CN104054271A - 高效率发射机 - Google Patents

Abstract

公开了高效率发射机。在示例性实施例中，提供了一种发射机，其包括被配置成当输出功率处于第一输出功率范围中时接收基带信号并生成第一RF输出的第一发射路径，以及被配置成当输出功率处于第二输出功率范围中时接收基带信号并生成第二RF输出的第二发射路径。

Description

高效率发射机

背景技术

领域

本申请一般涉及无线设备的操作和设计，尤其涉及无线发射机的操作和设计。

背景

越来越需要使得无线设备能够进行低功率操作以提供延长的通话时间。达成低功耗的一个关键与设备的发射机的性能相关联。例如，期望具有在无线设备中使用的非常高效地利用功率、由此延长通话时间的发射机。

一般而言，在无线网络上操作的设备所使用的发射机具有非常宽的动态范围要求(即，>75dB)。例如，在多址无线通信网络中，如果所有设备以高功率电平(即，受限的动态范围)发射，例如以便每基站提供更大的覆盖区域并由此降低成本，则从较靠近基站的设备发射的信号将以高得多的信号强度被接收并且将压倒从较远离该基站的设备发射的信号。因此，需要宽动态范围，从而与较远基站处于通信的设备能以比更靠近同一基站的设备高的发射功率进行发射。通过基于各设备与基站的邻近度来控制这些设备的发射功率，基站有可能接收到具有大致相等功率电平的发射信号，由此为所有设备提供最高的吞吐量。

当以非常高的输出功率(即，4dBm)发射时，发射机不得不满足严格的线性要求。当以低输出功率(即，-55dBm)发射时，发射机受到对良好的本地振荡器(LO)泄漏和镜频抑制的需求的约束。当以中等输出功率(即，-8dBm)发射时，发射机应消耗尽可能小的电池电流以延长通话时间。例如，在典型网络实现中，基站的数目和位置被确定为使得中等功率范围恰好是用于语音呼叫的“最有可能的”功率范围。

遗憾的是，无线设备中使用的现有发射机在中等和低输出功率范围不是非常高效的。因此期望具有在无线设备中使用的更为高效的发射机。

附图简述

通过参照以下结合附图考虑的描述，本文中所描述的以上方面将变得更易于明了，在附图中：

图1示出在无线设备中使用的常规发射机；

图2示出在无线设备中使用的高效率发射机的示例性实施例；

图3示出在无线设备中使用的高效率发射机的示例性实施例；

图4示出在无线设备中使用的高效率发射机的示例性实施例；

图5示出常规的两级电感加载的共源极的共源共栅激励放大器；

图6示出解说图5中所示常规激励放大器中的电流流动的示图；

图7示出在无线设备中使用的高效率激励放大器的示例性实施例；

图8示出在无线设备中使用的高效率激励放大器的示例性实施例；

图9示出在无线设备中使用的高效率激励放大器的示例性实施例；

图10示出发射机设备的示例性实施例；以及

图11示出用于发射的方法的示例性实施例。

详细描述

下面结合附图阐述的详细描述旨在作为对本发明的示例性实施例的描述，而非旨在代表可在其中实践本发明的仅有实施例。贯穿本描述使用的术语“示例性”意指“用作示例、实例或解说”，并且不应一定解释成优于或胜于其它示例性实施例。本详细描述包括具体细节以提供对本发明的示例性实施例的透彻理解。对于本领域技术人员将显而易见的是，没有这些具体细节也可实践本发明的示例性实施例。在一些实例中，公知的结构和设备以框图形式示出以免湮没本文中给出的示例性实施例的新颖性。

图1示出在无线设备中使用的常规发射机100。发射机100包括基带滤波器102，基带滤波器102接收要发射的信号并对此信号滤波以生成经滤波信号112，经滤波信号112被输入到上变频器104。上变频器104基于从分频器108接收到的LO信号114来将频率上变频。分频器从压控振荡器(VCO)108的输出生成LO信号114。经上变频信号116被输入到激励放大器106以用于在发射之前进行放大。

在操作期间，发射机100在无线设备中操作以满足多址通信网络的宽动态范围要求。例如，发射机100被要求在该设备远离接收基站时以高功率电平发射，而在该设备较靠近接收基站时以较低功率电平发射。遗憾的是，发射机100的各组件在高输出功率可最高效地操作。这意味着在较低输出功率(其通常在语音呼叫期间使用)，发射机100较低效地操作，由此浪费了电池功率并缩短了通话时间。

图2示出在无线设备中使用的高效率发射机200的示例性实施例。发射机200包括主发射路径202和高效率发射路径204。发射机200包括基带(BB)滤波器206，基带滤波器206接收要发射的信号并生成经滤波信号208，经滤波器信号208被输入到主发射路径202和高效率发射路径204两者。主发射路径202包括开关210、上变频器212和激励放大器214。高效率发射路径204包括开关218、上变频器218和激励放大器220。激励放大器214和220的输出被连接至开关228。

提供生成开关控制信号sw1、sw2和sw3的控制器230。这些开关控制信号被连接至开关210、216和228并控制这些开关的操作。控制器包括处理器、CPU、门阵列、固件、硬件逻辑或任何其他硬件和/或执行软件的硬件，其被配置成接收来自无线设备中另一实体的控制信号232并使用此控制信号来设置开关sw1、sw2和sw3以控制发射机200的操作。

主发射路径202的上变频器212和激励放大器214被配置成在以高输出功率电平(即，第一输出功率范围)发射时以高效率操作。然而，在中等和低输出功率电平(即，第二输出功率范围)，上变频器212和激励放大器214以较低效率水平操作。

高效率发射路径204的上变频器218和激励放大器220被配置成在以中等到低输出功率电平(即，第二输出功率范围)发射时以高效率操作。例如，高效率发射路径的上变频218和DA220包括专用于在利用在低功率电平放松若干性能要求的事实的同时提高效率的设计元件。例如，放松了发射机的输出处的RX(接收)频带噪声，这意味着上变频器218能以较小电流操作。上变频器218还可利用电阻性负载来提供更大的电压摆动。

因此，在示例性实施例中，上变频器218在中等到低功率电平比上变频器212更高效，并且激励放大器220在中等到低功率电平比激励放大器214更高效。因此，高效率发射路径204在中等到低输出功率电平比主发射路径202以更高效率操作。

在操作期间，要发射的信号由基带滤波器208滤波并被输入到开关210和216。控制器230接收控制信号232，控制信号232指示要发射的信号的期望输出功率电平。控制器230作用于通过基于由控制信号232指示的功率电平生成开关控制信号sw1、sw2和sw3来控制开关210、216和228。例如，如果所指示的功率电平高于所选择的功率阈值(例如，-8dBm)，则控制器230设置开关控制信号sw1、sw2和sw3以使得开关210闭合、开关216断开、并且开关228被设为将端子A耦合到输出。这使得主发射路径202能够高效发射要以高输出功率电平发射的信号。例如，当期望输出功率落在高于所选择的功率阈值电平-8dBm的第一功率范围内时，主发射路径202被启用。

如果控制信号232所指示的功率电平处于或低于所选择的功率阈值(例如，-8dBm)，则控制器230设置开关控制信号sw1、sw2和sw3以使得开关210断开、开关216闭合、并且开关228被设为将端子B耦合到输出。这使得高效率发射路径204能够高效发射要以较低输出功率电平发射的信号。例如，当期望输出功率落在处于或低于所选择的功率阈值电平-8dBm的第二功率范围内时，高效率发射路径204被启用。在各种示例性实施例中，可利用任何期望的阈值电平和/或功率范围来确定要使用的发射路径。

因此，在示例性实施例中，新颖的发射机200包括两条发射路径(202,204)。主路径(202)在高输出功率电平时使用，并且高效率路径(204)在较低输出功率电平时使用以在较低功率电平提供比主路径202更大的效率。每条路径包括它自己的上变频器和激励放大器。两条路径的激励放大器的输出连接在输出开关228处，输出开关228基于开关控制信号sw3将恰适的信号引导至天线以供发射。

图3示出在无线设备中使用的高效率发射机300的示例性实施例。发射机300包括主发射路径302和高效率发射路径304。发射机300包括类似于发射机200的组件，除了发射机200的分频器224已被分成分别包括在主发射路径302和高效率发射路径304中的两个分频器(306，308)。VCO222被配置成输出振荡器信号，该振荡器信号被耦合至分频器306和分频器308两者。

分频器306被配置成在以高输出功率电平发射时以高效率操作。然而，在中等和低输出功率电平，分频器306以较低效率水平操作。分频器308被配置成在以中等到低输出功率电平发射时以高效率操作。例如，在示例性实施例中，分频器308被配置成在中等到低功率电平比分频器306更高效地操作。因此，高效率发射路径304在中等到低输出功率电平比主发射路径302以更高效率操作。

因此，在示例性实施例中，新颖的发射机300包括两条发射路径(302,304)。主路径302在高功率时使用并且包括分频器306。高效率路径(304)在低功率时使用并且包括分频器308以在较低功率电平提供比主路径302高的效率。每条路径包括它自己的上变频器、分频器和激励放大器。两条路径的激励放大器的输出连接在输出开关228处，输出开关228基于开关控制信号sw3将恰适的信号引导至天线以供发射。

图4示出在无线设备中使用的高效率发射机400的示例性实施例。发射机400包括主发射路径402和高效率发射路径404。发射机400包括类似于发射机300的组件，除了发射机300的基带滤波器206已被分成分别包括在主发射路径402和高效率发射路径404中的两个基带滤波器(406，408)。此外，开关410已被添加并且控制器230被配置成生成用于控制开关410的开关控制信号sw4。

基带滤波器406被配置成在以高输出功率电平发射时以高效率操作。然而，在中等和低输出功率电平，基带滤波器406以较低效率水平操作。基带滤波器408被配置成在以中等到低输出功率电平发射时以高效率操作。例如，在示例性实施例中，基带滤波器408被配置成在中等到低功率电平比基带滤波器406更高效地操作。因此，高效率发射路径404在中等到低输出功率电平比主发射路径402以更高效率操作。

因此，在示例性实施例中，新颖的发射机400包括两条发射路径(402,404)。主路径402在高功率时使用并且包括基带滤波器406。高效率路径(404)在中等到低功率时使用并且包括基带滤波器408以在较低功率电平提供比主路径402大的效率。每条路径包括它自己的基带滤波器、上变频器、分频器和激励放大器。两条路径的激励放大器的输出连接在输出开关228处，输出开关228基于开关控制信号sw3将恰适的信号引导至天线以供发射。

有源阻抗匹配电路

在高功率发射路径402中，来自DA214的固定加载防止电阻性负载被使用，这是因为它将负载在频率上调谐到更低。在高效率发射路径404中，DA220以非常小的电容性负载操作，其允许上变频器218的电阻性加载操作。输出摆动可被限制，因为需要递送的最大功率较小。相应地，在DA220的输出处提供特殊的有源阻抗匹配电路(被称为源跟随器匹配电路)。源跟随器有源匹配电路不会消耗大部分的递送功率，由此提供了附加的功率节省。有源匹配电路的示例性实施例在以下更详细描述。

WAN发射机的通话时间电流通常在-8dBm的输出功率电平处测量(即，假定50欧姆系统)，其对应于约0dBm的天线功率。在常规系统中，-8dBm的输出功率可由阻抗匹配的激励放大器(IMDA)来生成。

图5示出常规的两级电感加载的共源极的共源共栅激励放大器500。第一级提供电压增益，而输出级将功率递送给50Ω负载502。由于阻抗匹配，DA输出级生成的RF电流的一半被内部50Ω阻抗504吸收。因此，在设计上，具有匹配的输出阻抗的传统DA实现的效率为50％，因为所生成的RF电流的仅一半流向负载以生成所需功率。并且，基于电路偏置的确切细节，效率通常低得多。例如，在-8dBm的输出功率，将假定所需的信号电流为2.64mA。由于此电流的一半在DA500的内部匹配中被浪费，因此DA500的核心设备需要生成信号电流(2*2.64mA)＝5.28mA。为了良好的线性度并考虑到典型的信号电流损耗，无源匹配的DA500的电源电流将为来自1.3V电源的约6mA。因此，将期望消除通过DA500的内部阻抗匹配导致的信号电流损耗。

图6示出解说图5中所示常规激励放大器中的电流流动的示图600。例如，示图600解说了为何IMDA500生成的电流的仅一半流向输出负载。例如，IMDA500的核心设备生成RF电流(Irf)，并且此电流的一半(Irf/2)流向输出负载502，并且此电流的另一半(Irf/2)流过内部匹配电路504。

图7示出在无线设备中使用的高效率激励放大器700的示例性实施例。例如，DA700适于用作图4中所示的DA220。DA700被配置成控制输出端口的方向性以确保所有RF电流被路由到50Ω负载，同时输出端口仍“看到”50Ω内部阻抗匹配。在示例性实施例中，DA700利用隔离器702来控制输出端口的方向性，并且由此所有所生成的电流皆流向50Ω负载。

图8示出在无线设备中使用的高效率激励放大器800的示例性实施例。例如，DA800适于用作图4中所示的DA220。DA800包括使用共漏极配置的晶体管804实现的“隔离器”802。本质上，共漏极晶体管804在一个方向上将电流递送给负载806，同时生成50Ω内部阻抗匹配。在示例性实施例中，此实现可被扩展到在输出级使用NMOS和PMOS共漏极晶体管两者。

图9示出在无线设备中使用的高效率激励放大器900的示例性实施例。DA900包括两个共漏极互补输出级M11和M12。内部阻抗匹配根据[1/(gm11+gm12)来确定，其中gm是跨导。输出级M11和M12在输入处并在输出节点处被电容性耦合。

输出级被具有共源共栅器件(可任选)的电感加载的共源极前DA激励。M12和M11生成的所有RF电流被路由至输出50Ω负载。没有如传统DA实现中的电流划分。

理想地，匹配的共漏极输出级具有0.5的电压损耗。此电压损耗由激励高阻抗电感性负载的低电流跨导前DA(级1)来补偿。为了匹配于50Ω(20mS)，共漏极晶体管中的每一个应当提供10mS跨导。在100mV的过激励电压偏置每一个，输出级所需的偏置电流约为[10mS*100mV]＝1mA。

在实践中，输出级在1.3V消耗1.3mA的电源电流。-8dBm的输出功率需要132mV的信号电压。考虑到寄生RF损耗，输出级的增益为～0.4。这意味着前DA应当供应电压[132mV/0.4]＝330mV。在示例性实现中，前DA放大器的RF负载阻抗可以为220Ω。这意味着级1要生成的RF信号电流约为[330mV/220Ohm]＝1.5mA。考虑到寄生损耗，前DA的电流消耗约为来自1.3V电源的1.9mA。这意味着总电流消耗为来自1.3V电源的[1.9mA+1.3mA]＝3.2mA。因此，DA900将电流消耗减少了46％以上。

因此，提供了低功率激励放大器(DA)级。在示例性实施例中，DA900包括两个组成块，即：实现电压增益的电感加载共源极放大器(具有可任选的共源共栅)，以及控制RF电流循环的方向性的有源RF隔离器输出级。该复合结构在典型的通话时间输出功率电平(即，-8dBm)将DA900的电流消耗减少了46％以上。

图10示出发射机设备1000的示例性实施例。例如，设备1000适于用作图4中所示的发射机400。在一方面，设备1000由配置成提供如本文所描述的功能的一个或多个模块实现。例如，在一方面，每个模块包括硬件和/或执行软件的硬件。

设备1000包括第一模块，其包括用于配置成在输出功率处于第一功率范围中时接收基带信号并生成第一RF输出的第一发射路径的装置(1002)，其在一方面包括发射路径402。

设备1000还包括第二模块，其包括用于配置成在输出功率处于第二功率范围中时接收基带信号并生成第二RF输出的第二发射路径的装置(1004)，其在一方面包括发射路径404。

图11示出用于发射的方法1100的示例性实施例。例如，方法1100由图4中所示的发射机400执行。

在框1102，当输出功率处于第一功率范围中时，从基带信号生成第一RF输出，其在一方面包括发射路径402。

在框1104，当输出功率处于第二功率范围中时，从基带信号生成第二RF输出，其在一方面包括发射路径404。在示例性实施例中，当输出功率处于或低于所选择的阈值电平时，第二RF输出的生成比第一RF输出的生成更高效，并且第一功率范围高于所选择的阈值电平且第二功率范围处于或低于所选择的阈值电平。

本领域技术人员将理解，信息和信号可使用各种不同技术和技艺中的任何一种来表示或处理。例如，以上描述通篇可能引述的数据、指令、命令、信息、信号、位(比特)、码元、和码片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光学粒子、或其任何组合来表示。还应注意晶体管的类型和技术可被替换、重新安排或以其他方式修改以达成相同的结果。例如，可以把示为利用PMOS晶体管的电路修改为使用NMOS晶体管，反之亦然。由此，本文中所公开的放大器可以使用各种晶体管类型和技术来实现，并且不受限于附图中所示的这些晶体管类型和技术。例如，可以使用诸如BJT、GaAs、MOSFET之类的晶体管类型或任何其他的晶体管技术。

本领域技术人员将进一步领会，结合本文所公开的实施例描述的各种解说性逻辑框、模块、电路、和算法步骤可被实现为电子硬件、计算机软件、或两者的组合。为清楚地解说硬件与软件的这一可互换性，各种解说性组件、块、模块、电路、和步骤在上面是以其功能性的形式作一般化描述的。此类功能性是被实现为硬件还是软件取决于具体应用和施加于整体系统的设计约束。技术人员可针对每种特定应用以不同方式来实现所描述的功能性，但此类实现决策不应被解读为致使脱离本发明的示例性实施例的范围。

结合本文所公开的实施例描述的各种解说性逻辑块、模块、和电路可用设计成执行本文所描述的功能的通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其他可编程逻辑器件、分立门或晶体管逻辑、分立硬件组件、或其任何组合来实现或执行。通用处理器可以是微处理器，但在替换方案中，该处理器可以是任何常规的处理器、控制器、微控制器、或状态机。处理器还可以被实现为计算设备的组合，例如DSP与微处理器的组合、多个微处理器、与DSP核心协同的一个或多个微处理器或任何其它此类配置。

结合本文所公开的实施例描述的方法或算法的各个步骤可直接用硬件、由处理器执行的软件模块或两者的组合来实现。软件模块可驻留在随机存取存储器(RAM)、闪存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦式可编程ROM(EEPROM)、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM、或本领域中所知的任何其他形式的存储介质中。示例性存储介质被耦合到处理器以使得该处理器能从/向该存储介质读和写信息。替换地，存储介质可以被整合到处理器。处理器和存储介质可驻留在ASIC中。ASIC可驻留在用户终端中。替换地，处理器和存储介质可作为分立组件驻留在用户终端中。

在一个或多个示例性实施例中，所描述的功能可在硬件、软件、固件或其任何组合中实现。如果在软件中实现，则各功能可以作为一条或多条指令或代码存储在计算机可读介质上或藉其进行传送。计算机可读介质包括非瞬态计算机存储介质和通信介质两者，其包括促成计算机程序从一地到另一地的转移的任何介质。非瞬态存储介质可以是能被计算机访问的任何可用介质。作为示例而非限定，这样的计算机可读介质可包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其他光盘存储、磁盘存储或其他磁存储设备、或能被用来携带或存储指令或数据结构形式的期望程序代码且能被计算机访问的任何其他介质。任何连接也被正当地称为计算机可读介质。例如，如果软件是使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)、或诸如红外、无线电、以及微波之类的无线技术从web网站、服务器、或其它远程源传送而来，则该同轴电缆、光纤电缆、双绞线、DSL、或诸如红外、无线电、以及微波之类的无线技术就被包括在介质的定义之中。如本文中所使用的盘(disk)和碟(disc)包括压缩碟(CD)、激光碟、光碟、数字多用碟(DVD)、软盘和蓝光碟，其中盘(disk)往往以磁的方式再现数据，而碟(disc)用激光以光学方式再现数据。上述组合应被包括在计算机可读介质的范围内。

提供了对所公开的示例性实施例的描述是为了使得本领域任何技术人员皆能够制作或使用本发明。对这些示例性实施例的各种修改对于本领域技术人员将是显而易见的，并且本文中定义的一般原理可被应用于其他实施例而不会脱离本发明的精神或范围。因此，本发明并非意在被限定于本文中所示出的示例性实施例，而是应当被授予与本文中所公开的原理和新颖性特征相一致的最广义的范围。

Claims (20)

1.一种发射机，包括：

第一发射路径，其配置成当输出功率处于第一功率范围中时，接收基带信号并生成第一RF输出；以及

第二发射路径，其配置成当输出功率处于第二功率范围中时，接收所述基带信号并生成第二RF输出。

2.如权利要求1所述的发射机，其特征在于，所述第二发射路径配置成当所述输出功率处于或低于所选择的阈值电平时比所述第一发射路径更高效地操作，并且其中所述第一功率范围高于所选择的阈值电平且所述第二功率范围处于或低于所选择的阈值电平。

3.如权利要求2所述的发射机，其特征在于，进一步包括控制器，其配置成选择性地启用所述第一发射路径和所述第二发射路径之一以针对所选择的输出功率电平获得较高效率。

4.如权利要求1所述的发射机，其特征在于，所述第一发射路径包括第一上变频器和第一激励放大器，并且所述第二发射路径包括第二上变频器和第二激励放大器，所述第二上变频器和所述第二激励放大器分别比所述第一上变频器和所述第一激励放大器更高效地操作。

5.如权利要求4所述的发射机，其特征在于，所述第二激励放大器包括配置成将所生成的电流引导至输出负载的隔离器。

6.如权利要求5所述的发射机，其特征在于，所述第二激励放大器包括两个共漏极互补输出级以提供由所述输出级跨导的总和的倒数确定的内部阻抗匹配。

7.如权利要求6所述的发射机，其特征在于，进一步包括配置成激励所述输出级的电感加载共源极前激励放大器。

8.如权利要求4所述的发射机，其特征在于，所述第一发射路径包括耦合至所述第一上变频器的第一分频器，并且所述第二发射路径包括耦合至所述第二上变频器的第二分频器，所述第二分频器比所述第一分频器更高效地操作。

9.如权利要求8所述的发射机，其特征在于，所述第一发射路径包括第一基带滤波器，并且所述第二发射路径包括第二基带滤波器，所述第二基带滤波器比所述第一基带滤波器更高效地操作。

10.如权利要求1所述的发射机，其特征在于，进一步包括开关，其配置成选择性地将所述第一和第二RF输出之一连接至发射机输出。

11.如权利要求1所述的发射机，其特征在于，进一步包括开关，其配置成选择性地将所述基带信号连接至所述第一发射路径。

12.如权利要求1所述的发射机，其特征在于，进一步包括开关，其配置成选择性地将所述基带信号连接至所述第二发射路径。

13.一种发射机，包括：

用于配置成当输出功率处于第一功率范围中时接收基带信号并生成第一RF输出的第一发射路径的装置；以及

用于配置成当输出功率处于第二功率范围中时接收所述基带信号并生成第二RF输出的第二发射路径的装置。

14.如权利要求13所述的发射机，其特征在于，所述用于第二发射路径的装置配置成当所述输出功率处于或低于所选择的阈值电平时比所述用于第一发射路径的装置更高效地操作，并且其中所述第一功率范围高于所选择的阈值电平且所述第二功率范围处于或低于所选择的阈值电平。

15.如权利要求14所述的发射机，其特征在于，进一步包括用于选择性地启用所述第一发射路径和所述第二发射路径之一以针对所选择的输出功率电平获得较高效率的装置。

16.如权利要求13所述的发射机，其特征在于，所述用于第一发射路径的装置包括用于第一上变频器的装置和用于第一激励放大器的装置，并且所述用于第二发射路径的装置包括用于第二上变频器的装置和用于第二激励放大器的装置，所述用于第二上变频器的装置和所述用于第二激励放大器的装置分别比所述用于第一上变频器的装置和所述用于第一激励放大器的装置更高效地操作。

17.如权利要求16所述的发射机，其特征在于，所述用于第一发射路径的装置包括用于第一分频器的装置，并且所述用于第二发射路径的装置包括用于第二分频器的装置，所述用于第二分频器的装置比所述用于第一分频器的装置更高效地操作。

18.如权利要求17所述的发射机，其特征在于，所述用于第一发射路径的装置包括用于第一基带滤波器的装置，并且所述用于第二发射路径的装置包括用于第二基带滤波器的装置，所述用于第二基带滤波器的装置比所述用于第一基带滤波器的装置更高效地操作。

19.一种方法，包括：

当输出功率处于第一输出功率范围中时，从基带信号生成第一RF输出；以及

当所述输出功率处于第二输出功率范围中时，从所述基带信号生成第二RF输出。

20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，进一步包括：当所述输出功率处于或低于所选择的阈值电平时，比所述第一RF输出更高效地生成所述第二RF输出，并且其中所述第一功率范围高于所选择的阈值电平且所述第二功率范围处于或低于所选择的阈值电平。