表面的污染物，并进行表面活化增加阳极10表面的含氧量以提高阳极10表面的功函数。具体为，将阳极10依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺（NPB）及掺杂在NPB中的氧化钼（MoO3）。MoO3的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
空穴传输层的材料为4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)。客体材料的质量百分含量为5%。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯（CsN3），CsN3的质量百分含量为30%。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
2、在功能层表面形成阴极。
阴极的材料为铝。阴极的厚度为100nm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
3、在阴极表面制备封装盖。
封装盖形成于阴极的表面，且覆盖阴极及功能层的端面以及阳极的部分表面，从而将将功能层及阴极封装在阳极上。
封装盖包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层及第二无机阻挡层。
第一有机阻挡层采用真空蒸发制备，材料包括mCP及TAZ，mCP与TAZ的摩尔比为40：100，真空度1×10-3Pa，TAZ的蒸发速度厚度250nm；
第一无机阻挡层由磁控溅射制备，材料包括MoB、TiN及AlAg，本底真空度1×10-3Pa，TiN的质量百分含量为30%，AlAg的质量百分含量为12%，其余为MoB，厚度150nm；
第二有机阻挡层采用真空蒸发制备，材料包括mCP及TAZ，mCP与TAZ的摩尔比为40：100，真空度1×10-3Pa，TAZ的蒸发速度厚度250nm；
第二无机阻挡层由磁控溅射制备，材料包括TiN及HfC，本底真空度1×10-3Pa，HfC的质量百分含量为10%，其余为TiN，厚度100nm；
封装盖的数量为2，2个封装盖依次层叠。2个封装盖依次层叠的结构为(mCP：TAZ/MoB：TiN：AlAg/mCP：TAZ/TiN：HfC)2
对比例
本实施例制备结构为：ITO/NPB：MoO3/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen：CsN3/Al/封装盖的有机电致发光器件。
上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
1、在阳极上形成功能层。
阳极10为导电玻璃。阳极10具有制备有阳极图形的ITO层。ITO层的厚度为100nm。
阳极10表面在形成功能层20之前先进行预处理以去除基底10表面的污染物，并进行表面活化增加阳极10表面的含氧量以提高阳极10表面的功函数。具体为，将阳极10依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺（NPB）及掺杂在NPB中的氧化钼（MoO3）。MoO3的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
空穴传输层的材料为4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)。客体材料的质量百分含量为5%。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯（CsN3），CsN3的质量百分含量为30%。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
2、在功能层表面形成阴极。
阴极的材料为铝。阴极的厚度为100nm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
3、在阴极表面制备封装盖。
封装盖形成于阴极的表面，且覆盖阴极及功能层的端面以及阳极的部分表面，从而将将功能层及阴极封装在阳极上。
封装盖包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层及第二无机阻挡层。
第一有机阻挡层采用真空蒸发制备，材料为Bphen，真空度1×10-5Pa，电子传输材料的蒸发速度厚度300nm；
第一无机阻挡层由磁控溅射制备，材料包括AlB2，本底真空度1×10-5Pa，厚度180nm；
第二有机阻挡层采用真空蒸发制备，材料为Bphen，真空度1×10-5Pa，电子传输材料的蒸发速度厚度300nm；
第二无机阻挡层由磁控溅射制备，材料包括Si3N4，本底真空度1×10-5Pa，厚度200nm；
封装盖的数量为4，4个封装盖依次层叠。封装盖的结构为(Bphen/AlB2/Bphen/Si3N4)4
本发明实施例及对比例所用到的制备与测试仪器为：高真空镀膜设备（沈阳科学仪器研制中心有限公司，压强<1×10-3Pa）、磁控溅射设备（沈阳科学仪器研制中心有限公司）、电流-电压测试仪（美国Keithly公司，型号：2400）、色彩亮度计（柯尼卡美能达，型号：CS-100A）。
请参阅表1，表1所示为实施例1～实施例6及对比例制备的有机电致发光器件的水气穿透率（Water Vapor Transmission Rate）的测试结果。从表1中可以看出实施例1～实施例6制备的有机电致发光器件的水气穿透率均小于5.2×10-4g/m2/day，远小于对比例制备的有机电致发光器件的水气穿透率（6.5×10-3g/m2/day）防水效果较好，可以有效减少外部水气对有机电致发光器件的侵蚀，从而提高有机电致发光器件的寿命。
表1
WVTR(g/m2/day)
实施例1 3.4×10-4
实施例2 3.8×10-4
实施例3 4.1×10-4
实施例4 4.3×10-4
实施例5 4.7×10-4
实施例6 5.2×10-4
对比例 6.5×10-3
请参阅表2，表2所示为实施例1～实施例6及对比例制备的有机电致发光器件在初始亮度为1000cd/m2的条件下的寿命(亮度降低到初始亮度70%所用的时间)。
表2
从表2可以看出，实施例1～实施例6制备的有机电致发光器件的起始亮度为1000cd/m2时，寿命达到6103小时以上，寿命较长。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层及阴极，其特征在于：所述有机电致发光器件还包括封装盖，所述封装盖将所述发光层及阴极封装于所述阳极上，所述封装盖包括第一有机阻挡层、形成于所述第一有机阻挡层表面的第一无机阻挡层、形成于所述第一无机阻挡层表面的第二有机阻挡层及形成于所述第二有机阻挡层表面的第二无机阻挡层；
所述第一有机阻挡层的材料包括空穴传输材料及电子传输材料，所述第一无机阻挡层的材料包括氮化物、硼化物及合金，所述第二有机阻挡层的材料包括空穴传输材料及电子传输材料，所述第二无机阻挡层的材料包括氮化物及碳化物，所述空穴传输材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-联苯二胺、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺、1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯中的至少一种，所述电子传输材料选自4,7-二苯基邻菲罗啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羟基喹啉铝、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝及3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑中的至少一种，所述氮化物选自氮化硅、氮化铝、氮化硼、氮化铪、氮化钽及氮化钛中的至少一种，所述硼化物选自硼化铝、六硼化镧、硼化钒、硼化铌、二硼化钛及硼化钼中的至少一种，所述合金为镍钛合金、铝锆合金、镍钒合金、金锌合金、镍镉合金或铝银合金，所述碳化物选自碳化硅、碳化钨、碳化钽、碳化硼、碳化钛及碳化铪中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述封装盖的数量为2～4，2～4个封装盖依次层叠。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一有机阻挡层的厚度为200nm～300nm；所述第一无机阻挡层的厚度为100nm～200nm；所述第二有机阻挡层的厚度为200nm～300nm；所述第二无机阻挡层的厚度为100nm～200nm。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一有机阻挡层中，所述空穴传输材料与所述电子传输材料的摩尔比为40:100～60:100；所述第一无机阻挡层中所述氮化物的质量百分含量为20%～40%，所述合金的质量百分含量为10%～30%；所述第二有机阻挡层中，所述空穴传输材料与所述电子传输材料的摩尔比为40:100～60:100；所述第二无机阻挡层中所述碳化物的质量百分含量为10%～20%。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述封装盖与所述阳极配合形成有收容腔，所述发光层及阴极均收容于所述收容腔。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在阳极表面制备发光层；
在所述发光层表面制备阴极；及
在所述阴极表面制备封装盖，所述封装盖将所述发光层及阴极封装于所述阳极上，所述封装盖包括第一有机阻挡层、形成于所述第一有机阻挡层表面的第一无机阻挡层、形成于所述第一无机阻挡层表面的第二有机阻挡层及形成于所述第二有机阻挡层表面的第二无机阻挡层，所述第一有机阻挡层的材料包括空穴传输材料及电子传输材料，所述第一无机阻挡层的材料包括氮化物、硼化物及合金，所述第二有机阻挡层的材料包括空穴传输材料及电子传输材料，所述第二无机阻挡层的材料包括氮化物及碳化物，所述空穴传输材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-联苯二胺、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺、1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯中的至少一种，所述电子传输材料选自4,7-二苯基邻菲罗啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羟基喹啉铝、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝及3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑中的至少一种，所述氮化物选自氮化硅、氮化铝、氮化硼、氮化铪、氮化钽及氮化钛中的至少一种，所述硼化物选自硼化铝、六硼化镧、硼化钒、硼化铌、二硼化钛及硼化钼中的至少一种，所述合金为镍钛合金、铝锆合金、镍钒合金、金锌合金、镍镉合金或铝银合金，所述碳化物选自碳化硅、碳化钨、碳化钽、碳化硼、碳化钛及碳化铪中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一有机阻挡层中，所述空穴传输材料与所述电子传输材料的摩尔比为40:100～60:100；所述第一无机阻挡层中所述氮化物的质量百分含量为20%～40%，所述合金的质量百分含量为10%～30%；所述第二有机阻挡层中，所述空穴传输材料与所述电子传输材料的摩尔比为40:100～60:100；所述第二无机阻挡层中所述碳化物的质量百分含量为10%～20%。
8.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述封装盖的数量为2～4，2～4个封装盖依次层叠。
9.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述第一有机阻挡层的厚度为200nm～300nm；所述第一无机阻挡层的厚度为100nm～200nm；所述第二有机阻挡层的厚度为200nm～300nm；所述第二无机阻挡层的厚度为100nm～200nm。
10.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述封装盖与所述阳极配合形成有收容腔，所述发光层及阴极均收容于所述收容腔。
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