CN104022053B - 一种用于成膜的真空腔室检测设备及真空腔室检测方法 - Google Patents

一种用于成膜的真空腔室检测设备及真空腔室检测方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104022053B
CN104022053B CN201410211751.8A CN201410211751A CN104022053B CN 104022053 B CN104022053 B CN 104022053B CN 201410211751 A CN201410211751 A CN 201410211751A CN 104022053 B CN104022053 B CN 104022053B
Authority
CN
China
Prior art keywords
glass substrate
vacuum chamber
test
light
film forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201410211751.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104022053A (zh
Inventor
王守坤
郭总杰
郭会斌
冯玉春
李梁梁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Display Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201410211751.8A priority Critical patent/CN104022053B/zh
Publication of CN104022053A publication Critical patent/CN104022053A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104022053B publication Critical patent/CN104022053B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Abstract

本发明涉及一种用于成膜的真空腔室的检测设备，包括：一真空腔室；设置于所述真空腔室内的光源；设置于所述真空腔室内用于承载所述玻璃基板的承载装置；检测装置，用于基于所述光源发射的光对所述玻璃基板的检测点进行检测，获取一光学检测结果；数据比较器，用于将所述光学检测结果与标准样本数据进行比较以判断所述玻璃基板上是否有污染物。本发明还涉及一种真空腔室检测方法。本发明的有益效果是：及时发现玻璃基板是否存在有机污染物，防止成膜真空腔室污染，提高产品良率。

Description

一种用于成膜的真空腔室检测设备及真空腔室检测方法
技术领域
本发明涉及液晶产品制作领域，尤其涉及一种用于成膜的真空腔室检测设备及真空腔室检测方法。
背景技术
目前设计的TFT-LCD各类产品，沉积薄膜的方法，主要采用真空腔室，如果留有光刻胶等有机物的玻璃基板进入成膜腔室，在等离子的轰击之下，有机物就会被轰击整个腔室里面，造成腔室污染，产品的良率会受到严重影响，造成重大损失。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供一种用于成膜的真空腔室检测设备及真空腔室检测方法，防止成膜真空腔室污染，提高产线良率。
为了达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种用于成膜的真空腔室的检测设备，包括：
一真空腔室；
设置于所述真空腔室内的光源；
设置于所述真空腔室内用于承载所述玻璃基板的承载装置；
检测装置，用于基于所述光源发射的光对所述玻璃基板的检测点进行检测，获取一光学检测结果；
数据比较器，用于将所述光学检测结果与标准样本数据进行比较以判断所述玻璃基板上是否有污染物。
进一步的，所述检测装置具体为一位置可移动的测试探头，能够通过位置移动扫描所述玻璃基板的各检测点，获取相应的光学检测结果。
进一步的，所述测试探头与所述光源设于所述玻璃基板的同一侧，所述光学检测结果为所述玻璃基板的检测点的反射光强比率。
进一步的，所述测试探头与所述光源分别位于所述玻璃基板相对的两侧，所述光学检测结果为所述玻璃基板的检测点的光透过率。
进一步的，所述光源可移动的设置于所述真空腔室内。
进一步的，用于成膜的真空腔室的检测设备还包括用于在所述玻璃基板上存在污染物时报警的报警器。
进一步的，用于成膜的真空腔室的检测设备还包括：
至少两个电学探头；
判断装置，用于根据位于玻璃基板上的检测点处的两个所述电学探头是否导通的电学检测结果判断玻璃基板上是否存在污染物。
本发明还提供一种通过上述用于成膜的真空腔室的检测设备进行的真空腔室检测方法，包括以下步骤：
将光源打开；
检测装置对所述玻璃基板的检测点进行检测，获取一光学检测结果；
将所述光学检测结果与标准样本数据进行比较以判断所述玻璃基板上是否有污染物。
进一步的，真空腔室检测方法还包括：在所述玻璃基板上存在污染物时报警。
进一步的，所述光学检测结果为所述玻璃基板的所有检测点的光透过率或反射光强比率。
进一步的，所述光透过率为检测装置接收的光的强度与光源发射的光的强度的比值。
进一步的，还包括以下步骤：
通过构图工艺在玻璃基板的检测点形成导电测试图形；
将两个电学探头移动到所述导电测试图形；
根据位于玻璃基板上的检测点处的两个所述电学探头是否导通的电学检测结果判断玻璃基板上是否存在污染物。
进一步的，所述通过构图工艺在玻璃基板的检测点形成导电测试图形具体包括：
在玻璃基板的检测点沉积金属膜层；
通过光刻工艺在所述金属膜层上涂布光刻胶；
通过刻蚀工艺、剥离工艺形成导电测试图形。
本发明的有益效果是：及时发现玻璃基板是否存在有机污染物，防止成膜真空腔室污染，提高产品良率。
附图说明
图1表示本发明用于成膜的真空腔室的检测设备结构示意图；
图2表示用于成膜的真空腔室的检测设备结构示意图；
图3表示另一实施例中用于成膜的真空腔室的检测设备结构示意图；
图4表示沉积金属膜层后的玻璃基板示意图；
图5表示涂布光刻胶后的玻璃基板示意图；
图6表示经过刻蚀工艺后的玻璃基板示意图；
图7表示玻璃光刻胶后的玻璃基板示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的特征和原理进行详细说明，所举实施例仅用于解释本发明，并非以此限定本发明的保护范围。
如图1和图2所示，本实施例提供一种用于成膜的真空腔室的检测设备，包括：
一真空腔室；
设置于所述真空腔室内的光源2；
设置于所述真空腔室内用于承载所述玻璃基板的承载装置；
检测装置1，用于基于所述光源2发射的光对所述玻璃基板的检测点进行检测，获取一光学检测结果；
数据比较器3，用于将所述光学检测结果与标准样本数据进行比较以判断所述玻璃基板上是否有污染物。
本实施例中的污染物一般指的是有机污染物。
基于所述光源2发射的光对所述玻璃基板的检测点进行检测，获取一光学检测结果，将所述光学检测结果与标准样本数据进行比较以判断所述玻璃基板上是否有污染物，实时监控和及时发现玻璃基板是否存在有机污染物，防止成膜真空腔室污染，提高产品良率。
本实施例中，所述检测装置1具体为一位置可移动的测试探头，能够通过位置移动扫描所述玻璃基板的各检测点，获取相应的光学检测结果。
所述光源2可以为一光学探头，可移动的设置在所述真空腔室内。
本实施例中，所述测试探头与所述光源2设于所述玻璃基板的同一侧，所述光学检测结果为所述玻璃基板的检测点的反射光强比率。
所述测试探头与所述光学探头同步移动、成对的设置在所述真空腔室内。
如图1和图2所示，所述真空腔室内设有与Y轴方向平行的第一导轨4和第二导轨5，所述第二导轨5位于所述第一导轨4的下方，所述测试探头可移动的设置在所述第一导轨4上，所述光学探头可移动的设置在所述第二导轨5上，由于所述光学探头发出的光为点光源，所述测试探头位于所述光学探头的上方，且所述测试探头位于所述光学探头是同步移动的，以便所述测试探头采集相应的光学检测结果。
所述真空腔室内成对设置有第三导轨6和第四导轨7，所述第三导轨6与X轴方向平行，所述第一导轨4可移动的设置在所述第三导轨6上，所述第二导轨5可移动的设置在所述第四导轨7上，所述第一导轨4沿着所述第三导轨6在X轴方向移动，设置在所述第一导轨4上的所述测试探头随之沿着X轴方向移动，同时所述第二导轨5沿着所述第四导轨7在X轴方向移动，设置在所述第二导轨5上的光学探头随之沿着X轴方向移动，从而实现所述测试探头和所述光学探头在X轴方向、Y轴方向的移动，全面扫描玻璃基板，及时发现玻璃基板上的有机污染物，防止真空腔室污染，提高产品良率。
本实施例中，所述第一导轨4设有两个，每个所述第一导轨4上设有一个所述测试探头，所述第二导轨5设有两个，每个所述第二导轨5上与所述测试探头对应的位置设有一个所述光学探头，但是不以此为限，所述第一导轨4、所述第二导轨5、所述测试探头与所述光学探头的数量均可根据实际需要设定。
所述第三导轨6和相应的所述第四导轨7之间设有至少2个支柱8，每个支柱8上设有与所述X轴方向平行的支撑板9，且连接于同一所述第三导轨6上的两个支柱8上的支撑板9的延伸方向相对，如图1和图2所示，所述第三导轨6的两端与相应的所述第四导轨7的两端分别设有支柱8，四个支柱8上的支撑板9形成用于承载所述玻璃基板的承载装置。
所述支撑板9也可以与Y轴方向平行，且成对设置的支撑板9沿着Y轴方向相对延伸，至少四个支撑板9形成用于承载所述玻璃基板的支撑平台，即所述承载装置。
本实施例中，所述测试探头与所述光源2分别位于所述玻璃基板相对的两侧，所述光学检测结果为所述玻璃基板的检测点的光透过率。
所述光透过率为检测装置1接收的光的强度与光源2发射的光的强度的比值。
本实施例中，用于成膜的真空腔室的检测设备还包括用于在所述玻璃基板上存在污染物时报警的报警器。
当所述数据比较器3得出玻璃基板上存在有机污染物的结构时，所述报警器报警，玻璃基板停止在真空腔室内的下步工艺，防止在等离子的轰击下，有机污染物被轰击在整个真空腔室里面，造成真空腔室的污染。
当所述数据比较器3得出玻璃基板上存在有机污染物的结构时，所述报警器报警，玻璃基板停止在真空腔室内的下步工艺，可以是人工操作停止玻璃基板在真空腔室内的下步工艺，也可以是自动停止。
所述报警器可以独立设置也可以与所述数据比较器3集成一体结构。
本实施例中，所述检测装置1也可以包括：
用于采集玻璃基板图像的图像采集器；
用于分析所述图像，确定所述玻璃基板上是否存在污染物的图像分析器。
可以通过Canny算子边缘检测方法或其他边缘检测方法，确定玻璃基板上的污染物边缘，从而确定所述玻璃基板上存在污染物。
本实施例中，用于成膜真空腔室的检测设备还包括用于将所述玻璃基板输送至所述真空腔室内的传送装置，所述传送装置的结构形式可以有多种，例如可以为机械手臂、传送带等。
本发明还提供一种通过上述用于成膜的真空腔室的检测设备进行的真空腔室检测方法，包括以下步骤：
将光源2打开；
检测装置1对所述玻璃基板的检测点进行检测，获取一光学检测结果；
将所述光学检测结果与标准样本数据进行比较以判断所述玻璃基板上是否有污染物。
进一步的，真空腔室检测方法还包括：在所述玻璃基板上存在污染物时报警。
进一步的，所述光学检测结果为所述玻璃基板的所有检测点的光透过率或反射光强比率。
进一步的，所述光透过率为检测装置1接收的光的强度与光源2发射的光的强度的比值。
以下以测试探头和光学探头分别位于基本两侧为例具体介绍本实施例中，检测玻璃基板上是否存在污染物的过程。
首先编辑标准样本数据：将正常未发生不良的玻璃基板，送入用于成膜真空腔室检测设备中，承载装置固定支撑玻璃基板，然后光学探头将光源打开，提供玻璃基板的背光源；测试探头也同时工作，接收透过玻璃基板的光源信号强度，然后传输到数据比较器3；数据比较器3会将接收的光源信号强度与光学探头发出的光源信号强度进行相比较，得出光的透过率(光透过率为检测装置1接收的光的强度与光源2发射的光的强度的比值)；从而得出标准样本数据。
样品测试：将需要监控和测试的玻璃基板通过传送装置输送至真空腔室内，承载装置固定支撑玻璃基板，然后下面的光学探头将光源打开，提供玻璃基板的背光源；测试探头也同时工作，接收透过玻璃基板的光源信号强度，光学探头和测试探头可以沿着相应的第一导轨4、第二导轨5移动，所述第一导轨4和第二导轨5可以沿着相应的第三导轨6和第四导轨7移动，从而对玻璃基板进行全方位测试，然后将测试的数据(测试探头获得的光学检测结果)传输到数据比较器3；数据比较器3将接收的光学检测结果进行处理，与正常的标准样本数据进行比较；如果在玻璃基板上存在有机物，此测试点的透过率相比较标准样品数据的透过率就会降低，从而报警器会进行报警提示，玻璃基板就会停止下步在真空腔室的工艺，防止腔室污染。
如图3所示，另一实施例中，用于成膜的真空腔室的检测设备还包括：至少两个电学探头10；
判断装置，用于根据位于玻璃基板上的检测点处的两个所述电学探头10是否导通的电学检测结果判断玻璃基板上是否存在污染物。
为了精确的检测玻璃基板上是否存在有机污染物，可以采用光学探头、测试探头利用光学原理对玻璃基板进行检测后，通过电学探头10利用电学原理对玻璃基板上存在污染物的概率较大的区域进行复检，一般情况下，玻璃基板上存在污染物概率较大的区域为玻璃基板的非功能区，例如玻璃基板的边缘，有效的防止真空腔室被污染。
本实施例中，所述电学探头10设置于所述第一导轨和/或所述第二导轨上。
本实施例中，玻璃基板的检测点处通过构图工艺形成的导电测试图形。
本实施例中，所述导电测试图形的结构、大小、数量等可根据实际需要设定。
当然，在实际使用时，为了节省检测时间，上述光学探头和电学探头10的使用可以分开独立使用，即仅采用光学探头、测试探头利用光学原理对玻璃基板进行检测，或者仅通过电学探头10利用电学原理对玻璃基板上存在污染物的概率较大的区域进行检测，而没有复检，其中仅通过电学探头10利用电学原理对玻璃基板上存在污染物的概率较大的区域进行检测更是大大的节省了时间，在防止真空腔室被污染的同时进一步的提高了整个产品加工工艺的效率。
本实施例还提供一种通过上述用于成膜的真空腔室的检测设备进行的真空腔室检测方法，包括以下步骤：
通过构图工艺在玻璃基板的检测点形成导电测试图形；
将两个电学探头10移动到所述导电测试图形；
根据位于玻璃基板上的检测点处的两个所述电学探头10是否导通的电学检测结果判断玻璃基板上是否存在污染物。
所述通过构图工艺在玻璃基板的检测点形成导电测试图形具体包括：
在玻璃基板100的检测点沉积金属膜层200，如图4所示；
通过光刻工艺在所述金属膜层200上涂布光刻胶300，如图5所示；
通过刻蚀工艺、剥离工艺形成导电测试图形，如图6和图7所示。
通过电学探头10利用电学原理对玻璃基板上存在污染物的概率较大的区域进行检测的具体工作流程如下。
通过构图工艺在玻璃基板非功能区形成导电测试图形，预先保存导电测试图形的物理坐标位置，以作为电学探头10的检测点。
承载装置固定支撑玻璃基板，然后两个电学探头10移动到导电测试图形的位置，如果玻璃基板上没有有机污染物，则两个电学探头10会导通，如果玻璃基板上面残留有机污染物，则电学探头10的电流无法流过，外面会无信号输出，判断装置也就接收不到信号。
以上所述为本发明较佳实施例，需要指出的是，对于本领域普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明保护范围。

Claims (10)

1.一种用于成膜的真空腔室的检测设备，其特在于，包括：
一真空腔室；
设置于所述真空腔室内的光源；
设置于所述真空腔室内用于承载玻璃基板的承载装置；
检测装置，用于基于所述光源发射的光对所述玻璃基板的检测点进行检测，获取一光学检测结果；
数据比较器，用于将所述光学检测结果与标准样本数据进行比较以判断所述玻璃基板上是否有污染物；
所述检测装置具体为一位置可移动的测试探头，能够通过位置移动扫描所述玻璃基板的各检测点，获取相应的光学检测结果；
所述光源为一光学探头，可移动的设置于所述真空腔室内，且所述光源与所述测试探头是同步移动的，成对的设置于所述真空腔室内；
用于成膜的真空腔室的检测设备还包括：
至少两个电学探头；
判断装置，用于根据位于玻璃基板上的检测点处的两个所述电学探头是否导通的电学检测结果判断玻璃基板上是否存在污染物。
2.根据权利要求1所述的用于成膜的真空腔室的检测设备，其特征在于，所述测试探头与所述光源设于所述玻璃基板的同一侧，所述光学检测结果为所述玻璃基板的检测点的反射光强比率。
3.根据权利要求1所述的用于成膜的真空腔室的检测设备，其特征在于，所述测试探头与所述光源分别位于所述玻璃基板相对的两侧，所述光学检测结果为所述玻璃基板的检测点的光透过率。
4.根据权利要求1所述的用于成膜的真空腔室的检测设备，其特征在于，还包括用于在所述玻璃基板上存在污染物时报警的报警器。
5.一种通过权利要求1-4任一项所述的用于成膜的真空腔室的检测设备进行的真空腔室检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
将光源打开；
检测装置对所述玻璃基板的检测点进行检测，获取一光学检测结果；
将所述光学检测结果与标准样本数据进行比较以判断所述玻璃基板上是否有污染物。
6.根据权利要求5所述的真空腔室检测方法，其特征在于，还包括：在所述玻璃基板上存在污染物时报警。
7.根据权利要求5所述的真空腔室检测方法，其特征在于，所述光学检测结果为所述玻璃基板的所有检测点的光透过率或反射光强比率。
8.根据权利要求7所述的真空腔室检测方法，其特征在于，所述光透过率为检测装置接收的光的强度与光源发射的光的强度的比值。
9.根据权利要求5所述的真空腔室检测方法，其特征在于，还包括以下步骤：
通过构图工艺在玻璃基板的检测点形成导电测试图形；
将两个电学探头移动到所述导电测试图形；
根据位于玻璃基板上的检测点处的两个所述电学探头是否导通的电学检测结果判断玻璃基板上是否存在污染物。
10.根据权利要求9所述的真空腔室检测方法，其特征在于，所述通过构图工艺在玻璃基板的检测点形成导电测试图形具体包括：
在玻璃基板的检测点沉积金属膜层；
通过光刻工艺在所述金属膜层上涂布光刻胶；
通过刻蚀工艺、剥离工艺形成导电测试图形。
CN201410211751.8A 2014-05-20 2014-05-20 一种用于成膜的真空腔室检测设备及真空腔室检测方法 Expired - Fee Related CN104022053B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410211751.8A CN104022053B (zh) 2014-05-20 2014-05-20 一种用于成膜的真空腔室检测设备及真空腔室检测方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410211751.8A CN104022053B (zh) 2014-05-20 2014-05-20 一种用于成膜的真空腔室检测设备及真空腔室检测方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104022053A CN104022053A (zh) 2014-09-03
CN104022053B true CN104022053B (zh) 2017-11-14

Family

ID=51438747

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410211751.8A Expired - Fee Related CN104022053B (zh) 2014-05-20 2014-05-20 一种用于成膜的真空腔室检测设备及真空腔室检测方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104022053B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104391427B (zh) * 2014-12-17 2019-07-05 合肥鑫晟光电科技有限公司 掩模板检测装置及方法、掩模板清洗装置
CN104698633A (zh) * 2015-03-30 2015-06-10 京东方科技集团股份有限公司 第一基板的第一膜层的检测系统及利用其的检测方法
CN104808586A (zh) * 2015-04-20 2015-07-29 京东方科技集团股份有限公司 涂布机
CN105655267A (zh) * 2016-01-04 2016-06-08 京东方科技集团股份有限公司 一种用于对基板进行检测的预警系统及生产设备
CN107367516B (zh) * 2017-07-19 2020-08-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种涂布检测修复装置及其方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102778460A (zh) * 2012-07-31 2012-11-14 法国圣戈班玻璃公司 一种检测基质内缺陷的方法
CN202712130U (zh) * 2012-07-26 2013-01-30 北京京东方光电科技有限公司 一种开路短路os测试装置
CN103035547A (zh) * 2011-09-29 2013-04-10 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 检测标记的设备和方法以及半导体器件加工系统
CN202928966U (zh) * 2012-11-19 2013-05-08 京东方科技集团股份有限公司 一种检测阵列基板制程中残留有机物的检测装置
CN103691715A (zh) * 2013-12-30 2014-04-02 合肥京东方光电科技有限公司 一种基板清洗设备
CN103779252A (zh) * 2014-01-23 2014-05-07 江苏艾特曼电子科技有限公司 一种用于圆片级键合中颗粒污染的在线检测结构

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6693708B1 (en) * 1999-09-07 2004-02-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for substrate surface inspection using spectral profiling techniques
CN103337465B (zh) * 2013-06-13 2017-08-25 京东方科技集团股份有限公司 一种检测刻蚀残留的方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103035547A (zh) * 2011-09-29 2013-04-10 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 检测标记的设备和方法以及半导体器件加工系统
CN202712130U (zh) * 2012-07-26 2013-01-30 北京京东方光电科技有限公司 一种开路短路os测试装置
CN102778460A (zh) * 2012-07-31 2012-11-14 法国圣戈班玻璃公司 一种检测基质内缺陷的方法
CN202928966U (zh) * 2012-11-19 2013-05-08 京东方科技集团股份有限公司 一种检测阵列基板制程中残留有机物的检测装置
CN103691715A (zh) * 2013-12-30 2014-04-02 合肥京东方光电科技有限公司 一种基板清洗设备
CN103779252A (zh) * 2014-01-23 2014-05-07 江苏艾特曼电子科技有限公司 一种用于圆片级键合中颗粒污染的在线检测结构

Also Published As

Publication number Publication date
CN104022053A (zh) 2014-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104022053B (zh) 一种用于成膜的真空腔室检测设备及真空腔室检测方法
CN103218961A (zh) 一种lcd缺陷在线检测方法及系统
CN103890828B (zh) 卷动式测试设备及卷动式测试柔性基板的方法
CN103076344A (zh) 显示面板的缺陷检测方法及其检测装置
CN107228861A (zh) 液晶面板的缺陷检测装置
CN204142649U (zh) 一种容器缺口的在线视觉检测装置
CN103728319B (zh) 一种电路板光学自动检测装置
CN101464417A (zh) 玻璃检测方法及其设备
CN107015532B (zh) 显示面板在线质量检测方法及装置
CN110208286A (zh) 一种检测设备
CN106556607A (zh) 识别显示面板表面灰尘的装置及方法
CN102708770A (zh) 平面显示器的缺陷检测系统及方法
CN108538739A (zh) 薄膜晶体管面板缺陷的检测方法及检测设备
CN105044127A (zh) 一种oled微型显示器缺陷检测装置及检测方法
CN204882389U (zh) 光学检测设备
CN107238955A (zh) 液晶模组屏检测系统
CN104808586A (zh) 涂布机
CN103324025B (zh) 掩膜板以及应用其检测曝光缺陷的方法
CN107153071A (zh) 一种玻璃基板的检测装置及检测方法
CN202693490U (zh) 面板检测、瑕疵显示及清洁操作系统
CN205427436U (zh) 显示器件的对位检测设备及曝光工艺系统
CN102017114B (zh) 基板质量测试器
KR101977243B1 (ko) 글라스 기판의 검사장치, 이를 이용한 검사방법 및 증착장치
CN205008255U (zh) 一种轴承在线自动检测系统
CN106989905A (zh) 一种发光面板多功能检测方法及设备

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20171114

Termination date: 20200520

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee