TWI428057B - 具有動態性負載與提升功率因素之發光驅動電路與相關的動態負載模組 - Google Patents

Description

具有動態性負載與提升功率因素之發光驅動電路與相關的動態負載模組

本發明係有關一種發光驅動電路，更明確地說，係有關一種具有動態性負載與提升功率因素(power factor)之發光驅動電路。

於先前技術中，當使用一交流電源來作為一發光負載之電源時，發光驅動電路需要透過一調光電路來調整發光負載發光的亮度。發光負載，舉例來說，可為複數個串接的發光二極體(Light Emitting Diode,LED)。

在調光電路的設計中，皆會設置一雙向交流觸發三極體(triac)。請參考第1圖。第1圖係為說明一雙向交流觸發三極體之電流-電壓特性之示意圖。在第1圖中，I_D 代表雙向交流觸發三極體之電流、V_D 代表雙向交流觸發三極體之電壓。因此，由第1圖可看出，雙向交流觸發三極體之特性係在於導通之後需要持續被供給一維持電流(holding current)以維持該雙向交流觸發三極體的狀態。換句話說，調光電路需要持續被供給維持電流，以維持運作。然而，當交流電能經過整流器整流之後所產生的電壓，若低於發光負載整體的順向電壓時，則無法使該發光負載發光，導致無電流產生而無法提供維持電流給調光電路(調光電路中的雙向交流觸發三極體)，如此造成調光電路無法運作。因此在先前技術的發光驅動電路內，會於整流器的輸出端設置一固定的假負載(dummy load)，以使發光驅動電路於發光負載未能汲取電流時，或者根本沒有設置發光負載時，能持續提供維持電流給調光電路(調光電路中的雙向交流觸發三極體)。然而，該假負載會持續耗損交流電源所提供的電能，產生不必要的浪費，造成使用者的不便。

本發明提供一種具有動態性負載與提升功率因素之發光驅動電路。該發光驅動電路用來透過一調光電路，接收一交流電源所提供之一交流電壓，以驅動一發光負載。該調光電路用來控制該交流電源是否耦接至該發光驅動電路，以控制該交流電源提供該交流電壓給該發光驅動電路之時機，來調整該發光負載之亮度。該發光驅動電路包含一整流器、一動態負載模組，以及一電源轉換電路。該整流器用來整流該交流電源所提供之該交流電壓，以產生一輸入電壓。該整流器具有一第一輸入端、一第二輸入端、一第一輸出端，以及一第二輸出端。該整流器之該第一輸入端與該第二輸入端用來接收該交流電源所提供之該交流電壓。該整流器之該第一輸出端與該第二輸出端用來產生該輸出電壓。該動態負載模組包含一動態負載電路、一控制電路，以及一波谷電壓補償電路。該動態負載電路包含一第一負載電阻，以及一開關。該第一負載電阻具有一第一端耦接至該整流器之該第一輸出端以及一第二端。該開關耦接於該第一負載電阻之該第二端與該整流器之該第二輸出端之間。該控制電路用來當比例於該輸入電壓之一偵測電壓之電位小於一預設電位時，開啟該開關，以將該第一負載電阻之該第二端耦接至該整流器之該第二輸出端。該波谷電壓補償電路包含一第一電容、一第一二極體、一第二二極體、一第三二極體，以及一第二電容。該第一電容具有一第一端透過該動態負載電路以耦接至該整流器之該第一輸出端，以及一第二端用來產生比例於該輸入電壓之該偵測電壓。該第一二極體具有一負端耦接至該第一電容之該第二端，以及一正端耦接至該整流器之該第二輸出端。該第二二極體具有一正端耦接至該第一電容之該第二端，以及一負端。該第三二極體具有一負端耦接至該第一電容之該第一端，以及一正端耦接至該第二二極體之該負端。該第二電容具有一第一端耦接至該第二二極體之該負端，以及一第二端耦接至該整流器之該第二輸出端。該電源轉換電路耦接於該波谷電壓補償電路與該發光負載之間。該電源轉換電路用來依據該波谷電壓補償電路補償過後之輸入電壓，以驅動該發光負載。

本發明提供一種動態負載模組。該動態負載模組應用於一發光驅動電路。該發光驅動電路用來透過一調光電路，接收一交流電源所提供之一交流電壓，以驅動一發光負載。該調光電路用來控制該交流電源是否耦接至該發光驅動電路，以控制該交流電源提供該交流電壓給該發光驅動電路之時機，來調整該發光負載之亮度。該發光驅動電路具有一整流器，以及一電源轉換電路。該整流器用來整流該交流電源所提供之該交流電壓，以產生一輸入電壓。該整流器具有一第一輸入端、一第二輸入端、一第一輸出端，以及一第二輸出端。該整流器之該第一輸入端與該第二輸入端用來接收該交流電源所提供之該交流電壓。該整流器之該第一輸出端與該第二輸出端用來產生該輸出電壓。該電源轉換電路用來依據該輸入電壓，驅動該發光負載。該動態負載模組耦接於該電源轉換電路與該整流器之間。該動態負載模組包含一動態負載電路、一控制電路，以及一波谷電壓補償電路。該動態負載電路包含一第一負載電阻，以及一開關。該第一負載電阻具有一第一端耦接至該整流器之該第一輸出端以及一第二端。該開關耦接於該第一負載電阻之該第二端與該整流器之該第二輸出端之間。該控制電路用來當比例於該輸入電壓之一偵測電壓之電位小於一預設電位時，開啟該開關，以將該第一負載電阻之該第二端耦接至該整流器之該第二輸出端。該波谷電壓補償電路包含一第一電容、一第一二極體、一第二二極體、一第三二極體，以及一第二電容。該第一電容具有一第一端透過該動態負載電路以耦接至該整流器之該第一輸出端，以及一第二端用來產生比例於該輸入電壓之該偵測電壓。該第一二極體具有一負端耦接至該第一電容之該第二端，以及一正端耦接至該整流器之該第二輸出端。該第二二極體具有一正端耦接至該第一電容之該第二端，以及一負端。該第三二極體具有一負端耦接至該第一電容之該第一端與該電源轉換電路，以及一正端耦接至該第二二極體之該負端。該第二電容具有一第一端耦接至該第二二極體之該負端，以及一第二端耦接至該整流器之該第二輸出端與該電源轉換電路。

請參考第2圖。第2圖係為本發明之具有動態性負載與提升功率因素之發光驅動電路200之示意圖。如第2圖所示，交流電源110包含二輸出端O₁ 與O₂ ，以輸出交流電能。發光驅動電路200透過一調光電路，接收交流電源110所提供之交流電壓V_AC ，以驅動發光負載140，其中發光負載140可由複數個串接的發光二極體來實施。

調光電路可藉由控制交流電源110是否耦接至發光驅動電路200，以控制交流電源110提供交流電壓V_AC 給發光驅動電路200之時機，來達到調整發光負載140的亮度的目的。調光電路的結構與工作原理為業界所習知的技術，在第2圖中所示的調光電路130僅為其中一種實施例，並非限定本發明之範疇。於第2圖中，交流電源110提供交流電能給調光電路130；調光電路130再將調整過後的交流電能提供給本發明之發光驅動電路200。調光電路130調整交流電能輸入至發光驅動電路200之責任週期，以據以調整發光負載140的亮度。調光電路130包含電容C₃ 、C₄ 、一電感L₁ 、可變電阻R_X 、雙向交流觸發二極體(diac)D₁₀ 以及雙向交流觸發三極體(triac)X₁ 。可變電阻R_X 與電容C₄ 控制雙向交流觸發三極體X₁ 的導通角度(firing angle)。雙向交流觸發二極體D₁₀ 用來將交流輸入電壓於正負週期的導通角度的對稱性最大化。電容C₃ 與電感L₁ 形成一低通濾波器以降低雜訊。雙向交流觸發三極體X₁ 係可視為一開關裝置等效於兩個反相並聯的矽控整流器(Silicon Controlled Rectifier,SCR)，並共用一閘極G₁ 。矽控整流器係為一閘極控制元件，於導通時可視為一二極體。閘極訊號S_G1 用來導通該矽控整流器，而於導 通後之電流即用來維持該矽控整流器導通。因此，該閘極訊號S_G1 無法直接將該矽控整流器關閉，而是直到負載電流下降至零時，該矽控整流器才會關閉。雙向交流觸發三極體X₁ 作用類似於矽控整流器但其負載電流方向可為雙向，且其導通臨界值於正相與負相狀態下係為相異，而該差異可由雙向交流觸發二極體D₁₀ 耦接至該雙向交流觸發三極體X₁ 之閘極G₁ 以控制導通電壓，進而最小化。雙向交流觸發三極體X₁ 具有一最小栓鎖電流(latching current)與一最小維持電流(holding current)。栓鎖電流係為當給定一足夠的閘極脈衝時，該雙向交流觸發三極體X₁ 所要求之最小電流；維持電流係為維持該雙向交流觸發三極體X₁ 於導通時所要求之最小電流。當電流低於維持電流時，雙向交流觸發三極體X₁ 關閉。栓鎖電流通常大於維持電流。因此，如前所述，當交流電能經過整流器整流之後所產生的電壓，若低於波谷電壓補償電路230的電壓時，則無法使該發光負載發光，導致無電流產生而無法提供維持電流給雙向交流觸發三極體X₁ 。

發光驅動電路200包含一整流器210、一動態負載模組260，以及一電源轉換電路250。

整流器210用來整流交流電源110所提供之交流電壓V_AC ，以產生一輸入電壓V_IN 。整流器210包含輸入端I₁ 與I₂ ，以及輸出端O₃ 與O₄ 。整流器210之輸入端I₁ 與I₂ 接收交流電源110所提供之電壓V_AC 。整流器210之輸出端O₃ 與O₄ 產生輸入電壓V_IN 。整流器210的結構與工作原理為業界所習知的技術，在第2圖中，以二極體D₁ 、D₂ 、D₃ 與D₄ 所實施之全波形橋式整流器僅為整流器210其中的一種實施例，並非限定本發明之範疇，且本發明中的整流器210也不限定為全波形橋式整流器。

電源轉換電路250耦接於波谷電壓補償電路230與發光負載140之間，用來將輸出電壓V_O 或輸出電流I_O 轉換為較適合發光負載140所使用的範圍。舉例來說，電源轉換電路250可為一降壓電路或為定電流輸出電路。

動態負載模組260包含一動態負載電路220、一控制電路270、一逆電流防止電路280、一電壓箝制電路290，以及一波谷電壓補償電路(valley-voltage filling circuit)230。

波谷電壓補償電路230包含二電容C₁ 與C₂ ，以及三個二極體D₇ 、D₈ 與D₉ 。波谷電壓補償電路230中之各元件之間之耦接關係如第2圖所示，故不再贅述。第3圖係為說明交流電源110所提供之電壓經過全波形橋式整流器210後所產生之輸入電壓V_IN 之示意圖。如第3圖所示，經過橋式整流器210整流之後，輸入電壓V_IN 之波形便形成如第3圖中之弦波波形。以下將說明波谷電壓補償電路230之工作原理。

波谷電壓補償電路230接收輸入電壓V_IN 。輸入電壓V_IN 在經過波谷電壓補償電路230的補償之後，成為輸出電壓V_O 。請同時參考第3圖。假設電容C₁ 與C₂ 之容值相等。波谷電壓補償電路230之運作可分為下列三個階段：階段1：V_IN ＞V_(C1+C2) ；階段2：V_(C1+C2) ＞V_IN ＞V_(C1∥C2) ；階段3：V_(C1∥C2) ＞V_IN ；其中V_IN 表示從橋式整流器210產生的輸入電壓、V_(C1+C2) 表示電容C₁ 與C₂ 串聯時等效之跨壓、V_(C1∥C2) 表示電容C₁ 與C₂ 並聯時等效之跨壓。

請參考第4圖。第4圖係為說明於階段1時波谷電壓補償電路230進行充電之示意圖。於階段1時(V_IN ＞V_(C1+C2) )(高角度)，全波形橋式整流器210所輸出的電能會對電容C₁ 與C₂ 進行充電，同時提供輸出電流I_O 給發光負載140以發光。舉例來說，若輸入電壓V_IN 為30伏特、電容C₁ 與C₂ 分別跨有5伏特的電壓，意即V_IN =30＞V_(C1+C2) =(5+5)=10，則全波形橋式整流器210所輸出之電能會對電容C₁ 與C₂ 進行充電，同時輸出電能給發光負載140。

請參考第5圖。第5圖係為說明於階段2時波谷電壓補償電路230進行充電之示意圖。於階段2時(V_(C1+C2) ＞V_IN ＞V_(C1∥C2) )(中角度)，全波形橋式整流器210所輸出的電能僅提供為輸出電流I_O 給發光負載140以發光。舉例來說，若輸入電壓V_IN 為7伏特、電容C₁ 與C₂ 分別跨有5伏特的電壓，意即V_(C1+C2) =10＞V_IN =7＞V_(C1∥C2) =5，則全波形橋式整流器210所輸出之電能僅提供為輸出電流I_O 給發光負載140以發光，而電容C₁ 與C₂ 既不充電也不放電。

請參考第6圖。第6圖係為說明於階段3時波谷電壓補償電路230進行放電之示意圖。於階段3時(V_(C1∥C2) ＞V_IN )(低角度)，電容C₁ 與C₂ 進行放電而提升輸出電壓V_O 並提供輸出電流I_O 給發光負載140以發光。舉例來說，若輸入電壓V_IN 為3伏特、電容C₁ 與C₂ 分別跨有5伏特的電壓，意即V_(C1∥C2) =5＞V_IN =3，則電容C₁ 與C₂ 分別透過二極體D₇ 與D₉ 放電以作為輸出電流I_O 給發光負載140以發光。

由上述可知，藉由在輸入電壓V_IN 在低角度時利用電容C₁ 與C₂ 的放電，可以有效填補輸入電壓V_IN 於波谷時的電壓，而產生經過波谷補償後的輸出電壓V_O 。

請參考第7圖。第7圖係為說明經過本發明之波谷補償電路230補償後之輸出電壓V_O 之示意圖。如第7圖所示，輸出電壓V_O (實線部分)將不會有如原本輸入電壓V_IN 在低角度時電位極低(虛線部分)的情況。

如第2圖所示，在動態負載模組260中，動態負載電路220包含負載電阻R₁ 與R₂ ，以及一開關SW₁ 。控制電路270包含一提升電阻R₃ 與一限流電阻R₄ ，以及一電晶體Q₂ 。開關SW₁ 可利用一電晶體Q₁ 實現，在第2圖中以電晶體Q₁ 為N通道金氧半導體(N channel Metal Oxide Semiconductor,NMOS)電晶體來作舉例說明，且電晶體Q₂ 以一(NPN)雙載子接面電晶體(Bipolar Junction Transistor,BJT)來實施。負載電阻R₁ 耦接於整流器210之輸出端O₃ 與電晶體Q₁ 之第一端(汲極)之間；電晶體Q₁ 之第二端(源極)耦接於整流器210之輸出端O₄ 、其控制端(閘極)耦接於電晶體Q₂ 之第一端(集極)；電晶體Q₂ 之第二端(射極)耦接於整流器210之輸出端O₄ 、其第一端(集極)耦接於提升電阻R₃ 、其控制端(基極)耦接於限流電阻R₄ 。

在動態負載模組260中，控制電路270用來控制動態負載電路220於輸入電壓V_IN 處於低電位時，將負載電阻R₁ 耦接至整流器210，以讓交流電源110可產生一維持電流讓調光電路130維持運作，且控制動態負載電路220於輸入電壓V_IN 處於高電位時，移除負載電阻R₁ ，以節省電能。以下將說明控制電路270控制動態負載電路220之工作原理。於下列說明時，由於負載電阻R₂ 遠大於負載電阻R₁ ，因此可假設負載電阻R₂ 不存在。

在動態負載模組260中，波谷電壓補償電路230除了用來補償輸入電壓V_IN 外，還透過電容C₁ 之第二端偵測電壓V_DET 給控制電路270。偵測電壓V_DET 之波形如第8圖所示。此外，為了方便說明，在第8圖所示之偵測電壓V_DET 之波形中，係不考慮二極體D₇ 、D₈ 與D₉ 之導通電壓。由於輸出電壓V_O 為波谷電壓補償電路230補償輸入電壓V_IN 之波谷所產生之電壓，且由第8圖可看出，偵測電壓V_DET 比例於輸出電壓V_O (偵測電壓V_DET 之峰值為電壓V_O 之峰值V_PEAK 的一半)，因此偵測電壓V_DET 大致比例於輸入電壓V_IN 。換句話說，波谷電壓補償電路230提供一比例於輸入電壓V_IN 之偵測電壓V_DET 給控制電路270。

當比例於輸入電壓V_IN 之偵測電壓V_DET 之電位高於一預設電位V_PRE 時，控制電路270關閉開關SW₁ ，如此，負載電阻R₁ 處於浮接狀態；當比例於輸入電壓V_IN 之偵測電壓V_DET 之電位小於預設電位V_PRE 時，控制電路270開啟開關SW₁ ，以將負載電阻R₁ 之第二端透過開關SW₁ 耦接至整流器210之輸出端O₄ 。更明確地說，當輸入電壓V_IN 位於中角度與高角度時，此時偵測電壓V_DET 高於電晶體Q₂ 之臨界電壓V_TH (在本實施例中，預設電位V_PRE 等於電晶體Q₂ 之臨界電壓V_TH 之電位)，而使得電晶體Q₂ 導通。如此，電晶體Q₁ 之控制端(閘極)被電晶體Q₂ 拉至低電位，進而使得電晶體Q₁ 關閉。因此，此時負載電阻R₁ 處於浮接狀態，而不會提供負載，亦不會消耗任何電能。反之，當輸入電壓V_IN 位於低角度時，比例於輸入電壓V_IN 之偵測電壓V_DET 不足以導通電晶體Q₂ ，因此，電晶體Q₂ 關閉。如此一來，電晶體Q₁ 之控制端(閘極)便可被輸入電壓V_IN ，透過提升電阻R₃ ，提升至高電位，進而使得電晶體Q₁ 開啟。因此，此時負載電阻R₁ 透過電晶體Q₁ 耦接至地端，而提供負載以讓交流電源110產生所需的維持電流。換句話說，當輸入電壓V_IN 在高角度時，負載電阻R₁ 等效上是不存在的；當輸入電壓V_IN 在低角度時，負載電阻R₁ 才會存在以作為假負載來汲取電流以讓調光電路130流通足夠的維持電流，讓調光電路130中的雙向交流觸發三極體X₁ 可維持運作。如此一來，負載電阻R₁ 不會持續消耗功率，而是只有在輸入電壓V_IN 為低角度時才會消耗功率，因此可節省不必要的功率消耗。

此外，在動態負載模組260中，逆電流防止電路280耦接於動態負載電路220與波谷電壓補償電路230之間。逆電流防止電路280的設置係為了當在階段3(V_(C1∥C2) ＞V_IN )(低角度)時，電容C₁ 與C₂ 的放電電流僅會流至發光負載140，而不會逆向流至整流器210的輸出端。逆電流防止電路280可利用一二極體(如第2圖中的二極體D₅ )實現。電壓箝制電路290用來箝制電晶體Q₁ 之控制端C之電壓之電位小於一保護電位。如此，當電晶體Q₂ 不導通時，流至電晶體Q₁ 的電壓被齊納二極體D₆ 的崩潰電壓所箝制，而不會造成過高的電壓來損壞電晶體Q₁ 。如第2圖所示，電壓箝制電路290可以齊納二極體(Zener diode)D₆ 實現。

另外，在動態負載電路220中，負載電阻R₂ 的設置非為必須。負載電阻R₂ 之設置係為了在當發光負載140所汲取的電流過小時(意即負載過小)，提供多餘的負載以讓雙向交流觸發三極體X₁ 能夠流通足夠的維持電流。在控制電路270中的限流電阻R₄ 係用來限流以防止大電流損壞電晶體Q₂ 。

綜上所述，藉由本發明所提供之發光驅動電路，可根據經整流器整流交流電壓後所產生之輸入電壓，動態地產生假負載以提供足夠的維持電流給調光電路(調光電路中的雙向交流觸發三極體)，如此可避免假負載持續浪費交流電源所提供的電能。此外，在本發明中，波谷電壓補償電路除了可補償輸入電壓的波谷，以提升功率因素之外，還可提供比例於輸入電壓之偵測電壓給控制電路，以讓控制電路可根據偵測電壓控制動態負載電路產生假負載。換句話說，在本發明中利用波谷電壓補償電路，可省略額外的電壓偵測電路，而節省動態負載模組的成本，如此，帶給使用者更大的便利性。

以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

110．．．交流電源

130．．．調光電路

140．．．發光負載

200．．．發光驅動電路

210．．．整流器

220．．．動態負載電路

230．．．波谷電壓補償電路

250．．．電源轉換電路

260．．．動態負載模組

270．．．控制電路

280．．．逆電流防止電路

290．．．電壓箝制電路

V_IN 、V_O 、V_AC 、V_DET 、V_D ．．．電壓

V_PEAK ．．．峰值

I₁ 、I₂ ．．．輸入端

I_O 、I_D ．．．電流

D₁ 、D₂ 、D₃ 、D₄ 、D₅ 、D₇ 、D₈ 、D₉ ．．．二極體

D₆ ．．．齊納二極體

C₁ 、C₂ 、C₃ 、C₄ ．．．電容

O₁ 、O₂ 、O₃ 、O₄ ．．．輸出端

R₁ 、R₂ 、R₃ 、R₄ ‧‧‧電阻

Q₁ 、Q₂ ‧‧‧電晶體

D₁₀ ‧‧‧雙向交流觸發二極體

X₁ ‧‧‧雙向交流觸發三極體

G₁ ‧‧‧閘極

S_G1 ‧‧‧閘極訊號

R_X ‧‧‧可變電阻

L₁ ‧‧‧電感

SW₁ ‧‧‧開關

第1圖係為說明一雙向交流觸發三極體之電流-電壓特性之示意圖。

第2圖係為本發明之具有動態性負載與提升功率因素之發光驅動電路之示意圖。

第3圖係為說明交流電源所提供之電壓經過全波形橋式整流器後所產生之輸入電壓之示意圖。

第4圖、第5圖與第6圖係為說明本發明之波谷電壓補償電路之工作原理之示意圖。

第7圖係為說明經過本發明之波谷補償電路補償後之輸出電壓之示意圖。

第8圖為說明波谷補償電路所提供之偵測電壓之示意圖。

110‧‧‧交流電源

130‧‧‧調光電路

140‧‧‧發光負載

200‧‧‧發光驅動電路

210‧‧‧整流器

220‧‧‧動態負載電路

230‧‧‧波谷電壓補償電路

250‧‧‧電源轉換電路

260‧‧‧動態負載模組

270‧‧‧控制電路

280‧‧‧逆電流防止電路

290‧‧‧電壓箝制電路

V_IN 、V_O 、V_AC 、V_DET ‧‧‧電壓

I₁ 、I₂ ‧‧‧輸入端

I_O ‧‧‧電流

D₁ 、D₂ 、D₃ 、D₄ 、D₅ 、D₇ 、D₈ 、D₉ ‧‧‧二極體

D₆ ‧‧‧齊納二極體

C₁ 、C₂ 、C₃ 、C₄ ‧‧‧電容

O₁ 、O₂ 、O₃ 、O₄ ‧‧‧輸出端

R₁ 、R₂ 、R₃ 、R₄ ‧‧‧電阻

Q₁ 、Q₂ ‧‧‧電晶體

D₁₀ ‧‧‧雙向交流觸發二極體

X₁ ‧‧‧雙向交流觸發三極體

G₁ ‧‧‧閘極

S_G1 ‧‧‧閘極訊號

R_X ‧‧‧可變電阻

L₁ ‧‧‧電感

SW₁ ‧‧‧開關

Claims (28)

1. 一種具有動態性負載與提升功率因素之發光驅動電路，用來透過一調光電路，接收一交流電源所提供之一交流電壓，以驅動一發光負載，該調光電路用來控制該交流電源是否耦接至該發光驅動電路，以控制該交流電源提供該交流電壓給該發光驅動電路之時機，來調整該發光負載之亮度，該發光驅動電路包含：一整流器，用來整流該交流電源所提供之該交流電壓，以產生一輸入電壓，該整流器具有一第一輸入端、一第二輸入端、一第一輸出端，以及一第二輸出端，該整流器之該第一輸入端與該第二輸入端用來接收該交流電源所提供之該交流電壓，該整流器之該第一輸出端與該第二輸出端用來產生該輸入電壓；一動態負載模組，包含：一動態負載電路，接收該輸入電壓，並包含：一第一負載電阻，具有一第一端耦接至該整流器之該第一輸出端，以及一第二端；以及一開關，耦接於該第一負載電阻之該第二端與該整流器之該第二輸出端之間；一控制電路，用來當比例於該輸入電壓之一偵測電壓之電位小於一預設電位時，開啟該開關，以將該第一負載電阻之該第二端耦接至該整流器之該第二輸出端；以及 一波谷電壓補償電路，包含：一第一電容，具有一第一端透過該動態負載電路以耦接至該整流器之該第一輸出端，以及一第二端用來產生比例於該輸入電壓之該偵測電壓；一第一二極體，具有一負端耦接至該第一電容之該第二端，以及一正端耦接至該整流器之該第二輸出端；一第二二極體，具有一正端耦接至該第一電容之該第二端，以及一負端；一第三二極體，具有一負端耦接至該第一電容之該第一端，以及一正端耦接至該第二二極體之該負端；以及一第二電容，具有一第一端耦接至該第二二極體之該負端，以及一第二端耦接至該整流器之該第二輸出端；以及一電源轉換電路，耦接於該波谷電壓補償電路與該發光負載之間，用來依據該波谷電壓補償電路補償過後之輸入電壓，以驅動該發光負載。
2. 如請求項1所述之發光驅動電路，其中該動態負載模組另包含一逆電流防止電路，耦接於該動態負載電路與該波谷電壓補償電路之間。
3. 如請求項2所述之發光驅動電路，其中該逆電流防止電路為一二極體，該二極體之正端耦接於該動態負載電路，該二極體之負端耦接於該波谷電壓補償電路。
4. 如請求項1所述之發光驅動電路，其中該開關為一第一電晶體，該第一電晶體具有一第一端耦接至該第一負載電阻之該第二端，一第二端耦接至該整流器之該第二輸出端，以及一控制端耦接至該控制電路。
5. 如請求項4所述之發光驅動電路，其中該第一電晶體為一N通道金氧半導體(N channel Metal Oxide Semiconductor,NMOS)電晶體。
6. 如請求項5所述之發光驅動電路，其中該動態負載模組另包含一電壓箝制電路，用來箝制該第一電晶體之該控制端之電壓之電位小於一保護電位。
7. 如請求項6所述之發光驅動電路，其中該電壓箝制電路為一齊納二極體，耦接於該第一電晶體之該控制端與該第一電晶體之該第二端之間。
8. 如請求項4所述之發光驅動電路，其中該動態負載電路另包含一第二負載電阻，耦接於該第一電晶體之該第一端與該第一電 晶體之該第二端之間。
9. 如請求項4所述之發光驅動電路，其中該控制電路包含：一提升電阻，具有一第一端耦接至該第一電容之該第一端，一第二端耦接至該第一電晶體之該控制端；以及一第二電晶體，具有一第一端耦接至該第一電晶體之該控制端，一第二端耦接至該整流器之該第二輸出端，以及一控制端用來接收該偵測電壓；其中該偵測電壓大於該第二電晶體之一臨界電壓時，該第二電晶體導通；其中該預設電位等於該第二電晶體之該臨界電壓之電位。
10. 如請求項9所述之發光驅動電路，其中該第二電晶體係為一雙載子接面電晶體(Bipolar Junction Transistor,BJT)。
11. 如請求項9所述之發光驅動電路，其中該控制電路另包含一限流電阻，耦接於該第二電晶體之該控制端與該第一電容之該第二端之間。
12. 如請求項1所述之發光驅動電路，其中該發光負載為複數個串接之發光二極體(Light Emitting Diode,LED)。
13. 如請求項1所述之發光驅動電路，其中該電源轉換電路為一降 壓電路。
14. 如請求項1所述之發光驅動電路，其中該電源轉換電路為一定電流輸出電路。
15. 一種動態負載模組，應用於一發光驅動電路，該發光驅動電路用來透過一調光電路，接收一交流電源所提供之一交流電壓，以驅動一發光負載，該調光電路用來控制該交流電源是否耦接至該發光驅動電路，以控制該交流電源提供該交流電壓給該發光驅動電路之時機，來調整該發光負載之亮度，該發光驅動電路具有一整流器，以及一電源轉換電路，該整流器用來整流該交流電源所提供之該交流電壓，以產生一輸入電壓，該整流器具有一第一輸入端、一第二輸入端、一第一輸出端，以及一第二輸出端，該整流器之該第一輸入端與該第二輸入端用來接收該交流電源所提供之該交流電壓，該整流器之該第一輸出端與該第二輸出端用來產生該輸入電壓，該電源轉換電路用來依據該輸入電壓，驅動該發光負載，該動態負載模組耦接於該電源轉換電路與該整流器之間，該動態負載模組包含：一動態負載電路，接收該輸入電壓，並包含：一第一負載電阻，具有一第一端耦接至該整流器之該第一輸出端，以及一第二端；以及一開關，耦接於該第一負載電阻之該第二端與該整流器之該第二輸出端之間； 一控制電路，用來當比例於該輸入電壓之一偵測電壓之電位小於一預設電位時，開啟該開關，以將該第一負載電阻之該第二端耦接至該整流器之該第二輸出端；以及一波谷電壓補償電路，包含：一第一電容，具有一第一端透過該動態負載電路以耦接至該整流器之該第一輸出端，以及一第二端用來產生比例於該輸入電壓之該偵測電壓；一第一二極體，具有一負端耦接至該第一電容之該第二端，以及一正端耦接至該整流器之該第二輸出端；一第二二極體，具有一正端耦接至該第一電容之該第二端，以及一負端；一第三二極體，具有一負端耦接至該第一電容之該第一端與該電源轉換電路，以及一正端耦接至該第二二極體之該負端；以及一第二電容，具有一第一端耦接至該第二二極體之該負端，以及一第二端耦接至該整流器之該第二輸出端與該電源轉換電路。
16. 如請求項15所述之動態負載模組，另包含一逆電流防止電路，耦接於該動態負載電路與該波谷電壓補償電路之間。
17. 如請求項16所述之動態負載模組，其中該逆電流防止電路為一二極體，該二極體之正端耦接於該動態負載電路，該二極體 之負端耦接於該波谷電壓補償電路。
18. 如請求項15所述之動態負載模組，其中該開關為一第一電晶體，該第一電晶體具有一第一端耦接至該第一負載電阻之該第二端，一第二端耦接至該整流器之該第二輸出端，以及一控制端耦接至該控制電路。
19. 如請求項18所述之動態負載模組，其中該第一電晶體為一N通道金氧半導體(N channel Metal Oxide Semiconductor,NMOS)電晶體。
20. 如請求項19所述之動態負載模組，另包含一電壓箝制電路，用來箝制該第一電晶體之該控制端之電壓之電位小於一保護電位。
21. 如請求項20所述之動態負載模組，其中該電壓箝制電路為一齊納二極體，耦接於該第一電晶體之該控制端與該第一電晶體之該第二端之間。
22. 如請求項18所述之動態負載模組，其中該動態負載電路另包含一第二負載電阻，耦接於該第一電晶體之該第一端與該第一電晶體之該第二端之間。
23. 如請求項18所述之動態負載模組，其中該控制電路包含：一提升電阻，具有一第一端耦接至該第一電容之該第一端，一第二端耦接至該第一電晶體之該控制端；以及一第二電晶體，具有一第一端耦接至該第一電晶體之該控制端，一第二端耦接至該整流器之該第二輸出端，以及一控制端用來接收該偵測電壓；其中該偵測電壓大於該第二電晶體之一臨界電壓時，該第二電晶體導通；其中該預設電位等於該第二電晶體之該臨界電壓之電位。
24. 如請求項23所述之動態負載模組，其中該第二電晶體係為一雙載子接面電晶體(Bipolar Junction Transistor,BJT)。
25. 如請求項23所述之動態負載模組，其中該控制電路另包含一限流電阻，耦接於該第二電晶體之該控制端與該第一電容之該第二端之間。
26. 如請求項15所述之動態負載模組，其中該發光負載為複數個串接之發光二極體(Light Emitting Diode,LED)。
27. 如請求項15所述之動態負載模組，其中該電源轉換電路為一降壓電路。
28. 如請求項15所述之動態負載模組，其中該電源轉換電路為一定電流輸出電路。