CN104040887A - 滤波器装置 - Google Patents

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Abstract

本发明所涉及的滤波器装置例如是双工器(1)。双工器(1)具备：压电基板(2)；形成在压电基板的主面，构成声表面波谐振器的IDT(3)；与IDT(3)电连接的布线电极(5)；和形成在IDT(3)附近的压电基板(2)的主面，声阻抗与压电基板(2)不同的声构件(异声部)(6)。配置于IDT(3)附近的布线电极(5)形成于声构件6。

Description

滤波器装置
技术领域
本发明涉及滤波器装置，特别是涉及为了构成声表面波谐振器而在压电基板的主面形成了IDT(Inter-digital Transducer，交叉指型换能器)的滤波器装置。
背景技术
以往，移动电话用的RF(Radio Frequency)滤波器或IF(IntermediateFrequency)滤波器、VCO(Voltage Controlled Oscillator)用谐振器、或者电视用VIF(Video Intermediate Frequency)滤波器等，采用作为滤波器装置的声表面波装置。这样的声表面波装置的构成被公开在特开2005-117151号公报(专利文献1)中。
专利文献1中公开了一种声表面波装置，其包括：在压电基板的主面形成的IDT(Interdigital Transducer)；在由IDT传播的声表面波的传播方向上配置于IDT两侧的反射器；和与IDT电连接，并且至少配置在声表面波的传播方向的布线电极。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2005-117151号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，包括专利文献1所公开的声表面波装置在内的以往的声表面波装置，通过向IDT施加的电力或声表面波装置的构造等，在压电基板的主面传播的声表面波向布线电极传递振动能量，存在使布线电极断线或者使布线电极短路的情况。具体而言，在以往的声表面波装置中，若向布线电极传递振动能量，则在布线电极中产生迁移或者触须，存在产生布线电极的断线或者与其他布线电极短路的问题。
例如，在压电基板采用了LT(LiTaO3)基板的声表面波装置中，作为在压电基板的主面传播的声表面波，存在漏波。在该漏波传播到在IDT的两侧配置的反射器的情况下，位于反射器外侧的布线电极在施加电力时，由于通过反射器而传播的漏波所引起的振动能量，从而存在发热、断线或者短路的情况。特别是，在布线电极由Au或Al等的金属膜形成的情况下，由于在压电基板传播的漏波引起的振动能量，而存在产生断线或者短路的情况。
本发明正是鉴于上述这样的问题而做出的发明，目的在于提供一种能防止因在压电基板的主面传播的声表面波而使布线电极断线或者短路的滤波器装置。
用于解决问题的手段
本发明的某个方面所涉及的滤波器装置，具备：压电基板；IDT，其形成于压电基板的主面，构成声表面波谐振器；布线电极，其与IDT电连接；和异声部，其形成在IDT附近，声阻抗与压电基板不同，配置于IDT附近的布线电极形成于异声部。
在一个实施方式中，异声部是在压电基板的主面，形成有声阻抗与压电基板不同的声构件的部分。
在一个实施方式中，异声部是形成有由压电基板的主面、和未与主面处于同一平面的面所构成的台阶部的部分。
在一个实施方式中，异声部包括：形成有声阻抗与压电基板不同的声构件的部分；以及形成有由压电基板的主面、和未与主面处于同一平面的面所构成的台阶部的部分。
在一个实施方式中，压电基板的主面中的声表面波所对应的声阻抗Zc、和声构件的横波声速所对应的声阻抗Za，具有Za/Zc＜0.17的关系。
在一个实施方式中，异声部包括被配置在形成了台阶部的部分且声阻抗与压电基板不同的声构件。
在一个实施方式中，异声部包括：由形成在压电基板的主面的沟槽形成的台阶部。
在一个实施方式中，异声部包括：被形成为形成IDT的压电基板的主面成为突起部的台阶部。
在一个实施方式中，异声部被形成于与在IDT附近形成的反射器相邻的位置。
发明效果
根据本发明，在声阻抗与压电基板不同的异声部，形成配置于IDT附近的布线电极。因此，能由异声部衰减从IDT传播的声表面波，能防止布线电极的断线、短路。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式1所涉及的双工器的构成的俯视图。
图2是图1所示的双工器的I-I面处的剖视图。
图3是表示本发明的实施方式所涉及的双工器的电路构成的示意性电路图。
图4是分别表示针对各材料的横波声速、密度、声阻抗的表。
图5是表示针对声构件的各材料的LN基板以及压电基板的比率、和该情况下的能量比E的表。
图6是表示形成了IDT以及反射器的压电基板的构成的俯视图。
图7是图6所示的压电基板的I-I面处的剖视图。
图8是表示形成了声构件的压电基板的构成的俯视图。
图9是图8所示的压电基板的I-I面处的剖视图。
图10是表示形成了沟槽的压电基板的构成的俯视图。
图11是图10所示的压电基板的I-I面处的剖视图。
图12是表示形成了声构件的压电基板的构成的俯视图。
图13是表示形成了布线电极的压电基板的构成的俯视图。
图14是图13所示的压电基板的I-I面处的剖视图。
图15是表示形成了沟槽的压电基板的构成的俯视图。
图16是图15所示的压电基板的II-II面处的剖视图。
图17是表示形成了IDT以及反射器的压电基板的构成的俯视图。
图18是图17所示的压电基板的II-II面处的剖视图。
图19是表示形成了声构件的压电基板的构成的俯视图。
图20是表示形成了布线电极的压电基板的构成的俯视图。
图21是图20所示的压电基板的II-II面处的剖视图。
具体实施方式
以下，关于实施本发明的优选方式，举例说明了作为声表面波滤波器装置(以下，也简称为滤波器装置)的图1～图21所示的双工器。但是，双工器仅仅是例示。本发明所涉及的滤波器装置完全不限定于双工器。本发明例如也可以适用于发送滤波器、接收滤波器、天线共用器、三工器、多工器等的双工器以外的滤波器装置。
此外，在以下说明的实施方式中，存在对相同或者相当的部分赋予相同的参照符号，不重复其说明的情况。另外，在提到个数、量等的情况下，除了有特别记载的情况，本发明的范围未必限定于该个数、量等。另外，在以下的实施方式中，除了有特别记载的情况，各个构成要素对于本发明来说未必是必须的。
本实施方式所涉及的双工器例如是被搭载于UMTS(Universal MobileTelecommunications System)那样的CDMA(Code Division Multiple Access)方式所对应的移动电话机等的高频器件中的装置。双工器是与UMTS-BAND5对应的双工器。UMTS-BAND5的发送频带为824MHz～849MHz，接收频带为869MHz～894MHz。
(实施方式1)
图1是表示本发明的实施方式1所涉及的双工器1的构成的俯视图。图2是图1所示的双工器1的I-I面处的剖视图。图3是表示本发明的实施方式1所涉及的双工器1的电路构成的示意性电路图。
首先，如图3所示，双工器1具有与天线连接的天线端子11、发送端子(Tx)12、接收端子(Rx1、Rx2)13a、13b。如图3所示，在天线端子11与发送端子12之间，连接有发送滤波器20。另外，在天线端子11与接收端子13a、13b之间，连接有接收滤波器30。
如图3所示，发送滤波器20由梯型声表面波滤波器构成。发送滤波器20具有输出端子21和输入端子22。输出端子21与天线端子11连接，输入端子22与发送端子12连接。
发送滤波器20具有将输出端子21与输入端子22之间连接的串联臂23。在串联臂23上，串联连接有串联臂谐振器S1～S4。发送滤波器20具有连接于串联臂23与接地之间的并联臂24、25。在并联臂24、25设有并联臂谐振器P1、P2。串联臂谐振器S1～S4以及并联臂谐振器P1、P2分别由声表面波谐振器构成。
另外，在并联臂谐振器P1、P2与接地G1之间，连接着电感器L1。
如图3所示，接收滤波器30由纵耦合谐振器型声表面波滤波器构成。接收滤波器30是不平衡输入-平衡输出型的滤波器。即，接收滤波器30由具有平衡-不平衡转换功能的平衡型的纵耦合谐振器型声表面波滤波器构成。为此，接收滤波器30具有不平衡输入端子31、第1以及第2平衡输出端子32a、32b。不平衡输入端子31与天线端子11连接，第1以及第2平衡输出端子32a、32b与接收端子13a、13b连接。接收滤波器30具有连接于不平衡输入端子31与第1及第2平衡输出端子32a、32b之间的声表面波谐振器33、和纵耦合谐振器型声表面波滤波器部34。
接下来，利用图1对形成了图3所示的电路构成的双工器1的平面构成进行说明。如图1所示，双工器1在压电基板2上，形成构成声表面波谐振器(包括串联臂谐振器S1～S4、并联臂谐振器P1、P2、声表面波谐振器33、纵耦合谐振器型声表面波滤波器部34)的IDT3。IDT3由在压电基板2上成膜的Ti/AlCu层叠膜形成，具有作为主响应波而使用漏波的梳齿电极。
具体而言，IDT3具有一对梳齿电极，其中以规定的频率激励压电基板2的多个电极指3a利用汇流条部3b被公共连接。各个梳齿电极的电极指被配置成相互啮合。
此外，双工器1是并不限定于压电基板2或AlCu的IDT3的器件。基板只要是具有压电性的压电基板，例如也可以是LN(LiNbO3)，水晶、LBO(Li2B4O7)等。IDT3也可以由单层膜、层叠膜形成，可以含有Al、Ti、Pt、Cr、W、Cu、Au、Ni、Co、Ta等的金属或合金。另外，IDT3作为主响应波并不限定于漏波，也可以是瑞利波或洛夫波等的声表面波。
在双工器1中，在从IDT3传播的声表面波(例如，漏波)的传播方向上，在IDT的两侧还配置反射器4。此外，反射器4由Al、Pt、Cu、Au、Ti、NiCr等构成，例如由含有Al以及Ti的金属膜形成。
在双工器1中，为了与压电基板2上形成的IDT3电连接，在各个IDT3的汇流条部3b间形成有预定的图案的布线电极5。此外，布线电极5由Al、Pt、Cu、Au、Ti、NiCr等构成，例如由含有Al以及Ti的金属膜形成。
布线电极5除了与IDT3的汇流条部3b重合的部分以外，形成在压电基板2上。但是，双工器1有时从IDT3的电极指3a向反射器4的方向或者汇流条部3b的方向传播声表面波。若传播的声表面波到达布线电极5，则向布线电极5传递振动能量。因此，在布线电极5产生迁移或者触须而使布线电极5断线，或使布线电极5与其他布线电极短路。特别是，在布线电极5由Au或Al等的金属膜形成的情况下，容易因向压电基板2传播的漏波引起的振动能量而发生断线或者短路。
为此，在本实施方式1所涉及的双工器1中，为了使向IDT3的附近传播的声表面波的振动能量衰减，而形成声阻抗与压电基板2不同的声构件6。如图2所示，在双工器1中，在与IDT3附近的反射器4相邻的位置对声构件6进行成膜，在该声构件6上形成布线电极5。因此，通过反射器4传播的声表面波不会直接传播到布线电极5，而是被声构件6衰减后传播到布线电极5。由此，能防止在布线电极5产生迁移所引起的布线电极5的断线、或者触须的产生所引起的布线电极5与其他布线电极的短路。
声构件6是具有与压电基板2的声阻抗(3.13×107kg/m2s)不同的声阻抗，声阻抗相对于作为压电基板的压电基板2不匹配的材料。图4是分别表示了针对各材料的横波声速、密度、声阻抗的表。此外，横波声速的单位为m/s，密度的单位为g/cm3，声阻抗的单位为×107kg/m2sで。
如图4所示，聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚乙烯的声阻抗为0.01～0.15×107kg/m2s，比压电基板2的声阻抗小。因此，声构件6通过采用聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚乙烯，由此声构件6与压电基板2之间的声阻抗之差变大，能利用声构件6使传播到压电基板2的声表面波衰减。
SiO2、Si3N4、Ta2O5的声阻抗为1.02～2.06kg/m2s，比聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚乙烯的声阻抗大，但与压电基板2的声阻抗具有差。因此，与声构件6采用聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚乙烯的情况相比，效果变小，但即使声构件6采用SiO2、Si3N4、Ta2O5，也能由声构件6来衰减传播到压电基板2的声表面波。
如上所述，若声构件6的声阻抗与压电基板2的声阻抗之差变大，就能由声构件6进一步衰减所传播的声表面波。将压电基板2(压电基板)的主面上的对声表面波的声阻抗设为Za，将对声构件6的横波声速的声阻抗设为Zc。此时，从压电基板2向声构件6传播的横波的能量比E能用下式(1)来表示。
[数式1]
E = 4 Za · Zc ( Za - Zc ) 2 ...(式1)
通过实验得到了以下效果：若有Zc/Za＜0.17的关系，则由声构件6有效地衰减所传播的声表面波，能可靠地防止布线电极5的断线、短路。这被认为是因为：若为Zc/Za＜0.17或者Zc/Za＞5.8的范围，则从压电基板2传递到声构件6的横波的能量比E变得比一半小，由此能抑制声表面波从压电基板2向声构件6的能量传递。
另外，图5是表示针对声构件的各材料的LN基板以及压电基板的比率、和该情况下的能量比E的表。如图5所示，通常不使用成为Zc/Za＞5.8的构成。基于具有Zc/Za＜0.17的范围的声阻抗的压电基板2与声构件6的构成，能将压电基板2的声阻抗选择为比声构件6的声阻抗更大的声阻抗。进而，作为成为Zc/Za＜0.1的范围的声构件6，只要使用聚酰亚胺、聚苯乙烯或者聚乙烯等的树脂材料就是优选的。能够比较自由地在压电基板上形成声构件6的形状或厚度。另外，声构件与压电基板的声阻抗之差变大，能量比E也变得比三分之一小。由此，能进一步抑制声表面波从压电基板2向声构件6的能量传递。
此外，为了使向IDT3的附近传播的声表面波的振动能量衰减而设置的构件(声构件)并不限定于声构件6，只要是声阻抗与压电基板2不同的材料即可。
接下来，对本发明的实施方式1所涉及的双工器1的制造方法进行说明。首先，图6是表示形成了IDT3以及反射器4的压电基板2的构成的俯视图。图7是图6所示的压电基板2的I-I面处的剖视图。如图6所示，在压电基板2对Ti/AlCu层叠膜进行成膜，使用光刻(Photolithography)技术，将IDT3以及反射器4形成在预定的位置。在将IDT3以及反射器4形成在压电基板2的时刻，如图7所示，在与反射器4相邻的位置，什么都没有形成。
其后，在与反射器4相邻的位置形成声构件6。图8是表示形成了声构件的压电基板2的构成的俯视图。图9是图8所示的压电基板2的I-I面处的剖视图。如图8以及图9所示，在与反射器4相邻的位置，在压电基板2上利用膜厚为2μm的聚酰亚胺膜形成绝缘膜来作为声构件6。特别是，声构件6形成在与反射器4相邻的位置之中围绕布线电极5的预定的位置。
声构件6可以是聚酰亚胺以外的绝缘材料，如上所述更优选与压电基板2的声阻抗之差大的材料。因此，作为声构件6，与SiO2或Si3Ni4等无机类的声构件相比，优选聚酰亚胺、聚乙烯、聚苯乙烯等的有机类的声构件。声构件6不仅形成在与反射器4相邻的位置，也形成在其他布线电极彼此立体交叉的部分。具体而言，在将声表面波谐振器33与纵耦合谐振器型声表面波滤波器部34连接的布线电极、和声表面波传播路径上的其他布线电极立体交叉的位置，作为声构件6a而形成聚酰亚胺等的有机类的绝缘膜。
另外，声构件6仅在施加大电力的发送滤波器20中，形成在与反射器4相邻的位置。但是，双工器1只要是向接收滤波器30施加大的电力的飞蜂窝(femto cell)等的系统，通过在接收滤波器30的与反射器4相邻的位置形成声构件6，从而对于接收滤波器30也得到相同的效果。
其后，如图1以及图2所示，在形成了声构件6的压电基板2上，对Ti/AlCu层叠膜进行成膜，使用光刻技术，将布线电极5形成在预定的位置。进而，使用公知技术等，以适当的构造、方法来适当地进行未图示的外部端子的形成、双工器1与电路基板的连接等。此外，图1、图2、图6～图9所示的制造方法只是例示，并不限定于前述的制造方法。
如以上那样，本发明的实施方式1所涉及的双工器1，在IDT3附近的压电基板2，形成声阻抗与压电基板2不同的声构件6(异声部)，将位于IDT3的附近的布线电极5形成在声构件6上。由此，能由声构件6衰减从双工器1IDT3传播的声表面波，能防止布线电极5的断线、短路。
(实施方式2)
在实施方式1所涉及的双工器1中，在IDT3附近的压电基板2形成声构件6，形成了声阻抗与压电基板2不同的异声部。但是，声阻抗与压电基板2不同的异声部并不限定于由声构件6形成的情况，也可以形成由压电基板2的主面(形成了IDT3的面)、和没有与该主面位于同一平面的面构成的台阶部。
即，通过在压电基板2的主面形成台阶部，从而能够取代声构件6，形成声阻抗与压电基板2不同的空气层。因此，由压电基板2与空气层，能形成声阻抗不匹配的部分(异声部)。具体地说，通过在压电基板2的主面形成沟槽，由此在压电基板2的主面形成台阶部。
对本发明的实施方式2所涉及的双工器1的制造方法进行说明。此外，对与实施方式1所涉及的构成要素相同的构成要素赋予相同的附图标记，不重复详细的说明。
首先，图10是表示形成了沟槽的压电基板2的构成的俯视图。图11是图10所示的压电基板2的I-I面处的剖视图。如图10所示，在形成了IDT3以及反射器4的压电基板2，使用基于Ar的干式蚀刻技术，在与反射器4相邻的位置，形成深度0.5μm的沟槽8。特别是，沟槽8形成在反射器4不与IDT3相邻的位置之中与反射器4相邻的围绕布线电极5的预定的压电基板2上的位置。如图11所示，在与位于声表面波的传播方向上的IDT附近的反射器4的外侧相邻的压电基板2上形成沟槽8。由此，能将声阻抗与压电基板2不同的空气层形成在与反射器4相邻的形成有布线电极5的压电基板2上的位置。因此，能将在压电基板2与空气层中声阻抗不匹配的部分(异声部)，形成在包括布线电极5的声表面波的传播路径上。
其后，在布线电极彼此立体交叉的部分等形成声构件6。图12是表示形成了声构件的压电基板2的构成的俯视图。如图12所示，在压电基板2上对膜厚为2μm的聚酰亚胺膜进行成膜，在压电基板2上，作为声构件6而形成聚酰亚胺膜。
进而，在形成了沟槽8的压电基板2上形成布线电极5。图13是表示形成了布线电极5的压电基板2的构成的俯视图。图14是图13所示的压电基板2的I-I面处的剖视图。如图13所示，在形成了沟槽8的压电基板2上，对Ti/AlCu层叠膜进行成膜，使用光刻技术，将布线电极5形成在预定的位置。如图14所示，在与反射器4相邻的位置形成的沟槽8也形成布线电极5。在压电基板2与布线电极5之间，存在通过形成沟槽8而设置的空气层8a。
因此，在双工器1中，通过压电基板2与空气层8a的声阻抗的不匹配，能是从IDT3传播的声表面波衰减。该衰减包括由反射引起的衰减。由此，能防止双工器1中的布线电极5的断线、短路。
此外，沟槽8仅在施加大电力的发送滤波器20，形成在与反射器4相邻的位置。但是，只要双工器1是能对接收滤波器30施加大的电力的飞蜂窝等的系统，通过在接收滤波器30的与反射器4相邻的位置形成沟槽，从而对于接收滤波器30也得到相同的效果。
其后，进一步以适当的构造、方法适当地进行未图示的外部端子的形成、双工器1与电路基板的连接等。此外，图10～图14所示的制造方法只是例示，并不限定于前述的制造方法。
如上述那样，本发明的实施方式2所涉及的双工器1在与反射器4相邻的位置形成沟槽8，在该沟槽8，形成配置在IDT3附近的布线电极5。由此，利用由沟槽8形成的空气层8a能衰减从双工器1IDT3传播的声表面波，能防止布线电极5的断线、短路。另外，本发明的实施方式2所涉及的双工器1能将形成在沟槽8的布线电极5的部分的高度抑制得很低。
此外，双工器1并不限定于作为异声部仅形成由沟槽8形成的台阶部的情况，作为异声部，也可以使形成了台阶部的部分、和实施方式1中所示的形成了声构件6的部分共存。进而，双工器1通过在形成了沟槽8的部分形成声构件6，并在该声构件6上形成布线电极，从而能进一步衰减从IDT3传播的声表面波。
(实施方式3)
在实施方式2所涉及的双工器1中，对在与反射器4相邻的位置形成沟槽8，在压电基板2的主面形成台阶部的情况进行了说明，但本发明并不限定于此。在本发明的实施方式3所涉及的双工器1中，形成台阶部，使得形成IDT3的压电基板2的主面成为突起部。具体地说，对于形成IDT3之前的压电基板2，通过在四周形成沟槽使得形成IDT3的位置的主面成为突起部，由此在压电基板2的主面形成台阶部。
对本发明的实施方式3所涉及的双工器1的制造方法进行说明。其中，对于与实施方式1所涉及的构成要素相同的构成要素赋予相同的附图标记，不重复详细的说明。
首先，图15是表示形成了沟槽的压电基板2的构成的俯视图。图16是图15所示的压电基板2的II-II面处的剖视图。如图15所示，在压电基板2上，使用基于Ar的干式蚀刻技术，在形成IDT3的预定的位置的四周，形成深度0.5μm的沟槽9。特别是，沟槽9形成在形成IDT3的预定的位置四周中围绕布线电极5的预定的位置。
如图16所示，通过形成沟槽9，由此能将形成IDT3的预定位置的主面形成为突起部9a。因此，能在形成IDT3的位置的压电基板2的四周，设置声阻抗不同的空气层。利用压电基板2与空气层能形成声阻抗不匹配的部分(异声部)。
其后，在形成了沟槽9的压电基板2，形成IDT3以及反射器4。图17是表示形成了IDT3以及反射器4的压电基板2的构成的俯视图。图18是图17所示的压电基板2的II-II面处的剖视图。如图17所示，在压电基板2上对Ti/AlCu层叠膜进行成膜，使用光刻技术，将IDT3以及反射器4形成在预定的位置。如图18所示，IDT3形成在压电基板2的突起部9a。
其后，在布线电极彼此立体交叉的部分等形成声构件6。图19是表示形成了声构件的压电基板2的构成的俯视图。如图19所示，在压电基板2对膜厚2μm的聚酰亚胺膜进行成膜，在压电基板2，作为声构件6而形成聚酰亚胺膜。
进而，在形成了IDT3以及反射器4的压电基板2上，形成布线电极5。图20是表示形成了布线电极5的压电基板2的构成的俯视图。图21是图20所示的压电基板2的II-II面处的剖视图。如图20所示，在形成了沟槽9的压电基板2上，对Ti/AlCu层叠膜进行成膜，使用光刻技术，将布线电极5形成在预定的位置。如图21所示，与在压电基板2的突起部9a形成的IDT3电连接的布线电极5，被形成在沟槽9。通过在沟槽9形成布线电极5，如图20所示，在与反射器4相邻的位置形成的布线电极5与压电基板2之间，存在通过形成沟槽9而设置的空气层9b。
因此，能由空气层9b来衰减从双工器1IDT3传播的声表面波，能防止布线电极5的断线、短路。
此外，沟槽9仅在施加大电力的发送滤波器20，形成在与反射器4相邻的位置。但是，只要双工器1是对接收滤波器30施加大的电力的飞蜂窝等的系统，通过在接收滤波器30的与反射器4相邻的位置形成沟槽，从而对于接收滤波器30得到相同的效果。
其后，进一步以适当的构造、方法适当地进行未图示的外部端子的形成、或双工器1与电路基板的连接等。此外，图15～图21所示的制造方法只是例示，并不限定于前述的制造方法。
如上述那样，本发明的实施方式3所涉及的双工器1在四周形成沟槽9使得形成IDT3的位置的主面成为突起部，并在该沟槽9，形成配置在IDT3附近的布线电极5。由此，能利用由沟槽9形成的空气层9b引起的在声阻抗的不匹配面处的反射或散射等来衰减从双工器1IDT3传播的声表面波，能防止布线电极5的断线、短路。此外，本发明的实施方式3所涉及的双工器1能将在沟槽9形成的布线电极5的部分的高度抑制得很低。
另外，本发明的实施方式3所涉及的双工器1由于与IDT3的汇流条部3b相邻地形成沟槽9，所以也能衰减向汇流条部3b传播的声表面波。特别是，本发明的实施方式3所涉及的双工器1，在将向汇流条部3b泄露的大的瑞利波或洛夫波用作主响应波的情况下，更能发挥效果。
此外，双工器1并不限定于作为异声部仅形成由沟槽9形成的台阶部的情况，作为异声部，也可以使形成了基于沟槽8以及/或者沟槽9的台阶部的部分、和实施方式1所示的形成了声构件6的部分共存。进而，双工器1通过在形成了沟槽9的部分形成声构件6，并在该声构件6上形成布线电极，由此能进一步衰减从IDT3传播的声表面波。
应当认为，本次公开的实施方式全部的点都只是例示，并非限于这些点。本发明的范围通过权利要求书来表示而非上述的说明，包括与权利要求书同等的含义以及范围内的全部的变更。
符号说明：
1 双工器；
2 压电基板；
3 IDT
3a 电极指
3b 汇流条部；
4 反射器；
5 布线电极
6、6a 声构件；
8、9 沟槽；
8a、9b 空气层；
9a 突起部；
11 天线端子；
12 发送端子；
13a、13b 接收端子；
20 发送滤波器；
21 输出端子；
22 输入端子；
23 串联臂；
24、25 并联臂；
30 接收滤波器；
31 不平衡输入端子；
32a 第1平衡输出端子；
32b 第2平衡输出端子；
33 声表面波谐振器；
34 纵耦合谐振器型声表面波滤波器部。

Claims (9)

1.一种滤波器装置，具备：
压电基板；
交叉指型换能器，其形成于上述压电基板的主面，构成声表面波谐振器；
布线电极，其与上述交叉指型换能器电连接；和
异声部，其形成在上述交叉指型换能器附近，声阻抗与上述压电基板不同，
配置于上述交叉指型换能器附近的上述布线电极形成于上述异声部。
2.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中，
上述异声部是在上述压电基板的上述主面上形成有声阻抗与上述压电基板不同的声构件的部分。
3.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中，
上述异声部是形成有由上述压电基板的上述主面和未与上述主面处于同一平面的面所构成的台阶部的部分。
4.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中，
上述异声部包括：
形成有声阻抗与上述压电基板不同的声构件的部分；以及
形成有由上述压电基板的上述主面和未与上述主面处于同一平面的面所构成的台阶部的部分。
5.根据权利要求2或4所述的滤波器装置，其中，
上述压电基板的上述主面中的声表面波所对应的声阻抗Zc、和上述声构件的横波声速所对应的声阻抗Za，具有Za/Zc＜0.17的关系。
6.根据权利要求3所述的滤波器装置，其中，
上述异声部包括：被配置在形成了上述台阶部的部分且声阻抗与上述压电基板不同的声构件。
7.根据权利要求3、4或6所述的滤波器装置，其中，
上述异声部包括：由形成在上述压电基板的上述主面的沟槽形成的上述台阶部。
8.根据权利要求3、4或6所述的滤波器装置，其中，
上述异声部包括：被形成为形成上述交叉指型换能器的上述压电基板的上述主面成为突起部的上述台阶部。
9.根据权利要求1～8的任一项所述的滤波器装置，其中，
上述异声部被形成于与在上述交叉指型换能器附近形成的反射器相邻的位置。
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