CN104078389B - 回收单元、利用该回收单元的基体处理设备和回收方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种基体处理设备。该基体处理设备包括处理室和回收单元，在处理室中通过使用作为超临界流体提供的流体将保留在基体上的有机溶剂溶解以干燥基体，回收单元包括将有机溶剂与从处理室排出的流体分离以回收流体的回收器。回收器包括：具有用于吸收有机溶剂的吸收剂存储其中的空间的柱状体，将从处理室排出的流体供给至柱状体的空间内的供给管，将在柱状体中与有机溶剂分离的流体排出的排出管，将净化气体供给至柱状体以便将有机溶剂与吸收剂分离的气体供给管，以及将包含有机溶剂的净化气体排出至柱状体的外部的排出管。

Description

回收单元、利用该回收单元的基体处理设备和回收方法
技术领域
本文中公开的本发明涉及一种基体制造设备，并且更具体地，涉及一种用于回收在超临界干燥处理中使用的超临界流体的单元、包括该单元的基体处理设备以及回收方法。
背景技术
通过用于在比如为硅晶片的基体上形成电路图案的比如为光刻处理的各种处理来制造半导体器件。然而，在制造处理期间，可能生成各种外来物质，比如微粒、有机污染物、金属杂质或类似物。由于外来物质引起基体瑕疵，这可以对半导体器件的产量具有直接影响。因此，在半导体制造处理中实质上可能涉及用于去除外来物质的清洁处理。
在通常的清洁处理中，通过使用清洁剂来从基体上去除外来物质，并且然后通过使用去离子水（DI-水）来清洁基体。此后，通过使用异丙醇（IPA）来干燥基体。然而，由于在半导体器件具有精细的电路图案时干燥处理的干燥效率降低，并且其中电路图案在干燥处理期间被破坏的图案塌陷现象频繁发生，所以干燥处理对于具有大约30nm或更小的线宽的半导体器件可能是不合适的。
因此，正在积极开展针对用于通过使用超临界流体来干燥基体的技术的研究以便弥补上述缺点。
发明内容
本发明提供一种能够延长在回收超临界流体时所使用的吸收剂的寿命周期的基体处理设备。
本发明的目的不限于上述内容，而是通过下面的描述将使本领域技术人员清楚地理解本文中未描述的其他目的。
本发明的实施方式提供基体处理设备，该基体处理设备包括：处理室，在处理室中通过使用作为超临界流体提供的流体将保留在基体上的有机溶剂溶解以干燥基体；以及回收单元，该回收单元包括将有机溶剂与从处理室排出的流体分离以回收流体的回收器，其中，回收器包括：具有用于吸收有机溶剂的吸收剂存储其中的空间的柱状体；将从处理室排出的流体供给至柱状体的空间内的供给管；将在柱状体中与有机溶剂分离的流体排出的排出管；将净化气体供给至柱状体内以便将有机溶剂与吸收剂分离的气体供给管；以及将包含有机溶剂的净化气体排出至柱状体的外部的排出管。
在一些实施方式中，基体处理设备还可以包括对供给至柱状体内的净化气体进行加热的加热器。
在其他实施方式中，基体处理设备还可以包括：设置在气体供给管中以调节净化气体的供给量的阀；以及控制阀以使得随着时间的推移不均匀地供给净化气体的控制器。
在又一些其他实施方式中，控制器可以以第一量供给净化气体一小时并且以第二量供给净化气体两小时，其中，第一量可以大于第二量，以及可以连续地重复一小时和两小时。
在又一些其他实施方式中，第二量可以是零。
在再一些其他实施方式中，控制器可以控制阀以使得以脉冲状的方式供给净化气体。
在另外的实施方式中，基体处理设备还可以包括浓度传感器，浓度传感器设置在排出管中以测量包含在从排出管排出的流体中的有机溶剂的浓度，其中，当测量的浓度值达到预设值时，控制器可以控制净化气体以使得净化气体供给至柱状体内以回收吸收剂。
在又一些另外的实施方式中，有机溶剂可以包括异丙醇（IPA），并且流体可以包括二氧化碳（CO2）。
在还一些另外的实施方式中，吸收剂可以包括沸石。
在再一些另外的实施方式中，回收单元还可以包括设置在处理室与回收器之间的分离器，其中，分离器可以将从处理室排出的流体进行冷却以将有机溶剂与流体分离，从而将流体供给至回收器内。
在又一些另外的实施方式中，可以设置有多个柱状体，并且多个柱状体可以彼此串联连接。
在本发明的其他实施方式中，回收单元包括：具有用于吸收有机溶剂的吸收剂存储其中的空间的柱状体；将从处理室排出的流体供给至柱状体的空间内的供给管；将在柱状体中与有机溶剂分离的流体排出的排出管；将净化气体供给至柱状体内以使得有机溶剂与吸收剂分离的气体供给管；以及将包含有机溶剂的净化气体排出至柱状体的外部的排出管，其中，有机溶剂与从处理室排出的流体分离以回收流体。
在一些实施方式中，回收单元还可以包括对供给至柱状体内的净化气体进行加热的加热器。
在其他实施方式中，回收单元还可以包括：设置在气体供给管中以调节净化气体的供给量的阀；以及控制阀以使得随着时间的推移不均匀地供给净化气体的控制器。
在又一些其他实施方式中，有机溶剂可以包括异丙醇（IPA），并且流体可以包括二氧化碳（CO2）。
在再一些其他实施方式中，吸收剂可以包括沸石。
在本发明的又一些其他实施方式中，用于将有机溶剂与作为包括有机溶剂的超临界流体提供的流体分离以回收流体的回收方法包括：使流体能够经过其中设置有吸收剂的柱状体，从而将有机溶剂吸收至吸收剂中；以及当达到设定条件时，将净化气体供给至柱状体内以将有机溶剂与吸收剂分离，从而再利用吸收剂。
在一些实施方式中，净化气体可以包括氮气（N2），并且氮气（N2）可以在加热状态下提供至柱状体内。
在其他实施方式中，回收方法还可以包括随着时间的推移以脉冲状的方式供给净化气体。
在又一些其他实施方式中，设定条件可以包括在测量从柱状体排出的流体内的浓度时所测量的浓度高于预定值的情况。
在还一些其他实施方式中，有机溶剂可以包括异丙醇（IPA），并且流体可以包括二氧化碳（CO2）。
在再一些其他实施方式中，吸收剂可以包括沸石。
附图说明
包括附图用于提供对本发明的进一步的理解，并且附图被结合在本说明书中以及构成本说明书的一部分。附图示出了本发明的示例实施方式，并且与说明一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是根据实施方式的基体处理设备的平面视图；
图2是图1的处理室1的横截面视图；
图3是超临界流体的循环系统的视图；
图4是根据实施方式的图1的第二处理室的横截面视图；
图5是图3的回收单元的视图；
图6是根据实施方式的图5的分离器的视图；
图7是根据实施方式的图5的回收器的视图；
图8和图9是示出图7的回收器的修改的示例的视图；
图10是图7的回收器的横截面视图；
图11和图12是根据另一实施方式的回收单元的视图；
图13是使用超临界流体的清洁处理的流程图；
图14是第一处理的流程图；
图15是第二处理的流程图；
图16是用于说明超临界流体的供给和排出的视图；
图17是示出超临界流体的回收方法的流程图；
图18是回收器中的回收方法的流程图；以及
图19和图20是示出其中控制器控制净化气体的供给的状态的视图。
具体实施方式
然而，可以以许多不同的形式来体现发明并且不应当将发明理解为限于本文中所阐述的实施方式；反之，提供这些实施方式以使本公开内容是完整和全面的，并且将本发明的理念完全地传达给本领域技术人员。此外，可以理解的是，虽然本文中使用术语第一和第二来描述各种元件，但是这些元件不应当受这些术语的限制。在本发明的下面的描述中，将省略对结合在本文中的已知功能和构造的详细描述以避免使本发明的主题不清楚。
根据本发明的基体处理设备100可以是用于在基体S上进行清洁处理的设备。
在此，应当将基体S解释为充分全面地包括所有的各种晶片，比如硅晶片、玻璃基体、有机基体以及用于制造半导体器件、显示器以及其中在薄膜上形成有电路的物体的基体。
在下文中，将根据实施方式描述基体处理设备100。
图1是根据实施方式的基体处理设备100的平面视图。
基体处理设备100包括转位模块1000和处理模块2000。转位模块1000接收来自外部的基体S以将基体S提供至处理模块2000内。处理模块2000对基体S进行清洁处理。
转位模块1000包括设备前端模块（EFEM）、装载端口1100和传送架1200。可以将装载端口1100、传送架1200和处理模块2000依次布置在一条线上。在此，装载端口1100、传送架1200以及处理模块2000布置的方向可被称为第一方向X。此外，当从上侧看时垂直于第一方向X的方向可被称为第二方向Y，并且垂直于第一方向X和第二方向Y的方向可被称为第三方向Z。
可以在转位模块1000中设置至少一个装载端口1100。装载端口1100设置在传送架1200的侧面。当设置多个装载端口1100时，可以将多个装载端口1100沿着第二方向Y布置在一条线上。装载端口的数量和布置不限于上述示例。例如，考虑到基体处理设备100的占地面积和处理效率以及基体处理设备100相对于其他基体处理设备100的相对位置可以适当地控制装载端口的数量和布置。
将其中容纳基体S的承载器C放置在装载端口1100上。从外部传送承载器C并且然后将承载器C装载在装载端口1100上，或者从装载端口1100卸载并且然后被传送到外部。例如，可以通过传送装置比如架空式升降传送器（OHT）在基体处理设备之间传送承载器C。可选择地，可以由其他传送装置比如自动导引车或轨道导引车替代OHT或工人来进行基体S的传送。可以将前开式统集盒（front opening unified pod(FOUP)）用作为承载器C。
在承载器C中可以限定用于支承基体S的边缘的至少一个槽。当设置多个槽时，可以将槽沿第三方向Z彼此间隔开。例如，承载器C可以容纳25片基体。承载器C的内部可被隔离并且由可打开的门与外部密封。因此，可以避免容纳在承载器C中的基体S被污染。
传送架1200在坐置于装载端口1100上的承载器与处理模块2000之间传送基体S。传送架1200包括转位机器人1210和转位轨道1220。
转位轨道1220引导转位机器人1210的线性移动。转位轨道1220可以具有平行于第二方向Y的纵向方向。
转位机器人1210传送基体S。转位机器人1210可以包括基座1211、本体1212和臂1213。
基座1211设置在转位轨道1220上。基座1211可以沿着转位轨道1220运动。本体1212连接至基座1211，以沿第三方向Z运动或者通过将第三方向用作旋转轴线在基座1211上旋转。臂1213设置在本体1212上以向前和向后运动。可以在臂1213的端部设置抓手以拾取或取出基体S。可以在转位机器人1210上设置至少一个臂1213。在设置多个臂1213时，可以沿第三方向Z在本体1212上叠置多个臂1213。在此，可以单独地驱动叠置的臂1213。
因此，可以使转位机器人1210的基座1211在第二方向Y上沿着转位轨道1220运动。随着本体1212和臂1213的操作，可以从承载器C取出基体S以将基体装载至处理室2000内，或者可以从处理模块2000中取出基体S并且然后容纳在承载器C内。
另一方面，转位轨道1220可以不设置在传送架1200上。因此，可以将转位机器人1210固定至传送架1200。在此，转位机器人1210可以设置在传送架1200的中心部分处。
处理模块2000对基体S进行清洁处理。处理模块2000包括缓冲室2100、传送室2200、第一处理室2300以及第二处理室2500。缓冲室2100和传送室2200沿第一方向X设置，传送室2200具有平行于第一方向X的纵向方向。处理室2300和处理室2500设置在传送室2200的侧表面上。第一处理室2300、传送室2200以及第二处理室2500可以沿第二方向Y依次布置。
第一处理室2300可以沿第二方向Y设置在传送室2200的一侧上，并且第二处理室2500可以设置在与第一处理室2300相反的另一侧上。可以设置一个或多个第一处理室2300。当设置多个第一处理室2300时，第一处理室2300可以沿第一方向X布置在传送室2200的一侧、沿第三方向Z叠置或者以上述布置方式组合地设置。相似地，可以设置一个或多个第二处理室2500。当设置多个处理室2500时，第二处理室2500可以沿第一方向X布置在传送室2200的另一侧上、沿第三方向Z叠置或者以上述布置方式组合地设置。
然而，处理模块2000中的各室的布置不限于上述示例。例如，考虑到处理效率可以适当地修改各室的布置。例如，根据需要，第一处理室2300和第二处理室2500可以沿第一方向X或彼此叠置地设置在侧表面上，传送模块设置在该侧表面上。
缓冲室2100设置在传送架1200与传送室2200之间。缓冲室2100提供在转位模块1000与处理模块2000之间传送的基体S暂时停留的缓冲空间。可以将其中放置有基体S的至少一个缓冲槽设置在缓冲室2100中。当设置多个缓冲槽时，缓冲槽可以沿第三方向Z彼此间隔开。
可以使由转位机器人1210从承载器C中取出的基体S坐置于缓冲槽上。此外，可以使由传送机器人2210从处理室2300和处理室2500中取出的基体S坐置在缓冲槽上。此外，转位机器人1210或传送机器人2210可以将基体S从缓冲槽取出以将基体S容纳到承载器C内或者将基体S传送至处理室2300和处理室2500内。
传送室2200在缓冲室2100、第一处理室2300和第二处理室2500之间传送基体。传送室2200包括传送轨道2220和传送机器人2210。传送轨道2220提供传送机器人2210沿着运动的路径。可以平行于第一方向X设置传送轨道2220。传送机器人2210传送基体S。传送机器人2210可以包括基座2211、本体2212和臂2213。由于传送机器人2210的部件与转位机器人1210的部件相似，将省略对其详细的描述。在基座2211沿着传送轨道2220运动时，传送机器人2210可以通过本体2212和臂2213的操作在缓冲室2100、第一处理室2300和第二处理室2500之间传送基体S。
第一处理室2300和第二处理室2500可以对基体S进行不同的处理。在此，可以依次进行在第一处理室2300中进行的第一处理以及在第二处理室2500中进行的第二处理。例如，可以在第一处理室2300中进行化学处理、清洁处理和第一干燥处理，并且可以在第二处理室2500中进行作为第一处理的随后处理的第二干燥处理。在此，第一干燥处理可以是通过使用有机溶剂进行的干燥处理，并且第二干燥处理可以是通过使用超临界流体进行的超临界处理。
在下文中，将描述第一处理室2300。图2是图1的第一处理室2300的横截面视图。
在第一处理室2300中进行第一处理。第一处理室2300包括壳体2310和处理单元2400。壳体2310限定第一处理室2300的外壁。将处理单元2400设置在壳体2310的内部以进行第一处理。
处理单元2400可以包括旋转头2410、流体供给构件2420、回收箱2430和升降构件2440。
基体S坐置于旋转头2410上。在进行处理的同时，旋转头2410使基体S旋转。旋转头2410可以包括支承板2411、支承销2412、夹持销2413、旋转轴2414和马达2415。
支承板2411可以具有与基体S相似形状的上部部分。例如，当基体包括圆形晶片时，支承板2411可以具有圆形形状。在支承板2411上设置有多个支承销2412和多个夹持销2413。基体S放置在多个支承销2412上。多个夹持销2413固定基体S。旋转轴2414固定并连接至支承板2411的底表面。旋转轴2414由马达2415旋转。马达2415可以产生旋转力以通过旋转轴2414旋转支承板2411。因此，在进行第一处理的同时，可以使基体S坐置于旋转头2410上以使基体S旋转。
多个支承销2412沿第三方向Z从支承板2411的顶表面突出。当从上侧观察时，支承销2412可以整体上具有环形形状。基体S的背表面设置在支承销2412上。因此，基体S可以通过支承销2412与支承板2411的顶表面间隔支承销2412突出的距离。
夹持销2413可以沿第三方向Z从支承板2411的顶表面比支承销2412进一步地突出。夹持销2413设置成比支承销2412更远离支承板2411的中心。夹持销2413可以沿着支承板2411的径向方向在支承位置与备用位置之间移动。支承位置可以是与支承板2411的中心间隔开对应于基体S的半径的位置。备用位置可以是当与支承位置进行比较时更远离支承板2411的中心的位置。当将基体S装载在旋转头2410上或者从旋转头2410卸载时可以将夹持销2413设置在备用位置处。此外，在进行处理的同时可以将夹持销2413移动至支承位置。因此，当旋转头2410旋转时，夹持销2413可以防止基体S由于其旋转力而在位置中分离。
流体供给构件2420将流体供给到基体S上。流体供给构件2420包括喷嘴2421、支承件2422、支承轴2423和驱动器2424。支承轴2423可以具有沿着第三方向Z的纵向方向。驱动器2424连接至支承轴2423的下端部。驱动器2424可以使支承轴2423转动或者使支承轴2423沿第三方向Z垂直地运动。支承件2422垂直地联接到支承板2423的上部。喷嘴2421设置在支承件2422的端部的底表面上。喷嘴2421可以通过支承轴2423的旋转和升降在支承位置与备用位置之间移动。支承位置可以是直接设置在支承板2411上面的位置。备用位置可以是支承板2411的直接上侧之外的位置。
可以在处理单元2400中设置至少一个流体供给构件2420。当设置多个流体供给构件2420时，流体供给构件2420可以供给彼此不同的流体。例如，多个流体供给构件2420中的每一个可以供给清洁剂、清洗剂或有机溶剂。清洁剂可以包括过氧化氢（H2O2）、氨水（NH4OH）、硫酸（H2SO4）、氢氟酸（HF）或其混合物。清洗剂可以包括去离子水（DI-水），并且有机溶剂可以包括异丙醇。可选择地，有机溶剂可以包括乙二醇、1-丙醇、四液压弗兰克（tetra hydraulic franc）、4-羟基、4-甲基、2-戊酮、1-丁醇、2-丁醇、甲醇、乙醇、异丙醇或二甲醚。例如，第一流体供给构件2420a可以喷射氨水-过氧化氢溶液，第二流体供给构件2420b可以喷射ID-水，并且第三流体供给构件2420c可以喷射异丙醇溶液。然而，可以不将有机溶剂设置为液态，而是设置为气态。当将有机溶剂设置为具有气态的蒸汽时，可以使有机溶剂与惰性气体混合。
当基体S坐置于旋转头2410上时，可以将上述流体供给构件2420从备用位置移动至支承位置以将上述流体供给至基体S上。例如，随着流体供给构件供给清洁剂、清洗剂和有机溶剂，可以进行化学处理、清洁处理和第一干燥处理。在进行上述处理时，可以使旋转头2410旋转以将流体均匀地供给至基体S上。
回收箱2430提供其中进行第一处理的空间并且回收该处理中所使用的流体。当从上侧观察时，可以使回收箱2430设置在旋转头2410的周围以环绕旋转头2410。在此，回收箱2430可以具有打开的上部。处理单元2400中可以设置至少一个回收箱2430。在下文中，将作为示例描述其中设置三个回收箱2430即第一回收箱2430a、第二回收箱2430b和第三回收箱2430c的情况。然而，回收箱2430的数量可以根据流体的数量以及第一处理的条件进行不同地选择。
第一回收箱2430a、第二回收箱2430b和第三回收箱2430c中的每个回收箱可以具有环绕旋转头2430的环形形状。第一回收箱2430a、第二回收箱2430b和第三回收箱2430c可以设置为依次远离旋转头2410的中心。第一回收箱2430a环绕旋转头2410，第二回收箱2430b环绕第一回收箱2430a，并且第三回收箱2430c环绕第二回收箱2430b。
通过第一回收箱2430a的内部空间将第一流入孔2431a设置在第一回收箱2430a中。通过第一回收箱2430a与第二回收箱2430b之间的空间将第二流入孔2431b设置在第二回收箱2430b中。通过第二回收箱2430b与第三回收箱2430c之间的空间将第三流入孔2431c设置在第三回收箱2430c中。第一流入孔2431a、第二流入孔2431b和第三流入孔2431c可以沿着第三方向Z从上侧向下依次布置。沿着第三方向Z向下延伸的回收线2432连接至回收箱2430a、2430b和2430c中的每个回收箱的底表面。回收线2432a、2432b和2432c中的每个回收线可以将回收箱2430a、2430b和2430c回收的流体排出，以将流体供给至外部流体回收系统中（未示出）。流体回收系统（未示出）可以循环回收的流体以再利用流体。
升降构件2440包括支架2411、升降轴2442和升降机2443。支架2441固定至回收箱2430。将沿第三方向Z由升降机243移动的升降轴2442固定并联接至支架2441的端部。当设置多个回收箱2430时，可以将支架2441联接至最外的回收箱2430。
升降构件2440使回收箱2430沿第三方向Z移动。因此，当设置多个回收箱2430时，可以改变回收箱2430相对于旋转头2410的相对高度，以选择地调节任一回收箱2430的流入孔2431的高度，以便将流入孔2431设置在坐置于旋转头2410上的基体S的水平面上。
此外，在进行第一处理时，升降构件2440可以使回收箱2430沿第三方向移动，以调节回收箱2430的流入孔2431的高度，以使流入孔2431对应于基体S。因此，随着基体S旋转，可以回收弹离基体S的流体。例如，当依次进行作为第一处理的化学处理、使用清洁剂的清洁处理以及使用有机溶剂的第一干燥处理时，升降构件2440可以依次移动第一流入孔2431a、第二流入孔2431b和第三流入孔2431c。因此，第一回收箱2430a、第二回收箱2430b和第三回收箱2430c中的每个回收箱可以回收流体。
升降构件2440可以使旋转头2410沿第三方向Z运动，替代回收箱2430的运动。
在下文中，将描述第二处理室2500。
在第二处理室2500中进行第二处理。在此，第二处理可以是用于通过使用超临界流体干燥基体S的第二干燥处理。
在下文中，将作为示例描述用作超临界流体的二氧化碳（CO2）。然而，本发明不限于一种超临界流体。
图3是超临界流体的供给系统的视图。超临界流体供给系统包括壳体2510、供给单元2560和回收单元2570。
图4是根据实施方式的图1的第二处理室2500的横截面视图。参考图4，第二处理室2500可以包括壳体2510、升降构件2516、支承构件2530、加热构件2520、供给端口2540、阻挡构件2546以及排出端口2550。
壳体2510可以提供在其中进行超临界干燥处理的空间。壳体2510可以由能够承受大于临界压力的高压的材料形成。
壳体2510可以包括上部壳体2512和设置在上部壳体2512的下面的下部壳体2514。也就是说，壳体2510可以具有被分成上部部分和下部部分的结构。
上部壳体2512被固定，并且下部壳体2514可以升降。当下部壳体2514下降并且然后远离上部壳体2512时，可以打开第二处理室2500的内部空间。因此，基体S可以装载到第二处理室2500的内部空间内或者从第二处理室2500的内部空间中卸载。在此，装载到第二处理室2500内的基体S可以处于以下状态，在该状态中，在第一处理室3000中进行有机溶剂处理之后残留有机溶剂。此外，当下部壳体2514上升并且然后紧密地附接至上部壳体2512时，可以密封第二处理室2500的内部空间，并且可以在内部空间中进行超临界干燥处理。与上述示例不同，下部壳体2514可以固定至壳体2510，并且上部壳体2512可以升降。
升降构件2516升降下部壳体2514。升降构件2516可以包括升降筒2517和升降杆2518。将升降筒2517联接至下部壳体2514以产生垂直驱动力，即，升降力。当进行超临界干燥处理时，升降筒2517可以承受大于第二处理室2500内的临界压力的高压。此外，升降筒2517可以产生足以将上部壳体2512和下部壳体2514彼此紧密地附接以密封第二处理室2500的内部的驱动力。升降杆2518的一端插入到升降筒2517内并且另一端向上延伸并且联接至上部壳体2512。由于上述结构，当在升降筒2517中产生驱动力时，升降筒2517和升降杆2518可以相对地上升以使联接至升降筒2517的下部壳体2514能够上升。此外，当通过升降筒2517升高下部壳体2514时，升降杆2518可以防止上部壳体2512和下部壳体2514水平运动，并且可以引导升降方向以防止上部壳体2512和下部壳体2514从其固定位置分离。
支承构件2530在上部壳体2512与下部壳体2514之间支承基体S。可以将支承构件2530设置在上部壳体2512的底表面上以直接向下延伸。此外，支承构件2530可以从上部壳体2512的下端沿水平方向垂直地弯曲。因此，支承构件2530可以支承基体S的边缘区域。如上所述，由于支承构件2530接触基体S的边缘区域以支承基体S，超临界干燥处理可以在基体S的顶表面的整个区域上以及在基体S的底表面的大部分区域上进行。在此，基体S的顶表面可以是图案表面，并且基体S的底表面可以是非图案表面。此外，由于设置了固定的上部壳体2512，因此在升降下部壳体2514时支承构件2530可以相对稳定地支承基体S。
可以将水平调节构件2532设置在其中设置有支承构件2530的上部壳体2512中。水平调节构件2532可以调节上部壳体2512的水平度。当调节上部壳体2512的水平度时，可以调节坐置于设置在上部壳体2512中的支承构件2530上的基体S的水平度。当基体S在超临界干燥处理中倾斜时，保留在基体S上的有机溶剂可以沿着斜坡流动，以引起基体S上的特定部分未干燥或过干燥的现象，从而破坏基体S。水平调节构件2532可以调节基体S的水平度以防止上述现象发生。当然，当上部壳体2512上升时，下部壳体2514被固定，或者当将支承构件2530设置在下部壳体2514中时，可以将水平调节构件设置在下部壳体2514中。
加热构件2520可以加热第二处理室2500的内部。加热构件2520可以将供给至第二处理室2500内的超临界流体加热至大于临界温度的温度，以将超临界流体保持在超临界流体状态或者在超临界流体被液化的情况下再次将超临界流体改变至超临界流体状态。可以将加热构件2520埋设在上部壳体2512和下部壳体2514的至少一个壁中。例如，可以将加热构件2520设置为用于从外部接收能量以产生热的加热器。
供给端口2540将超临界流体供给至第二处理室2500。供给端口2540可以连接至供给单元2560。在此，可以在供给端口2540中设置用于调节从供给单元2560供给的超临界流体的流量的阀。
供给端口2540可以包括上部供给端口2542和下部供给端口2544。可以将上部供给端口2542设置在上部壳体2512中以将超临界流体供给至由支承构件2530支承的基体S的顶表面上。可以将下部供给端口2544设置在下部壳体2514中以将超临界流体供给至由支承构件2530支承的基体S的底表面上。
供给端口2540可以将超临界流体喷射到基体S的中心区域上。例如，可以将上部供给端口2542直接设置在由支承构件2530支承的基体S的中心的上方。此外，可以将下部供给端口2544直接设置在由支承构件2530支承的基体S的中心的下方。因此，当超临界流体达到基体S的中心区域并且向基体S的边缘区域扩散时，可以将从供给端口2540喷射的超临界流体均匀地供给至基体S的整个区域上。
在上部供给端口2542和下部供给端口2544中，下部供给端口2544可以供给超临界流体，并且然后，上部供给端口2542可以供给超临界流体。由于在第二处理室2500的内部压力小于临界压力的状态下进行超临界干燥处理，因此可以将供给至第二处理室2500内的超临界流体液化。因此，当在初始超临界干燥处理期间将超临界流体供给至上部供给端口2542内时，超临界流体可被液化以通过重力滴落在基体S上，从而破坏基体S。当通过下部供给端口2544将超临界流体供给至第二处理室2500内以使第二处理室2500的内部压力能够达到超临界压力时，上部供给端口2542可以启动超临界流体的供给以将超临界流体液化，从而防止超临界流体滴落在基体S上。
阻挡模块可以防止通过供给端口2540供给的超临界流体直接喷射在基体S上。阻挡模块可以包括阻挡板2547和支承件2548。
将阻挡板2547设置在供给端口2540与由支承构件2530支承的基体S之间。例如，可以将阻挡板2547设置在下部供给端口2544与支承构件2530之间并且设置在基体S的下面。阻挡板2547可以防止通过下部供给端口2544供给的超临界流体直接喷射在基体S的底表面上。
阻挡板2547可以具有与基体S的半径相似或更大的半径。在这种情况下，阻挡板2547可以完全阻挡超临界流体直接喷射在基体S上。此外，阻挡板2547具有比基体S的半径小的半径。在这种情况下，可以阻挡超临界流体直接喷射在基体S上，并且也可以减少超临界流体的流量以使超临界流体相对容易地到达基体S，从而在基体S上有效地进行超临界干燥处理。
支承件2548支承阻挡板2547。也就是说，可以将阻挡板2547设置在支承件2548的端部上。支承件2548可以从壳体2510的底表面直接向上延伸。可以将支承件2548和阻挡板2547设计成使得在不使用单独的联接单元的情况下通过重力将阻挡板2547简单地设置在支承件2548上。当通过使用联接单元比如螺母或螺栓将支承件2548与阻挡板2547彼此联接时，可能在支承件2548与阻挡板2547之间渗透具有高渗透性的超临界流体以生成污染物。可替代地，支承件2548和阻挡板2547可以彼此集成。
当在初始超临界干燥处理期间通过下部供给端口2544供给超临界流体时，由于壳体2519的内部压力较低，所供给的超临界流体可以以高速喷射。当以高速喷射的超临界流体直接到达基体S时，可能发生以下倾斜现象，其中基体S的超临界流体直接喷射其上的部分通过超临界流体的物理压力弯曲。此外，基体可以通过超临界流体的喷射力而晃动。在此，保留在基体S上的有机溶剂可以流动以破坏基体S的电路图案。
因此，设置在下部供给端口2544与支承构件2530之间的阻挡板2547可以阻挡超临界流体直接喷射在基体S上，以防止基体S通过超临界流体的物理力而被破坏。在进行处理之后，可以将超临界流体通过排放端口2550排放至回收单元2570内。
通过使用超临界流体在第二处理室2500中进行第二干燥处理。例如，可以在第二处理室2500中通过使用超临界流体对基体S进行第二干燥处理，在第一处理室2300中在基体S上使用有机溶剂依次进行化学处理、清洁处理以及第一干燥处理。当通过传送机器人2210使基体S坐置在支承构件2530上时，加热构件2520对壳体2510的内部进行加热以通过超临界流体供给管2540供给超临界流体。因此，可以在壳体2510中形成超临界环境。在形成超临界环境之后，保留在基体S的图案的顶表面上的有机溶剂可以被超临界流体溶解。在有机溶剂被充分溶解之后，可以通过排出孔将超临界流体排出。随后，将超临界流体再次给供至供给单元2560内。也就是说，供给单元2560将超临界流体供给至第二处理室2500内，并且回收单元2570将在第二处理室中使用的超临界流体回收以将回收的超临界流体供给至供给单元2560内。
再次参考图3，供给单元2560可以包括存储罐2561、水供给罐2562、第一冷凝器2563、第二冷凝器2564和泵2565。
液体二氧化碳存储在存储罐2561中。从外部或回收单元2570供给二氧化碳并且然后存储在存储罐2561中。在此，从外部或回收单元2570供给的二氧化碳可以是气态。第一冷凝器2563可以将气态转变为液态以将液化的二氧化碳供给至存储罐2561内。
水供给罐2562接收来自存储罐2561的二氧化碳以产生超临界流体。将超临界流体供给至第二处理室2500内。可以在存储罐2561中将二氧化碳改变为气态以运动至水供给罐2562内。在此，可以将第二冷凝器2564和泵2565设置在存储罐2561与水供给罐2562之间。第二冷凝罐2564将气体二氧化碳变成液体二氧化碳。泵2565可以将液体二氧化碳变成以大于临界压力的压力施压的气体，以将气体二氧化碳供给至水供给罐2562内。水供给罐2562将所供给的二氧化碳加热至大于临界温度的温度以产生超临界流体，从而将超临界流体供给至第二处理室2500内。在此，从水供给罐2562排出的二氧化碳可以具有约100bar至约150bar的施压压力。
图5是根据实施方式的图4的回收单元2570的横截面视图。
回收单元2570包括分离器2580和回收器2590。回收单元2570可以回收超临界流体以将超流体供给至供给单元2560内，超临界流体用于在第二处理室2500中的第二干燥处理以吸收有机溶剂。分离器2580可以对二氧化碳进行冷却以将包含在二氧化碳中的有机溶剂液化，从而主要从二氧化碳分离有机溶剂。回收器2590可以使二氧化碳能够通过其中设置有用于吸收有机溶剂的吸收剂A的空间，从而从二氧化碳二次分离有机溶剂。
图6是图5的分离器的横截面。分离器2580包括分离罐2581、冷却构件2582、流入管2583、排出管2584、排水管2585以及压力调节单元2586。
分离罐2581提供二氧化碳与有机溶剂在其中彼此分离的空间。冷却构件2582可以设置在分离罐2581的内壁与外壁之间以冷却分离罐2581。冷却构件2582可以实现为冷却剂通过其流动的管线。将从第二处理室2500排出的二氧化碳引导通过流入管2583。流入管2583可以通过其端部将二氧化碳供给至分离罐2581的下部。通过冷却构件2582将提供至分离罐2581的下部内的二氧化碳进行冷却。因此，包含在二氧化碳中的有机溶剂被液化并且然后与二氧化碳分离。
将分离的二氧化碳通过连接至分离罐2581的上部部分的排出管2584排出。将液体有机溶剂通过连接至分离罐2581的下部部分的排水管2585排出。可以在流入管2583、排出管2584和排水管2585中的每一个中设置阀V以调节有机溶剂的引入和排出。
图7是图4的回收器2570的横截面视图。图8是图4的回收器2570的横截面。参考图7，回收器2590包括柱状体2591、供给管2592、排出管2593、浓度传感器2594、气体供给管2595、加热器2596、排出管2597以及控制器2598。
柱状体2591具有在其中设置有吸收剂的空间。参考图8，将吸收剂A设置在柱状体2591中。吸收剂A具有多个气孔以将有机溶剂吸收进气孔中。例如，可以将沸石用作为吸收剂。将二氧化碳通过供给管2592引导至柱状体2592内。供给管2592将分离器2580连接至柱状体2591。
当二氧化碳通过柱状体2591时，吸收剂A从二氧化碳中吸收有机溶剂。因此，可以移除包含在二氧化碳中的有机溶剂以回收二氧化碳。将回收的二氧化碳通过排出管2593供给至供给单元2560。
将浓度传感器2594设置在排出管2593中。浓度传感器2594可以检测从柱状体2591排出的二氧化碳中所包含的有机溶剂的浓度。由于由吸收剂A吸收的有机溶剂的量是有限的，因此当包含在二氧化碳中并且由浓度传感器2594测量的有机溶液的浓度大于预定值时，可以关闭供给管2592的阀以确定回收量。随后，可以打开气体供给管2595以将净化气体供给至柱状体2591内。
气体供给管2595将净化气体供给至柱状体2591内。参考图7，气体供给管2595可以从供给管2592分支。净化气体可以将吸收至吸收剂A的有机溶剂与吸收剂A分离。加热器2596加热通过气体供给管2595引导至柱状体2591内的净化气体。另一方面，如图9中所示，可以省略加热器2596。此外，如图10中所示，可以将加热器2596设置为环绕柱状体2591。将用于调节净化气体的供给量的阀设置在气体供给管2596中。控制器2598可以控制阀以调节净化气体的供给量和供给时间。排出管2597将包含有机溶剂的净化气体排出至柱状体2591的外部。
另一方面，如图11所示，回收单元2570可以包括多个分离器2580。在此，分离器2580彼此串联连接。例如，第一分离器2580a主要将二氧化碳和有机溶剂彼此分离。然后，第二分离器2580b连接至第一分离器2580a以将二氧化碳和有机溶剂彼此二次分离。因此，可以多次进行有机溶剂的分离以获得更纯净的二氧化碳。
此外，如图11所示，可以设置多个回收器2590。参考图11，回收器2590可以彼此并联连接。如图11所示，第一分离器2590a和第二分离器2590b中的每一个可以连接至分离器2580以从二氧化碳中过滤有机溶剂，从而将过滤的有机溶剂供给至供给单元2560内。当并联设置多个回收器2590时，可以在短时间内回收大量的二氧化碳。
参考图12，回收器2590可以彼此并联连接。将第一回收器2590a连接至分离器2580以从二氧化碳中主要过滤有机溶剂。将第二回收器2590b连接至第一回收器2590a以从二氧化碳中二次过滤有机溶剂。可以多次进行通过回收器的有机溶剂与二氧化碳的分离。
虽然在回收单元2570中回收器2590连接至分离器2580，但是本发明不限于此。例如，可以省略分离器2580。当在回收单元2570中省略分离器2580时，回收器2590可以直接连接至第二处理室2500。另一方面，可以将回收器2590的柱状体2591设置为单个柱状体2591。此外，供给管2592与气体供给管2594，以及排出管2593与排出管2595可以彼此连接。
在下文中，将参考基体处理设备100描述根据本发明的基体处理方法。
然而，这只是为了容易描述，并且因此，根据本发明的基体处理方法不限于使用基体处理设备100的方法。例如，可以通过使用执行相同或相似功能的其他装置执行基体处理方法。
图13示出使用超临界流体的清洁处理。
根据实施方式的基体处理方法包括：将基体S从坐置于装载端口1100上的承载器C传送至缓冲室2100的处理（S110），将基体S从缓冲室2100传送至第一处理室2300的处理（S120），进行第一处理的处理（S130），将基体S从第一处理室2300传送至第二处理室2500的处理（S140），进行第二处理的处理（S150），将基体S从第二处理室2500传送至缓冲室2100的处理（S160），以及将基体S从缓冲室2100传送至承载器C的处理（S170）。在下文中，将描述上述处理中的每个处理。
在操作S110中，转位机器人1210将基体S从承载器C传送至缓冲室2100。
将其中容纳有从外部传送的基体S的承载器C放置在装载端口1100。承载器开启器（未示出）或转位机器人1210可以打开承载器C的门，并且转位机器人1210将基体从承载器C中取出。转位机器人1210将取出的基体S传送至缓冲室2100内。
在操作S120中，传送机器人2210将基体S从缓冲室2100传送至第一处理室2300。
当通过转位机器人1210将基体S放置在缓冲室2100的缓冲槽中时，传送机器人2210将基体从缓冲槽中取出。传送机器人2210将基体S传送至第一处理室2300内。
在操作S130中，在第一处理室2300中进行第一处理。图14是第一处理的流程图。
在操作S131中，通过传送机器人2210将基体S放置在支承销2412上并且装载在旋转头2310上。当将基体S放置在支承销2412上时，夹持销2412可以从拾取位置运动到固定位置以固定基体S。在操作S132中，当坐置基体时，流体供给构件2420将流体供给至基体S上。在此，当将流体供给至基体S上时，旋转头2410可以旋转以使基体S旋转。因此，可以将流体适当地供给至基体S的整个区域上。此外，在回收箱2430垂直地运动至基体S之后，回收箱2430可以通过基体S的旋转回收弹离基体S的流体。
特别地，在操作S132a（第一化学处理）中，当坐置基体S时，第一流体供给构件2420a从备用位置运动至支承位置以将第一清洁剂喷射到基体S上。因此，可以移除保留在基体S上的微粒、有机污染物、金属污染物或类似物。在此，第一回收箱2430a的第一流入孔2431a可以运动至作为基体S的相同平面上以回收第一清洁剂。
接着，在操作S132b（第一清洁处理）中，第一流体供给构件2420a运动至备用位置，并且第二流体供给构件2420b从备用位置运动至支承位置以喷射清洗剂。因此，可以清洁保留在基体S上的第一清洁剂的残留物。在此，第二回收箱2430b的第二流入孔2431b可以运动至作为基体S的相同平面上以回收清洗剂。
接着，在操作S132c（第一干燥处理）中，第二流体供给构件2420返回至备用位置，并且第三流体供给构件2420c从备用位置运动至支承位置以喷射有机溶剂。因此，利用有机溶剂代替基体S上保留的清洗剂。在此，第三回收箱2430c的第二流入孔2413c可以运动至与基体S的相同平面上以回收有机溶剂。此外，可以以其中有机溶剂被加热到大于室温的温度以便容易地干燥有机溶剂的状态设置有机溶剂或者以加热的蒸汽状态设置有机溶剂。此外，在操作S132c中，在完成有机溶剂的喷射之后，旋转头2410可以旋转基体S以便容易地干燥有机溶剂。
此外，可以在操作S132b与操作S132c之间另外地执行通过第四流体供给构件2420d喷射第二清洁剂的处理（第二化学处理）以及通过第二流体供给构件2420b喷射清洗剂的处理（第二清洁处理）。在此，第一清洁剂和第二清洁剂可以具有彼此不同的组分以有效地移除彼此不同的外来物质。
此外，在一些情况中可以省略操作S132c。
当完成将流体喷射至基体S上的处理之后时，完成了旋转头2410的旋转。因此，夹持销2413可以从固定位置运动至拾取位置。在操作S133中，通过传送机器人2210拾取基体S并且因此将基体S从旋转头2410卸载。
在操作S140中，传送机器人2210将基体S从第一处理室2300传送至第二处理室2500。
传送机器人2210拾取坐置于旋转头2410上的基体S以将基体S从第一处理室2300中取出。传送机器人2210将基体S传送至第二处理室2500内。使传送至第二处理室2500内的基体S坐置在支承构件2530上。
在操作S150中，在第二处理室2500中进行第二处理。图15是第二处理的流程图。
在操作S151中，将基体S装载在第二处理室2500的支承构件2530上。在操作S152中，在装载基体S之后或之前，通过下部供给端口2544将超临界流体供给至壳体2510内。当连续地供给超临界流体以形成超临界流体环境时，通过上部供给端口2542将超临界流体供给至壳体2510内。因此，在操作S153中，可以通过超临界流体快速地干燥基体S。在该处理中，由于壳体2510的内部是临界状态或大于临界状态，尽管将超临界流体以高速直接喷射在基体S上，但可以相对较少地破坏基体S或可以不破害基体S。在操作S154中，当完全干燥基体S时，排出超临界流体。当在操作S155中完成干燥处理时，则在操作S156中卸载基体S。
可选择地，可以重复进行超临界流体的供给。图16是用于说明超临界流体的供给和排出的视图。例如，在操作S153中，供给超临界流体直到通过供给超临界流体使壳体2510的内部压力达到约150bar的压力为止。然后，排出超临界流体直到壳体2510内部压力达到约100bar的压力为止。可替代地，根据实验，在交替地形成超临界环境和惰性环境以干燥基体S的情况下，当与在超临界环境中长时间干燥基体S相比时，可以看出可以显著地移除保留在电路图案上的异丙醇。因此，可以替换地进行上述两个处理以显著地提高干燥效率。
虽然通过使用惰性气体进行第二干燥处理，但是本发明不限于此。例如，可以在不使用惰性气体的情况下只使用超临界流体进行第二干燥处理。特别地，对于初始第二干燥处理可以连续地供给液体二氧化碳，并且可以连续地加热二氧化碳以将液态转换至气态。然后，可以连续地供给二氧化碳并且因此施压以形成超临界环境。
如上所述，当通过使用超临界流体干燥基体S时，可以解决微粒、静电、塌陷现象或类似物的发生，其中这些现象可以发生在使用异丙醇的第一干燥处理中或者基体S在其中旋转的旋转干燥处理中。因此，可以在基体S的表面上不保留水痕以提高半导体器件的性能和产量。
图17是使用超临界流体的回收处理的流程图。
回收超临界流体的处理包括：存储二氧化碳的处理（S210），将二氧化碳转变成超临界流体的处理（S220），通过使用超临界流体进行干燥处理的处理（S230），回收二氧化碳的处理（S240），以及存储所回收的二氧化碳的处理（S250）。在下文中，将描述上述处理中的每个处理。
在操作S210中，将二氧化碳存储在存储罐2561中。从外部二氧化碳供给源F或回收单元2570供给二氧化碳并且以液态存储。在此，可以供给气态的二氧化碳。在这种情况下，通过第一冷凝器2563将气体二氧化碳转变成液体二氧化碳以将液体二氧化碳存储在存储罐2561中。
在操作S220中，水供给罐2562通过使用二氧化碳产生超临界流体。水供给罐2562可以从存储罐2561接收二氧化碳以产生超临界流体。特别地，将二氧化碳从存储罐2561排出以运动至水供给罐2562内。在此，可以通过压力变化将二氧化碳变化到气态。将第二冷凝器2564和泵2565设置在将存储罐2561连接至水供给罐2562的线上。第二冷凝器2564将具有气态的二氧化碳冷凝以转变成液体二氧化碳。泵2565将液体二氧化碳转变成具有高压气态的二氧化碳，以将高压二氧化碳气体供给至水供给罐2562。水供给罐2562对高压二氧化碳气体进行加热以产生超临界流体。水供给罐2562将超临界流体供给至第二处理室2500内。
在操作S230中，通过在第二处理室2500中使用超临界流体进行干燥处理。第二处理室2500从水供给罐2562接收超临界流体以通过使用超临界流体干燥基体S。上述干燥处理可以是第二干燥处理。在干燥处理期间或完成干燥处理之后，第二处理室2500排出超临界流体。
在操作S240中，回收单元2570回收二氧化碳。可以在分离器2580中进行主要分离，并且可以在回收器2590中进行二次分离。可以将从分离器2580排出的超临界流体进行冷却以分离有机溶剂。通过设置在下部部分处的排水管2585排出有机溶剂，并且通过设置在上部部分处的排出管2584排出与有机溶剂分离的二氧化碳。
可以在回收器2590中进行二次分离。回收器2590可以再次将有机溶剂与二氧化碳分离，其中，有机溶剂主要由分离器2580分离。
图18是用于在回收器2590中回收二氧化碳的方法的流程图。
首先，在操作S243a中，通过供给管2592将气态的超临界流体或二氧化碳引导至包含吸收剂A的柱状体2591内。在此，二氧化碳通过吸收剂A。在该处理中，溶解在二氧化碳中的有机溶剂被吸收剂A吸收。因此，在操作S243b中，将有机溶剂与二氧化碳分离，并且通过排出管2593将高浓度二氧化碳排出。当达到设定条件时，停止二氧化碳的供给。例如，设定条件可以是其中有机溶剂相对于排出的二氧化碳的含量高于预设值的情况，其中，由浓度传感器2597测量上述含量。在操作S243c中，当二氧化碳的浓度高于预设值时，在操作S243d中停止二氧化碳的供给。
在操作S244a中，在停止供给二氧化碳之后，将净化气体供给至柱状体2591内。例如，净化气体可以包括氮气（N2）。可以将氮气（N2）以加热状态供给至柱状体2591内。在操作S244b中，氮气（N2）将有机溶剂与吸收剂分离。控制器2598控制阀以使得随着时间的推移不均匀地供给氮气（N2）。例如，可以以脉冲的形式供给氮气（N2）。参考图19，可以以第一量供给氮气（N2）一小时以及以第二量供给氮气（N2）两小时。第一量可以大于第二量。如图19所示出，连续地重复一小时和两小时。此外，另一方面，如图20所示，第二量可以是零。
当完全地分离有机溶剂与吸收剂时，在操作S244c中停止氮气（N2）的供给。随后，在操作S244d中，将氮气（N2）排出至排出管2595。由于通过氮气（N2）将有机溶剂与吸收剂分离，可以在不更换的情况下再次使用吸收剂。因此，随着吸收剂的更换周期的延长，可以提高经济可行性。
在操作S250中，回收单元2570将回收的二氧化碳提供至存储罐2561。当完成二氧化碳的回收时，将二氧化碳移动至存储罐2561并且然后存储在存储罐2561中。在此，由于从回收单元2570排出的二氧化碳处于气态，所以将二氧化碳气体转变成液体二氧化碳以移动至存储罐2561。
在根据本发明的基体处理方法中，实施方式中的每个实施方式的处理并非都是必需的，并且因此，可以选择地进行上述实施方式中的每个实施方式中的处理。此外，可以单独地实现或彼此组合各实施方式。另外，可以单独地实现或者彼此组合根据实施方式中的每个实施方式的处理和根据另一实施方式的处理。
此外，不必须以前述顺序执行根据实施方式中的每个实施方式的处理。例如，可以早于最先描述的处理执行后来描述的处理。
此外，可以将根据本发明的基体处理方法以代码或程序形式存储在计算机可读记录介质中。
根据本发明的实施方式，可以延长用于回收超临界流体的吸收剂的寿命。
本发明的目的不限于以上所述，而是根据以下描述，本领域技术人员将清楚地理解本文中未描述的其他目的。
已参考上述实施方式如上地描述了本发明。然而，明显的是，根据前面的描述，许多可替代变型和变体对本领域技术人员来说将变得明显。因此，本发明涵盖落入所附权利要求的精神和范围内的所有这些可替代变型和变体。此外，本文中描述的实施方式并非如此地限制，而是可以选择地组合实施方式中的全部或部分以便获得多种变体。

Claims (19)

1.一种基体处理设备，包括：
处理室，在所述处理室中通过使用作为超临界流体提供的流体将保留在基体上的有机溶剂溶解以干燥所述基体；以及
回收单元，所述回收单元包括将所述有机溶剂与从所述处理室排出的流体分离以回收所述流体的回收器，
其中，所述回收器包括：
柱状体，所述柱状体具有将用于吸收所述有机溶剂的吸收剂存储其中的空间；
供给管，所述供给管将从所述处理室排出的所述流体供给至所述柱状体的所述空间内；
用于所述流体的排出管，所述用于所述流体的排出管将在所述柱状体中与所述有机溶剂分离的流体排出；
气体供给管，所述气体供给管将净化气体供给至所述柱状体内以使所述有机溶剂与所述吸收剂分离；以及
用于所述净化气体的排出管，所述用于所述净化气体的排出管将包含所述有机溶剂的所述净化气体排出至所述柱状体的外部，
其中，所述基体处理设备还包括对供给至所述柱状体内的所述净化气体进行加热的加热器，
其中，所述回收单元构造成在不向所述柱状体的所述空间中供给所述流体时向所述柱状体中供给所述净化气体。
2.根据权利要求1所述的基体处理设备，还包括：
阀，所述阀设置在所述气体供给管中以调节所述净化气体的供给量；以及
控制器，所述控制器控制所述阀以使得随着时间的推移不均匀地供给所述净化气体。
3.根据权利要求2所述的基体处理设备，其中，所述控制器以第一量供给所述净化气体一小时并且以第二量供给所述净化气体两小时，
其中，所述第一量大于所述第二量，并且连续地重复所述一小时和所述两小时。
4.根据权利要求2所述的基体处理设备，其中，所述第二量是零。
5.根据权利要求2所述的基体处理设备，其中，所述控制器控制所述阀以使得以脉冲状方式供给所述净化气体。
6.根据权利要求2所述的基体处理设备，还包括浓度传感器，所述浓度传感器设置在所述用于所述流体的排出管中以测量包含在从所述用于所述流体的排出管排出的所述流体中的所述有机溶剂的浓度，
其中，当所测量的浓度值达到预定值时，所述控制器控制所述净化气体以使得所述净化气体被供给到所述柱状体内以回收所述吸收剂。
7.根据权利要求1所述的基体处理设备，其中，所述有机溶剂包括异丙醇(IPA)，以及
所述流体包括二氧化碳(CO2)。
8.根据权利要求1所述的基体处理设备，其中，所述吸收剂包括沸石。
9.根据权利要求1所述的基体处理设备，其中，所述回收单元还包括设置在所述处理室与所述回收器之间的分离器，
其中，所述分离器将从所述处理室排出的所述流体进行冷却以使所述有机溶剂与所述流体分离，从而将所述流体供给至所述回收器内。
10.根据权利要求1所述的基体处理设备，其中，设置有多个所述柱状体，以及
所述多个柱状体彼此串联连接。
11.一种回收单元，包括：
柱状体，所述柱状体具有用于吸收有机溶剂的吸收剂存储其中的空间；
供给管，所述供给管将从处理室排出的流体供给至所述柱状体的所述空间内；
用于所述流体的排出管，所述用于所述流体的排出管将在所述柱状体中与所述有机溶剂分离的流体排出；
气体供给管，所述气体供给管将净化气体供给至所述柱状体内以使得所述有机溶剂与所述吸收剂分离；以及
用于所述净化气体的排出管，所述用于所述净化气体的排出管将包含所述有机溶剂的所述净化气体排出至所述柱状体的外部，
其中，所述有机溶剂与从所述处理室中排出的所述流体分离以回收所述流体，
其中，所述回收单元还包括对供给至所述柱状体内的所述净化气体进行加热的加热器，
其中，所述回收单元构造成在不向所述柱状体的所述空间中供给所述流体时向所述柱状体中供给所述净化气体。
12.根据权利要求11所述的回收单元，还包括：
阀，所述阀设置在所述气体供给管中以调节所述净化气体的供给量；以及
控制器，所述控制器控制所述阀以使得随着时间的推移不均匀地供给所述净化气体。
13.根据权利要求11所述的回收单元，其中，所述有机溶剂包括异丙醇(IPA)，以及
所述流体包括二氧化碳(CO2)。
14.根据权利要求11所述的回收单元，其中，所述吸收剂包括沸石。
15.一种用于将有机溶剂与流体分离以回收所述流体的回收方法，所述流体作为包含所述有机溶剂的超临界流体提供，所述回收方法包括：
使所述流体能够通过其中设置有吸收剂的柱状体，从而将所述有机溶剂吸收至所述吸收剂；以及
当达到设定条件时，阻止所述流体通过所述柱状体，然后将净化气体供给至所述柱状体内以将所述有机溶剂与所述吸收剂分离，从而再利用所述吸收剂，
其中，所述净化气体包括氮气(N2)，以及
所述氮气(N2)在加热状态下提供至所述柱状体内。
16.根据权利要求15所述的回收方法，还包括随着时间的推移以脉冲状方式供给所述净化气体。
17.根据权利要求15所述的回收方法，其中，所述设定条件包括当测量从所述柱状体排出的所述流体内的浓度时所测量的浓度高于预设值的情况。
18.根据权利要求15所述的回收方法，其中，所述有机溶剂包括异丙醇(IPA)，以及
所述流体包括二氧化碳(CO2)。
19.根据权利要求15所述的回收方法，其中，所述吸收剂包括沸石。
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