CN104064456A - 湿刻蚀设备及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及液晶显示器制造领域，提出了一种湿刻蚀设备，其包括：能够喷淋刻蚀液的喷淋装置；能够存储刻蚀液的储液槽；以及用于夹持待刻蚀的玻璃基板的夹持机构，其中，所述夹持机构能够沿所述储液槽的深度方向运动，并相应地带动所述玻璃基板沿所述储液槽的深度方向运动。本发明还提出了相应的方法。以此方式，在根据本发明的设备和方法中，可以对玻璃基板同时进行或选择性地进行两种湿刻蚀的模式，且每种模式刻蚀力度可控。

Description

湿刻蚀设备及方法
技术领域
本发明涉及液晶显示器制造领域，尤其涉及一种湿刻蚀设备及相应的方法。
背景技术
随着信息社会的发展，对显示设备的要求越来越高，因而也推动了液晶面板行业的快速发展。面板尺寸越做越大，使用者对视角、能耗、显示品质等方面的要求也越来越高，对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)生产工艺及相关的设备也提出了更高的要求。
由于受到湿刻蚀设备和制程的限制，目前的薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的阵列基板因均一性不佳导致了较为严重的颜色(深浅)不均(mura)问题。可以通过调整制程参数或改变刻蚀模式来改善均一性问题。典型的湿刻蚀模式例如喷淋模式(spray)、浸渍模式(dip)等。
喷淋模式(spray)指通过喷嘴将刻蚀液喷淋到玻璃基板上来进行刻蚀的方式；而浸渍模式(dip)指将玻璃基板浸没到装有刻蚀液的储液槽中来进行刻蚀的方式。
两种模式各有利弊，但由于受到设备本身设计的限制，总地来讲，每种模式都会造成色不均现象。且一旦将玻璃基板置入相应的刻蚀设备中，就只能采用相应的模式进行刻蚀，无法灵活和有针对性地选择或结合不同的湿刻蚀模式，致使色不均问题始终无法得到有效的改善，典型地例如目前存在的阵列基板的四角色不均(mura)现象。
发明内容
如上所述，由于受到设备本身设计的限制，在现有技术中，通过喷淋模式或浸渍模式来进行湿刻蚀，都会导致一定程度的色不均问题。因而在本发明中，提出了一种改进的湿刻蚀设备及相应的方法，使得能够灵活且有针对性地选择或结合不同的湿刻蚀模式，显著缓解了色不均问题，进而提升了产品的显示效果。
本发明提出了一种湿刻蚀设备，其包括：能够喷淋刻蚀液的喷淋装置；能够存储刻蚀液的储液槽；以及用于夹持待刻蚀的玻璃基板的夹持机构，所述夹持机构与所述储液槽的侧壁内壁相邻地设置，并使得所述玻璃基板的具有光学膜层的一侧能够承接来自所述喷淋装置的刻蚀液，
其中，所述夹持机构能够沿所述储液槽的深度方向运动，并相应地带动所述玻璃基板沿所述储液槽的深度方向运动。
以此方式，在根据本发明的设备中，可以对玻璃基板同时进行两种湿刻蚀的模式。夹持机构的位置越靠上，喷淋模式的作用越显著，浸渍模式的作用越微弱，直至完全实施喷淋模式；同理，夹持机构的位置越靠下，浸渍模式的作用越显著，喷淋模式的作用越微弱，直至没入刻蚀液一定深度后完全实施浸渍模式。
优选地，所述夹持机构包括：位于所述玻璃基板的背离所述储液槽的底部的一侧的夹具；以及位于所述玻璃基板的朝向所述储液槽的底部的一侧的托持件。
优选地，所述夹持机构还包括夹具转轴，所述夹具转轴的轴向方向垂直于所述储液槽的深度方向，且平行于与其相邻的所述储液槽的侧壁的延伸方向，所述夹具能够围绕所述夹具转轴转动。
优选地，所述夹具和所述托持件均构造为从与所述储液槽的侧壁相邻的位置处延伸出来的具有平坦表面的板体，且在垂直于所述夹具转轴的轴向方向的方向上，所述托持件的尺寸大于相应的所述夹具的尺寸。如此设计，夹具所造成的负载压力较小，而托持件亦可将所承受的负载压力分散到较大的面积中。
优选地，所述夹具能够在平行且贴合于所述玻璃基板的位置和垂直于所述玻璃基板的位置之间转动，所述托持件垂直于所述储液槽的侧壁。以此方式，当夹具位于平行且贴合于所述玻璃基板的位置时，可以固定住玻璃基板，防止其发生不期望的晃动或抖动；当夹具位于垂直于所述玻璃基板的位置时，不会阻挡放入和取出玻璃基板。
优选地，所述夹持机构构造为通过轨道、链条、顶杆、电磁部件或位于所述储液槽的侧壁内壁上的卡槽中的一种或多种方式来运动。
优选地，沿俯视视角观测，所述储液槽为矩形，在所述矩形的长边和短边上均等间隔地布置有所述夹持机构。如此设置，更有利于维持玻璃基板的静态平衡。
优选地，在所述储液槽下部设置有运输辊，所述储液槽通过所述运输辊进行移动。储液槽可通过运输辊来进行移动，使得所处理的玻璃基板能够在整个设备的腔室内部移动。
本发明还提出了一种湿刻蚀方法，其特征在于，包括：
a)设置根据本发明所述的湿刻蚀设备；
b)向所述储液槽中添加设定量的刻蚀液；
c)通过所述夹持机构将待刻蚀的玻璃基板夹持住；
d)当需要采用浸渍模式来进行刻蚀时，所述夹持机构沿深度方向朝向所述储液槽的底部运动，使得所述玻璃基板浸没于所述储液槽中的刻蚀液中；
当需要采用喷淋模式来进行刻蚀时，所述夹持机构沿深度方向背离所述储液槽的底部运动，使得所述玻璃基板与所述储液槽中的刻蚀液分离并承接来自所述喷淋装置的刻蚀液。
优选地，在步骤d)中，针对同一个玻璃基板，其相对两侧的所述夹持机构在所述储液槽的深度方向上的位置不同，以使所述玻璃基板倾斜。因此可以造成玻璃基板的一部分区域通过喷淋模式来进行刻蚀，而另一部分区域通过浸渍模式来进行刻蚀。从而，可以针对一个玻璃基板的不同部分进行刻蚀力度的调适，保证均匀性。
根据本发明的改进的可用于薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的阵列基板的湿刻蚀设备及相应的方法，可以提升湿刻蚀设备的制程优化空间，并通过不同模式的配合而进一步改善湿刻蚀制程均一性，解决或至少缓解了色不均(mura)问题，提升了液晶显示器的品质。
上述技术特征可以各种适合的方式组合或由等效的技术特征来替代，只要能够达到本发明的目的。
附图说明
在下文中将基于实施例并参考附图来对本发明进行更详细的描述。其中：
图1示意性显示了根据本发明的湿刻蚀设备，图中为以喷淋模式进行湿刻蚀的位置；
图2示意性显示了根据本发明的湿刻蚀设备，图中为以浸渍模式进行湿刻蚀的位置；以及
图3显示了根据本发明的湿刻蚀设备的局部俯视图。
在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作进一步说明。
图1示意性显示了根据本发明的湿刻蚀设备100，图中为以喷淋模式进行湿刻蚀的位置。在所示的实施例中，玻璃基板15实施为薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的阵列基板。在图中，其涂覆有待刻蚀的光学膜层的一侧朝向上方。当然，这并非限定性的，本领域技术人员容易理解，根据本发明的湿刻蚀设备100可用于任何具有与薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的阵列基板类似的制程的玻璃基板，因为这样的玻璃基板必然由于同样或类似的设备设计而具有刻蚀不均(尤其是四角刻蚀不均)的缺陷。
由图1可看出，湿刻蚀设备100包括能够喷淋刻蚀液19.2的喷淋装置18和能够存储刻蚀液19.1的储液槽11。
喷淋装置18能够将刻蚀液19.2喷淋到在上侧涂覆有光学膜层的玻璃基板15上。以此方式，通过喷淋装置18可以喷淋模式完成湿刻蚀过程。喷淋模式(spray)即通过喷嘴将刻蚀液喷淋到玻璃基板上来进行刻蚀的方式，此处喷淋装置18可具体地构造为喷嘴、花洒型喷射器等。
参照图1，湿刻蚀设备100还包括用于夹持待刻蚀的玻璃基板15的夹持机构20。从图中可直观而明显地看出，夹持机构20与储液槽11的侧壁内壁相邻地设置，并使得玻璃基板15的具有光学膜层的一侧(在附图所示的实施例中为上侧)能够承接来自喷淋装置18的刻蚀液19.2。
在根据本发明的湿刻蚀设备100中，夹持机构20能够沿储液槽11的深度方向运动，并相应地带动待刻蚀的玻璃基板15也沿储液槽11的深度方向运动。在图1中，储液槽11的深度方向通过双向箭头D来表示，即夹持机构20能够沿双向箭头D所表示的两个方向(在本实施例中即设备的上下方向)移动。
具体地，参照图1，夹持机构20包括位于玻璃基板15的背离储液槽11的底部11.1的一侧的夹具14，以及位于玻璃基板15的朝向储液槽11的底部11.1的一侧的托持件16。夹具14和托持件16分别位于玻璃基板15的两侧，用于将其固定住，防止其在进行湿刻蚀的过程中(相对于储液槽11而言)发生松动，影响工艺效果或造成刻蚀不均，最终导致显示不均。
夹持机构20还包括夹具转轴12，夹具转轴12的轴向方向垂直于储液槽11的深度方向D，且平行于与其相邻的储液槽11的侧壁的延伸方向。实际上在图1所示的情况中，夹具转轴12的轴向方向即与纸面垂直的方向。夹具14能够围绕夹具转轴12转动。
在附图所示的实施例中，夹具14和托持件16均构造为从与储液槽11的侧壁内壁相邻的位置处延伸出来的具有平坦表面的板体。将夹具14和托持件16的构形选择为具有平坦表面的板体，是因为：板体最能够缩减夹持机构20在深度方向D上的尺寸；其次，板体旋转起来很轻便，而因为接触面积较大，其盖在玻璃基板15上时可有效地将其夹持住；另外，同样因为接触面积较大，板体在平置时稳定性更好，不易发生晃动，从而使得玻璃基板15在湿刻蚀的过程中至少相对于储液槽11能够处于稳定的静止状态，避免了玻璃基板15由于晃动而使得局部部位刻蚀力度过大或过小，从而产生色不均现象。
同时，在图1中可明显看出，托持件16在垂直于夹具转轴12的轴向方向的方向上的尺寸大于相应的夹具14在垂直于夹具转轴12的轴向方向的方向上的尺寸。优选地，托持件16在垂直于夹具转轴12的轴向方向的方向上的尺寸可以是相应的夹具14在垂直于夹具转轴12的轴向方向的方向上的尺寸的1.5-2.5倍。如此设置，是出于静力学的角度来考虑的。一方面，将位于玻璃基板15下方的托持件16的尺寸设置得较大，可以有效分散来自玻璃基板15的负载力，使得托持件16更持久、耐用，并防止其承受过大的压强而形变弯曲。另一方面，将位于玻璃基板15上方的夹具14的尺寸设置得较小，可以尽可能减小夹具14所附加的负载，即使得夹具14能够夹住玻璃基板15，但又不会增加对托持件16的压力。以此方式，可使得夹持机构20整体上更持久耐用。
参照图1，容易理解，夹具14能够在平行且贴合于玻璃基板15的位置13.2和垂直于玻璃基板15的位置13.1之间转动。在图1中，玻璃基板15处于进行喷淋刻蚀的过程中，因此夹具14位于平行且贴合于玻璃基板15的位置13.2中。因此可以在图中看到，在位置13.2处用实线框示意性显示了位于平行且贴合于玻璃基板15的位置13.2处的夹具14；而在附图中用虚线框示意性显示了夹具14的垂直于玻璃基板15的位置13.1，因为此刻处于喷淋刻蚀的过程中，夹具14暂时不位于该位置处。然而在需要将玻璃基板15放入夹持机构20中时，或需要将玻璃基板15从夹持机构20中取出时，则需要将夹具14围绕夹具转轴12旋转至虚线框所表示的垂直于玻璃基板15的位置13.1处，此时夹具14不再发挥夹持功能，则玻璃基板15可无阻碍地放入或取出。
刚刚在上文介绍过，在根据本发明的湿刻蚀设备100中，夹持机构20能够沿双向箭头D所表示的储液槽11的深度方向(在本实施例中即设备100的上下方向)移动。这可通过多种机械或电动的结构来实现。例如，夹持机构20可构造为通过沿着储液槽11的深度方向D设置的轨道、链条、顶杆、电磁部件(其产生的磁力沿方向D)或位于储液槽11的侧壁内壁上的卡槽等方式来运动，可以是单独采用某种上述具体的实现方式，也可以采用多种方式相互结合。而从操作管理上讲，可通过电子程序，或手工操作机械结构来控制夹持机构20上升和下降的位置。
在图1中，用虚线示意性显示了储液槽11中的刻蚀液19.1的液位。可以看到玻璃基板15位于刻蚀液19.1的液位之上，与刻蚀液19.1完全分离。同时，来自喷淋装置18的刻蚀液19.2喷淋到玻璃基板15的上表面。可见此时正通过喷淋模式来进行刻蚀。
图2示意性显示了根据本发明的湿刻蚀设备100，图中为以浸渍模式进行湿刻蚀的位置。在图2中同样用虚线示意性显示了储液槽11中的刻蚀液19.1的液位。可以看到玻璃基板15位于的刻蚀液19.1的液位之下，此时通过浸渍模式来进行刻蚀。
当然，图1和图2仅显示了两个典型的位置，如果将夹持机构20的位置移动到两个附图所显示的位置之间，则可以同时进行两种湿刻蚀的模式，只是根据位置的不同，二者的作用强度会此消彼长。
图3显示了根据本发明的湿刻蚀设备100的局部俯视图(为了清晰起见，在图3中未显示喷淋装置18)。从图3中可清晰地看出夹持机构20的布置方式。参照图3，沿俯视视角观测，可以看到储液槽11为矩形，且在所述矩形的长边和短边上均等间隔地布置有夹持机构20(在俯视视角中，夹具14、夹具转轴12以及托持件16位于重叠的位置处)。在图3中，沿着矩形的两个相对的长边均布置有5个夹持机构20，而沿着矩形的两个相对的短边均布置有3个夹持机构20。当然，这并非限定性的，每条边上夹持机构20的数量可以根据所生产的玻璃基板的尺寸、重量来合理地设置。显然地，将夹持机构20等距间隔地设置更有利于维持玻璃基板15的静态平衡。
再次参照图1，可以看到，储液槽11下部设置有运输辊17，储液槽11可通过运输辊17来进行移动，使得所处理的玻璃基板15能够在整个设备的腔室内部移动，以刻蚀所需的部位。这可协助完成均匀的刻蚀。
本发明还提出了一种湿刻蚀方法，包括：
a)设置根据本发明的湿刻蚀设备100。
b)向储液槽11中添加设定量的刻蚀液19.1。可直接将储液槽11与液体源相连，使得在进行刻蚀处理之前或在进行刻蚀处理的过程中，能够根据需要自由地控制储液槽11中的刻蚀液19.1的液位。
c)通过夹持机构20将待刻蚀的玻璃基板15夹持住。具体地可通过旋转夹具14的位置来放入和取出玻璃基板15，这很容易理解。
d)在进行刻蚀的过程中，当需要采用浸渍模式来进行刻蚀时，控制夹持机构20沿深度方向D朝向储液槽11的底部11.1运动，使得玻璃基板15浸没于储液槽11中的刻蚀液19.1中(即位于刻蚀液19.1的液位之下一定距离)。
此时，参照图2。由于玻璃基板15浸没于储液槽11中的刻蚀液19.1中，来自喷淋装置18的刻蚀液19.2喷淋到储液槽11中的刻蚀液19.1中，而并非直接喷淋到玻璃基板15的上表面上，因此来自喷淋装置18的刻蚀液19.2对玻璃基板15影响较小，此时不通过喷淋模式来进行刻蚀；而另一方面，由于玻璃基板15的需要刻蚀的光学膜层全部浸没于储液槽11中的刻蚀液19.1中，刻蚀液19.1与其发生化学反应从而进行刻蚀，因此此时可通过浸渍模式来进行刻蚀。
另一方面，参照图1。当需要采用喷淋模式来进行刻蚀时，控制夹持机构20沿深度方向D背离储液槽11的底部11.1而运动，使得玻璃基板15与储液槽11中的刻蚀液19.1分离(即位于刻蚀液19.1的液位之上一定距离)并直接承接来自喷淋装置18的刻蚀液19.2。此时，玻璃基板15的位置上升，玻璃基板15已经与储液槽11中的刻蚀液19.1分离，因此储液槽11中的刻蚀液19.1不再与玻璃基板15中的光学膜层发生化学作用，因此玻璃基板15也不再通过储液槽11中的刻蚀液19.1来刻蚀，因此此时不通过浸渍模式来进行刻蚀；而反过来，来自喷淋装置18的刻蚀液19.2直接喷淋在了玻璃基板15的具有光学膜层的上表面上，因此此时通过喷淋模式来进行刻蚀。
在根据本发明的进一步改进的实施例中，在步骤d)中，针对同一个玻璃基板15，可以使位于玻璃基板15的相对两侧的夹持机构20在储液槽11的深度方向D上的位置有所不同，以使玻璃基板15倾斜。因此可以造成玻璃基板15的一部分区域通过喷淋模式来进行刻蚀，而另一部分区域通过浸渍模式来进行刻蚀。可见根据本发明的设备和方法非常灵活，操作的自由度很高。
当然，如果两条长边和两条短边上的夹持机构20在储液槽11的深度方向D上的位置均不同，则会导致沿玻璃基板15的对角线的倾斜，即玻璃基板15的一角沉入刻蚀液19.1中，此方案可尤其用来克服现有技术中的玻璃基板四角刻蚀不均的问题。
当然，在根据本发明的设备100和相应方法中，浸渍模式和喷淋模式并非非此即彼的。刚刚只是结合图1和图2讲述了在两个极端位置时的极端情况，如果将夹持机构20的位置移动到两个附图所显示的位置之间，则可以同时进行两种湿刻蚀的模式。位置越靠上，喷淋模式的作用越显著，浸渍模式的作用越微弱，直至完全实施喷淋模式；同理，位置越靠下，浸渍模式的作用越显著，喷淋模式的作用越微弱，直至没入刻蚀液一定深度后，会完全实施浸渍模式。
根据本发明的改进的可用于薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的阵列基板的湿刻蚀设备及相应的方法具有许多优点：
可以提升湿刻蚀设备的制程优化空间，以合理而巧妙的构造，在一个设备中集成了浸渍模式刻蚀和喷淋模式刻蚀两种功能，节省生产空间和运输成本；
同时，由于浸渍模式刻蚀和喷淋模式刻蚀的力度可以相互协调、灵活选择，从而弥补了现有技术中的设备位置力度死板不可控的缺陷，进一步改善了湿刻蚀制程均一性，解决或至少缓解了色不均(mura)问题，提升了液晶显示器的品质，带来了非常显著的进步。
虽然已经参考优选实施例对本发明进行了描述，但在不脱离本发明的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本发明并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。

Claims (10)

1.一种湿刻蚀设备，其特征在于，包括：
能够喷淋刻蚀液的喷淋装置；
能够存储刻蚀液的储液槽；以及
用于夹持待刻蚀的玻璃基板的夹持机构，所述夹持机构与所述储液槽的侧壁内壁相邻地设置，并使得所述玻璃基板的具有光学膜层的一侧能够承接来自所述喷淋装置的刻蚀液，
其中，所述夹持机构能够沿所述储液槽的深度方向运动，并相应地带动所述玻璃基板沿所述储液槽的深度方向运动。
2.根据权利要求1所述的湿刻蚀设备，其特征在于，所述夹持机构包括：
位于所述玻璃基板的背离所述储液槽的底部的一侧的夹具；以及
位于所述玻璃基板的朝向所述储液槽的底部的一侧的托持件。
3.根据权利要求2所述的湿刻蚀设备，其特征在于，所述夹持机构还包括夹具转轴，所述夹具转轴的轴向方向垂直于所述储液槽的深度方向，且平行于与其相邻的所述储液槽的侧壁的延伸方向，所述夹具能够围绕所述夹具转轴转动。
4.根据权利要求3所述的湿刻蚀设备，其特征在于，所述夹具和所述托持件均构造为从与所述储液槽的侧壁相邻的位置处延伸出来的具有平坦表面的板体，且在垂直于所述夹具转轴的轴向方向的方向上，所述托持件的尺寸大于相应的所述夹具的尺寸。
5.根据权利要求4所述的湿刻蚀设备，其特征在于，所述夹具能够在平行且贴合于所述玻璃基板的位置和垂直于所述玻璃基板的位置之间转动，所述托持件垂直于所述储液槽的侧壁。
6.根据权利要求5所述的湿刻蚀设备，其特征在于，所述夹持机构构造为通过轨道、链条、顶杆、电磁部件或位于所述储液槽的侧壁内壁上的卡槽中的一种或多种方式来运动。
7.根据权利要求1到6中任一项所述的湿刻蚀设备，其特征在于，沿俯视视角观测，所述储液槽为矩形，在所述矩形的长边和短边上均等间隔地布置有所述夹持机构。
8.根据权利要求1到6中任一项所述的湿刻蚀设备，其特征在于，在所述储液槽下部设置有运输辊，所述储液槽通过所述运输辊进行移动。
9.一种湿刻蚀方法，其特征在于，包括：
a)设置根据权利要求1到8中任一项所述的湿刻蚀设备；
b)向所述储液槽中添加设定量的刻蚀液；
c)通过所述夹持机构将待刻蚀的玻璃基板夹持住；
d)当需要采用浸渍模式来进行刻蚀时，所述夹持机构沿深度方向朝向所述储液槽的底部运动，使得所述玻璃基板浸没于所述储液槽中的刻蚀液中；
当需要采用喷淋模式来进行刻蚀时，所述夹持机构沿深度方向背离所述储液槽的底部运动，使得所述玻璃基板与所述储液槽中的刻蚀液分离并承接来自所述喷淋装置的刻蚀液。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在步骤d)中，针对同一个玻璃基板，其相对两侧的所述夹持机构在所述储液槽的深度方向上的位置不同，以使所述玻璃基板倾斜。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105789087A (zh) * 2014-12-24 2016-07-20 Au技术株式会社 玻璃基板用蚀刻装置
CN111902381A (zh) * 2018-03-07 2020-11-06 康宁公司 玻璃基板粘附控制

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100834827B1 (ko) * 2006-11-16 2008-06-04 삼성전자주식회사 포토 마스크 세정장치 및 그의 세정방법
CN102810459B (zh) * 2011-06-03 2015-04-08 中国科学院微电子研究所 化学机械平坦化后清洗晶圆的方法
CN103077924A (zh) * 2013-01-15 2013-05-01 江苏物联网研究发展中心 倒置浸入式晶圆平坦化的方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105789087A (zh) * 2014-12-24 2016-07-20 Au技术株式会社 玻璃基板用蚀刻装置
CN111902381A (zh) * 2018-03-07 2020-11-06 康宁公司 玻璃基板粘附控制
CN111902381B (zh) * 2018-03-07 2022-12-13 康宁公司 玻璃基板粘附控制
TWI829673B (zh) * 2018-03-07 2024-01-21 美商康寧公司 玻璃基板黏接控制

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