发明内容
基于此,有必要针对传统的集成电路中模拟电路模块上电控制方式影响模拟模块的稳定性的问题,提供一种上电保护电路。
为实现本发明目的提供的一种上电保护电路,包括电源开关和电平转换电路;
所述电源开关适用于电连接在高压电源与模拟电路模块之间,控制所述模拟电路模块与所述高压电源的导通与断开;
所述电平转换电路的第一输入端适用于电连接高压电源,第二输入端适用于电连接低压电源,输出端电连接所述电源开关的控制端;其中,所述低压电源由所述高压电源内部产生;且
所述电平转换电路,适用于所述高压电源向所述模拟电路模块上电过程为初始阶段时,将由所述低压电源输出至所述电源开关的电压进行转换,控制所述电源开关断开。
在其中一个实施例中,还包括开关控制模块;其中,
所述开关控制模块的第一输入端,适用于电连接所述高压电源;所述开关控制模块的第二输入端与所述电平转换电路的第二输入端电连接;所述开关控制模块的第三输入端适用于电连接开关控制信号输入端;所述开关控制模块的输出端与所述电源开关的控制端电连接;且
所述开关控制模块,适用于所述高压电源向所述模拟电路模块上电过程为稳定阶段时,向所述电源开关的控制端输入开关控制信号,控制所述电源开关导通。
在其中一个实施例中,所述电平转换电路包括第一转换电路、第二转换电路和转换开关电路;
所述第一转换电路的第一输入端、所述第二转换电路的第一输入端和所述转换开关电路的第一输入端依次电连接,且连接端为所述电平转换电路的第一输入端,适用于电连接所述高压电源;
所述第一转换电路的第二输入端,作为所述电平转换电路的第二输入端,适用于电连接所述低压电源,输出端电连接所述第二转换电路;且
所述第一转换电路,适用于所述高压电源向所述模拟电路模块上电过程为初始阶段时,将由所述低压电源输出的电压进行一级转换,并将一级转换后的电压输入至所述第二转换电路;
所述第二转换电路电连接在所述第一转换电路的输出端与所述转换开关电路的第二输入端之间,适用于将一级转换后的电压进行二级转换,并将二级转换后的电压输入至所述转换开关电路;
所述转换开关电路的输出端,作为所述电平转换电路的输出端,电连接所述电源开关的控制端,适用于将二级转换后的电压输入至所述电源开关,控制所述电源开关断开。
在其中一个实施例中,所述第一转换电路包括第一晶体管和第二晶体管;
所述第一晶体管的源极,作为所述第一转换电路的第一输入端,适用于电连接所述高压电源;所述第一晶体管的栅极与漏极电连接;且
所述第一晶体管的栅极与漏极的连接端与所述第二晶体管的源极电连接,并作为所述第一转换电路的输出端,电连接所述第二转换电路;
所述第二晶体管的栅极,作为所述第一转换电路的第二输入端,适用于电连接所述低压电源;
所述第二晶体管的漏极接地。
在其中一个实施例中,所述第二转换电路包括第一电阻和第三晶体管;
所述第一电阻的一端,作为所述第二转换电路的第一输入端,适用于电连接所述高压电源;
所述第一电阻的另一端与所述第三晶体管的源极电连接;且
所述第一电阻与所述第三晶体管的源极的连接端与所述转换开关电路的第二输入端电连接;
所述第三晶体管的栅极与所述第一转换电路的输出端电连接,漏极接地。
在其中一个实施例中,所述转换开关电路包括第四晶体管;
所述第四晶体管的源极,作为所述转换开关电路的第一输入端,适用于电连接所述高压电源;
所述第四晶体管的栅极作为所述转换开关电路的第二输入端,与所述第二转换电路电连接;
所述第四晶体管的漏极作为所述转换开关电路的输出端,电连接所述电源开关的控制端。
在其中一个实施例中,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管均为P沟道增强型晶体管。
在其中一个实施例中,所述电源开关包括第五晶体管;
所述第五晶体管的源极适用于电连接所述高压电源,漏极适用于电连接所述模拟电路模块;
所述第五晶体管的栅极作为所述电源开关的控制端,电连接所述电平转换电路的输出端。
在其中一个实施例中,所述开关控制模块包括依次串联连接的第二电阻、第三电阻、第六晶体管和第七晶体管;
所述第二电阻未与所述第三电阻电连接的一端,作为所述开关控制模块的第一输入端,适用于电连接所述高压电源;
所述第二电阻与所述第三电阻的连接端,作为所述开关控制模块的输出端,电连接所述电源开关的控制端;
所述第三电阻未与所述第二电阻连接的一端与所述第六晶体管的漏极电连接;所述第六晶体管的源极与所述第七晶体管的漏极电连接;
所述第六晶体管的栅极作为所述开关控制模块的第二输入端,电连接所述电平转换电路的第二输入端;
所述第七晶体管的栅极作为所述开关控制模块的第三输入端,适用于电连接开关控制信号输入端;
所述第七晶体管的源极接地。
在其中一个实施例中,所述第六晶体管和所述第七晶体管均为N沟道增强型晶体管。
上述上电保护电路的有益效果:
其通过在高压电源与模拟电路模块之间设置电源开关和电平转换电路,通过在高压电源向模拟电路模块上电过程为初始阶段时,由电平转换电路进行电压转换,以控制电源开关处于断开的状态,从而使得由高压电源输出的电压不会直接输入至模拟电路模块中,从而保证了在整个系统还未稳定时,模拟电路模块不会受到高压电源输出的电压的影响,最终保证了模拟电路模块的稳定性。最终有效解决了传统的集成电路中模拟电路模块上电控制方式影响模拟模块的稳定性的问题。
具体实施方式
为使本发明技术方案更加清楚,以下结合附图及具体实施例对本发明作进一步详细说明。
首先需要说明的是,高压电源向模拟电路模块上电过程为初始阶段指的是,高压电源刚开始上电且高压电源输出的电压还未达到稳定状态的阶段。此时,高压电源输出的电压还未达到所需电压的稳定值,存在较大的波动。
相应的,高压电源向模拟线路模块上电过程为稳定阶段则指的是,高压电源输出的电压达到稳定状态的阶段。此时,高压电源输出的电压为所需电压的稳定值,其上下基本不会出现波动。
参见图1,作为本发明的上电保护电路100的一具体实施例,其包括有电源开关110和电平转换电路120。其中,电源开关110适用于电连接在高压电源VDDhigh与模拟电路模块200之间,控制模拟电路模块200与高压电源VDDhigh的导通与断开。即,当电源开关110处于导通状态时,高压电源VDDhigh与模拟电路模块200之间为通路,高压电源VDDhigh输出的电压Vhigh直接输入至模拟电路模块200中,为模拟电路模块200进行上电。当电源开关110处于断开状态时,高压电源VDDhigh与模拟电路模块200之间为断路,高压电源VDDhigh输出的电压Vhigh不会输入至模拟电路模块200中。
电平转换电路120的第一输入端适用于电连接高压电源VDDhigh,第二输入端适用于电连接低压电源VDDlow,输出端电连接电源开关110的控制端。其中,低压电源VDDlow由高压电源VDDhigh内部产生。并且,在其中一个实施例中,低压电源VDDlow与高压电源VDDhigh之间还可串联有电容等电子器件,由此,低压电源VDDlow的上电速度相较于高压电源VDDhigh较慢。
同时,电平转换电路120,适用于高压电源VDDhigh向模拟电路模块200上电过程为初始阶段时,将由低压电源VDDlow输出至电源开关110的电压Vlow进行转换,控制电源开关110断开。
其通过在模拟电路模块200与高压电源VDDhigh之间设置电源开关110和电平转换电路120,当高压电源VDDhigh向模拟电路模块200上电过程为初始阶段时,即高压电源VDDhigh输出的电压还处于不稳定状态时,通过电平转换电路120对由低压电源VDDlow输出的电压Vlow进行转换,并将转换后的电压输入至电源开关110的控制端,以控制电源开关110处于断开状态,使得高压电源VDDhigh与模拟电路模块200之间为断路,避免了还未稳定的电压直接输入至模拟电路模块200中影响模拟电路模块200的稳定性的现象。从而实现了对模拟电路模块200的保护作用,保证了模拟电路模块200的稳定性。
其中,参见图2,为了保证当高压电源VDDhigh输出的电压Vhigh趋于稳定后,模拟电路模块200能够正常工作,作为本发明的上电保护电路100的另一具体实施例,其还包括开关控制模块130。其中,开关控制模块130的第一输入端,适用于电连接高压电源VDDhigh。开关控制模块130的第二输入端与电平转换电路120的第二输入端电连接。开关控制模块130的第三输入端适用于电连接开关控制信号输入端。开关控制模块130的输出端与电源开关110的控制端电连接。
并且,开关控制模块130,适用于高压电源VDDhigh向模拟电路模块200上电过程为稳定阶段时,向电源开关110的控制端输入开关控制信号,控制电源开关110导通。
即,其通过在电源开关110与高压电源VDDhigh之间还设置一开关控制模块130,使得当高压电源VDDhigh输出的电压Vhigh稳定后,由开关控制模块130控制电源开关110导通,从而使得高压电源VDDhigh与模拟电路模块200之间为通路,高压电源VDDhigh输出的电压Vhigh能够直接输入至模拟电路模块200中,为模拟电路模块200提供正常工作所需的电源。其保证了模拟电路模块200的正常工作,从而保证了模拟电路模块200的可靠性。
进一步的,参见图3,作为本发明的上电保护电路100的又一具体实施例,其电平转换电路120可通过对低压电源VDDlow输出的电压Vlow进行两次转换来实现。具体的:
电平转换电路120包括第一转换电路121、第二转换电路122和转换开关电路123。其中,第一转换电路121的第一输入端、第二转换电路122的第一输入端和转换开关电路123的第一输入端依次电连接,且连接端为电平转换电路120的第一输入端,适用于电连接高压电源VDDhigh。
第一转换电路121的第二输入端,作为电平转换电路120的第二输入端,适用于电连接低压电源VDDlow,输出端电连接第二转换电路122。并且,第一转换电路121,适用于高压电源VDDhigh向模拟电路模块200上电过程为初始阶段时,将由低压电源VDDlow输出的电压Vlow进行一级转换,以达到升高低压电源VDDlow输出的电压Vlow的目的。并且,其还适用于将一级转换后的电压输入至第二转换电路122,以便于实现低压电源VDDlow输出的电压Vlow的二级转换。
相应的,第二转换电路122电连接在第一转换电路121的输出端与转换开关电路123的第二输入端之间,适用于将一级转换后的电压进行二级转换,以达到再次升高由低压电源VDDlow输出的电压Vlow的目的,使得最终所升高的电压为能够控制电源开关110断开的电压值即可。同时,第二转换电路122将低压电源VDDlow输出的电压Vlow进行二级转换后,再将二级转换后的电压输入至转换开关电路123。
转换开关电路123的输出端,作为电平转换电路120的输出端,电连接电源开关110的控制端,适用于将二级转换后的电压输入至电源开关110,控制电源开关110断开,以实现控制高压电源VDDhigh与模拟电路模块200之间为断路的目的,避免模拟电路模块200受到高压电源VDDhigh输出的不稳定的电压的冲击的现象,最终达到保护模拟电路模块200的效果。
此处,需要说明的是,电平转换电路120还可设置三级转换电路或多级转换电路。即,通过在电平转换电路120中设置多及转换电路,对由低压电源VDDlow输出的电压Vlow进行多级转换,使得最终输入至电源开关110的控制端的电压为能够使电源开关110断开的电压值即可。
另外,当在电平转换电路120中设置两路电压转换电路时,作为一具体实施方式,参见图3,第一转换电路121可通过两个晶体管来实现。具体的:
第一转换电路121包括第一晶体管M1和第二晶体管M2。第一晶体管M1的源极,作为第一转换电路121的第一输入端,适用于电连接高压电源VDDhigh。第一晶体管M1的栅极与漏极电连接。并且,第一晶体管M1的栅极与漏极的连接端与第二晶体管M2的源极电连接,并作为第一转换电路121的输出端,电连接第二转换电路122。
第二晶体管M2的栅极,作为第一转换电路121的第二输入端,适用于电连接低压电源VDDlow。第二晶体管M2的漏极接地VSS。
由此,当低压电源VDDlow输出的电压由第二晶体管M2的栅极输入至第一转换电路121中时,此时第二晶体管M2导通,第二晶体管M2的源极与第一晶体管M1的漏极的连接端的第一节点电压V1为低压电源VDDlow输出的电压与第二晶体管M2的导通电压之和。即,V1=Vlow+Vgs2。其中,Vlow为低压电源VDDlow输出的电压,Vgs2为第二晶体管M2的导通电压。由此,实现了对低压电源VDDlow输出的电压Vlow的一级转换。
其中,需要说明的是,在上述实施例中,第一晶体管M1和第二晶体管M2均为P沟道增强型晶体管。
同时,参见图3,作为本发明的上电保护电路100的一具体实施例,其第二转换电路122也可通过晶体管来实现。即,第二转换电路122包括第一电阻R1和第三晶体管M3。其中,第一电阻R1的一端,作为第二转换电路122的第一输入端,适用于电连接高压电源VDDhigh。第一电阻R1的另一端与第三晶体管M3的源极电连接。并且,第一电阻R1与第三晶体管M3的源极的连接端与转换开关电路的第二输入端电连接。第三晶体管M3的栅极与第一转换电路121的输出端电连接,漏极接地VSS。
由此,当由第一转换电路121输出的经过一级转换的低压电源VDDlow输出的电压Vlow输入至第二转换电路122时,其第二转换电路122中的第三晶体管M3的栅极电压为第一节点电压V1,此时第三晶体管M3导通。进而,第三晶体管M3与第一电阻R1的连接端的节点电压V2则为第一节点电压V1与第三晶体管M3的导通电压之和。即,V2=V1+Vgs3=Vlow+Vgs2+Vgs3。其中,Vgs3为第三晶体管M3的导通电压。由此,实现了对低压电源VDDlow输出的电压Vlow的二级转换。
此处需要说明的是,第三晶体管M3同样为P沟道增强型晶体管。
进一步的,参见图3,本发明的上电保护电路100中,转换开关电路123同样也可通过晶体管来实现。具体的,第三转换电路包括第四晶体管M4。第四晶体管M4的源极,作为转换开关电路的第一输入端,适用于电连接高压电源VDDhigh。第四晶体管M4的栅极作为转换开关电路的第二输入端,与第二转换电路122电连接。第四晶体管M4的漏极作为转换开关电路123的输出端,电连接电源开关110的控制端。其中,第四晶体管M4同样为P沟道增强型晶体管。
由此,经过二极转换后得到的电压V2则通过第二转换电路122直接输入至第四晶体管M4的栅极。此时,第四晶体管M4导通,进而将经过二极转换后的电压直接输入至电源开关110的控制端,以实现将电源开关110断开。
也就是说,通过采用第四晶体管M4作为转换开关电路123,实现了对电平转换电路120的打开和关闭作用,从而当高压电源VDDhigh输出的电压还未达到稳定状态时,通过导通第四晶体管M4,即可实现电平转换电路120的打开,从而由电平转换电路120对电压进行转换,达到保护模拟电路模块200的目的。当高压电源VDDhigh输出的电压达到稳定状态时,则通过断开第四晶体管M4,即可实现电平转换电路120的关闭,从而避免电平转换电路120再对电源开关作用,以保证模拟电路模块200的正常供电。电路结构简单,成本低廉。
其只需几个晶体管即可实现低压电源VDDlow输出电压的转换,电路结构简单,易于实现,且成本低廉。
相应的,为了进一步简化电路结构,作为本发明的上电保护电路100的一具体实施例,其电源开关110可直接采用晶体管来实现。即,参见图3,电源开关110可包括第五晶体管M5。第五晶体管M5的源极适用于电连接高压电源VDDhigh,漏极适用于电连接模拟电路模块200,从而实现将第五晶体管M5电连接在高压电源VDDhigh与模拟电路模块200之间。同时,第五晶体管M5的栅极作为电源开关110的控制端,电连接电平转换电路120的输出端。由此,输入至第五晶体管M5的栅极电压为由第四晶体管M4输出的电压,此时,第五晶体管M5处于断开状态。其仅需一个晶体管即可实现电源开关110,进一步的节省了生产成本。
应当说明的是,作为电源开关110的第五晶体管M5同样可选用P沟道增强型晶体管来实现。
更进一步的,参见图3,作为本发明的上电保护电路100的又一具体实施例,其开关控制模块130则可通过依次串联连接的第二电阻R2、第三电阻R3、第六晶体管M6和第七晶体管M7来实现。其中,第二电阻R2未与第三电阻R3电连接的一端,作为开关控制模块130的第一输入端,适用于电连接高压电源VDDhigh。第二电阻R2与第三电阻R3的连接端,作为开关控制模块130的输出端,电连接电源开关110的控制端。第三电阻R3未与第二电阻R2连接的一端与第六晶体管M6的漏极电连接。第六晶体管M6的源极与第七晶体管M7的漏极电连接。第六晶体管M6的栅极作为开关控制模块130的第二输入端,电连接电平转换电路120的第二输入端。第七晶体管M7的栅极作为开关控制模块130的第三输入端,适用于电连接开关控制信号输入端。第七晶体管M7的源极接地VSS。
其中,第六晶体管M6和第七晶体管M7均为N沟道增强型晶体管。
由此,当高压电源VDDhigh输出的电压Vhigh稳定后,此时电平转换电路120中的第二节点电压V2上升至高压电源VDDhigh输出的电压Vhigh,第四晶体管M4处于断开状态。此时,电源开关110的导通与断开不再受电平转换电路120的控制,只能由开关控制模块130来控制。即,电源开关110的控制端的电压不再受电平转换电路120输出端输出的电压影响,而只是由开关控制模块130输出的开关控制信号影响。因此,即可实现开关控制模块130控制电源开关110导通,以实现高压电源VDDhigh对模拟电路模块200的上电。
其中,参见图4,为以本发明的图3所示的上电保护电路100为具体实施例时,各节点电压与高压电源VDDhigh输出的电压之间的变化关系。
由图4可明显看到,当高压电源VDDhigh速度上电时,即在T1至T2期间,高压电源VDDhigh上电速度比内部的低压电源VDDlow快,开关控制信号EN仍然跟随内部低压电源VDDlow输出的电压Vlow上升而上升。其中,低压电源VDDlow的复位时间为T2。即,高压电源VDDhigh输出的电压Vhigh达到稳定状态所需的时间为T2。并且,高压电源VDDhigh输出的电压Vhigh达到稳定时的电压值为5V,低压电源VDDlow输出的电压Vlow达到稳定时的电压值为3.3V。当高压电源VDDhigh速度上电时,低压电源VDDlow上电只有1.5V左右。
其中,在T1至T2之间,此时高压电源VDDhigh输出的电压Vhigh还处于不稳定状态。此时,电平转换保护电路中,第二晶体管M2的栅极处的电压为1.5V,且第二晶体管M2导通,第一节点电压V1的电压值则为2.2V,第二节点电压的电压值为2.9V。由此,在电平转换电路的作用下,连接到电源开关110的控制端(即第五晶体管M5的栅极)处的电压由低压电源VDDlow上电时的电压(1.5V)提升两个Vgs(Vgs=0.7V)左右。又由于第二节点电压V2输入至第四晶体管M4的栅极且第四晶体管M4的源极直接电连接高压电源VDDhigh,因此,在第二节点电压V2为2.9V时,第四晶体管M4导通。如此,第三节点电压V3(即输入至第五晶体管M5的栅极处的电压)只能跟随高压电源VDDhigh输出的电压上升而上升。同时,又由于第五晶体管M5的源极电连接高压电源VDDhigh,因此,第五晶体管M5始终处于断开状态。也就是说,在高压电源VDDhigh输出的电压趋于稳定还未达到稳定期间,无论开关控制模块130中输出的开关控制信号如何跟随低压电源VDDlow上升,作为电源开关110的第五晶体管M5始终处于断开状态,进而,高压电源VDDhigh在上电过程中,系统还未达到稳定状态时,高压电源VDDhigh输出的电压是不会进入模拟电路模块200的。这也就保证了模拟电路模块200的稳定性。
同时,在低压电源VDDlow输出的电压Vlow和上电复位都完成后,即经过T2时间后,此时,低压电源VDDlow输出的电压Vlow达到3.3V,第一节点电压V1的电压值则为3.3V+0.7V=4V。第二节点电压V2的电压值则为4V+0.7V=4.7V。即,第二节点电压V2上升至高压电源VDDhigh输出的电压Vhigh左右。此时,第二节点电压V2不足以打开第四晶体管M4,因而第四晶体管M4始终处于断开状态。由此,电平转换电路120不再能够控制作为电源开关110的第五晶体管M5的导通或断开状态。即,第五晶体管M5不再受电平转换电路120的影响。由此,可通过开关控制模块130中输入的开关控制信号控制第五晶体管M5导通,从而使得高压电源VDDhigh输出的电压Vhigh直接输入至模拟电路模块200即可。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。