CN103974502B - Led光引擎的电子控制装置及其应用 - Google Patents
Led光引擎的电子控制装置及其应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103974502B CN103974502B CN201310755075.6A CN201310755075A CN103974502B CN 103974502 B CN103974502 B CN 103974502B CN 201310755075 A CN201310755075 A CN 201310755075A CN 103974502 B CN103974502 B CN 103974502B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- circuit
- voltage
- light emitting
- emitting diode
- electronic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 61
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 59
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 40
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 31
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 27
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 20
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 15
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 claims description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 9
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 7
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 208000003464 asthenopia Diseases 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008447 perception Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/40—Details of LED load circuits
- H05B45/44—Details of LED load circuits with an active control inside an LED matrix
- H05B45/48—Details of LED load circuits with an active control inside an LED matrix having LEDs organised in strings and incorporating parallel shunting devices
Abstract
本发明所公开的LED光引擎的电子控制装置，根据交流电压源的输入电压上升，由下而上逐级点亮LED阵列，根据交流电压源的输入电压下降，由上而下逐级熄灭LED阵列，有效改善功率因子。而且，在空载时间内，利用填谷电路提供LED阵列电流，改善LED阵列闪烁的现象。另外，设计假负载电路，使在空载时间内输入电流，随输入电压升降而升降，降低谐波失真的情况。
Description
技术领域
本发明涉及LED光引擎的电子控制装置，特别是其利用常闭电子开关(normally closed electronic switches)，依据交流输入电压的大小，依序递增或递减发光二极管阵列(LED array)中受激发发光二极管(excited LED)的数量与电流，以改善功率因子(power factor)，同时可进一步搭配填谷电路(valley filler)改善闪烁现象以及假负载电路(dummy load)，降低总谐波失真。
背景技术
相对于传统灯具，发光二极管具有较高的发光效率(luminousefficacy)，传统灯泡每瓦提供约15流明(15lumens per watt)，而发光二极管则每瓦高达100流明(100lumens per watt)以上，同时发光二极管具有相对寿命较长、较不受外界干扰及不易损坏的优点，是照明设备的首选。
然而，发光二极管需要直流电驱动，而市电为交流电，当交流电转成直流电时，在每周期的低电压区段，尚无法克服发光二极管的正向电压降(forward voltage drop)以驱动发光二极管，导致导通角(conduction angle)狭小以及功率因子降低。导通角是指后级负载导通时，所对应市用交流电的正弦波的弧角，而空载时间是指负载未导通，输入电流(线电流)为零的时间。空载时间越长，导通角就越狭小，功率因子就越低。
第一个问题是传统的LED驱动器须采用滤波器、整流器、以及功率因子校正器(power factor corrector,PFC)等较为复杂的驱动器电路，造成驱动器的成本高昂。同时，发光二极管的寿命虽长，但功率因子校正器所采用的电解电容器却易于损坏，整体寿命相对缩短，无法发挥发光二极管的优点。
第二个问题是空载时间，没有电流通过发光二极管，造成照明设备的闪烁现象。一般市用交流电的频率是60Hz，整流后形成直流电压脉冲，频率为两倍(120Hz)，空载时间所带来的闪烁现象虽不易被人类眼睛察觉，但的确存在。
第三个问题是功率因子降低，功率因子的计算方式为将输入功率除以输入电压(线电压)与输入电流(线电流)的乘积(PF＝P/(V×I)，其中PF为功率因子、P表示输入功率、V及I分别为线电压及线电流的有效值)，用以度量电力的使用效率，当线电压与线电流的相似度越高，表示电力使用效率越好。通常交流电的输入电压波形为正弦波，后级负载的电流如能接近正弦波，其谐波数量少，谐波失真就少，则功率因子越高。输入电流与输入电压的相偏移来自于后级负载电路的总谐波失真，当后级负载电路与正弦波偏离或存在相差时，二级以上的谐波越多，所产生的的谐波失真也越多，总谐波失真就越严重，降低二级以上的谐波数量即可降低总谐波失真。当空载时间越大，导通角越狭小，线电压与线电流的相差越大，功率因子越差，能源效率越差。
简化电路、降低成本、改善发光二极管照明设备的闪烁现象以及提高功率因子，仍是目前发光二极管光源的研发的主要课题。本发明人所提供的解决方案，具有可直接用于交流电路、成本低廉、性能优异、不易损坏且电路简单、无闪烁现象以及提高功率因子等优点，将在下面详细描述本发明。
发明内容
本发明提供一种LED光引擎的电子控制装置，根据输入交流电压，在电压升高时，逐级驱动发光二极管阵列，同时逐级提高线电流；在电压降低时，逐级熄灭LED阵列，同时逐级降低线电流，简化电路、提高发光效率、提高功率因子及降低成本等优点。
本发明提供LED光引擎的电子控制装置，在整流器的两输出端间，设置填谷电路，在空载时间内，提供LED阵列预定的恒定电流，改善LED阵列的闪烁现象。
本发明提供一种LED光引擎的电子控制装置，在整流器的两输出端间，设置假负载电路，在空载时间内，假负载电路导通而抽取线电流，随输入电压循序上升或下降，使线电流跟随线电压波形，减少总谐波失真的情况。
本发明的LED光引擎的电子控制装置包括开关调节器链，与LED阵列链并联设置。LED阵列链是多个LED阵列串联而成，开关调节器链是由多个开关调节器串联而成，除最后一级LED阵列外，开关调节器与LED阵列并联。
任一开关调节器主要包括两个单元，一是旁通开关，一是侦测器。旁通开关是一种常闭开关，即在常态(闸源极未受电压或受压为零的情况，VGS＝0)下，常闭开关为短路(导通)；在受负电压时(VGS<0)，常闭开关为开路(截止)。通常采用N通道空乏型金属氧化物半导体场效应晶体管(n-channel depletion-mode MOSFET)或N通道空乏型接面场效应晶体管(n-channel depletion-mode JFET)实施旁通开关，其在闸源极未受电压或正电压(VGS≧0)时，通道导通(ON state)，在受足够的负电压时(VGS<Vth<0，Vth表示晶体管的截止电压)，信道截止。
侦测器可使用电流侦测器、电压侦测器、光学侦测器或磁学侦测器，而较常使用的是电流侦测器及电压侦测器。
输入电压的上半周期，当输入电压尚未克服下级LED阵列的正向电压降，旁通开关为导通态(ON state)；随着输入电压升高，克服下级LED阵列的正向电压降，但尚未克服当级的LED阵列的正向电压降，侦测器将旁通开关转为调节态(Regulating state)；电压继续升高至克服当级LED阵列正向电压降，侦测器将当级的旁通开关转为截止态(OFFstate)，同时侦测点往上级移动，如此由下而上的方式逐级点亮LED阵列。
输入电压的下半周期，输入电压逐步下降，于输入电仍足以克服当级LED阵列正向电压降时，当级旁通开关维持在截止态(OFF state)；输入电压逐步下降至无法克服当级LED阵列的顺向电压时，但仍克服下级LED阵列的正向电压降，侦测器将旁通开关由截止态(OFF state)转为调节态；输入电压继续下降至无法克服下级LED阵列的正向电压降，侦测器将旁通开关由调节态转为导通态，如此由上而下逐级熄灭LED阵列。
本发明的填谷电路包括可规划定电流源以及至少一个储能电容的串行电路，可规划定电流源电路用以控制储能电容的电压值以及充电的电流值。
当输入电压高于储能电容的电压时，以第一定电流对储能电容充电；当输入电压低于储能电容的电压时，储能电容以第二定电流放电，提供LED阵列所需的电流。由上可知，令储能电容的电压仍能克服最后一级LED阵列的正向电压降，但未能克服最后二级LED阵列的正向电压降，即在空载时间内，点亮最后一级LED阵列，改善闪烁的现象。
本发明的假负载包括电阻负载以及受控开关，电阻负载使得电流跟随输入电压，而受控开关控制在空载时间内，让电流通过电阻负载。
当输入电压落在空载时间内，受控开关导通，使电流通过电阻负载；当输入电压落在空载时间外，受控开关截止，电流无法通过电阻负载而通过LED阵列。因此，在空载时间内，线电流通过电阻负载，随输入电压上升或下降而上升或下降，有效降低谐波失真。
附图说明
图1所示为本发明LED光引擎的电子控制装置的实施例，用以说明主要的电路架构。LED光引擎的电子控制装置是由多个开关调节器串接的开关调节器链，与LED阵列链并联设置，除最后一级LED阵列外，每一开关调节器与LED阵列并联，开关调节器包括旁通开关与侦测器，旁通开关受侦测器控制而转态。
图2A说明本发明发光二极管阵列的点灯策略，其在一周期的前半周期，输入电压逐步升高，以由下而上的方式，逐级点亮LED阵列；在一周期的后半周期，随输入电压下降，以由上而下的方式，逐级熄灭LED阵列。
图2B对应于图2A的线电流波形，其在一周期的前半周期，随输入电压升高，由下而上的方式逐级导通LED阵列，输入电流以阶波方式逐步上升；在一周期的后半周期，随输入电压下降，由上而下的方式逐级截止LED阵列，输入电流以阶波(step wave)方式逐级下降，用以改善功率因子。
图3所示为利用本发明LED光引擎的电子控制装置的LED照明设备的实施例，其以N通道空乏型金属氧化物半导体场效应晶体管(depletion n-MOSFET)作为旁通开关，以分压电路作为电压侦测器。分压电路侦测下级LED阵列的导通情况，控制N通道空乏型金属氧化物半导体场效应晶体管的转态。
图4所示为利用本发明LED光引擎的电子控制装置的LED照明设备的实施例，其以N通道空乏型金属氧化物半导体场效应晶体管作为旁通开关，主要以并联调节器作为电流侦测器控制N通道空乏型金属氧化物半导体场效应晶体管的转态。
图5所示为利用本发明LED光引擎的电子控制装置的LED照明设备的实施例，其以N通道空乏型金属氧化物半导体场效应晶体管作为旁通开关，主要以npn双极接合晶体管作为电流侦测器控制N通道空乏型金属氧化物半导体场效应晶体管的转态。
图6A所示为本发明填谷电路的实施例，填谷电路连接在整流器与电流调节器之间，而与LED阵列并联。填谷电路包括储能电容以及可规划定电流源，可规划定电流源包括金属氧化物半导体场效应晶体管、二极管以及双极接合晶体管。当输入电压高于储能电容的电压时，以一定电流对储能电容充电，而在输入电压低于储能电容的电压时，储能电容以另一定电流放电以供应LED阵列电流，避免空载时间内，LED阵列的闪烁现象。本实施例的特征在于当输入电压高于储能电容的电压时，二储能电容以串联方式充电；在输入电压低于储能电容的电压时，二储能电容以并联方式放电，提供LED阵列电流。
图6B所示为本发明填谷电路的实施例，与图6A所示实施例比较，将串联于储能电容以及可规划定电流源电路的二极管移除，使得二储能电容于输入电压高于储能电容的电压时以串联方式充电，于输入电压低于储能电容的电压时以串联方式放电。
图6C、6D所示为本发明的填谷电路的实施例，与图6B所示实施例比较，仅移除底端储能电容及高端储能电容，电路架构及操作方式并无改变。
图7A及图7B绘示填谷电路对通过LED阵列的电流及线电流的功效。图7A绘示于连接填谷电路前，通过LED阵列的电流以及线电流一致，即在空载时间内，线电流以及通过LED阵列的电流皆为0。图7B绘示连接填谷电路后，在空载时间内，填谷电路的储能电容电压放电，电流通过最后一级LED阵列，但线电流仍为0，空载时间变长。
图8绘示假负载电路，架设在整流器的二输出端(正端与负端)之间，而与LED阵列并联。假负载电路包括电阻负载以及受控开关。在输入电压落在空载时间内，假负载电路的受控开关导通，线电流通过电阻负载；在输入电压落在空载时间外，假负载电路的受控开关截止，电流通过LED照明设备。且在空载时间内，电流通过电阻负载，使得线电流波形跟随线电压波形，有效降低谐波失真的情况，提高功率因子。
图9A及图9B绘示假负载电路的功效。图9A绘示使用假负载电路前，在空载时间内，线电流为零，导致谐波失真，功率因子低。图9B绘示使用假负载电路后，在空载时间内，线电流通过电阻负载，线电流波形跟随线电压波形，降低谐波失真。
符号说明
AC：交流电源
100：整流器
R：电流调节器
G1、G2、Gi、Gi+1、Gn-1、Gn、Gn+1：发光二极管阵列
S1、Si、Sn-1、Sn：旁通开关
T1、Ti、Tn-1、Tn：侦测器
t0、t1、t2、tn-1、tn、tn+1、tn+2、t2n-1、t2n：时间
VG0、VG1、VG2、VGi、VGi+1、VGn、VGn+1：电压
200：填谷电路
300：假负载电路
ri0、ri1、R200、Rd：电阻
C1、C2：电容
D1、D2、D200：二极管
M200、B200、M300：晶体管
P300：分压电路
SR300：并联调节器
具体实施方式
一般而言，交流电源的输出电压为正弦波形，经整流器整流后，以正弦波的前半周为周期的脉冲直流波形的脉冲电压，再应用于LED照明装置。
每周期前半段的开始与后半段的结束的低电压区段，输入电压无法克服LED的正向电压降，无电流通过，形成空载时间。另，LED照明设备通常是由LED阵列构成。当LED数量较多时，正向电压降提高，使得空载时间(dead time)变大，导通角变得更狭小，降低功率因子。
针对导通角狭小的问题，传统的解决方式是利用功率因子校正器将整流后交流电压推升至高于所有LED阵列正向电压降的总和的一直流电压值。但，功率因子校正器所采用的电解电容器容易毁损，使得发光二极管无法发挥预期的效用。
本发明的点灯策略是将LED阵列(本文也称为LED阵列链)，分割为多个LED子阵列(subarray)(本文中LED子阵列与LED阵列等名称交互使用)，通过开关调节器串所构成的LED光引擎的电子控制装置，在一周期的前半周期，随着输入电压升高，由下而上逐级点亮LED子阵列，且线电流逐步升高；在一周期的后半周期，随着输入电压下降，由上而下逐级熄灭LED子阵列，线电流逐步降低，与传统的LED阵列的照明设备比较，可明显提升功率因子。
请参考图1所示本发明的LED光引擎的电子控制装置的电路架构。首先利用整流器100将交流正弦波转为直流脉冲电压源，电流调节器R提供后级负载电流以及限制最大输出电流，避免损害后级电路。
LED光引擎的电子控制装置包括开关调节器链，与LED阵列链并联设置。LED阵列链是多个LED阵列(图中标示为G1、…、Gi、…、Gn+1)串接而成。开关调节器链由多个开关调节器串接而成，除最后一级LED阵列外，开关调节器与一LED阵列并联。任一开关调节器主要包括两个单元，一是旁通开关，图中标示为S1、…、Si、…、Sn；一是侦测器，图中标示为T1、…、Ti、…、Tn。
电流调节器主要包括金属氧化物半导体场效应晶体管(作为开关)，其与并联调节器或npn双极接合晶体管(开关的控制电路)串联，并联调节器或npn双极接合晶体管的串行电路用以控制该金属氧化物半导体场效应晶体管的导通与截止。
旁通开关(S1、…、Si、…、Sn)是一种常闭开关，即在常态下，旁通开关为短路(导通)，这里所称常态是指旁通开关未受到控制电压或控制电压为零的情况；而施以负电压时，常闭开关为开路(截止)。本发明的旁通开关(S1、…、Si、…、Sn)是由N通道空乏型金属氧化物半导体场效应晶体管(n-channel depletion-mode metal oxidesemiconductor field effect transistor,NDMOSFET)或N通道空乏型接面场效应晶体管(n-channel depletion-mode junction field effect transistor,NDJFET)，其特征是其闸源极的电压不小于零时(VGS≧0)，N通道空乏型金属氧化物半导体场效应晶体管或N通道空乏型接面场效应晶体管为导通(闭路)，闸源极受足够负电压时(VGS<Vth<0，Vth为晶体管的截止电压)，N信道空乏型金属氧化物半导体场效应晶体管或N通道空乏型接面场效应晶体管截止(开路)。
侦测器(T1、…、Ti、…、Tn)为电流侦测器、电压侦测器、光学侦测器或磁学侦测器，而较常使用的是电流侦测器及电压侦测器。
侦测器(Ti)侦测到下级LED阵列(Gi+1)导通时，产生电压控制信号于旁通开关(Si)，旁通开关(Si)截止，形成开路。
旁通开关(Si)受侦测器(Ti)的控制而具有三态，分别为导通态(ON state)、调节态(Regulating state)以及截止态(OFF state)。随着输入电压升高或下降，侦测器(Ti)侦测下级LED阵列(Gi+1)的导通情况，使旁通开关(Si)转态。
在输入电压的上半周期，输入电压由零逐渐升高。当输入电压尚未克服下级LED阵列的正向电压降(VGn+1+VGn+…+VGi+1)，无电流通过下级LED阵列(Gi+1)，侦测器(Ti)未能产生电压控制信号，旁通开关(Si)维持导通态(ON state)。随着输入电压升高至克服下级LED阵列(Gi+1)的正向电压降(VGn+1+VGn+…+VGi+1)，但尚未克服当级的LED阵列(Gi)的正向电压降(VGn+1+VGn+…+VGi+1+VGi)，旁通开关(Si)原为导通态(ON)，电流经旁通开关(Si)至下级LED阵列(Gi+1)，随即侦测器(Ti)侦测到下级LED阵列(Gi+1)导通，产生电压控制信号而截止旁通开关(Si)，使得此阶段内，旁通开关(Si)快速切换导通与截止状态，称为调节态(Regulating state)。电压继续升高至克服当级LED阵列(Gi)正向电压降(VGn+1+VGn+…+VGi+1+VGi)，电流经当级LED阵列(Gi)通过下级LED阵列(Gi+1)，侦测器(Ti)产生电压控制信号，使旁通开关(Si)保持截止，此阶段称为截止态(OFF state)，同时侦测点往上级移动，侦测器(Ti-1)使上级旁通开关(Si-1)开始转态，如此由下而上的方式逐级点亮LED阵列。
在输入电压的下半周期，输入电压逐渐下降。当输入电压仍能克服当级LED阵列(Gi)正向电压降(VGn+1+VGn+…+VGi+1+VGi)，旁通开关(Si)维持在截止态(OFF state)，电流通过当级LED阵列(Gi)至下级LED阵列(Gi+1)；输入电压继续下降至无法克服当级LED阵列(Gi)的顺向电压(VGn+1+VGn+…+VGi+1+VGi)，但仍能克服下级LED阵列(Gi+1)的顺向电压(VGn+1+VGn+…+VGi+1)时，侦测器(Ti)将当级旁通开关(Si)由截止切换为导通，随即又由导通切换为截止，在此阶段内，当级旁通开关(Si)不断切换截止与导通状态，进入调节态(Regulating state)；当输入电压继续下降至无法克服下级LED阵列(Gi+1)的正向电压降(VGn+1+VGn+…+VGi+1)，侦测器(Ti)将当级旁通开关(Si)由调节态转为导通态(ON state)，同时侦测点继续往下级移动，由上而下逐级熄灭LED阵列至周期结束，然后重新一个周期，如此循环。
图2A绘示LED阵列的驱动模式，说明输入电压的一周期内，点亮LED阵列(G1、…、Gi、…、Gn+1)的策略。图2B绘示出对应于图2A的线电流波形图，说明输入电压一周期内，输入电流(线电流)的波形。
如图2A所示，周期初始于低电压时(0～t0)，输入电压尚无法克服最后一级LED阵列(Gn+1)的正向电压降(Vi<VGn+1，Vi为输入电压)，旁通开关(Sn)为导通态(ON state)，但无电流通过LED阵列(G1、G2、…、Gn+1)，形成空载时间(dead time)，如图2B所示空载时间(0～t0)的电流。
输入电压升高至克服最后一级LED阵列(Gn+1)的正向电压降，但尚无法克服当级LED阵列(Gn)的正向电压降(VGn+1≦Vi＜VGn+1+VGn)的期间(t0～t1)，电流经旁路开关(S1、…、Si、…、Sn)至最后一级LED阵列(Gn+1)，此时侦测器(Tn)将旁通开关(Sn)转为调节态(Regulating state)，随着旁通开关(Sn)快速切换，旁通开关(Sn)切换至导通态时，电流急速上升。如电流高于定电流I0，旁通开关(Sn)切换至截止态，电流急速下降，如电流低于定电流I0，旁通开关(Sn)切换至导通态，如此使得电流维持恒定在电流I0，即此阶段内，以定电流方式点亮最后一级LED阵列(Gn+1)，图2B将此阶段电流标示为I0。
输入电压继续升高至克服当级LED阵列(Gn)的正向电压降(VGn+1+VGn≦Vi)时(t1～t2)，侦测器(Tn)将旁通开关(Sn)转为截止态(OFF state)，电流经当级LED阵列(Gn)至下级LED阵列(Gn+1)，如图2A所示。在时点t1，输入电压升高至刚刚克服LED阵列(Gn+1、Gn)的正向电压降之和时，电流通过旁通开关(S1、S2、…、Sn-1)以及LED阵列(Gn+1、Gn)，电路的阻值不大，输入电流急速上升至电流(I1)，同时旁通开关(Sn-1)进入调节态，而将输入电流固定在I1,，且I1>I0，旁通开关(Sn)进入截止态。同时侦测点移到上级LED阵列(Gn-1)，侦测器(Tn-1)开始侦测当级LED阵列(Gn)以控制上级旁通开关(Sn-1)的转态。
依此方式，一周期的前半周期，旁通开关由下往上的方式，由导通态转换至调节态，再转换至截止态，由下往上逐级步点亮LED阵列(Gn+1、Gn、…、Gi、…、G2、G1)如图2A所示，而电流呈现上升的阶波波形(I0<I1<…<In)，如图2B所示。而在后半周期，旁通开关由上往下的方式，由截止态转换至调节态，再转换至导通态，由上往下逐级步熄灭LED阵列(G1、G2、…、Gi、…、Gn、Gn+1)如图2A所示，而电流呈现下降的阶波波形(In>In-1>…>I0)，如图2B所示。
特别说明，在输入电压的峰值附近的期间(tn～tn+1)，所有的LED阵列(Gn+1、Gn、…、Gi、…、G2、G1)皆被点亮，电流受电流调节器R调节，电流维持定值，图2B中标示为In。
图3至5绘示的实施例，用以举例说明本发明的具体电路结构，需特别说明，这些实施例是用以说明本发明的实施方式，而非限制本发明的范围。其中，图3所示的是采用电压侦测的技术手段，图4、5所示的是采用电流侦测的技术手段。
请参考图3，旁通开关(Si)是N通道空乏型金属氧化物半导体场效应晶体管，闸源极在常态下(闸源极电压VGS＝0)，晶体管为导通(闭路)，闸源极受足够的负压(VGS<Vth<0)，晶体管截止(开路)。
侦测器(Ti)为分压电路(串联电阻(ri0,ri1))，跨接在下级LED阵列(Gi+1)上，如下级LED阵列(Gi+1)导通，分压电路的分压(串联电阻(ri0,ri1)连接节点的电压)作用于旁通开关(Si)上，旁通开关(Si)的闸源极受负压VGS＝-VF×ri1/(ri0+ri1)，其中VF表示所跨接LED的正向电压降。图3是示意图，实际LED可为较多或较少的LED串行或包括部分并联的LED阵列，分压电路可跨接一个以上的LED。
以N通道空乏型金属氧化物半导体场效应晶体管实施旁通开关(Si)，因此在常态下为导通态(ON state)。在一周期的开始(即图2B的0-t0时间内)，输入电压经旁通开关阵列(S1、S2、…、Sn)作用于最后一级LED阵列(Gn+1)，但尚未能克服最后一级LED阵列(Gn+1)的正向电压降(Vi<VGn+1)，无电流通过，形成空载时间(dead time)。
随着输入电压升高，在时间(t0–t1)时，克服最后一级LED阵列(Gn+1)的正向电压降，尚未克服当级LED阵列(Gn)的正向电压降(VGn+1≦Vi<VGn+VGn+1)，旁通开关(Sn)导通(闭路)，电流经旁通开关阵列(S1、S2、…、Sn)至最后一级LED阵列(Gn+1)，随即侦测器(Tn)产生电压控制信号，使得旁通开关(Sn)进入调节态，电流保持恒定(电流I0，参考图2B)。
输入电压继续升高，在时间(t1–t2)时，克服当级LED阵列(Gn)的正向电压降(VGn+VGn+1≦Vi)，电流经当级LED阵列(Gn)至最后一级LED阵列(Gn+1)，侦测器(Tn)产生电压控制信号，旁通开关(Sn)保持截止(开路)，进入截止态(OFF state)，侦测点往上，上级侦测器(Tn-1)使得上级旁通开关(Sn-1)进入调节态，电流保持恒定(I1)。依此方式，由下而上逐级点亮LED阵列(Gn、Gn-1、…、G1)。
请参考图4与图5所示实施例在侦测器(Ti)采用电流侦测技术的实施例。图4的实施例主要是以并联调节器(shunt regulator)实施侦测器，其具体电路是在LED阵列(Gn+1、Gn、…、G1)末连接侦测电阻Rd，将并联调节器的参考极(Reference terminal,R)与阳极(Anode,A)跨接在侦测电阻Rd上，并联调节器的阴极(cathode,K)透过分压电路(串联电阻(ri0,ri1))连接在N通道空乏型金属氧化物半导体场效应晶体管(旁通开关(Si)的闸源极)。
并联调节器的特征是当参考端与阳极间的电压等于参考电压时(VRA＝Vref)，其阳极与阴极的信道导通(AK导通)，小于参考电压时(VRA<Vref)时，阳极与阴极的信道截止。利用并联调节器导通与截止，经分压电路产生负电压于(电压控制讯号)旁通开关的闸源极(VGS)上。
在一周期的开始，即空载时间(即图2B的0-t0时间内)，输入电压尚未能克服最后一级LED阵列(Gn+1)的正向电压降(Vi<VGn+1)，无电流通过侦测电阻Rd，并联调节器的参考端与阳极的电压为零(VRA＝0)，旁通开关为导通态(ON state)。
输入电压升高至克服最后一级LED阵列(Gn+1)的正向电压降，尚不足以克服当级LED阵列(Gn)的正向电压降(VGn+1≦Vi＜VGn+1+VGn)，即图2B的t0-t1时间内，侦测器(Ti)使得并联调节器快速切换其导通与截止，旁通开关(Sn)随之快速切换其截止态与导通态，进入调节态(Regulating state)，电流维持在I0。
输入电压继续逐渐升高(t1-t2时间)至克服当级LED阵列(Gn)以及最后一级LED阵列(Gn+1)的正向电压降(VGn+1+VGn≦Vi)，电流经当级LED阵列(Gn)至最后一级LED阵列(Gn+1)，当级并联调节器恒导通，当级旁通开关(Sn)恒截止而进入截止态，侦测点往上移动，上级旁通开关(Sn-1)进入调节态，电流维持在I1。
依此方式，在一周期的前半周期，逐级点亮发光二极管阵列(Gn+1、Gn、…、G1)，后半周期逐级熄灭发光二极管阵列(G1、G2、…、Gn+1)。
请参考图5也为电流侦测的实施例，与图4所示实施例的不同在于侦测器Ti是以NPN双极接合晶体管(NPN-BJT)取代并联调节器以实施侦测器，当然也可为其他的晶体管，如pnp双极接合晶体管等。将图4实施例是将NPN双极接合晶体管的基-射极跨接在侦测电阻Rd的两端，利用输入电压(Vi)与NPN双极接合晶体管的基-射极的导通电压(VBE)比较，以控制旁通开关(Si)的转态，原理与并联调节器相同，本文不再赘述。由上可知，本发明的主要技术手段是利用并联调节器或NPN双极接合晶体管，在下级LED阵列导通时，透过侦测电阻Rd的跨电压与一参考电压比较，进而控制旁通开关的转态，因此也可利用比较器或比较器电路实施侦测器。
依据上述实施例，在空载时间时，LED阵列(G1、G2、…、Gn+1)熄灭会有闪烁现象，其频率约为输入的交流电的两倍，人类眼睛虽无法感知，但的确存在，且容易导致眼睛疲劳。发明人为解决此种闪烁现象，特别设计填谷电路，其能在空载时间提供电流予LED阵列(Gn+1)而避免闪烁现象。
图6A、6B、6C、6D例示不同填谷电路的实施例，其原理雷同。填谷电路主要是包括储能电容以及可规划定电流源，可规划定电流源控制储能电容的电压以及充电电流。在输入电压高于储能电容电压时，以第一定电流对储能电容充电，输入电压低于储能电容电压时，储能电容放电，供应LED阵列电流。
首先，以图6A所示实施例来说明填谷电路的的原理。填谷电路200连接在电流调节器R与整流器100之间，与LED照明设备的电路并联。填谷电路200包括第一储能回路、第二储能回路以及可规划定电流源电路。第一储能回路包括第一储能电容C1与二极管D1，第二储能回路包括二极管D2与第二储能电容C2，第一储能回路与第二储能回路并联设置。可规划定电流源电路包括晶体管M200、二极管D200的串行电路以及npn双极晶体管B200与电阻R200的电路，npn双极晶体管B200用以控制晶体管M200的导通与截止。可规划定电流源电路连接于第一储能电容C1与第二储能电容C2间。
当输入电压大于填谷电路200的储能电容的电压(V200)时，储能回路的二极管D1、D2逆偏而截止，可规划定电流源电路的二极管D200顺偏，电流通过第一储能电容C1、可规划定电流源电路以及第二储能电容C2而充电，亦即储能电容C1、C2串联充电。充电电流为npn双极晶体管B200的基-射极电压与电阻R200的比值(充电电流I＝VBE/R200)。
当输入电压小于填谷电路200的储能电容的电压(V200)时，二极管D1、D2顺偏而导通，可规划定电流源电路的二极管D200逆偏。填谷电路200的储能电容C1、C2放电(discharging)，所释放的电流经第一储能电容C1、LED光引擎的电子控制装置、LED阵列(Gn+1)及二极管D1形成第一释电回路；另外第二储能电容C2、二极管D2、LED光引擎的电子控制装置及LED阵列(Gn+1)及形成第二释电回路，第一个回路与第二个回路并联，即储能电容C1、C2并联放电。放电电流由侦测器(Tn)的npn双极接合晶体管的基-射极电压与侦测电阻Rd比(I＝VBE/Rd)决定。
由上可知，选择适当的电阻R200，可设定适当的储能电容电压以及充电电流。特别说明，填谷电路200的目的在于提供空载时间内，提供最后一级LED阵列(Gn+1)所需的电流，因此将储能电容的电压设定在介于最后一级LED阵列(Gn+1)以及后二级LED阵列(Gn+1+Gn)的正向电压降间(即VGn+1<V200<(VGn+1+VGn)之间)。另外，当输入电压小于储能电容的电压时，由储能电容放电供应LED阵列电流，使得空载时间变长，因此所设定的储能电容的电压略高于最后一级LED阵列(Gn+1)的正向电压降，但越接近越好。
图6B所示填谷电路200的实施例与图6A类似，但移除二极管D1、D2以及二极管D200，使得二储能电容为串行电路，即此实施例的储能电容串联充电、串联放电。图6C及图6D为图6B电路的简化，图6C仅保留第一储能电容C1，而图6D仅保留第二储能电容C2。
图7A与图7B说明使用填谷电路对空载时间所产生的效果。图7A绘示使用填谷电路前，流过LED阵列的电流及线电流一致，图中实线表示通过LED阵列的电流，虚线表示线电流。通过LED阵列的电流是经整流器，呈现正弦波的正半周期脉冲波形，而线电流为交流电，呈现正弦波形。图7B绘示填谷电路的效果，其空载时间变长(线电流＝0)，但在空载时间填谷电路的储能电容供应LED阵列，虚线标示出线电流，可看出空载时间延长，实线标示通过LED阵列电流波形，空载时间内，由填谷电路的储能电容提供最后一级LED阵列所需的电流，有效改善闪烁现象。
为降低空载时间所导致谐波失真的问题，发明人设计假负载电路，其主要包括电阻负载以及受控开关，电阻负载使得线电流跟随线电压波形，受控开关用以控制电阻负载，在空载时间内，线电流通过电阻负载，在空载时间之外，线电流通过LED阵列。
图8所示实施例的假负载电路系架设在整流器二端间，与LED阵列的电路并联。电阻负载R300与受控开关M300串联，受控开关M300导通时，电流通过电阻负载R300，受控开关M300截止时，电流通过LED阵列。分压电路P300架设在整流器的两端间，提供比较电压给并联调节器SR300，并联调节器SR300提供受控开关M300的控制信号。分压电路P300分压输入并联调节器SR300的参考极，比较分压电路P300的分压与其参考电压，控制并联调节器SR300的导通与截止。分压电路P300的分压等于并联调节器SR300的参考电压时，并联调节器SR300导通，拉掉受控开关M300的闸极电压，受控开关M300截止；分压电路P300的分压小于并联调节器SR300的参考电压时，并联调节器SR300截止，受控开关M300导通，利用分压电路P300的分压即可有效控制晶体管M300的导通与截止。
在空载时间内，分压电路P300提供较低的比较电压，并联调节器SR300截止，晶体管M300导通，线电流通过电阻负载R300，直接抽取线电流以修正电流波形。在空载时间外时，分压电路P300提供较高的比较电压，并联调节器SR300导通，晶体管M300截止，电流通过LED照明设备。假负载电路在空载时间内，让线电流通过电阻负载R300，使得线电流波形跟随线电压波形，有效提升功率因子。
由上可知，假负载电路是利用分压电路所产生的比较电压与参考电压的比较，切换晶体管M300，因此也可使用比较器或比较电路。
图9A是未使用假负载电路300的线电流波形图，在空载时间内，线电流与通过LED阵列的电流一致，皆为零，导致谐波失真。图9B是使用假负载电路300的线电流波形图，在空载时间内，线电流通过电阻负载R300，线电流波形跟随电压波形，降低谐波失真的情形，有效的改善功率因子。
此处特别说明，本发明的LED光引擎的电子控制装置整合于集成电路上，或以模块区分而设计于不同的集成电路，再整合于一电路板上。
例如，将整流器、电流调节器、旁通开关串行、填谷电路以及假负载整合于一集成电路。
又如，将整流器、电流调节器与旁通开关串整合于集成电路，填谷电路以及假负载分别形成另一集成电路，再整合于电路板上。
将外部的LED阵列连接于LED光引擎的电子控制装置、填谷电路以及假负载电路上，而完成LED照明设备。
根据上述内容已描述了本发明的原理、优选实施例以及操作模式。然而，本发明不应被理解成限制于上述特定实施例。相反地，以上所描述的实施例应该被视为例示而非限制，并且应该要体认为在不脱离以下申请专利范围所定义的本发明范围的情况之下，本领域技术人员可对这些实施例做出改变。
Claims (21)
1.一种LED光引擎的电子控制装置，包括：
整流器，该整流器用于连接外部交流电压源；
电流调节器，该电流调节器连接所述整流器；以及
开关调节器链，该开关调节器链是由多个开关调节器串联而成，与所述电流调节器串联连接，并与外部发光二极管阵列链并联设置，该外部发光二极管阵列链是由多个发光二极管阵列串联而成，除最后一级发光二极管阵列外，每一所述开关调节器与其余每一级发光二极管阵列一一并联连接，任一所述开关调节器都包括旁通开关以及侦测器，每一所述侦测器具有第一端、第二端以及第三端，所述第一端、所述第二端以及所述第三端中任二端连接至不同端点，任一该侦测器侦测下一级所述发光二极管阵列以切换当级旁通开关的状态，并且任一该当级旁通开关为常闭开关，即当未受电压或受零电压时，旁通开关的通道常闭而使得该旁通开关导通，任两个相邻所述旁通开关的通道彼此直接相连；其中，
当输入电压未能克服下级所述发光二极管阵列的正向电压降时，该当级旁通开关导通，称为导通态；
当输入电压克服下级所述发光二极管阵列的正向电压降，但未能克服当级所述发光二极管阵列的正向电压降时，该当级旁通开关快速切换导通与截止，称为调节态；
当输入电压能克服当级所述发光二极管阵列的正向电压降时，该当级旁通开关截止，称为截止态。
2.如权利要求1所述的LED光引擎的电子控制装置，其中任一所述旁通开关是N通道空乏型金属氧化物半导体场效应晶体管，或N通道空乏型接面场效应晶体管。
3.如权利要求1所述的LED光引擎的电子控制装置，其中任一所述侦测器是电流侦测器、电压侦测器、光学侦测器或磁学侦测器。
4.如权利要求1所述的LED光引擎的电子控制装置，其中所述侦测器是电压侦测器，该电压侦测器包括分压电路，跨接于下一级所述发光二极管阵列的一个或多个发光二极管，该分压电路的分压提供该当级旁通开关的控制信号。
5.如权利要求1所述的LED光引擎的电子控制装置，其中所述侦测器是电流侦测器，该电流侦测器包括分压电路、npn双极接合晶体管以及侦测电阻，该侦测电阻串接在下级所述发光二极管阵列后，该npn双极接合晶体管的基极与射极跨接在所述侦测电阻的两端，该分压电路设置在下级所述发光二极管阵列之前与该npn双极接合晶体管的集极间，该分压电路的分压提供该当级旁通开关的控制信号。
6.如权利要求1所述的LED光引擎的电子控制装置，其中所述侦测器是电流侦测器，该电流侦测器包括分压电路、并联调节器以及侦测电阻，该侦测电阻串接在下级所述发光二极管阵列后，该并联调节器的阳极与参考极跨接在该侦测电阻的两端，该分压电路设置在下级所述发光二极管阵列之前与该并联调节器的阴极间，该分压电路的分压提供该当级旁通开关的控制信号。
7.如权利要求1所述的LED光引擎的电子控制装置，其中所述侦测器是比较器。
8.如权利要求1所述的LED光引擎的电子控制装置，其中所述电流调节器包括金属氧化物半导体场效应晶体管以及npn双极接合晶体管，该npn双极接合晶体管用于控制该金属氧化物半导体场效应晶体管的导通与截止。
9.如权利要求1所述的LED光引擎的电子控制装置，其中所述电流调节器包括金属氧化物半导体场效应晶体管以及并联调节器，该并联调节器用以控制该金属氧化物半导体场效应晶体管的导通与截止。
10.如权利要求1所述的LED光引擎的电子控制装置，还包括填谷电路，该填谷电路连接于该电流调节器与该整流器之间，该填谷电路在空载时间内，提供足以克服最后一级所述发光二极管阵列的正向电压降的电压。
11.如权利要求10所述的LED光引擎的电子控制装置，其中所述填谷电路包括：
第一储能回路，该第一储能回路包括第一储能电容与第一二极管的串行电路；
第二储能回路，该第二储能回路包括第二二极管与第二储能电容的串行电路；
可规划定电流源电路，该可规划定电流源电路包括金属氧化物半导体场效应晶体管、第三二极管与第一电阻的第一串行电路，以及npn双极晶体管与第二电阻的第二串行电路，所述第一串行电路与所述第二串行电路并联设置；其中该可规划定电流源电路连接于该第一储能电容与该第二储能电容之间。
12.如权利要求10所述的LED光引擎的电子控制装置，其中所述填谷电路包括：
储能回路，该储能回路包括第一储能电容与第二储能电容的串行电路；
可规划定电流源电路，该可规划定电流源电路包括金属氧化物半导体场效应晶体管与第一电阻的第一串行电路，以及npn双极晶体管与第二电阻的第二串行电路，所述第一串行电路与所述第二串行电路并联设置；其中该可规划定电流电路连接于该第一储能电容与该第二储能电容之间。
13.如权利要求10所述的LED光引擎的电子控制装置，其中所述填谷电路包括：
储能回路，该储能回路包括储能电容；
可规划定电流源电路，该可规划定电流源电路连接所述储能电容，包括金属氧化物半导体场效应晶体管与第一电阻的第一串行电路，以及npn双极晶体管与第二电阻的第二串行电路，所述第一串行电路与所述第二串行电路并联设置。
14.如权利要求1所述的LED光引擎的电子控制装置，还包括假负载电路，设置于所述整流器后，所述整流器的正端与负端间。
15.如权利要求14所述的LED光引擎的电子控制装置，其中所述假负载电路包括：
电阻负载；
受控开关电路，该受控开关电路连接该电阻负载，该受控开关电路包括晶体管、并联调节器以及分压电路的串行电路。
16.如权利要求1所述的LED光引擎的电子控制装置，实施于集成电路上，或以模块区分实施于多个集成电路，再整合于电路板上。
17.一种发光二极管阵列的照明设备，包括：
如权利要求1所述的LED光引擎的电子控制装置；以及
发光二极管阵列链，其中该发光二极管阵列链与该LED光引擎的电子控制装置并联设置。
18.一种LED光引擎的电子控制装置的集成电路，其包括：
整流器，该整流器用于连接外部交流电压源；
电流调节器，该电流调节器连接该整流器；以及
开关调节器链，该开关调节器链是由多个开关调节器串联而成，与所述电流调节器串联连接，并且与外部发光二极管阵列链并联设置，该外部发光二极管阵列链是由多个发光二极管阵列串联而成，除最后一级所述发光二极管阵列外，每一所述开关调节器与其余每一级发光二极管阵列一一并联连接，任一所述开关调节器包括旁通开关以及侦测器，每一所述侦测器具有第一端、第二端以及第三端，所述第一端、所述第二端以及所述第三端中任二端连接至不同端点，任一该侦测器侦测下一级所述发光二极管阵列以切换当级旁通开关的状态，并且任一该当级旁通开关为常闭开关，即当未受电压或受零电压时，旁通开关的通道常闭而使得该旁通开关导通，任两个相邻所述旁通开关的通道彼此直接相连；其中，
当输入电压未能克服下级所述发光二极管阵列的正向电压降时，该当级旁通开关导通，称为导通态；
当输入电压克服下级所述发光二极管阵列的正向电压降，但未能克服当级所述发光二极管阵列的正向电压降时，该当级旁通开关快速切换导通与截止，称为调节态；
当输入电压能克服当级所述发光二极管阵列的正向电压降时，该当级旁通开关截止，称为截止态。
19.如权利要求18所述的LED光引擎的电子控制装置的集成电路，还包括填谷电路，该填谷电路连接于所述电流调节器与所述整流器之间，该填谷电路在空载时间内，提供足以克服最后一级所述发光二极管阵列的正向电压降的电压，其中该填谷电路包括：
储能回路；以及
可规划定电流源电路，其中该可规划定电流源电路与所述储能回路串联，该可规划定电流源电路控制所述储能电容的电压与充电电流。
20.如权利要求18所述的LED光引擎的电子控制装置的集成电路，还包括假负载电路，该假负载电路设置于该整流器后，该整流器的正端与负端间，其中该假负载电路包括：
电阻负载；以及
受控开关，其中所述电阻负载与该受控开关串联，该受控开关控制所述电阻负载，在空载时间内，使电流通过所述电阻负载，在空载时间外，截止该电阻负载。
21.一种发光二极管阵列的照明设备，包括：
如权利要求18所述的LED光引擎的电子控制装置的集成电路；以及
发光二极管阵列链，其中该发光二极管阵列链与该LED光引擎的电子控制装置的集成电路并联设置。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW102103700 | 2013-01-31 | ||
| TW102103700 | 2013-01-31 | ||
| TW102140348A TWI510136B (zh) | 2013-01-31 | 2013-11-06 | Ｌｅｄ光引擎的電子控制裝置及其應用 |
| TW102140348 | 2013-11-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103974502A CN103974502A (zh) | 2014-08-06 |
| CN103974502B true CN103974502B (zh) | 2016-10-05 |
Family
ID=51222160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310755075.6A Expired - Fee Related CN103974502B (zh) | 2013-01-31 | 2013-12-30 | Led光引擎的电子控制装置及其应用 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9107264B2 (zh) |
| CN (1) | CN103974502B (zh) |
| TW (1) | TWI510136B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108184280A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-06-19 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种集成传感器的led光引擎 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8373363B2 (en) * | 2009-08-14 | 2013-02-12 | Once Innovations, Inc. | Reduction of harmonic distortion for LED loads |
| WO2013110052A1 (en) * | 2012-01-20 | 2013-07-25 | Osram Sylvania Inc. | Lighting systems with uniform led brightness |
| TW201538030A (zh) * | 2014-03-26 | 2015-10-01 | Prolight Opto Technology Corp | 可調光的交流發光二極體裝置 |
| US9445470B2 (en) * | 2014-06-26 | 2016-09-13 | Dynascan Technology Corp. | LED control circuit with self-adaptive regulation |
| US20150382409A1 (en) * | 2014-06-28 | 2015-12-31 | Microchip Technology Inc. | Sequential linear led driver utilizing headroom control |
| CN104159372A (zh) * | 2014-08-12 | 2014-11-19 | 无锡中科新能源股份有限公司 | 一种高压led光引擎 |
| KR101704564B1 (ko) * | 2014-09-11 | 2017-02-09 | 주식회사 동부하이텍 | 발광 소자 구동 장치 및 이를 포함하는 발광 모듈 |
| JP2016063030A (ja) * | 2014-09-17 | 2016-04-25 | シチズンホールディングス株式会社 | Ｌｅｄ駆動回路 |
| DE102014218687A1 (de) * | 2014-09-17 | 2016-03-17 | Osram Gmbh | Schaltungsanordnung zum Betreiben mindestens einer ersten und einer zweiten Kaskade von LEDs |
| DE102014114851A1 (de) * | 2014-10-14 | 2016-04-14 | Atlas Elektronik Gmbh | Schaltung zum netzkonformen Betreiben von Leuchtdioden sowie Leuchtmittel und Leuchte |
| JP2018501628A (ja) * | 2015-01-13 | 2018-01-18 | フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ | 光感知要素を用いて制御されるｌｅｄ照明要素の動作 |
| HUE054457T2 (hu) | 2015-03-26 | 2021-09-28 | Silicon Hill Bv | LED-es világítási rendszer |
| DE102015117481A1 (de) * | 2015-10-14 | 2017-04-20 | Atlas Elektronik Gmbh | Schaltung zum flackerarmen und normgemäßen Betreiben von Leuchtdioden, sowie Leuchtmittel und Leuchte |
| WO2017113068A1 (en) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | Dialog Semiconductor (Uk) Limited | Solid state lighting assembly |
| FR3049421B1 (fr) * | 2016-03-24 | 2020-11-27 | Aledia | Circuit optoelectronique comprenant des diodes electroluminescentes |
| CN106028557B (zh) * | 2016-07-08 | 2018-01-05 | 上海灿瑞科技股份有限公司 | 高功率因数低总谐波失真的led恒流驱动电路 |
| US9794992B1 (en) * | 2016-07-27 | 2017-10-17 | Vastview Technology Inc. | Universal method for driving LEDs using high voltage |
| WO2018140649A1 (en) * | 2017-01-25 | 2018-08-02 | Cooper Technologies Company | Power regulation for lighting fixtures |
| CN107567130B (zh) * | 2017-08-21 | 2023-09-12 | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 | 供电电路及应用其的led驱动电路 |
| PL423070A1 (pl) * | 2017-10-04 | 2019-04-08 | Dubiel Vitrum Spółka Jawna | Układ elektryczny lustra z oświetleniem tylnym LED |
| CN110831290B (zh) * | 2019-11-29 | 2021-09-17 | 北京空间技术研制试验中心 | Led照明驱动器 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2590315A1 (en) * | 2004-12-07 | 2006-06-15 | Elumen Lighting Networks Inc. | System and method for controlling a matrix of light emitting diodes and light provided therewith |
| CN101959350A (zh) * | 2010-10-15 | 2011-01-26 | 珠海市绿色照明科技有限公司 | 无电解电容led电源的功率变换方法及其应用电路 |
| TW201218851A (en) * | 2010-10-29 | 2012-05-01 | Numen Technology Inc | which can ignite different number of LED's, and can enhance the efficiency of stacked LED driving circuit |
| CN102612861A (zh) * | 2009-11-13 | 2012-07-25 | 日亚化学工业株式会社 | 发光二极管驱动装置及发光二极管的点亮控制方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101483662B1 (ko) * | 2006-09-20 | 2015-01-16 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 발광 소자 제어 시스템 및 이를 포함한 조명 시스템 |
| US8242704B2 (en) * | 2008-09-09 | 2012-08-14 | Point Somee Limited Liability Company | Apparatus, method and system for providing power to solid state lighting |
| US8174212B2 (en) * | 2008-11-30 | 2012-05-08 | Microsemi Corp.—Analog Mixed Signal Group Ltd. | LED string driver with light intensity responsive to input voltage |
| US8324840B2 (en) * | 2009-06-04 | 2012-12-04 | Point Somee Limited Liability Company | Apparatus, method and system for providing AC line power to lighting devices |
| JP5471330B2 (ja) * | 2009-07-14 | 2014-04-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード駆動回路及び発光ダイオードの点灯制御方法 |
| TWI423726B (zh) * | 2009-12-02 | 2014-01-11 | Aussmak Optoelectronic Corp | 發光裝置 |
| TWI422278B (zh) * | 2010-05-25 | 2014-01-01 | Optromax Electronics Co Ltd | 照明裝置與其光源控制電路 |
| US8742671B2 (en) * | 2011-07-28 | 2014-06-03 | Cree, Inc. | Solid state lighting apparatus and methods using integrated driver circuitry |
-
2013
- 2013-11-06 TW TW102140348A patent/TWI510136B/zh not_active IP Right Cessation
- 2013-12-30 CN CN201310755075.6A patent/CN103974502B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-01-26 US US14/164,236 patent/US9107264B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2590315A1 (en) * | 2004-12-07 | 2006-06-15 | Elumen Lighting Networks Inc. | System and method for controlling a matrix of light emitting diodes and light provided therewith |
| CN102612861A (zh) * | 2009-11-13 | 2012-07-25 | 日亚化学工业株式会社 | 发光二极管驱动装置及发光二极管的点亮控制方法 |
| CN101959350A (zh) * | 2010-10-15 | 2011-01-26 | 珠海市绿色照明科技有限公司 | 无电解电容led电源的功率变换方法及其应用电路 |
| TW201218851A (en) * | 2010-10-29 | 2012-05-01 | Numen Technology Inc | which can ignite different number of LED's, and can enhance the efficiency of stacked LED driving circuit |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108184280A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-06-19 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种集成传感器的led光引擎 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201431434A (zh) | 2014-08-01 |
| US20140210351A1 (en) | 2014-07-31 |
| CN103974502A (zh) | 2014-08-06 |
| US9107264B2 (en) | 2015-08-11 |
| TWI510136B (zh) | 2015-11-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103974502B (zh) | Led光引擎的电子控制装置及其应用 | |
| US9144127B1 (en) | AC-powered LED light engines, integrated circuits and illuminating apparatuses having the same | |
| US9131561B2 (en) | Solid-state lighting apparatus and methods using energy storage | |
| US9041302B2 (en) | Solid-state lighting apparatus and methods using energy storage | |
| CN103857144B (zh) | 可避免暗区的交流驱动照明系统及其驱动方法 | |
| CN103428959B (zh) | 驱动led灯具的部件及其方法 | |
| EP2654378A2 (en) | Led lighting apparatus driven by alternating current | |
| TWI477190B (zh) | 發光二極體驅動裝置 | |
| TWI428057B (zh) | 具有動態性負載與提升功率因素之發光驅動電路與相關的動態負載模組 | |
| TWI403080B (zh) | 具電流偵測的電荷幫浦電路及其方法 | |
| CN102640306A (zh) | Led驱动电路 | |
| CN104956771B (zh) | 发光二极管驱动装置 | |
| KR20140115552A (ko) | 이중 브리지 다이오드를 이용한 led 구동회로, 이를 포함하는 led 조명장치 | |
| CN104066230A (zh) | 电源电路及照明装置 | |
| CN103763817A (zh) | 一种线电压补偿ac led驱动装置 | |
| CN103945616A (zh) | 一种灯具及其led驱动装置 | |
| CN102469668B (zh) | 匹配电子变压器的led电源电路 | |
| CN106068044B (zh) | 点亮装置、照明装置和照明器具 | |
| CN202077230U (zh) | 匹配电子变压器的led电源电路 | |
| CN103338563B (zh) | 不受电网波动影响的交流led驱动电路 | |
| TWI508617B (zh) | Ｌｅｄ光引擎的電子控制裝置及其應用 | |
| CN203934041U (zh) | 一种灯具及其led驱动装置 | |
| CN110505730B (zh) | 线性led驱动电路及全电压输入的线性led驱动方法 | |
| US20150173150A1 (en) | Balanced AC Direct Driver Lighting System with a Valley Fill Circuit and a Light Balancer | |
| KR20160150440A (ko) | 위상 제어 디밍이 가능한 led 구동회로 및 이를 포함하는 led 조명장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20161005 Termination date: 20191230 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |