CN104039073A - 电子控制单元 - Google Patents

Abstract

一种电子控制单元（61），其基板（10）具有在其上设置有控制部件（15）的控制区域（11）以及在其上设置有功率部件（20）的功率区域（12）。壳体（30）的基板固定部（31-34）从底部（35）突出，并且基板（10）固定至基板固定部（31-34）。热辐射部（36）从底部（35）延伸。半导体模块（41-44）固定至热辐射部（36）的第一外表面（363）和第二外表面（364），第一外表面（363）位于与功率部件（20）相反的一侧。热辐射部（36）设置在半导体模块（41-44）与功率部件（20）之间。因此，减小了半导体模块（41-44）与功率部件（20）之间的热干扰，并且改进了热辐射性能。

Description

电子控制单元

技术领域

本公开内容涉及电子控制单元。

背景技术

近年来，对用于车辆的马达的控制已经取得进展，并且因此马达的数量以及用于控制马达的电子控制单元的数量已经有所增加。此外，安装在车辆中的部件的数量已经随着车辆功能——例如用于安全行驶的功能——的增加而增加。另一方面，已经尝试增加内部空间从而为使用者提供舒适的空间。因此，重要的是减小电子控制单元的尺寸。

例如，用于电动助力转向系统的电子控制单元布置在发动机舱中或布置在仪表板的后方。事实上，用于电动助力转向系统的电子控制单元需要以较大量的电流（例如大约80安培）来驱动马达。因此，电子控制单元的部件——例如具有切换功能的半导体模块——产生大量的热。为了减小由该部件产生的热的量，有必要增加电子部件的尺寸或使用通常较为昂贵的高规格部件。另一方面，为了减小电子控制单元的尺寸和成本，需要高热辐射结构。

例如，在JP-A-2003-309384（以下称为专利文献1）中，形成有倾斜表面以使得与印制板的距离逐渐增加，并且开关晶体管布置在该倾斜表面上。在专利文献1中，由于开关晶体管布置成使得开关晶体管的引线定位在与印制板相邻的顶侧处，因此能够减小引线的长度。根据该结构，能够减小引线的电阻，并且因此能够减小所产生的热的量。

发明内容

在专利文献1中，开关晶体管布置成与产生相对大量的热的部件——例如电源平流电容器、线圈、以及继电器——对置。当在如专利文献1所述的开关晶体管与部件彼此对置的状态下有大量的电流流动时，所担心的是除了因每个部件产生的热而使温度增加之外，还由于部件之间的热干扰而使温度进一步增加。

鉴于以上问题而进行了本公开，并且本公开的目的是提供一种具有高热辐射结构的电子控制单元。

根据本公开的一方面，电子控制单元包括基板、控制部件、功率部件、壳体、以及多个半导体模块。基板具有控制区域和功率区域。控制部件设置在基板的控制区域上。功率部件设置在基板的功率区域上。壳体具有基板固定部、热辐射部、以及与基板对置的底部。基板固定部从底部延伸，并且基板固定至基板固定部。热辐射部从底部延伸。半导体模块沿着热辐射部设置并且电连接至基板的功率区域。半导体模块中的至少一者设置于热辐射部的第一表面，其中第一表面位于与功率部件相反的一侧。

在上述结构中，产生相对大量的热的功率部件和半导体模块设置在基板的功率区域中或与基板的功率区域相邻。产生相对小量的热的控制部件设置在基板的控制区域中。

功率部件的示例为电容器、线圈、电阻器以及继电器。控制部件的示例为IC（集成电路）和CPU。

在该结构中，由于控制部件与功率部件和半导体模块在空间上间隔开，因此由功率部件和半导体模块产生的热不易传递至控制部件。

此外，半导体模块中的至少一者设置在热辐射部的第一表面上，其中，第一表面位于与功率部件相反的一侧。也就是说，热辐射部件设置在功率部件与固定在热辐射部的第一表面上的半导体模块之间。因此，能够减小功率部件与固定在热辐射部的第一表面上的半导体模块之间的热干扰，并且因此能够改进热辐射性能。

附图说明

通过参照附图进行的以下详细描述，本发明的以上和其它的目的、特征以及优点将变得更为明显，在附图中相似的部分由相似的附图标记表示，并且在附图中：

图1是示出了根据本公开第一实施方式的电子控制单元的俯视平面图的简图；

图2是示出了当沿着图1中的箭头II观察时电子控制单元的侧视图的简图；

图3是根据本公开第一实施方式的电子控制单元的电路图；

图4是示意性地示出使用了根据本公开第一实施方式的电子控制单元的电动助力转向系统的简图；

图5是示出了根据本公开第二实施方式的电子控制单元的俯视平面图的简图；

图6是示出了当沿着图5中的箭头VI观察时电子控制单元的侧视图的简图；

图7是示出了根据本公开第三实施方式的电子控制单元的俯视平面图的简图；

图8是示出了当沿着图7中的箭头VII观察时电子控制单元的侧视图的简图；

图9是示出了根据本公开第四实施方式的电子控制单元的俯视平面图的简图；

图10是示出了根据本公开第五实施方式的电子控制单元的俯视平面图的简图；

图11是示出了当沿着图10中的箭头XI观察时电子控制单元的侧视图的简图；

图12是示出了根据本公开第六实施方式的电子控制单元的俯视平面图的简图；

图13是示出了根据本公开第七实施方式的电子控制单元的俯视平面图的简图；

图14是示出了当沿着图13中的箭头XIV观察时电子控制单元的侧视图的简图；

图15是示出了根据本公开第八实施方式的电子控制单元的俯视平面图的简图；

图16是示出了根据本公开第九实施方式的电子控制单元的俯视平面图的简图；

图17是示出了当沿着图16中的箭头XVII观察时电子控制单元的侧视图的简图；

图18是示出了根据本公开第十实施方式的电子控制单元的俯视平面图的简图；

图19是示出了根据本公开第十一实施方式的电子控制单元的俯视平面图的简图；

图20是示出了当沿着图19中的箭头XX观察时电子控制单元的侧视图的简图；

图21是示出了根据本公开第十二实施方式的电子控制单元的俯视平面图的简图；

图22是示出了当沿着图21中的箭头XXII观察时电子控制单元的侧视图的简图；

图23是示出了根据本公开第十三实施方式的电子控制单元的俯视平面图的简图；

图24是示出了当沿着图23中的箭头XXIV观察时电子控制单元的侧视图的简图；

具体实施方式

以下将参照附图来描述本公开的电子控制单元的示例性实施方式。在下文描述的实施方式中，基本相同的部分将用相同的附图标记表示，并且不会对其描述进行重复。

（第一实施方式）

根据本公开第一实施方式的电子控制单元在图1至图3中示出。电子控制单元61例如用于图4中示出的车辆用电动助力转向系统100。电子控制单元61驱动并控制马达2，其中马达2基于诸如转向扭矩信号和车辆速度信号之类的信号而产生辅助扭矩以辅助使用者的转向操作。马达2由电池3供应的电能经由电子控制单元61驱动。

如图1和图2所示，电子控制单元61包括基板10、控制部件15、功率部件20、壳体30、半导体模块41至44、盖构件50等。图1和图2是示意性简图。在所述附图中，适当地省略了基板10和盖构件50的图示，或是出于适当地示出其它部件和类似物的布置的目的而以虚线示出基板10和盖构件50。此外，在图2中，未示出连接器19。这在其它实施方式的附图中是类似的。

基板10为印制电路板，例如由玻璃纤维和环氧树脂制成的FR-4（阻燃型4）。基板10具有控制区域11和功率区域12。在本实施方式中，控制区域12由基板10的从图1中的单点划线L起向右的部分的两个表面提供，而功率区域12由基板10的从图1中的单点划线L起向左的部分的两个表面提供。在本实施方式中，接地线设置在单点划线L的位置处，并且因此控制区域11与功率区域12在基板10上彼此分开。替代性地，控制区域11与功率区域12可以在未布置接地线的情况下由假想线进行划分。

产生相对小量的热的控制部件15安装在控制区域11上。产生相对大量的热——也就是比控制部件15产生的热更多——的功率部件20安装在功率区域12上。半导体模块41至44联接至功率区域12。本实施方式的基板10分隔成控制区域11和功率区域12。因此，控制部件15与功率部件20和半导体模块41至44在空间上间隔开。因此，由功率部件20和半导体模块41至44产生的热将不太可能传递至控制部件15。

控制部件15包括IC16和CPU17。IC16和CPU17检测马达2的旋转方向以及马达2的旋转扭矩。IC16和CPU17控制预驱动器18（见图3）以基于通过连接器19输入的转向扭矩信号和车辆速度信号而输出驱动信号，从而控制半导体模块41至44及继电器23的切换。

在本实施方式中，IC16在控制区域11中设置于基板10的下表面102上。CPU17在控制区域11中设置于基板10的上表面101上。

功率部件20包括铝电解质电容器21、线圈22、继电器23、以及分流电阻器24。铝电解质电容器21、线圈22、继电器23、以及分流电阻器24在功率区域12中设置于基板10的下表面102上。

铝电解质电容器21蓄积电荷以协助至半导体模块41至44的电力供应，并且减小诸如冲击电压之类的噪声成分。

线圈22设置成减小噪声。继电器23为电力源继电器或马达继电器，并且设置成用于故障安全。分流电阻器24设置成检测提供至马达2的电流。

壳体30具有第一基板固定部31、第二基板固定部32、第三基板固定部33、第四基板固定部34、底部35、热辐射部36等。壳体30由具有高导热性的金属或类似物制成。在本实施方式中，第一基板固定部31、第二基板固定部32、第三基板固定部33以及第四基板固定部34与“基板固定部”相对应，并且在下文也会被称为基板固定部31至34。

基板固定部31至34从与基板10对置的底部35突出。基板10安装在基板固定部31至34上，并且通过紧固基板固定螺钉301至304而固定至基板固定部31至34。因此，基板10固定至壳体30。

第一基板固定部31和第二基板固定部32设置在与基板10的功率区域12相邻的一侧，而第三基板固定部33和第四基板固定部34设置在与基板10的控制区域11相邻的一侧。此外，第一基板固定部31和第三基板固定部33设置在与连接器19相邻的一侧，而第二基板固定部32和第四基板固定部34设置在与连接器19相对的一侧。

热辐射部36与固定有基板10的功率区域12的第一基板固定部31和第二基板固定部32接连并成一体。热辐射部36从底部35延伸。在本实施方式中，热辐射部36设置在安装有功率部件20的区域的外侧的位置处。也就是说，热辐射部36相比于功率部件20设置在外侧。

热辐射部36包括第一热辐射部361和第二热辐射部362。第一热辐射部361在第一基板固定部31与第二基板固定部32之间延伸。第二热辐射部362从第二基板固定部32朝向第四基板固定部34延伸。因此，热辐射部36具有整体大致呈L形的形状。换言之，能够理解的是，第一基板固定部31设置在热辐射部36的端部处，而第二基板固定部32设置在热辐射部36的角部处。

第一热辐射部361设置成与基板10的相邻于功率区域12的侧边121大致平行。第二热辐射部362设置成与基板10的与连接器19相对的侧边122大致平行，并且设置在连接器19的位于功率区域12内的投影区域中。也就是说，第二热辐射部362朝向第四基板固定部304，并且具有位于功率区域12内的端部365。第二热辐射部362设置成使得与第四基板固定部34相邻的端部365相比于功率部件20的与控制区域11相邻的端部（例如铝电解质电容器21的与控制区域11相邻的端部）更靠近控制区域11。

本实施方式的第一热辐射部361和第二热辐射部362从第一基板固定部31和第二基板固定部32向内侧凹入。也就是说，相比于第一基板固定部31的外端部和第二基板固定部32的外端部，第一热辐射部361的外表面和第二热辐射部362的外表面设置成更靠近壳体30的内侧。

半导体模块41至44由作为一种电场效应晶体管的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）提供。下文中，半导体模块41至44也将称为“MOS41至44”。

如图3所示，MOS41至44桥连接。MOS41和MOS43设置在高电势侧，而MOS42和MOS44设置在低电势侧。设置在高电势侧的MOS41和MOS43趋向于比设置在低电势侧的MOS42和MOS44产生更多的热。以下将设置在高电势侧并提供高电势侧模块的MOS41和MOS43还称为“上部MOS41和43”，而将设置在低电势侧并提供低电势侧模块的MOS42和MOS44还称为“下部MOS42和44”。

在本实施方式中，通过使用控制部件15对MOS41至44的接通和关断操作进行控制从而控制马达2的驱动。

MOS41和MOS42设置在第一热辐射部361的第一外表面363上，其中第一外表面363位于与功率部件20相反的一侧。在本实施方式中，在第一热辐射部361的第一外表面363上形成有固定孔461、462。通过将MOS固定螺钉451、452紧固至固定孔461、462中，从而使MOS41和MOS42经由热辐射且绝缘的片材47固定至第一热辐射部361的第一外表面363。

MOS43和44设置在第二热辐射部362的第二外表面364上，其中第二外表面364位于与功率部件20相反的一侧。在本实施方式中，在第二热辐射部362的第二外表面364上形成有固定孔463、464。通过将MOS固定螺钉453、454紧固至固定孔463、464中，从而使MOS43和MOS44经由热辐射且绝缘的片材47固定至第二热辐射部362的第二外表面364。

在本实施方式中，第一外表面363和第二外表面364可以与热辐射部的“第一表面”以及“在其上设置有半导体模块的表面”相对应。例如，第一外表面363和第二外表面364可以与“与底部35垂直且在其上设置有半导体模块的垂直表面”相对应。在附图中，用虚线示出固定孔461至464。对于MOS固定螺钉451至454，仅示出了MOS固定螺钉451至454的头部并且未示出MOS固定螺钉451至454的轴部。

在本实施方式中，在其上设置有MOS41至44的第一外表面363和第二外表面364与底部35垂直。

MOS41至44固定至热辐射部36，使得引线411、421、431、441设置在与基板10相邻的一侧。MOS41至44经由引线411、421、431、441电连接至基板10的功率区域12。在本实施方式中，由于第一热辐射部361和第二热辐射部362朝向内侧凹入，因此MOS41至44设置在基板10的投影区域内。因此，当MOS41至44连接至基板10时，不必使引线411、421、431、441弯曲。因此，能够减小引线411、421、431、441的长度。

在本实施方式中，在MOS41至44之中，产生相对大量的热的上部MOS41设置成在第一热辐射部361上相邻于第一基板固定部31，而产生相对大量的热的上部MOS43设置成在第二热辐射部362上相邻于端部365。产生相对小量的热的下部MOS42设置成在第一热辐射部361上相邻于第二基板固定部32。产生相对小量的热的下部MOS44设置成在第二热辐射部362上相邻于第二基板固定部32。

也就是说，在本实施方式中，产生相对大量的热的上部MOS41、43布置在端部处。由于产生热的位置——即热产生部——被分散开，因此改进了热辐射性能。

在基板10、控制部件15、功率部件20、基板固定部31至34、热辐射部36以及MOS41至44容置在盖构件50中——即容置在设置于盖构件50与壳体30之间的空间中——的状态下，盖构件50与壳体30的底部35接合，并且连接器19从盖构件50露出。

在本实施方式中，第一热辐射部361和第二热辐射部362向内侧凹入，并且MOS41至44设置在基板10的投影区域内。因此，MOS41至44将不太可能与盖构件50接触。

如上文所详细描述的，本实施方式的电子控制单元61包括基板10、控制部件15、功率部件20、壳体30、以及MOS41至44。基板10具有控制区域11和功率区域12。控制部件15设置在基板10的控制区域11中。功率部件20设置在基板10的功率区域12中。

壳体30具有基板固定部31至34、热辐射部36、以及与基板10对置的底部35。基板固定部31至34从底部35突出，并且基板10固定至基板固定部31至34。热辐射部36从底部35延伸。

MOS41至44沿着热辐射部36设置，并且连接至基板10的功率区域12。

MOS41至44设置在热辐射部36的位于与相邻于功率部件20的一侧相反的一侧的第一外表面363和第二外表面364上。

（1）在本实施方式中，产生相对大量的热的功率部件20和MOS41至44设置在基板10的功率区域12中，并且产生相对小量的热的控制部件15设置在基板10的控制区域11中。在此结构中，由于控制部件15与功率部件20和MOS41至44在空间上间隔开，因此由功率部件20和MOS41至44产生的热不易传递至控制部件15。因此，不必对控制部件15使用耐高温部件。因此能够减小成本。

MOS41至44固定至热辐射部36的外表面363、364。也就是说，热辐射部36设置在MOS41至44与功率部件20之间。因此，能够减小MOS41至44与功率部件20之间的热干扰，并且因此改进了热辐射性能。

（2）热辐射部36与固定有基板10的功率区域12的第一基板固定部31和第二基板固定部32成一体。因此，由MOS41至44产生的热能够经由热辐射部36和基板固定部31、32传递至基板10，并且还从基板10辐射出。因此，改进了热辐射性能。

（3）热辐射部36的在其上设置有MOS41至44的第一外表面363和第二外表面364与底部35垂直。因此，能够减小电子控制单元61的在宽度方向（图1中的左右方向）上和在深度方向（图1中的上下方向）上的尺寸。

（4）位于高电势侧的上部MOS41和43固定值热辐射部36的外表面363、364。热辐射部36位于产生相对大量的热的功率部件20与上部MOS41、MOS43之间。因此，上部MOS41和43将不易受到由功率部件20产生的热的影响，并且因此能够减小热干扰。

（5）在本实施方式中，特别地，MOS41至44全部固定至热辐射部36的外表面363、364。因此，由于热辐射部36设置在MOS41至44与功率部件20之间，因此能够进一步减小MOS41至44与功率部件20之间的热干扰。

（6）热辐射部36设置成沿着基板10的两个侧边121、122延伸。因此，热辐射部36的外表面363、364能够提供较宽的区域以用于将半导体模块固定。

（7）与热辐射部36成一体的第一基板固定部31和第二基板固定部32设置在热辐射部36的端部处和角部处。在本实施方式中，第一基板固定部31固定至热辐射部36的端部，而第二基板固定部32形成在热辐射部36的角部处。因此，能够与基板固定部31、32的尺寸不相关地减小热辐射部36的厚度。此外，充分地确保了能够将MOS41至44固定的面积。

（第二实施方式）

将参照图5和图6来描述根据本公开第二实施方式的电子控制单元。

第二实施方式的电子控制单元62具有热辐射部37。热辐射部37包括第一热辐射部371和第二热辐射部372。第一热辐射部371设置在第一基板固定部31与第二基板固定部32之间。第二热辐射部372从第二基板固定部32朝向第四基板固定部34延伸。

第一热辐射部371设置成与基板10的相邻于功率区域12的侧边121大致平行，这与上述实施方式类似。第二热辐射部372设置成与基板10的侧边122大致平行，其在功率区域12内、与连接器19相对，这与上述实施方式类似。此外，相比于功率部件20的相邻于控制区域11的端部，第二热辐射部372的相邻于第四基板固定部34的端部375设置成更靠近控制区域11。

MOS41和MOS42通过MOS固定螺钉451、452固定至第一热辐射部371的第一外表面373，其中第一外表面373位于与功率部件20相反的一侧。热辐射且绝缘的片材47设置在MOS41和MOS42与第一热辐射部371之间。也就是说，MOS41和MOS42在热辐射且绝缘的片材47置于MOS41和MOS42与第一热辐射部371之间的状态下固定至第一热辐射部371。

MOS43和MOS44通过MOS固定螺钉453、454固定至第二热辐射部372的第二外表面374，其中第二外表面374位于与功率部件20相反的一侧。热辐射且绝缘的片材47设置在MOS43和MOS44与第二热辐射部372之间。也就是说，MOS43和MOS44在热辐射且绝缘的片材47置于MOS43和MOS44与第二热辐射部372之间的状态下固定至第二热辐射部371。

在本实施方式中，第一外表面373和第二外表面374可以与热辐射部的“第一表面”和“在其上设置有半导体模块的表面”相对应。例如，第一外表面373和第二外表面374可以与“垂直于底部35并且在其上设置有半导体模块的垂直表面”相对应。

在本实施方式中，MOS41至44的与热辐射部37相对的表面与盖构件50经由热辐射且绝缘的片材48紧固在一起。因此，由MOS41至44产生的热除了消散至热辐射部37之外还消散至盖构件50。因此改进了MOS41至44的热辐射性能。

也就是说，本实施方式的热辐射部37形成为向外侧突出，使得MOS41至44通过盖构件50紧固在一起。热辐射部37具有以下形状：该形状依照MOS41至44以及盖构件50等的形状而使得MOS41至44能够用盖构件50紧固在一起。

（8）在本实施方式中，电子控制单元62包括如下盖构件50：该盖构件50能够将基板10、控制部件15、功率部件20、热辐射部37、以及MOS41至44容置于其中。MOS41至44设置在热辐射部37的外侧并且在被置于热辐射部37与盖构件50之间的状态下固定。因此，由MOS41至44产生的热不仅能够辐射至热辐射部37而且还能够辐射至设置在背侧的盖构件50。也就是说，MOS41至44还具有背侧热辐射结构。因此进一步改进了MOS41至44的热辐射性能。

此外，还实现了与上述实施方式相类似的效果，尤其是实现了效果（1）至（7）。

（第三实施方式）

图7和图8示出了根据本公开第三实施方式的电子控制单元。

本实施方式的电子控制单元63具有热辐射部38。热辐射部38设置在第一基板固定部31与第二基板固定部32之间，并且与基板10的相邻于功率区域12的侧边121大致平行。在此情况下，热辐射部38不具有与上述实施方式的第二热辐射部相对应的部分。热辐射部38具有直的形状来代替L形形状。因此，相比于上述实施方式能够减小壳体的体积。

在本实施方式中，用于将上部MOS41和43固定的固定孔461、463形成在热辐射部38的外表面381上。此外，用于将下部MOS42和44固定的固定孔462、464形成在热辐射部38的内表面382上。

在本实施方式中，产生相对大量的热的上部MOS41和43经由热辐射且绝缘的片材47固定至热辐射部38的外表面381，而下部MOS42、44经由热辐射且绝缘的片材47固定至热辐射部38的内表面382。因此，由于热辐射部38设置在产生相对大量的热的上部MOS41和43与诸如铝电解质电容器21之类的功率部件20之间，因此上部MOS41和43将不太可能受到由功率部件20和下部MOS42和44产生的热的影响。因此减小了热干扰。

在本实施方式中，外表面381和内表面382可以与“在其上设置有半导体模块的表面”相对应。例如，外表面381和内表面382可以与“垂直于底部35并且在其上设置有半导体模块的垂直表面”相对应。外表面381还可以与“第一表面”相对应，而内表面382还可以与“第二表面”相对应。此外，MOS41和MOS43可以与“第一模块”相对应，而MOS42和44可以与“第二模块”相对应。

在本实施方式中，上部MOS41与下部MOS42在侧向方向（图7中的上-下方向）上相对于对置位置而彼此偏置。同样地，上部MOS43与下部MOS44在侧向方向上相对于对置位置而彼此偏置。也就是说，上部MOS41与下部MOS42在热辐射部38的相反两侧设置在彼此偏置的位置处。同样地，上部MOS43与下部MOS44在热辐射部38的相反两侧设置在彼此偏置的位置处。例如，上部MOS41与下部MOS42在热辐射部38的纵向方向上彼此偏置，并且上部MOS43与下部MOS44在热辐射部38的纵向方向上彼此偏置。

（9）在本实施方式中，热辐射部38沿着基板10的侧边121设置。此外，MOS41和MOS43固定至热辐射部38的外表面381，而MOS42、MOS44固定至热辐射部38的内表面382。

因此，相比于热辐射部沿着基板10的两个侧边设置的情况，能够减小壳体30的体积，并且因此能够减小电子控制单元63的重量。

（10）MOS41和MOS43分别在热辐射部38的纵向方向上相对于MOS42和MOS44偏置。因此将热产生部分散开，并且因此改进了热辐射性能。此外，用于将MOS41至44固定的固定孔461至464能够形成在偏置位置处。因此，能够减小热辐射部38的厚度。因此，能够减小壳体30的体积并且因此能够减小重量。

此外，实现了与上述实施方式相类似的效果，特别是实现了与（1）至（4）以及（7）相类似的效果。

第四实施方式至第六实施方式是第三实施方式的改型。在第四实施方式至第六实施方式中，与第三实施方式相类似地，上部MOS41和43固定至热辐射部38的外表面381，而下部MOS42和44固定至热辐射部38的内表面382。

（第四实施方式）

图9中示出了根据本公开第四实施方式的电子控制单元。要注意的是，第四实施方式的电子控制单元的侧视图与第三实施方式的电子控制单元的侧视图大致相同。

在本实施方式的电子控制单元64中，MOS41设置在与MOS42穿过热辐射部38而相对的位置处。MOS41和MOS42使用MOS固定螺钉451、452而从共用的通孔465的相反的端部紧固至热辐射部38。同样地，MOS43设置在与MOS44穿过热辐射部38而相对的位置处。MOS43和MOS44使用MOS固定螺钉453、454而从共用的通孔466的相反的端部紧固至热辐射部38。

（11）在本实施方式中，MOS41和MOS42设置在穿过热辐射部38而彼此相对的位置处。此外设置在穿过热辐射部38而彼此相对的位置处的MOS41和MOS42在形成于热辐射部38中的通孔465的相反的两端处固定。此外，设置在穿过热辐射部38而彼此相对的位置处的MOS43和MOS44在形成于热辐射部38中的通孔466的相反的两端处固定。因此，能够减少对用于固定MOS41至44的孔进行处理的步骤数。

此外，实现了与上述实施方式相类似的效果，特别是与（1）至（4）、（7）以及（9）相类似的效果。

（第五实施方式）

图10和图11中示出了根据本公开第五实施方式的电子控制单元。

在根据本实施方式的电子控制单元65中，与第三实施方式相类似地，上部MOS41与下部MOS42在侧向方向（图10中的上-下方向）上相对于对置位置而彼此偏置。同样地，上部MOS43与下部MOS44在侧向方向上相对于对置位置而彼此偏置。

在本实施方式中，固定至热辐射部38的外表面381的上部MOS41和43与盖构件50经由热辐射且绝缘的片材48紧固在一起。也就是说，在本实施方式中，上部MOS41、43不仅能够将热辐射至热辐射部38，而且还能够将热辐射至设置在背侧的盖构件50。因此，可以这样说，上部MOS41、43还具有背侧热辐射结构。因此改进了固定至外表面381的上部MOS41和43的热辐射性能。

因此，实现了与上述实施方式相类似的效果，特别是实现了与（1）至（4）、（7）以及（10）相类似的效果。

（第六实施方式）

图12中示出了根据本公开第六实施方式的电子控制单元。要了解的是，本实施方式的电子控制单元的侧视图与第五实施方式的电子控制单元的侧视图大致相同。

在根据本实施方式的电子控制单元66中，与第四实施方式相类似地，MOS41设置在穿过热辐射部38而与MOS42相对的位置处。MOS41和MOS42通过MOS固定螺钉451、452从共用的通孔465的相反的端部处紧固至热辐射部38。同样地，MOS43设置在穿过热辐射部38而与MOS44相对的位置处。MOS43和MOS44通过MOS固定螺钉453、454从共用的通孔466的相反的端部处紧固至热辐射部38.

此外，与第五实施方式相类似地，固定至热辐射部38的外表面381的上部MOS41和43与盖构件50经由热辐射且绝缘的片材48紧固在一起。也就是说，在本实施方式中，上部MOS41、43不仅能够将热辐射至热辐射部38，而且还能够将热辐射至设置在背侧的盖构件50。因此，可以这样说，上部MOS41、43还具有背侧热辐射结构。因此改进了固定至外表面381的上部MOS41和43的热辐射性能。

因此，实现了与上述实施方式相类似的效果，特别是实现了与（1）至（4）、（7）至（9）以及（11）相类似的效果。

（第七实施方式）

图13和图14中示出了根据本公开第七实施方式的电子控制单元。

在本实施方式的电子控制单元67中，热辐射及固定部39用作“基板固定部”以及“热辐射部”。

热辐射及固定部39在位于基板10的侧边121与设置有功率部件20的区域之间的位置处设置成与基板10的相邻于功率区域12的侧边121大致平行。在本实施方式中，第五基板固定部395形成在热辐射及固定部39的大致中部处。基板10的功率区域12通过基板固定螺钉305固定至第五基板固定部395。

也就是说，在上述实施方式中，基板10的功率区域12在两个位置处——也就是在第一基板固定部31处以及在第二基板固定部32处——固定至壳体30。另一方面，在本实施方式中，基板10的功率区域12在一个位置处——也就是在第五基板固定部395处——固定至壳体30。

在本实施方式中，用于将上部MOS41和43固定的固定孔461、463形成在热辐射及固定部39的外表面391上，而用于将下部MOS42、44固定的固定孔462、464形成在热辐射及固定部39的内表面上。在本实施方式中，第五基板固定部395形成在热辐射及固定部39的大致中部处。此外，固定孔461、462以及固定孔463、464形成在第五基板固定部395的相对两侧。

在本实施方式中，产生相对大量的热的上部MOS41和43通过MOS固定螺钉451、453经由热辐射且绝缘的片材47固定至热辐射及固定部39的外表面391。此外，下部MOS42和44通过MOS固定螺钉452、454经由热辐射且绝缘的片材47固定至热辐射及固定部39的内表面392。

因此，热辐射及固定部39设置在产生相对大量的热的上部MOS41和43与诸如铝电解质电容器21之类的功率部件20及下部MOS42和44之间。因此，上部MOS41和43将不太可能受到由功率部件20和下部MOS42和44产生的热的影响，并且因此能够减小热干扰。

此外，上部MOS41与下部MOS42在侧向方向（图13中的上-下方向）上相对于对置位置而彼此偏置。同样地，上部MOS43与下部MOS44在侧向方向上相对于对置位置而彼此偏置。

（12）在本实施方式中，第五基板固定部395形成在热辐射及固定部39的中部处。第五基板固定部395形成在位于热辐射及固定部39的中部处的一个位置中。因此，相比于基板10在热辐射部的相对两侧进行固定的情况，能够将用于将基板10固定的螺钉的数量减少一个。因此能够减少部件的数量。

此外，实现了与上述实施方式相类似的效果，特别是实现了与（1）至（4）、（9）以及（10）相类似的效果。

图15至图18中示出了根据本公开第八实施方式至第十实施方式的电子控制单元。

第八实施方式至第十实施方式是第七实施方式的改型。与第七实施方式相类似地，热辐射及固定部39用作“基板固定部”以及“热辐射部”。上部MOS41和43固定至热辐射及固定部39的外表面391，而下部MOS42、44固定至热辐射及固定部39的内表面392。第五基板固定部395形成在热辐射及固定部39的中部处。

（第八实施方式）

图15中示出了根据本公开第八实施方式的电子控制单元。要注意的是，第八实施方式的电子控制单元的侧视图与第七实施方式的电子控制单元的侧视图大致相同。

在本实施方式的电子控制单元68中，MOS41设置在穿过热辐射及固定部39而与MOS42相对的位置处。MOS41和MOS42通过MOS固定螺钉451、452从共用通孔467的相反两侧紧固至热辐射及固定部39。此外，MOS43和MOS44通过MOS固定螺钉453、454从共用通孔468的相反两侧紧固至热辐射及固定部39。

通孔467和通孔468设置在第五基板固定部395的相对两侧。因此，MOS41和MOS42以及MOS43和MOS44设置在第五基板固定部395的相对两侧。

因此，实现了与上述实施方式相类似的效果，特别是实现了与（1）至（4）、（9）、（11）以及（12）相类似的效果。

（第九实施方式）

图16和图17中示出了根据本公开第九实施方式的电子控制单元。

在本实施方式的电子控制单元69中，与第七实施方式相类似地，上部MOS41与下部MOS42在侧向方向（图16中的上-下方向）上相对于对置位置而彼此偏置。同样地，上部MOS43与下部MOS44在侧向方向上相对于对置位置而彼此偏置。

在本实施方式中，固定至热辐射及固定部39的外表面391的上部MOS41和43与盖构件50经由热辐射且绝缘的片材48紧固在一起。也就是说，在本实施方式中，MOS41和43不仅能够将热辐射至热辐射及固定部39，而且还能够将热辐射至设置在背侧的盖构件50。因此，可以这样说，上部MOS41和43具有背侧热辐射结构。因此，改进了固定至外表面391的上部MOS41和43的热辐射性能。

因此，实现了与上述实施方式相类似的效果，特别是实现了与（1）至（4）、（8）、（9）、（10）以及（11）相类似的效果。

（第十实施方式）

图18中示出了根据本公开第十实施方式的电子控制单元。要了解的是，本实施方式的电子控制单元的侧视图与第九实施方式的电子控制单元的侧视图是相同的。

在本实施方式的电子控制单元70中，MOS41设置在穿过热辐射及固定部39与MOS42相对的位置处。MOS41和MOS42通过MOS固定螺钉451、452从共用通孔467的相反两侧紧固至热辐射及固定部39。此外，MOS43和MOS44通过MOS固定螺钉453、454从共用通孔468的相反两侧紧固至热辐射及固定部39。

通孔467和通孔468设置在第五基板固定部395的相对两侧。因此，MOS41和MOS42以及MOS43和MOS44设置在第五基板固定部395的相对两侧。

此外，与第九实施方式相类似地，固定至热辐射及固定部39的外表面391的上部MOS41和43与盖构件50经由热辐射且绝缘的片材48紧固在一起。也就是说，在本实施方式中，上部MOS41和43不仅能够将热辐射至热辐射及固定部39，而且还能够将热辐射至设置在背侧的盖构件50。因此，可以这样说，上部MOS41和43具有背侧热辐射结构。因此，改进了固定至外表面391的上部MOS41和43的热辐射性能。

此外，实现了与上述实施方式相类似的效果，特别是实现了与（1）至（4）、（8）、（9）、（10）、（11）以及（12）相类似的效果。

（第十一实施方式）

将参照图19和图20来描述根据本公开第十一实施方式的电子控制单元。在图19和接下来的附图中，适当地省略了盖构件50和基板固定螺钉301至304的图示。

本实施方式的电子控制单元71具有从底部35朝向基板10突出的热辐射部81。

热辐射部81包括第一热辐射部811和第二热辐射部812。

第一热辐射部811在功率区域12的投影区域内设置成与基板10的与连接器19相对的侧边122大致平行。

第二热辐射部812从第一热辐射部811的与第四基板固定部34相邻的端部朝向连接器19与第一热辐射部811大致垂直地延伸。此外，第二热辐射部812在功率区域11的投影区域内设置于比功率部件20的相邻于控制区域11的端部更靠近控制区域11的位置处。

在本实施方式中，在第一热辐射部811与第二基板固定部32之间设置有空间。热辐射部81与基板固定部31至34形成为分开的部分。在此情况下，热辐射部81和基板固定部31至34均从底部35突出。然而，热辐射部81和基板固定部31至34彼此不接连。“热辐射部81与基板固定部31至34形成为分开的部分”的意思是“热辐射部81与基板固定部31至34除了与底部35接连之外彼此不接连”。

第一热辐射部811具有位于与功率部件20相反的一侧的第一外表面813。此外，第二热辐射部812具有位于与功率部件20相反的一侧的第二外表面814。在本实施方式中，第一外表面813和第二外表面814相对于底部35倾斜。特别地，第一外表面813和第二外表面814倾斜成使得与底部35相邻的端部（例如下端）比与基板10相邻的端部（例如上端）更靠近外侧，并且与基板10相邻的端部朝向功率部件20。因此，第一外表面813和第二外表面814面向基板10的下表面102。

MOS41和MOS42设置在第一外表面813上，而MOS43和MOS44设置在第二外表面814上。

MOS41设置在第一外表面813上使得引线411与基板10相邻，并且MOS41通过MOS固定螺钉451固定至第一外表面813。MOS42设置在第一外表面813上使得引线421与基板10相邻，并且MOS42通过MOS固定螺钉452固定至第一外表面813。

MOS41和MOS42部分地设置在基板10的投影区域外侧。

MOS43设置在第二外表面814上使得引线431与基板10相邻，并且MOS43通过MOS固定螺钉453固定至第二外表面814。MOS44设置在第二外表面814上使得引线441与基板10相邻，并且MOS44通过MOS固定螺钉454固定至第一外表面814。

MOS43和MOS44全部设置在基板10的投影区域内侧。并且MOS43和MOS44各自设置成使得MOS43和MOS44的一部分位于功率区域12的投影区域内侧而MOS43和MOS44的其余部分位于控制区域11的投影区域内侧。

在图19和图20中，MOS44设置成比MOS43更靠近连接器19。替代性地，MOS43可以设置成比MOS44更靠近连接器19。也就是说，与第一实施方式相类似地，位于高电势侧并产生相对大量的热的MOS41和MOS43可以设置在端部处使得将热辐射部分散开。

MOS41至44在功率区域12内经由引线411、421、431、441电连接至基板10。

尽管MOS43和MOS44部分地设置在控制区域11的投影区域内，然而MOS43和MOS44在功率区域12内联接至基板10，如图20中所示。MOS43和MOS44在投影区域内与安装至基板10的下表面102的IC16部分地交叠。然而，在MOS43和MOS44与IC16之间设置有空间。因此，由MOS43和MOS44产生的热将不太可能传递至IC16。第一外表面813和第二外表面814可以与“第一表面”以及“在其上设置有半导体模块的表面”相对应。例如，第一外表面813和第二外表面814可以与“相对于底部35倾斜并且在其上设置有半导体模块的倾斜表面”相对应。

（13）在本实施方式中，在其上设置有半导体模块41至44的热辐射部81第一外表面813和第二外表面814相对于底部35倾斜。因此能够减小电子控制单元71的高度。

此外，实现了与上述实施方式相类似的效果，特别是实现了与（1）、（4）以及（5）相类似的效果。

（第十二实施方式）

将参照图21和图22来描述根据本公开第十二实施方式的电子控制单元。

本实施方式的电子控制单元72是第十一实施方式的改型。

电子控制单元72的热辐射部82包括第一热辐射部821和第二热辐射部822。本实施方式的第一热辐射部821与第二基板固定部32成一体。此外，能够理解的是，第二基板固定部32设置在热辐射部82的端部处。除了第一热辐射部821与第二基板固定部32成一体之外，本实施方式的第一热辐射部821与第十一实施方式的第一热辐射部811是相类似的。此外，第二热辐射部822与第十一实施方式的第二热辐射部812相类似。

第一热辐射部821具有位于与功率部件20相反的一侧的第一外表面823。第二热辐射部822具有位于与功率部件20相反的一侧的第二外表面824。第一外表面823和第二外表面824相对于底部35倾斜，这与第十一实施方式相类似。

由于MOS41至44的布置等与第十一实施方式中的布置等类似，因此将省略对MOS41至44的描述。

因此，实现了与上述实施方式相类似的效果，特别是实现了与（1）、（2）、（4）、（5）、（7）以及（13）相类似的效果。

（第十三实施方式）

将参照图23和图24来描述根据本公开第十三实施方式的电子控制单元。

本实施方式的电子控制单元73具有热辐射部83。热辐射部83设置成与基板10的相邻于功率区域12的侧边121大致平行。也就是说，热辐射部83不具有与上述实施方式的第二热辐射部相对应的部分，并且因此具有直的形状。因此，相比于上述实施方式，能够减小壳体的体积。

热辐射部83具有外表面831和内表面832。外表面831和内表面832相对于底部35倾斜。特别地，外表面831形成为使得与底部35相邻的端部（例如下端）设置成相比于与基板10相邻的端部（例如上端）更靠近外侧，并且与基板10相邻的端部设置成更靠近内侧。内表面832形成为使得与底部35相邻的端部（例如下端）设置成相比于与基板10相邻的端部（例如上端）更靠近内侧，并且与基板10相邻的端部设置成更靠近外侧。因此，外表面831和内表面832面向基板10的下表面102。

在本实施方式中，产生相对大量的热的上部MOS41和43经由热辐射且绝缘的片材47固定至热辐射部83的外表面831。上部MOS41和43部分地设置在基板10的投影区域外侧。

此外，产生相对小量的热的下部MOS42和44经由热辐射且绝缘的片材47固定至热辐射部83的内表面832。下部MOS42和44全部设置在基板10的投影区域内侧。

因此，热辐射部83设置在产生相对大量的热的上部MOS41和43与诸如铝电解质电容器21之类的功率部件20之间。因此，上部MOS41和43将不太可能受到由功率部件20和下部MOS42和44产生的热的影响，并且因此能够减小热干扰。

在本实施方式中，外表面831和内表面832可以与“在其上设置有半导体模块的表面”相对应。例如，外表面831和内表面832可以与“相对于底部35倾斜并且在其上设置有半导体模块的倾斜表面”相对应。此外，外表面831可以与“第一表面”相对应，而内表面832可以与“第二表面”相对应。此外，MOS41和MOS43可以与“第一模块”相对应，而MOS42和MOS44可以与“第二模块”相对应。

因此，实现了与上述实施方式相类似的效果，特别是实现了与（1）、（2）、（4）、（7）、（9）以及（13）相类似的效果。

（其它实施方式）

（i）在上述实施方式中，半导体模块为MOSFET。在其它实施方式中，半导体模块可以是任何类型的模块，例如IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、晶体管、晶闸管。

（ii）在上述实施方式中，使用了四个半导体模块。在其它实施方式中，半导体模块的数量不限于四个，而是可以为任何数量。

在第一实施方式和第二实施方式中，两个半导体模块设置在热辐射部的第一外表面上，并且两个半导体模块设置在热辐射部的第二外表面上。在第三至第六实施方式中，两个半导体模块设置在热辐射部的外表面上，并且两个半导体模块设置在热辐射部的内表面上。在其它实施方式中，半导体模块在热辐射部上的布置可以不限于对称的布置。半导体模块可以以任何的布置设置在热辐射部上。例如，在第一实施方式和第二实施方式的示例中，全部的半导体模块可以设置在热辐射部的第一外表面或第二外表面中的任一者上。替代性地，可以使三个半导体模块设置在热辐射部的第一外表面或第二外表面中的一者上并且可以使一个半导体模块设置在第一外表面或第二外表面中的另一者上。替代性地，在第一实施方式和第二实施方式中，半导体模块的一部分可以设置在热辐射部的内表面上。类似地，在第三至第六实施方式的示例中，全部的半导体模块可以设置在热辐射部的外表面上。替代性地，可以使三个半导体模块设置在热辐射部的第一外表面或第二外表面中的一者上，并且可以使一个半导体模块设置在第一外表面或第二外表面中的另一者上。

（iii）在第一实施方式和第二实施方式中，产生相对大量的热的上部MOS设置在热辐射部的端部处。在其它实施方式中，上部MOS可以设置成相邻于第二基板固定部。上部MOS可以设置成相邻于第二基板固定部，并且诸如热敏电阻之类的温度检测部可以例如在第二基板固定部处设置于两个上部MOS之间。在此情况下，当通过使用由温度检测部检测到的温度而实施控制时，改进了控制特性。

在上述的第三实施方式至第六实施方式中，上部MOS设置在热辐射部的外表面上，而下部MOS设置在热辐射部的内表面上。在其它实施方式中，为了使热产生部分散，上部MOS可以以分散的方式设置使得上部MOS没有彼此靠近且没有彼此对置。

此外，半导体模块的布置可以不限于这些示例。半导体模块可以以任何布置来设置。

在上述的第四、第六、第八以及第十实施方式中，位于外表面上的MOS和位于内表面上的MOS设置在对置位置处，并且设置在共用的通孔的相反两侧。在另外的实施方式中，即便当位于外表面上的MOS和位于内表面上的MOS设置在对置位置处时，仍然可以形成用于MOS中的每一者的固定孔以代替通孔。

（iv）在上述实施方式中，半导体模块通过MOS固定螺钉紧固至热辐射部。在另一实施方式中，半导体模块可以以任何方式固定至热辐射部。在上述实施方式中，通过基板固定螺钉将基板紧固至壳体的基板固定部。在其它实施方式中，基板可以以任何方式固定至壳体的基板固定部。

（v）在上述实施方式中，热辐射且绝缘的片材设置在半导体模块与热辐射部之间。在其它实施方式中，代替热辐射且绝缘的片材，可以使用热辐射凝胶、热辐射油脂或类似物。此外，可以使用具有热辐射功能或绝缘功能中的一种功能的构件。替代性地，热辐射且绝缘的片材可以省略。这与设置在半导体模块与盖构件之间的热辐射且绝缘的片材类似。

（vi）在上述实施方式中，控制部件包括IC和CPU。在另一实施方式中，控制部件可以包括用于控制任何装置的计算并且产生相对小量的热的任何部件。

在上述实施方式中，功率部件包括铝电解质电容器、线圈、继电器以及分流电阻器。在另一实施方式中，可以使用任何类型的电容器来代替铝电解质电容器。可以省略功率部件的一部分，只要功率部件包括电容器、线圈、继电器、或电阻器中的至少一者即可。功率部件可以包括电容器、线圈、继电器、以及电阻器之外的电子部件。

在上述实施方式中，CPU安装在基板的上表面上，并且其它电子部件安装在基板的下表面上。在另一实施方式中，电子部件各自可以安装在基板的上表面或下表面中的任一者上，只要控制部件设置在控制区域中并且功率部件设置在功率区域中即可。

（vii）在第一实施方式和第二实施方式中，基板固定部设置在热辐射部的端部和角部处。在其它实施方式中，可以在热辐射部的相邻于第四基板固定部的端部处设置有另外的基板固定部。除了上述的第一实施方式至第五实施方式的基板固定部之外，基板固定部可以形成在热辐射部的中部部分处。此外，在第六实施方式中，基板固定部可以另外形成在热辐射及固定部的端部处。

此外，热辐射部的形状可以不限于大致呈L形的形状或直的形状。热辐射部可以具有任何其它形状。

（viii）在第十一实施方式至第十三实施方式中，在其上设置有半导体模块的表面是倾斜的。在另一实施方式中，在具有任何形状的热辐射部——例如如第一实施方式的具有沿着基板的两侧延伸的形状的热辐射部——中，在其上设置有半导体模块的表面可以是倾斜的。

在上述实施方式中，在其上设置有半导体模块的表面面向基板。在另一实施方式中，在其上设置有半导体模块的表面可以面向底部。

此外，同样是在热辐射部倾斜的情况下，盖构件可以具有依照热辐射部的形状的形状。在此情况下，半导体模块可以在被置于热辐射部与盖构件之间的状态下固定，从而还具有背侧热辐射结构。

（ix）在第十一实施方式中，热辐射部和基板固定部为分开的部分。在另一实施方式中，例如第一至第六实施方式的热辐射部和基板固定部可以设置为分开的部分。

（x）在上述实施方式中，电子控制单元用于电动助力转向系统。在另一实施方式中，电子控制单元的使用不限于电动助力转向系统，并且电子控制单元可以用于任何装置。

尽管已经选择了仅选定的示例性实施方式和示例来描述本公开，然而通过本公开对本领域技术人员显而易见的是，在不与本公开的由所附权利要求限定的范围相背离的情况下，在本公开中可以进行各种变型和改型。此外，根据本公开的示例性实施方式和示例的以上描述仅出于描述的目的而提供，并且不用于对由所附权利要求及其等同方式限定的本公开进行限制的目的。

Claims (17)

1.一种电子控制单元，包括：

基板（10），所述基板（10）具有控制区域（11）和功率区域（12）；

控制部件（15），所述控制部件（15）设置在所述基板（10）的所述控制区域（11）上；

功率部件（20），所述功率部件（20）设置在所述基板（10）的所述功率区域（12）上；

壳体（30），所述壳体（30）具有底部（35）、基板固定部（31-34、395）、以及热辐射部（36-39、81、82、83），所述底部（35）与所述基板（10）对置，所述基板固定部（31-34、395）从所述底部（35）延伸并且所述基板（10）固定至所述基板固定部（31-34、395），所述热辐射部（36-39、81、82、83）从所述底部（35）延伸；以及

多个半导体模块（41-44），所述多个半导体模块（41-44）沿着所述热辐射部（36-39、81、82、83）设置并且电连接至所述基板（10）的所述功率区域（12），其中

所述半导体模块（41-44）中的至少一者固定至所述热辐射部（36-39、81、82、83）的第一表面（363、364、373、374、381、391、813、814、823、824、831），所述第一表面（363、364、373、374、381、391、813、814、823、824、831）位于与所述功率部件（20）相反的一侧。

2.根据权利要求1所述的电子控制单元，其中

所述热辐射部（36-39、82、83）与固定有所述基板（10）的所述功率区域（12）的基板固定部（31、32、395）成一体。

3.根据权利要求1所述的电子控制单元，其中

所述热辐射部（81-83）具有相对于所述底部（35）倾斜的倾斜表面（813、814、823、824、831、832），并且

所述半导体模块（41-44）中的至少一者设置在所述倾斜表面（813、814、823、824、831、832）上。

4.根据权利要求3所述的电子控制单元，其中

所述倾斜表面（813、814、823、824、831、832）是以下表面中的至少一者：固定有所述半导体模块（41-44）中的所述至少一者的所述第一表面；或与所述第一表面相反的第二表面。

5.根据权利要求1所述的电子控制单元，其中

所述热辐射部（36-39）具有与所述底部（35）垂直的垂直表面（363、364、373、374、381、382、391、392），并且，

所述半导体模块（41-44）中的至少一者设置在所述垂直表面（363、364、373、374、381、382、391、392）上。

6.根据权利要求5所述的电子控制单元，其中

所述垂直表面（363、364、373、374、381、382、391、392）是以下表面中的至少一者：固定有所述半导体模块（41-44）的所述至少一者的所述第一表面；或与所述第一表面相反的第二表面。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的电子控制单元，还包括：

盖构件（50），所述盖构件（50）容置所述基板（10）、所述控制部件（15）、所述功率部件（20）、所述热辐射部（37、38、39）以及所述半导体模块（41-44），其中，

所述半导体模块（41-44）中的固定至所述第一表面（371、374、381、391）的所述至少一者在被置于所述热辐射部（37、38、39）与所述盖构件（50）之间的状态下固定。

8.根据权利要求1至6中的任一项所述的电子控制单元，其中

所述热辐射部（36、37）包括第一热辐射部（361、371）和第二热辐射部（362、372），所述第一热辐射部（361、371）设置成与所述基板（10）的第一侧边（121）大致平行，并且所述第二热辐射部（362、372）设置成与所述基板（10）的第二侧边（122）大致平行。

9.根据权利要求1至6中的任一项所述的电子控制单元，其中

所述热辐射部（38、39、83）设置成与所述基板（10）的一个侧边（121）大致平行。

10.根据权利要求1至6中的任一项所述的电子控制单元，其中

全部的所述半导体模块（41-44）固定至所述热辐射部（36、37、81）的所述第一表面（363、364、373、374、813、814）。

11.根据权利要求1至6中的任一项所述的电子控制单元，其中

所述热辐射部（38、39、83）具有与所述第一表面（381、391、831）相反并且与所述功率区域（20）相邻的第二表面（382、392、832），

所述半导体模块（41-44）中的固定至所述第一表面（381、391、831）的所述至少一者称为第一模块，并且

所述半导体模块（41-44）中的至少另一者固定至所述热辐射部（38、39、83）的所述第二表面（382、392、832）并且称为第二模块。

12.根据权利要求11所述的电子控制单元，其中

所述第一模块设置在穿过所述热辐射部（38、39、83）与所述第二模块相对的位置处。

13.根据权利要求12所述的电子控制单元，其中

所述第一模块和所述第二模块固定在通孔（465-468）的相反的端部处，所述通孔（465-468）从所述第一表面（381、391）和所述第二表面（382、392）通过所述热辐射部（38、39）。

14.根据权利要求11所述的电子控制单元，其中

所述第一模块和所述第二模块设置在穿过所述热辐射部（38、39）而彼此偏置的位置处。

15.根据权利要求1至6中的任一项所述的电子控制单元，其中

固定有所述基板（10）的所述功率区域（12）的所述基板固定部（31、32）设置在所述热辐射部（36、37、38、82）的端部或角部中的一者处。

16.根据权利要求1至6中的任一项所述的电子控制单元，其中

固定有所述基板（10）的所述功率区域（12）的所述基板固定部（395）设置在所述热辐射部（39）的中部处。

17.根据权利要求1至6中的任一项所述的电子控制单元，其中

所述多个半导体模块（41-44）桥连接，并且

所述半导体模块（41-44）中的固定至所述热辐射部（36-39、81、82、83）的所述第一表面（363、364、373、374、381、391、813、814、823、824、831）的所述至少一者为在桥连接中设置在高电势侧的高电势侧模块。