CN103972361A - 电路板、光电子构件和光电子构件的装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及电路板、光电子构件和光电子构件的装置，该电路板是一种用于光电子半导体芯片（2）的电路板（1），其具有导电的第一金属薄膜（11）以及第一电绝缘薄膜（12）。

Description

电路板、光电子构件和光电子构件的装置

技术领域

本发明提出一种电路板。此外，提出一种具有这种电路板的光电子构件。此外，提出一种所述光电子构件的装置。

背景技术

参考文献WO2009/132615描述一种电路板。

发明内容

要实现的目的在于，提出能够尤其低成本地制造的电路板。其他的要实现的目的在于，提出具有这种电路板的光电子构件和光电子构件的装置。

根据电路板的至少一个实施形式，电路板适用于容纳光电子半导体芯片。也就是说，电路板为用于光电子半导体芯片的电路板。光电子半导体芯片为发射辐射的或接收辐射的半导体芯片。特别地，其能够为发光二级管或光电检测器芯片。在此，电路板在其形状和尺寸方面构造成，使得能够由电路板机械地承载光电子半导体芯片并且能够经由电路板来进行电接触。

根据电路板的至少一个实施形式，电路板包括导电的第一金属薄膜。金属薄膜（英语为：metal foil）为极其薄的金属板。金属薄膜是电路板的单独制造的组件，为了制造电路板，所述组件能够作为电路板的独立的元件提供。因此，金属薄膜尤其不是下述层，在所述层中将材料施加到电路板的另外的组件上，以便从而产生层，而是金属薄膜在制造电路板之前就已经与电路板的其他组件分开地存在。这适用于第一金属薄膜以及全部在此描述的其他薄膜。薄膜当前为极其薄的板，所述板的横向尺寸、即在平行于薄膜的主延伸平面的方向上的尺寸显著大于其竖直尺寸，即其厚度。在此描述的薄膜可弯曲地且柔性地构成。

第一金属薄膜例如由金属或金属合金构成，并且第一金属薄膜导电地构成。

根据电路板的至少一个实施形式，电路板包括第一电绝缘薄膜。第一电绝缘薄膜也不是下述层，在所述层中为了其制造而将第一材料施加到电路板的另一组件上，而是第一电绝缘薄膜在制造电路板之前就已经作为单独的组件存在。

根据电路板的至少一个实施形式，电路板包括导电的第二金属薄膜。例如，第二金属薄膜能够在其厚度和/或其材料成分方面与第一金属薄膜相同地构成。

根据电路板的至少一个实施形式，第一电绝缘薄膜在第一金属薄膜的上侧上施加到第一金属薄膜上并且与第一金属薄膜机械连接。在此，第一电绝缘薄膜能够与第一金属薄膜直接接触。此外可行的是，在第一电绝缘薄膜和金属薄膜之间设置有连接材料。

根据电路板的至少一个实施形式，第一电绝缘薄膜具有留空部，在所述留空部中露出第一金属薄膜。也就是说，第一金属薄膜在其上侧上局部地不具有第一电绝缘薄膜，更确切地说在第一电绝缘薄膜的留空部的区域中不具有第一电绝缘薄膜。穿过所述留空部可以自由地触及第一金属薄膜。

根据电路板的至少一个实施形式，留空部设置用于，将光电子半导体芯片在留空部之内导电地固定在第一金属薄膜上。也就是说，留空部在其形状和尺寸方面选择成，使得在所述留空部之内能够将光电子半导体芯片施加到第一金属薄膜上，而不会使所述光电子半导体芯片与第一电绝缘薄膜接触。在此，留空部选择成，使得光电子半导体芯片在留空部的区域中例如能够导电地粘接或焊接到第一金属薄膜上。

根据电路板的至少一个实施形式，第二金属薄膜施加在第一电绝缘薄膜的背离第一金属薄膜的上侧上并且与其机械地连接。在此，第二金属薄膜和第一电绝缘薄膜能够彼此直接接触和/或在两个薄膜之间设置有连接机构。因此，第一金属薄膜、第一电绝缘薄膜以及第二金属薄膜形成由薄膜构成的堆，所述薄膜局部彼此相叠地设置。

根据电路板的至少一个实施形式，第一电绝缘薄膜至少在留空部的区域中不具有第二金属薄膜。也就是说，第一电绝缘薄膜没有完全被第二金属薄膜覆盖，而是至少在第一电绝缘薄膜具有用于容纳光电子半导体芯片的留空部的位置处，所述第一电绝缘薄膜没有被第二金属薄膜覆盖。因此，第二金属薄膜尤其不遮盖留空部。

根据电路板的至少一个实施形式，第二金属薄膜设置用于电接触光电子半导体芯片。也就是说，第二金属薄膜在其导电性和其在电路板中的布置方面设立用于电接触光电子半导体芯片。例如可行的是，光电子半导体芯片与第一金属薄膜和第二金属薄膜分别导电地连接，使得通过经由第一金属薄膜和第二金属薄膜进行通电而能够实现光电子半导体芯片的运行。

根据用于光电子半导体芯片的电路板的至少一个实施形式，电路板包括导电的第一金属薄膜、第一电绝缘薄膜以及导电的第二金属薄膜。在此，第一电绝缘薄膜在第一金属薄膜的上侧上施加到第一金属薄膜上并且与所述第一金属薄膜机械连接。第一电绝缘薄膜具有留空部，在所述留空部中露出第一金属薄膜，其中留空部设置用于，将光电子半导体芯片在留空部之内导电地固定在第一金属薄膜上。第二金属薄膜施加在第一电绝缘薄膜的背离第一金属薄膜的上侧上并且与其机械地连接，第一电绝缘薄膜至少在留空部的区域中不具有第二金属薄膜，并且第二金属薄膜设置用于电接触光电子半导体芯片。

在此，此处描述的电路板还基于下述考虑。可行的是，光电子半导体芯片、例如发光二级管粘接或焊接在印刷电路板上，以便实现面状的光源。在此应用的印刷电路板材料相对昂贵。代替这种印刷电路板，将在此描述的电路板构成为金属薄膜和电绝缘薄膜的层堆，所述层堆能够尤其低成本地制造。此外，在此描述的电路板的特征还在于其小的厚度，所述小的厚度能够实现，为了制造面状的光源，在不会使光源变得过厚的情况下，将多个电路板彼此相叠地堆叠。

根据电路板的至少一个实施形式，第一金属薄膜和第二金属薄膜经由粘接剂与电绝缘的薄膜连接。也就是说，由薄膜构成的层堆尤其能够为层压而成的层堆，其中各个薄膜分别经由粘接剂彼此连接。在此，粘接剂能够使金属薄膜与电绝缘薄膜局部地彼此直接接触。

根据电路板的至少一个实施形式，第一电绝缘薄膜除留空部之外在第一金属薄膜的上侧上完全地覆盖第一金属薄膜，其中留空部在横向方向上完全地被第一电绝缘薄膜的材料包围。通过由第一电绝缘薄膜完全地覆盖第一金属薄膜能够尤其机械稳定地构成电路板。第一留空部例如构成为第一电绝缘薄膜中的穿通部或孔，其中穿通部或孔在横向方向上环形地被第一电绝缘薄膜的材料包围。这也在留空部的区域中提高电路板的机械稳定性，在所述留空部中稍后能够设置有光电子半导体芯片。

根据电路板的至少一个实施形式，第一金属薄膜和第二金属薄膜分别通过铝薄膜形成。也就是说，这两个金属薄膜包含铝或由其制成。金属薄膜在此能够分别具有至少20μm和至多500μm的、尤其至少20μm和至多400μm的厚度，所述厚度即在垂直于横向方向的竖直方向上的延伸。在此优选的是，第一金属薄膜和第二金属薄膜的厚度位于至少75μm和至多200μm之间、例如为100μm。

第一电绝缘薄膜能够比金属薄膜更薄地构成。例如，电绝缘薄膜比金属薄膜中的一个薄25%地构成。如果金属薄膜例如分别具有100μm的厚度，那么第一电绝缘薄膜能够具有75μm的厚度。这样薄的第一电绝缘薄膜由于与其联系在一起的热电阻而被证实为是尤其有利的。

对于为了改进电路板的机械稳定而应使第一电绝缘薄膜更厚地构成的情况而言，第一电绝缘薄膜具有用良好导热的材料的纤维或颗粒填充的基体材料。例如，那么，第一电绝缘薄膜能够由陶瓷材料、金属氧化物、金属氮化物和/或硅形成，所述陶瓷材料、金属氧化物、金属氮化物和/或硅例如被引入到由硅树脂或环氧树脂构成的基体材料中。

根据电路板的至少一个实施形式，电路板包括第二电绝缘薄膜，所述第二电绝缘薄膜在第一金属薄膜的背离第一电绝缘薄膜的下侧上施加到第一金属薄膜上并且与其机械地连接。第二电绝缘薄膜在此能够与第一电绝缘薄膜相同地构成。第二电绝缘薄膜、第一金属薄膜、第二电绝缘薄膜以及第二金属薄膜形成薄膜的堆，其中薄膜至少局部地重叠。

在此尤其可行的是，第一金属薄膜在其朝向第二电绝缘薄膜的下侧上局部地不具有第二电绝缘薄膜。因此，例如能够经由所述空出的部位进行第一金属薄膜的电接触。

根据电路板的至少一个实施形式，第二电绝缘薄膜在其背离第一金属薄膜的下侧上具有粘接层。粘接层例如能够设置用于将电路板固定在特定位置上。

此外，提出一种光电子构件。光电子构件例如能够为发光二级管或光电检测器。光电子构件包括在此描述的电路板作为用于光电子半导体芯片的承载件。也就是说，所有对电路板公开的特征也对光电子构件公开。

根据光电子构件的至少一个实施形式，光电子构件包括在此描述的电路板以及光电子半导体芯片。在此，光电子半导体芯片在留空部之内导电地固定在第一金属薄膜上，并且光电子半导体芯片与第二金属薄膜导电地连接。在此可行的是，光电子构件包括多个光电子半导体芯片。因此，对于每个光电子半导体芯片而言，电路板能够例如具有刚好一个留空部，在所述留空部中导电地固定有光电子半导体芯片。在该情况下还可行的是，其中因此，每个光电子半导体芯片与同其一一对应地相关联的第二金属薄膜导电地连接。

根据光电子构件的至少一个实施形式，光电子半导体芯片经由固定在光电子半导体芯片和第二金属薄膜上的接触元件、例如接合线（英语为：bonding wire）与第二金属薄膜导电地连接。也就是说，在光电子半导体芯片和第二金属薄膜之间的连接尤其能够经由线接合（英语：wire bonding）进行。替选于接合线，也能够使用替选的连接技术，例如薄膜接合方法。此外，代替线也能够应用尤其由金属构成的细带。

根据光电子构件的至少一个实施形式，光电子半导体芯片被浇注体包围。在此，浇注体与第一金属薄膜并且与第一电绝缘薄膜直接接触。也就是说，浇注体设置在光电子半导体芯片的区域中，使得其完全地遮盖第一电绝缘薄膜进而既能够与第一金属薄膜也能够与第一电绝缘薄膜直接接触。在此，到第一电绝缘薄膜的直接接触不是绝对必要的。

浇注体例如借助辐射可穿透的塑料材料、例如硅树脂和/或环氧树脂形成。浇注体能够用散射辐射的或转换辐射的颗粒填充。浇注体例如能够滴到光电子半导体芯片上。通过浇注体能够覆盖光电子半导体芯片并且例如覆盖接合线，所述接合线将光电子半导体芯片与第二金属薄膜导电地连接。光电子半导体芯片和接合线以这种方式由浇注体机械地保护。浇注体例如能够包含基体材料，散射辐射的或转换辐射的颗粒被引入到所述基体材料中。第一电绝缘薄膜能够由与基体材料相同的材料、例如硅树脂形成，由此经由在浇注体和第一电绝缘薄膜之间的直接接触实现在浇注体和电路板之间的尤其良好的粘附。

此外可行的是，浇注体也局部地与第二金属薄膜直接接触。

还提出一种光电子构件的装置。该装置包括至少两个在此描述的光电子构件，使得所有对电路板和光电子构件公开的特征也对光电子构件的装置公开。

光电子构件的装置包括至少两个在此描述的光电子构件。例如，光电子构件能够类似地构成。也就是说，光电子构件在其外部尺寸和/或所应用的光电子半导体芯片方面能够构成为是相同的。此外例如可行的是，在装置的不同的光电子构件中应用不同的光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片在运行时发射不同颜色的光。

根据光电子构件的装置的至少一个实施形式，该装置包括至少两个光电子构件，其中光电子构件中的第二个设置在光电子构件中的第一个上，使得第二光电子构件的第一金属薄膜局部地遮盖第一光电子构件的第二金属薄膜，并且这两个金属薄膜导电地且机械地相互连接，其中第一光电子构件和第二光电子构件电串联。

也就是说，通过局部地彼此叠置和例如通过焊接或粘接进行的导电连接而实现两个光电子构件的串联电路。所述串联电路然后能够经由第二光电子构件的第一金属薄膜和第一光电子构件的第二金属薄膜电接触。

根据装置的至少一个实施形式，光电子构件中的三个或更多个彼此相叠地设置，其中光电子构件分别将光电子构件中的一个的第一金属薄膜与直接位于其下的光电子构件的第二金属薄膜电串联。也就是说，光电子构件彼此叠置成，使得第一和第二金属薄膜能够直接将相继的光电子构件导电地且机械地彼此连接。以这种方式，能够以极其简单的方式实现多个光电子构件的串联。

在此也可行的是，在各个光电子构件之间不设有连接材料，而是将光电子构件在其彼此重叠的区域中通过压力紧固，以至于直接相继的光电子构件的第一金属薄膜和第二金属薄膜彼此直接接触。然后，压紧例如能够通过外部的夹子或通过冲压连接或螺丝连接来进行，所述螺丝连接延伸穿过光电子构件的所有电路板。

根据装置的至少一个实施形式，装置的所有光电子构件在连接区域之内彼此重叠并且光电子构件的光电子半导体芯片不重叠。这例如能够通过扇形或星形设置的光电子构件来实现。

根据装置的至少一个实施形式，装置的光电子构件的光电子半导体芯片沿着至少一个假设的圆或假设的螺旋线设置。也就是说，光电子半导体芯片例如能够沿着假设的闭合线设置。以这种方式，例如能够借助多个光电子半导体芯片遮盖大的面积，由此面状光源能够由串联的半导体芯片以简单的方式产生。

附图说明

下面，借助于实施例和所附的附图详细阐明在此描述的电路板、在此描述的光电子构件以及在此描述的装置。

图1A至1D、2A至2C、3A至3C、4和5示出在此描述的电路板和光电子构件的示意图。

图6A和6B示出在此描述的装置的示意图。

借助于图7详细阐明将在此描述的光电子构件互联成在此描述的装置。

具体实施方式

相同的、同类的或起相同作用的元件在附图中设有相同的附图标记。附图和附图中示出的元件彼此间的尺寸比例不视为是符合比例的。更确切地说，为了更好的可示出性和/或为了更好地理解能够夸张大地示出个别元件。

借助于图1A和1B的示意立体图详细描述在此描述的电路板。电路板1包括第一金属薄膜11、第一电绝缘薄膜12、第二金属薄膜13。各个薄膜例如通过粘接剂16机械地彼此连接。第一金属薄膜和第二金属薄膜能够在其厚度和其材料成分方面构成为是相同的。例如，第一金属薄膜11和第二金属薄膜13分别为具有大约100μm厚度的铝薄膜。

第一电绝缘薄膜12为将两个金属薄膜11、13彼此电绝缘的塑料薄膜。此外，第一电绝缘薄膜12用于电路板1的机械稳定。

第一电绝缘薄膜12具有留空部15，第一金属薄膜11在所述留空部中是可自由触及的。第二金属薄膜13在横向方向l上具有比第一金属薄膜11更小的尺寸。替选地，第二金属薄膜13也如第一电绝缘薄膜12那样能够具有留空部15。第一电绝缘薄膜12除留空部15之外在第一金属薄膜的上侧上完全地覆盖第一金属薄膜11。第一电绝缘薄膜12例如具有75μm的厚度。

如从图1B中可见的是，各个薄膜11、12、13例如通过层压而彼此连接。

在下一步骤中，图1C，能够将光电子半导体芯片2、例如发光二极管在电绝缘薄膜12的留空部之内机械固定地并且导电地安装到第一金属薄膜11上。因此，光电子半导体芯片2经由接合线21与第二金属薄膜13导电地连接。以这种方式实现在此描述的光电子构件、例如发光二级管。

光电子芯片2例如能够为薄膜芯片，其中移除芯片的外延生长层的生长衬底。

图1D示出光电子构件的示意侧视图，从所述侧视图中可见的是，光电子构件的特征还在于其小的厚度。

结合图2A至2C，借助于示意图描述在此描述的光电子构件。如从附图中可见的是，各个光电子构件3在其外部尺寸方面例如能够沿着所示出的虚线切割。为此，能够切割穿过薄膜的层堆。

图2B示出：在此描述的光电子构件能够包括多于仅一个光电子半导体芯片2，其中可行的是，光电子构件分割成使得再次形成分别仅承载一个光电子半导体芯片的光电子构件3。以这种方式能够产生条带形的光电子构件，见图2C。

结合图3A至3C描述光电子构件，其中半导体芯片2被浇注体22包围。浇注体22例如由基体材料形成，其中所述基体材料能够为与第一电绝缘薄膜12的材料相同的材料。以这种方式能够实现在浇注体22和电路板1之间的尤其良好的粘附。浇注体22遮盖半导体芯片2和留空部15并且当前与第一金属薄膜11、第二金属薄膜13以及第一电绝缘薄膜12直接接触。

浇注体22在其背离电路板1的上侧上透镜形地弯曲，由此提高在半导体芯片2中例如在运行时产生的电磁辐射的耦合输出。此外，浇注体22表现为对接合线21和半导体芯片2进行机械保护。接合线21能够完全地设置在浇注体22中。

结合图3描述浇注体22的不同的配置。在此，浇注体22能够具有未填充的、光学透明的区域22a以及已填充的区域22b。已填充的区域22b例如能够用发光转换材料填充。光电子构件因此能够在运行时例如适合于发射白光。

如果浇注体22例如具有未填充的区域22a，所述区域被已填充的区域22b包围，那么在放射角之上得到由光电子构件所发射的混合辐射的尤其均匀的颜色。

如果在已填充的区域22b之上引入透镜状弯曲的未填充的区域22a，那么在放射角之上在效率尤其高的情况下得到均匀的颜色。

结合图4和5借助于示意图详细阐明在此描述的电路板的另外的实施例。在该实施例中，电路板包括设置在第一金属薄膜11的背离第一电绝缘层12的下侧上的第二电绝缘层14。第二电绝缘薄膜14例如能够为粘接薄膜，所述粘接薄膜在其下侧具有粘接层17。粘接薄膜能够设置用于将电路板粘接在冷却体上。此外，粘接薄膜能够形成相对于冷却体的电绝缘。

第二电绝缘薄膜14能够包括一个（见图4）或多个（见图5）孔状接缝18，沿着所述孔状接缝能够局部地移除第二电绝缘薄膜14。在移除第二电绝缘薄膜14的位置处，露出第一金属薄膜11并且例如能够对所述第一金属薄膜进行电接触。

结合图6A详细阐明在此描述的光电子构件3的装置。所述装置当前为面状光源。也就是说，半导体芯片2当前例如是发光二极管芯片。所述装置包括多个光电子构件3，所述光电子构件在连接区域31中彼此重叠成，使得第二金属薄膜13与相邻的光电子构件3的直接处于所述第二金属薄膜下的第一金属薄膜11电接触并且必要时直接接触。

实施为长形的光电子构件当前星形地设置，其中半导体芯片2沿着闭合线设置，所述闭合线当前为圆K。

图6B以不同于图6A的方式示出下述装置，其中将较小的和较大的光电子构件彼此组合，使得半导体芯片沿着两个同心的圆或沿着螺旋线S设置。以这种方式能够用尤其多的光电子半导体芯片填充所述装置的放射面。

结合图7详细阐明如在图6A和6B中示出的装置的电学互联。光电子构件3的各个电路板1在连接区域31中彼此电连接和机械连接。以这种方式实现各个光电子构件之间的串联。在此可行的是，光电子构件3在其背离第一金属薄膜11的表面上在第二金属薄膜13上具有另外的第三电绝缘薄膜，所述第三电绝缘薄膜仅在连接区域31的区域中以及在接触线21的区域中被移除。

本发明申请要求德国专利申请102013201327.2的优先权，其公开内容通过参引的方式并入本文。

本发明不由于借助于实施例进行的描述而局限于此。更确切地说，本发明包括每个新的特征以及特征的任意的组合，这尤其是包含本文中所述的特征的任意的组合，即使所述特征或这些组合本身没有明确地在本文或实施例中说明时也如此。

Claims (14)

1.一种用于光电子半导体芯片（2）的电路板（1），具有：

-导电的第一金属薄膜（11）；

-第一电绝缘薄膜（12）；

-导电的第二金属薄膜（13），其中

-所述第一电绝缘薄膜（12）在所述第一金属薄膜（11）的上侧上施加到所述第一金属薄膜（11）上并且与所述第一金属薄膜机械地连接，

-所述第一电绝缘薄膜（12）具有留空部（15），在所述留空部中露出所述第一金属薄膜（11），

-所述留空部（15）设置用于，将所述光电子半导体芯片在所述留空部（15）之内导电地固定在所述第一金属薄膜（11）上，

-将所述第二金属薄膜（13）施加在所述第一电绝缘薄膜（12）的背离所述第一金属薄膜（11）的上侧上并且与其机械地连接，

-所述第一电绝缘薄膜（12）至少在所述留空部（15）的区域中不具有所述第二金属薄膜（13），并且

-所述第二金属薄膜（13）设置用于电接触所述光电子半导体芯片（2）。

2.根据上一项权利要求所述的电路板（1），其中所述第一金属薄膜（11）和所述第二金属薄膜（13）经由粘接剂（16）与电绝缘的薄膜（12）连接。

3.根据上述权利要求中的任一项所述的电路板（1），其中所述第一电绝缘薄膜（12）除所述留空部（15）之外在所述第一金属薄膜的上侧上完全地覆盖所述第一金属薄膜（11），其中所述留空部（15）在横向方向（l）上完全地被所述第一电绝缘薄膜（12）的材料包围。

4.根据上述权利要求中的任一项所述的电路板（1），其中所述第一金属薄膜（11）和所述第二金属薄膜（13）分别由铝薄膜形成。

5.根据上述权利要求中的任一项所述的电路板（1），其中所述第一金属薄膜（11）和所述第二金属薄膜（13）分别具有位于至少20μm和至多400μm之间的厚度。

6.根据上述权利要求中的任一项所述的电路板（1），其具有第二电绝缘薄膜（14），所述第二电绝缘薄膜在所述第一金属薄膜（11）的背离所述第一电绝缘薄膜（12）的下侧上施加到所述第一金属薄膜（11）上并且与其机械地连接。

7.根据上一项权利要求所述的电路板（1），其中所述第二电绝缘薄膜（14）在其背离所述第一金属薄膜（11）的下侧上具有粘接层（17）。

8.一种光电子构件（3），具有：

-根据上述权利要求中的任一项所述的电路板（1）；和

-光电子半导体芯片（2），其中

-所述光电子半导体芯片（2）在所述留空部（15）之内导电地固定在所述第一金属薄膜（11）上，并且

-所述光电子半导体芯片（2）与所述第二金属薄膜（13）导电地连接。

9.根据上一项权利要求所述的光电子构件（3），其中所述光电子半导体芯片（2）经由固定在所述光电子半导体芯片（2）和所述第二金属薄膜（13）上的接触元件、尤其是接合线（21）与所述第二金属薄膜（13）导电地连接。

10.根据上两项权利要求中的至少一项所述的光电子构件（3），其中所述光电子半导体芯片（2）被浇注体（22）包围，其中所述浇注体（22）与所述第一金属薄膜（11）和所述第一电绝缘薄膜（12）直接地接触。

11.一种光电子构件的装置，具有

-根据上三项权利要求中的至少一项所述的至少两个光电子构件（3），其中

-所述光电子构件（3）中的第二个设置在所述光电子构件（3）中的第一个上，使得所述第二光电子构件的第一金属薄膜（11）局部地遮盖所述第一光电子构件的第二金属薄膜（13），并且这两个金属薄膜（11，13）相互导电地且机械地连接，其中所述第一光电子构件和第二光电子构件电串联。

12.根据上一项权利要求所述的装置，其中所述光电子构件（3）中的三个或更多个彼此相叠地设置，其中所述光电子构件（3）分别经由在所述光电子构件中的一个的第一金属薄膜（11）与直接位于其下的所述光电子构件的第二金属薄膜（13）的导电的并且机械的连接而电串联。

13.根据上两项权利要求中的至少一项所述的装置，其中所有光电子构件（3）在连接区域（31）之内彼此重叠，并且所述光电子构件（3）的所述光电子半导体芯片（2）不重叠。

14.根据上三项权利要求中的至少一项所述的装置，其中所述光电子半导体芯片（2）沿着至少一条假设的线、尤其是假设的圆（K）或假设的螺旋线（S）设置。