CN103988434A - 用于功率切换的方法和装置 - Google Patents

Abstract

本发明的各方面提供了一种电路。该电路包括开关和开关控制器。该开关在接收第一功率供应的第一节点与第二节点之间，并且被控制用于将该第二节点与该第一节点耦合/解耦合以接通/关断该第二节点处的第二功率供应。该开关控制器被配置为生成开关控制信号以控制流过该开关的充电电流，用于接通该第二功率供应。

Description

用于功率切换的方法和装置

相关申请的交叉引用

本公开要求2011年12月8日提交的“Power Switch Architecture”美国临时申请No.61/568,556的权益，其全部内容通过引用并入在此。

背景技术

这里提供的背景技术描述是出于一般地呈现本公开内容的背景的目的。当前指定的发明人的工作(在这一背景技术章节中描述该工作的程度上)以及该描述的可能在提交时未另外有资格作为现有技术的方面既未明确地也未暗示地承认为相对于本公开内容的现有技术。

通常，功耗对于购买电池供电的电子设备的用户而言是主要专注点之一。在一个示例中，低功耗的移动电话可以具有长待机时间。喜欢较少对移动电话充电的用户可能在其他移动电话特征上考虑长待机时间。

发明内容

本公开的各方面提供了一种电路。该电路包括开关和开关控制器。该开关在接收第一功率供应的第一节点与第二节点之间，并且被控制用于将该第二节点与该第一节点耦合/解耦合以接通/关断该第二节点处的第二功率供应。该开关控制器被配置为生成开关控制信号以控制流过该开关的充电电流用于接通该第二功率供应。

在一个实施方式中，该开关控制器被配置为生成该开关控制信号以控制在第一时间段期间流过该开关的第一充电电流，并且控制在第二时间段期间流过该开关的第二充电电流用于接通该第二功率供应。

根据本公开的一方面，该开关控制器在电流镜中与开关耦合以控制充电电流。在一个示例中，该开关控制信号是模拟信号。该开关控制器被配置为响应于来自功率控制器的数字控制信号生成开关控制信号。

在一个实施方式中，开关是包括电路中分布的多个子开关的分布式开关。此外，每个子开关包括并行耦合在一起的多个P型金属氧化物半导体场效应晶体管。

此外，在一个示例中，电路包括被配置为当第二功率供应被接通时进行操作的功能电路。

本公开的各方面提供了一种方法。该方法包括生成开关控制信号，向接收第一功率供应的第一节点与第二节点之间的开关提供该开关控制信号，以及控制流过该开关的充电电流以接通第二节点处的第二功率供应。

本公开的各方面提供了一种集成电路(IC)芯片。该IC芯片包括功率控制器和电路块。功率控制器被配置为向电路块生成控制信号。电路块包括开关和开关控制器。开关被放置在接收第一功率供应的第一节点与第二节点之间，并且被控制用于将该第二节点与该第一节点耦合/解耦合以接通/关断第二功率供应。该开关控制器被配置为响应于控制信号生成开关控制信号以控制流过该开关的充电电流用于接通该第二功率供应。

附图说明

将参照以下附图具体描述作为示例而提出的本公开内容的各种实施方式，其中相似的标号引用相似的单元，并且其中：

图1示出了根据本公开一个实施方式的集成电路(IC)芯片示例100的框图；

图2A示出了根据本公开一个实施方式的功率开关示例230的示意图；

图2B示出了根据本公开一个实施方式的布局层示例210的示图；

图3A示出了向开关单元230提供开关控制信号的开关控制器示例340的示图；

图3B示出了根据本公开一个实施方式的开关控制器340的功能表；

图4A示出了根据本公开一个实施方式的开关控制器示例440的示意图；

图4B示出了根据本公开一个实施方式用于控制开关控制器440的表450；

图4C示出了根据本公开一个实施方式用于开关控制器440的波形的绘图460；以及

图5示出了根据本公开一个实施方式概括过程示例500的流程图。

具体实施方式

图1示出了根据本公开一个实施方式的集成电路(IC)芯片示例100的框图。该IC芯片100可以是包括具有可切换功率供应的一个或多个功能电路块的任意适当的IC芯片。当该IC芯片100上电时，功能电路块可以在操作期间被分别上电/断电。因此，功能电路块可以在其操作不需要时被断电以节省功率。

在图1示例中，IC芯片100包括中央处理单元(CPU)101，芯片功率控制器102、数据加密单元(DEU)103、图形处理单元(GPU)104、存储器块105等。在一个示例中，CPU 101、DEU 103和GPU104具有可切换的功率供应，并且当IC芯片100上电时可以在操作期间被分别上电/断电。

此外，根据本公开的一个实施方式，当IC芯片100上电时，芯片功率控制器102被持续上电。该芯片功率控制器102向功能电路块提供控制信号以接通/关断可切换的功率供应。

根据本公开的一方面，功能电路块中的至少一个具有电流控制的可切换功率供应，用于控制接通期间去往可切换功率供应的充电电流。在一个示例中，在接通功能电路块中的可切换功率供应时，瞬态电流流入功能电路块以对各电容器充电，诸如栅极电容器、寄生电容器等。如果不进行控制，瞬态电流可能较大并且造成主功率供应上的压降。主功率供应上的压降向操作在该主功率供应下的其他电路引入功率供应噪声。当充电电流被控制时，主供应电压可以被维持稳定以减少功率供应噪声。

在图1示例中，CPU 101使用分布式功率开关架构实现。具体地，CPU 101包括分布在多个电路单元190之间的多个开关单元130。在一个实施方式中，所述多个开关单元130在第一功率供应与第二功率供应之间并行放置。第一功率供应是IC芯片100的主功率供应。一旦IC芯片100被上电，该主功率供应被上电并且向IC芯片100中的功能电路块递送功率。第二功率供应是用于CPU 101的可切换功率供应。该第二功率供应经由多个开关单元130耦合至第一功率供应，并且当其被接通时向多个电路单元190提供电功率。

此外，CPU 101包括提供用于控制多个开关单元130的开关控制信号的开关控制器140。例如，开关控制信号可以断开多个开关单元130以将第二功率供应从第一功率供应解耦合。因此，第二功率供应被关断以停止向多个电路单元190提供电功率。开关控制信号可以闭合多个开关单元130以将第二功率供应耦合至第一功率供应。因此，第二功率供应被接通以向多个电路单元190提供电功率。

根据本公开的一方面，多个电路单元190选自标准单元库用于实现各种CPU功能，诸如加法、减法、逻辑运算、乘法、除法等。电路单元190中的每一个可以是任意适当的功能电路，诸如逻辑门、触发器等。通常，来自标准单元库的电路单元具有共同的尺寸，使得电路单元可以以行或列放置并对齐。

在图1示例中，电路单元190以在X轴延伸的行进行放置。根据本公开的一方面，放置并布置电路单元190的设计过程可能在行中留下未使用的空间。在一个示例中，电路单元190占用行中大约94％的空间，而留下大约6％的空间未使用。在一个实施方式中，行中未使用的空间可以以列适当对齐以促进开关单元130以列进行放置，并且促进用于传输第一功率供应和第二功率供应以及开关控制信号的金属线的布线。分布式功率开关架构利用功能电路未使用的空间(其先前可能由哑单元填充)以实现多个开关单元130。因此，分布式功率开关架构的实现不增加芯片面积，或者由于分布式功率开关架构的实现而产生的芯片面积增加相比于该芯片面积不显著。

根据本公开的一方面，开关单元130可以被选择以允许设计特征权衡，诸如允许面积、泄漏和开启电阻权衡。在一个实施方式中，单元库提供各种类型的开关单元，以及各种大小的开关单元。在一个示例中，每个开关单元由一个或多个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)形成。单元库提供具有不同大小的MOSFET(诸如不同宽度、不同栅极长度等)以及不同类型的MOSFET(诸如不同阈值等)的开关单元。

具备不同大小和类型的晶体管的开关单元具有不同的电气特征和布局特征。例如，较大宽度的开关单元具有相对大的驱动功率，但占用较大面积。在另一示例中，由较短栅极长度的晶体管形成的开关单元具有每单位面积相对大的驱动功率，并且由较长栅极长度的晶体管形成的开关单元具有每单位面积相对较小的泄漏。在另一示例中，由较高阈值的晶体管形成的开关单元具有相对低的泄漏电流，而由低阈值的晶体管形成的开关单元具有相对大的驱动功率。

此外，在一个实施方式中，开关单元130中的每一个均包括内建衬底抽头和/或阱抽头以及解耦合电容器。

在IC芯片100的设计过程期间，当电路单元190被放置并布置时，开关单元130可以基于各种要求(诸如泄漏要求、平均压降要求、面积要求等)被适当地选择并插入IC芯片100。在一个示例中，当跨每个开关单元的平均压降被要求以保证足够的供应电压用于CPU 101的操作时，开关单元的数目可以被确定为操作期间CPU 101的电流、每个开关单元的开启电阻和平均压降要求的函数。

注意，开关单元130可以具有与电路单元190相同的高度，或者可以具有与电路单元190不同的高度。在图1示例中，开关单元130具有与电路单元190两倍的高度。还应当注意，开关单元130可以是相同的大小和类型或者可以具有不同的大小和类型。

此外，根据本公开的一方面，开关控制器140包括直接耦合至主功率供应的电路单元，用于生成单个开关控制信号。该单个开关控制信号全局分布在CPU 101中以控制多个开关单元130。所述多个开关单元130在主功率供应与切换的功率供应之间并行耦合，并且由该单个开关控制信号控制。该单个开关控制信号用于闭合和断开多个开关单元130。另外，该单个开关控制信号控制在时间段期间从主功率供应到可切换功率供应的瞬态电流以闭合多个开关单元130并接通可切换功率供应。该瞬态电流被适当控制以避免接通可切换功率供应时在主功率供应上显著的电压改变。

根据本公开的另一方面，开关控制器140可以生成被分别分发以控制开关单元130的多个开关控制信号。因此，开关单元130可以由不同的开关控制信号控制。继而，开关控制信号可以被控制用于同时或不同时接通开关单元130以进一步改进冲击电流减少的粒度。

在一个实施方式中，开关控制器140生成第一开关控制信号和第二开关控制信号。该第一开关控制信号被分发用于控制第一多个开关单元130，而该第二开关控制信号被分发用于控制第二多个开关单元130。该第一开关控制信号和第二开关控制信号可以用于控制第一多个开关单元和第二多个开关单元的切换电流和切换时序。在一个示例中，该第一开关控制信号和第二开关控制信号基于以下信号生成，诸如指示IC芯片(诸如快IC芯片或慢IC芯片)的处理特性的数字信号、模拟信号等。在一个实施方式中，该信号从被放置在相同IC芯片上的处理监视器生成。该处理监视器监视IC芯片的处理特性。在另一实施方式中，该信号基于IC芯片上非易失性存储器中的值生成。该值可以基于IC芯片的处理特性的测试结果确定，然后存储在该芯片上。在一个示例中，当该信号指示快芯片时，该第一开关控制信号和第二开关控制信号通过不同时序生成以控制第一多个开关单元和第二多个开关单元，从而在不同时间执行切换活动。当该信号指示慢芯片时，该第一开关控制信号和第二开关控制信号通过相同时序生成以控制第一多个开关单元和第二多个开关单元，从而在大约相同时间执行切换活动。

注意，为了清楚和简要，图1示例中的块没有按比例绘制。

图2A示出了根据本公开一个实施方式的功率开关示例230的示意图。在一个示例中，开关单元230在图1示例中可以被用作开关单元130。开关单元230具有第一功率供应节点用于接收在IC芯片(诸如IC芯片100)上电时总是接通的主功率供应VDD_AL，控制节点用于接收开关控制信号SW，以及第二功率供应节点用于基于开关控制信号SW递送可切换功率供应VDD_SW。

在图2A示例中，开关单元230包括并行耦合在一起的多个P型MOSFET晶体管SP_1至SP_N(N为正整数)。具体地，P型MOSFET晶体管SP_1至SP_N中的每一个具有栅极端子和两个通道端子(例如，源极端子和漏极端子)。P型MOSFET晶体管SP_1至SP_N的栅极端子被耦合在一起以接收开关控制信号SW。P型MOSFET晶体管SP_1至SP_N的源极端子被耦合至第一功率供应节点以接收主功率供应VDD_AL，并且漏极端子耦合至第二功率供应节点以驱动可切换功率供应VDD_SW。

在一个实施方式中，P型MOSFET晶体管SP_1至SP_N中的每一个由形成晶体管栅极的多晶硅手指在IC芯片的布局中进行标识。因此，针对开关单元230的布局中的手指数目指示P型MOSFET晶体管的数目。在一个示例中，P型MOSFET晶体管由多晶硅手指和具有相同栅极长度、栅极宽度和栅极氧化物厚度的其他适当的层(诸如活动层等)形成。继而，开关单元230的泄漏电流与手指的数目成正比，开关单元230的开启电阻与手指的数目成反比，以及驱动功率与手指的数目成正比。另外，开关单元230的电气参数还取决于晶体管栅极的宽度、晶体管栅极的长度和栅极氧化物厚度。注意，开关单元230可以被示意性绘制为具有累积电气参数的一个P型MOSFET晶体管。

注意，单元库包括不同电气参数的多个开关单元230。例如，单元库可以改变手指的数目、栅极长度、栅极氧化物厚度等以形成不同电气参数的多个开关单元230。继而，适当的开关单元230可以基于设计权衡选择用在IC芯片中。

图2B示出了根据本公开一个实施方式的布局层示例210的示图。布局210可以用在图1示例的布局部分110中。布局210示出了第一金属层和第二金属层。第一金属层形成以第一方向(诸如水平方向)延伸的第一多个金属条214和215，而第二金属层形成以第二方向(诸如垂直方向)延伸的第二多个金属条211-213。在图2B示例中，第一多个金属条214和215用于分发低电压的功率供应(诸如VSS)。第二多个金属条211-213用于分发主功率供应VDD_AL、开关控制信号SW和可切换功率供应VDD_SW。

根据本公开的一方面，用于传输开关控制信号SW的金属条212夹在金属条211与213之间以传输主功率供应VDD_AL和可切换功率供应VDD_SW。此布局特征屏蔽了从其他电路到开关控制信号SW的切换噪声。

图3A示出了向开关单元230提供开关控制信号的开关控制器示例340的示图；以及图3B示出了根据本公开一个实施方式的开关控制器340的功能表。开关控制器340可以被用作图1示例中的开关控制器140。开关控制器340接收当IC芯片100上电时总是接通的主功率供应VDD_AL。此外，开关控制器340例如从芯片功率控制器102接收模式控制信号，并且基于该模式控制信号生成开关控制信号SW。

在图3A和图3B示例中，模式控制信号包括两个数字二进制位M1和M2。基于这两个位，开关控制器340在一个示例中模拟生成开关控制信号SW。该开关控制信号SW用于将开关单元230配置成由模式控制信号指示的模式。注意，模式控制信号可以包括任意数目的位以将开关单元230控制成多个模式。

具体地，在图3B示例中，当MI和M2均为逻辑“0”时，模式控制信号指示休眠模式，开关控制器340生成开关控制信号以具有第一电平(诸如高电压电平)以关闭P型MOSFET晶体管SP_1至SP_N，因此开关单元230可以被断开，并且可切换功率供应VDD_SW被关断。

当M1为逻辑“1”并且M2是逻辑“0”时，模式控制信号指示缓斜坡模式。开关控制器340以控制从主功率供应VDD_AL到处于相对低电平的可切换功率供应VDD_SW流过开关单元230的充电电流的方式生成开关控制信号。可切换功率供应VDD_SW可以通过相对低的充电电流斜坡上升。

当M1为逻辑“1”并且M2是逻辑“1”时，模式控制信号指示急斜坡模式。开关控制器340以控制从主功率供应VDD_AL到处于相对高电平的可切换功率供应VDD_SW流过开关单元230的充电电流的方式生成开关控制信号。可切换功率供应VDD_SW可以通过相对较大的充电电流斜坡上升。

当M1为逻辑“0”并且M2是逻辑“1”时，模式控制信号指示唤醒模式。开关控制器340生成开关控制信号以具有第二电平(诸如低电压电平)以完全开启P型MOSFET晶体管SP_1至SP_N，因此开关单元230闭合。

图4A示出了根据本公开一个实施方式的开关控制器示例440的示意图。开关控制器440可以被配置为提供图3B示例中的开关控制信号。开关控制器440基于主功率供应VDD_AL进行操作，接收M1和M2形成的模式控制信号，以及生成开关控制信号以基于模式控制信号控制开关单元230。

具体地，开关控制器440包括两个P型MOSFET晶体管CP_1和CP_2、五个开关S1-S5和电流源441。这些组件如图4A所示被耦合在一起。此外，开关控制器440包括逻辑电路442，被配置为生成控制信号以基于模式控制信号来控制开关S1-S5。注意，开关S1-S5可以使用任意适当的组件(诸如MOSFET晶体管)实现。

图4B示出了基于模式控制信号来控制开关S1-S5的表450。当M1和M2是逻辑“0”时，模式控制信号指示休眠模式。开关S1、S2、S3和S5被控制为断开，并且开关S4被控制为闭合。因此，开关控制信号SW具有与主功率供应VDD_AL大约相同的电压电平，因此可以关闭开关单元230中的P型MOSFET晶体管SP_1至SP_N。

当MI是逻辑“1”并且M2是逻辑“0”时，模式控制信号指示缓斜坡模式。开关S2和S4被控制为断开，并且开关S1、S3和S5被控制为闭合。开关控制器440和开关单元230在电流镜中被耦合在一起。流过开关单元230的电流取决于流过P型MOSFET晶体管CP_2的电流。因为P型MOSFET晶体管CP_1和CP_2共享电流源441提供的电流，P型MOSFET晶体管CP_2传导电流源441提供的电流的一部分，因此从主功率供应VDD_AL到可切换功率供应VDD_SW流过开关单元230的充电电流相对低。继而，可切换功率供应VDD_SW通过相对低的充电电流斜坡上升，并且主功率供应VDD_AL的电压可以维持相对稳定。

当M1是逻辑“1”并且M2是逻辑“1”时，模式控制信号指示急斜坡模式。开关S2、S4和S5被控制为断开，并且开关S1和S3被控制为闭合。开关控制器440和开关单元230在电流镜中被耦合在一起。流过开关单元230的电流取决于流过P型MOSFET晶体管CP_2的电流。因为电流源441提供的全部电流流过P型MOSFET晶体管CP_2，P型MOSFET晶体管CP_2具有相对高的电流电平，因此从主功率供应VDD_AL到可切换功率供应VDD_SW流过开关单元230的充电电流相对高。可切换功率供应VDD_SW通过相对大的充电电流斜坡上升。

当M1是逻辑“0”并且M2是逻辑“1”时，模式控制信号指示唤醒模式。开关S1、S3、S4和S5被控制为断开，并且开关S2被控制为闭合。开关控制信号具有与低电压供应VSS大约相同的电压电平，因此可以完全开启开关单元230中的P型MOSFET晶体管SP_1至SP_N。在一个示例中，开关单元230可以被适当地选择并放置在电流中以产生开关单元230上相对小的压降(诸如mV量级)。继而，可切换功率供应VDD_SW具有与主功率供应VDD_AL大约相同的电压电平。

图4C示出了根据本公开一个实施方式用于开关控制器440的波形的绘图460。绘图460包括用于M1和M2形成的模式控制信号的第一波形461和第二波形465，以及用于开关控制信号SW的第三波形469。

在一个示例中，最初，CPU 101被断电。在大约4μs时，芯片功率控制器102确定在大约1μs接通CPU 101。该芯片功率控制器102在4μs将M1从逻辑“0”切换到逻辑“1”以控制开关单元，从而进入缓斜坡模式以缓慢地改变可切换功率供应VDD_SW。在大约4.5μs，该芯片功率控制器102将M2从逻辑“0”切换到逻辑“1”以控制开关单元，从而进入缓斜坡模式以更快地改变可切换功率供应VDD_SW。在大约5μs，该芯片功率控制器102将M1从逻辑“1”切换到逻辑“0”以完全开启可切换功率供应VDD_SW。

注意，缓斜坡模式和急斜坡模式中的充电电流被适当地确定为在缓斜坡模式充电与急斜坡模式充电之后，主功率供应VDD_AL与可切换功率供应VDD_SW之间的差值相对小(诸如小于阈值或者大约为0)。继而，当开关单元230完全开启时，在大约5μs的最终冲击电流相对低，并且不造成主功率供应VDD_AL上的显著压降。

图4A至图4C中的示例包括两个充电电平。该示例可以被适当修改以具有其他适当数目的充电电平，诸如一个充电电平或多于两个的充电电平。充电电平的数目和充电电平的充电电流可以例如基于在可切换功率供应VDD_SW的节点的累积电容、用于对节点充电的时间段等被适当地确定以限制时间段期间的充电电流，从而避免主功率供应VDD_AL上的显著压降，并且保证在开关单元230被完全开启之前的时间段结束时主功率供应VDD_AL与可切换功率供应VDD_SW之间的差值相对小。

图5示出了根据本公开一个实施方式概括待由开关控制器440执行的过程示例500的流程图。该过程从S501开始并前进到S510。

在S510，开关控制器440接收控制字，诸如由M1和M2形成的模式控制信号。该控制字指示休眠模式。响应于该控制字，开关控制器440生成第一电平的开关控制信号。该开关控制信号被提供给分布式开关(诸如图1示例中的开关单元130)以断开分布式开关，并且关断可切换功率供应VDD_SW。继而，耦合至可切换功率供应VDD_SW的任意电路可以休眠。

在S520，控制字指示第一斜坡模式(诸如缓斜坡模式)。开关控制器440生成开关控制信号以控制分布式开关的第一充电电流(诸如相对低的充电电流)。在一个示例中，开关控制器440耦合至分布式开关以形成电流镜用于控制分布式开关中的电流。可切换功率供应VDD_SW通过第一充电电流斜坡上升。

在S530，控制字指示第二斜坡模式(诸如急斜坡模式)。开关控制器440生成开关控制信号以控制分布式开关的第二充电电流(诸如相对大的充电电流)。可切换功率供应VDD_SW通过第二充电电流斜坡上升。

在S540，控制字指示唤醒模式。开关控制器440生成第二电平的开关控制信号以闭合分布式开关。可切换功率供应VDD_SW被完全接通，并且耦合至该可切换功率供应VDD_SW的任意电路可以唤醒。继而，过程前进到S599并且终止。

尽管已经结合作为示例提出的本发明具体实施方式描述了本发明，但是清楚的是许多替代、修改和变化将为本领域技术人员所清楚。因而如这里阐述的本发明实施方式旨在于示例而非限制。有可以在未脱离本发明的范围所进行的改变。

Claims (20)

1.一种电路，包括：

开关，在接收第一功率供应的第一节点与第二节点之间，所述开关被控制用于将所述第二节点与所述第一节点耦合/解耦合，以接通/关断所述第二节点处的第二功率供应；

开关控制器，被配置为生成开关控制信号来控制流过所述开关的充电电流以接通所述第二功率供应。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述开关控制器被配置为生成所述开关控制信号以控制在第一时间段期间流过所述开关的第一充电电流，并且控制在第二时间段期间流过所述开关的第二充电电流以接通所述第二功率供应。

3.根据权利要求1所述的电路，其中所述开关控制器在电流镜中与所述开关耦合以控制所述充电电流。

4.根据权利要求1所述的电路，其中所述开关控制信号是模拟信号。

5.根据权利要求4所述的电路，其中所述开关控制器被配置为响应于来自功率控制器的数字控制信号生成所述开关控制信号。

6.根据权利要求1所述的电路，其中所述开关是包括分布在所述电路中的多个子开关的分布式开关。

7.根据权利要求6所述的电路，其中每个子开关包括并行耦合在一起的多个P型金属氧化物半导体场效应晶体管。

8.根据权利要求1所述的电路，进一步包括：

功能电路，被配置为当所述第二功率供应被接通时进行操作。

9.一种方法，包括：

响应于控制信号，生成开关控制信号；

向接收第一功率供应的第一节点与第二节点之间的开关提供所述开关控制信号；以及

控制流过所述开关的充电电流以接通所述第二节点处的第二功率供应。

10.根据权利要求9所述的方法，其中控制流过所述开关的所述充电电流以接通所述第二功率供应进一步包括：

当所述控制信号指示第一充电模式时，控制流过所述开关的第一充电电流；以及

当所述控制信号指示第二充电模式时，控制流过所述开关的第二充电电流。

11.根据权利要求9所述的方法，其中控制流过所述开关的所述充电电流以接通所述第二功率供应进一步包括：

将所述充电电流与参考电流镜像。

12.根据权利要求9所述的方法，其中向接收所述第一功率供应的所述第一节点与所述第二节点之间的所述开关提供所述开关控制信号进一步包括：

向多个分布式开关提供所述开关控制信号。

13.根据权利要求9所述的方法，其中响应于所述控制信号生成所述开关控制信号进一步包括：

响应于数字的所述控制信号生成模拟的所述开关控制信号。

14.一种集成电路(IC)芯片，包括：

功率控制器，被配置为向电路块生成控制信号；以及

所述电路块，其包括：

开关，在接收第一功率供应的第一节点与第二节点之间，所述开关被控制用于将所述第二节点与所述第一节点耦合/解耦合以接通/关断所述第二功率供应；以及

开关控制器，被配置为响应于所述控制信号生成开关控制信号来控制流过所述开关的充电电流以接通所述第二功率供应。

15.根据权利要求14所述的IC芯片，其中所述开关控制器被配置为生成所述开关控制信号以控制在第一时间段期间流过所述开关的第一充电电流，并且控制在第二时间段期间流过所述开关的第二充电电流以接通所述第二功率供应。

16.根据权利要求14所述的IC芯片，其中所述开关控制器在电流镜中与所述开关耦合以控制所述充电电流。

17.根据权利要求14所述的IC芯片，其中所述开关控制信号是模拟信号。

18.根据权利要求14所述的IC芯片，其中所述开关是包括分布在所述电路中的多个子开关的分布式开关。

19.根据权利要求18所述的IC芯片，其中每个子开关包括并行耦合在一起的多个P型金属氧化物半导体场效应晶体管。

20.根据权利要求14所述的IC芯片，其中所述电路块进一步包括：

功能电路，被配置为当所述第二功率供应被接通时进行操作。