CN103959579A - 用于制造半导体激光器器件的方法及半导体激光器器件 - Google Patents

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Abstract

根据用于制造半导体激光器元件(100)的这个方法，切割导向槽(104)形成在生产基板(110)的表面上，其中，在具有半极性平面(1a)的六方晶系Ⅲ族氮化物半导体基板(1)上形成包括发光层(14)的外延层(2)。沿着位于共振器端面侧(102，103)的半导体激光器器件(100)的划线(BL1)延伸并且具有V型横截面的切割导向槽(104)形成在位于划线(BL1)上并且包括半导体激光器器件(100)的至少一个拐角的局部区域中。沿着划线(BL1)切割具有形成在其上的切割导向槽(104)的生产基板(110)。

Description

用于制造半导体激光器器件的方法及半导体激光器器件
技术领域
本公开涉及制造半导体激光器器件的方法和通过该方法制造的半导体激光器器件。本公开具体涉及制造六方晶系Ⅲ族氮化物半导体激光器器件的方法和通过该方法制造的半导体激光器器件。
背景技术
目前，半导体激光器器件被用在不同的技术领域中。具体地，半导体激光器器件是例如在诸如TV和投影仪的图像显示单元的领域中不可缺少的光学器件。在该类型的应用中，输出红光、绿光和蓝光(它们是光的三基色)的半导体激光器器件是必需的。红色和蓝色的半导体激光器器件已被投入到实际应用中。近年来，绿色(具有大约500至560nm的波长)的半导体激光器器件也得到积极的发展(例如，参考NPL1和NPL2)。
在NPL1和NPL2的每一个中，提出了一种六方晶系Ⅲ族氮化物半导体激光器器件。在这个半导体激光器器件中，在n型GaN基板的半极性平面{2,0,-2,1}上以这样的顺序形成n型熔覆层、包括由InGaN构成的有源层的发光层和p型熔覆层。应注意的是，在这个说明书中，将通过{h,k,l,m}(h、k、l、和m是平面指数(米勒指数))表示六方晶系晶体的方向。
通过在半导体基板的半极性平面上堆叠各种激光成型膜(即，通过引起外延生长)来制造如上所述的半导体激光器器件。在这类半导体激光器器件中，提供了正交于激光束的传播方向(导波方向)的端面，并且将该端面用作反射面(在下文中，将这个端面称为“共振器端面”)。因而，为了利用具有半极性平面的半导体基板的半导体激光器器件提出了多种形成共振器端面的技术(例如，参考PTL1)。
在PTL1中，首先，在由六方晶系Ⅲ族氮化物半导体构成的半导体基板的半极性平面上形成多个激光器结构(即，生产基板产物)。接下来，利用激光划线器，在基板产物的预定方向上形成划线凹槽。随后，从基板产物的背面，沿着每一个划线凹槽挤压刀片，使得切割基板产物以分离成多个部件。在PTL1的制造方法中，将通过对基板产物的这种切割形成的端面用作共振器端面。
应注意的是，已提出了用于氮化物半导体激光器器件的切割的各种技术(例如，参考PTL2)。在PTL2中，通过下列程序执行氮化物半导体激光器器件的切割。首先，生产晶片。这个晶片拥有其中形成共振器表面的多个氮化物半导体层。接下来，形成呈类似于虚线形状的第一辅助凹槽。第一辅助凹槽形成在其是彼此相邻的氮化物半导体层之间的晶片区域的一部分中，并且在与共振器表面的延伸方向相同的方向上延伸。在平行于共振器表面的延伸方向的方向中形成第一辅助凹槽。随后，形成比第一辅助凹槽深的第二辅助凹槽。第二辅助凹槽形成在其是彼此相邻的氮化物半导体层之间的晶片区域的一部分中，且正交于共振器表面的延伸方向。在垂直于共振器表面的延伸方向的方向上形成第二辅助凹槽。然后，沿着第一辅助凹槽和第二辅助凹槽分离晶片。
引用列表
专利文献
PTL1：日本专利第4475357号
PTL2：日本未经审查的专利申请公开第2010-199482号
非专利文献
NPL1：Kyono等人:"The world’s First True Green Laser Diodes onNovel Semi-Polar GaN Substrates I",SEI技术综述，第176号，页数：88-92(2010年1月)
NPL2：Adachi等人:"The world’s First True Green Laser Diodes onNovel Semi-Polar GaN Substrates II",SEI技术综述，第176号，页数：93-96(2010年1月)
发明内容
如上所述，已提出了利用具有半极性平面的半导体基板制造半导体激光器器件的多种方法。然而，在这个技术领域中，期望通过进一步增强激光束的传播方向和共振器端面之间的正交性，以及改善共振器端面的表面平滑度来发展制造具有极好的激光特性的半导体激光器器件的技术。
因此，期望的是提供利用具有半极性平面的半导体基板制造半导体激光器器件的方法，并且提供半导体激光器器件，该半导体激光器器件能够进一步改善共振器端面的正交性和表面平滑度。
以下列程序执行制造本公开的实施例的半导体激光器器件的方法。首先，在具有半极性平面的六方晶系Ⅲ族氮化物半导体基板上制备生产基板，该生产基板具有包括半导体激光器器件的发光层的外延层。接下来，在生产基板的表面上形成切割导向槽(cutting guide groove)。在这个时间上，在半导体激光器器件的共振器端面侧的划线上且包括半导体激光器器件的一个或多个拐角的局部区域上形成切割导向槽，和在沿着划线的延伸方向中形成切割导向槽，并且当从延伸方向看时横截面呈V型。然后，沿着划线切割在其中形成切割导向槽的生产基板。
应注意，“横截面呈V型的切割导向槽”这里是切割导向槽具有其中切割导向槽的底部具有尖锐的形状，并且不仅包括横截面完全地成V型的切割导向槽，而且还包括横截面基本上呈V型的切割导向槽。
进一步地，本公开的实施例的半导体激光器器件包括半导体基体、外延层、电极和倾斜部分并且每一个的结构如下。由六方晶系Ⅲ族氮化物半导体组形成半导体基体且具有半极性平面。外延层包括形成激光束的光波导的发光层，且在半导体基体上形成外延层。在外延层上形成电极。另外，在包括激光器结构的共振器端面的一个或多个拐角的局部区域中形成倾斜部分，所述激光器结构包括半导体基体和外延层，一个或多个拐角位于外延层侧上，共振器端面正交于激光束的传播方向且使倾斜面向激光器结构的表面倾斜，表面位于外延层侧上。此外，本公开的实施例的半导体激光器器件是通过上述提及的制造本公开的实施例的半导体激光器器件的方法制造的半导体激光器器件。
在制造根据本公开的实施例的半导体激光器器件的方法中，通过切割在横截面上呈V型的切割导向槽的使用，通过切割半导体激光器器件的生产基板形成共振器端面。利用这个方法，允许改善激光束的传播方向和共振器端面之间的正交性，以及共振器端面的表面平滑度。因此，根据本公开允许改善半导体激光器器件的激光特性，其采用具有半极性平面的半导体基板(半极性基板)。
附图说明
[图1]是根据本公开的实施例的半导体激光器器件的示意性透视图。
[图2A]是示出了GaN的晶体结构中的极面的实例的示图。
[图2B]是示出了GaN的晶体结构中的非极性平面的实例的示图。
[图3]是示出了GaN的晶体结构中的半极性平面的实例的示图。
[图4]是根据本公开的实施例的半导体激光器器件的示意性横截面图。
[图5]是示出了制造根据本公开的实施例的半导体激光器器件的方法的程序的流程图。
[图6]是在本公开的实施例中生产的半导体激光器器件的生产基板的示意性平面图。
[图7]是用于描述形成切割导向槽的技术的实例的示图。
[图8]是用于描述形成切割导向槽的技术的实例的示图。
[图9]是用于描述形成切割导向槽的技术的实例的示图。
[图10]是用于描述形成切割导向槽的技术的实例的示图。
[图11]是用于描述形成切割导向槽的技术的实例的示图。
[图12]是用于描述形成切割导向槽的技术的实例的示图。
[图13]是用于描述形成切割导向槽的技术的实例的示图。
[图14]是示出了切割导向槽的示意性透视横截面图的实例的示图。
[图15]是当从切割导向槽的延伸方向观看时切割导向槽的横截面照片的实例。
[图16]是示出了从GaN的晶体结构中的多个晶体平面中的每一个的c平面的倾斜的角和限定方向的平面指数之间的关系的示图。
[图17]是示出了切割导向槽的示意性平面图的实例的示图。
具体实施方式
将参考附图，按照以下列顺序描述根据本公开的实施例的半导体激光器器件的实例和制造半导体激光器器件的方法中的每一个。然而，本公开不限于以下实例。
1.半导体激光器器件的配置
2.制造半导体激光器器件的技术
3.切割导向槽的配置
4.实例
<1.半导体激光器器件的配置>
[半导体激光器器件的整体配置]
图1示出了根据本公开的实施例的半导体激光器器件(半导体激光器器件100)的示意性外观图。应注意，在图1示出的实例中，描述了脊类型的半导体激光器器件100(折射指数引导类型)，但是本公开不限于此。例如，下面将描述的本公开的技术适用于增益引导类型的半导体激光器器件。
半导体激光器器件100包括半导体基体1、外延层2、绝缘层3、第一电极4(电极)和第二电极5。
在本实施例的半导体激光器器件100中，半导体基体1的一个表面1a(图1中的顶面)是半极性平面，并且外延层2、绝缘层3和第一电极4以这个顺序形成在这个半极性平面1a上。在半导体基体1的半极性平面1a相对的表面1b上(图1中的底面，在下文中将其称为“底面1b”)形成第二电极5。应注意，例如，当将{2,0,-2,1}平面附近的半极性平面用作半导体基体1的半极性平面1a时，允许具有大约500nm的波长的绿光振荡。
进一步地，如在图1中示出的，半导体激光器器件100基本上呈类似于长方体的形状。在半导体激光器器件100的表面上形成具有脊结构和在预定方向中延伸(图1中的Y方向)的条带部分101，所述表面在第一电极4侧面上。形成从将稍后描述的一个侧面102延伸到半导体激光器器件100的另一个侧面103的条带部分101。条带部分101的延伸方向担当激光束的传播方向。关于外延层2，相当于条带部分101的区域担当光波导。
在本实施例中，假设条带部分101的延伸方向是正交于a轴方向的方向。然而，例如，取决于诸如应用和必要的激光特性的条件，允许适当地设定条带部分101的延伸方向，而不限于这个实例。应注意，条带部分101的宽度是大约几个微米或更短，并且条带部分101的延伸长度(腔长)是大约几百微米。
进一步地，半导体激光器器件100具有四个侧面(端面)。在这四个侧面中，正交于条带部分101的延伸方向(图1中的Y方向)的两个侧面102和103(切割面)各自担任激光共振器的反射表面。换句话说，两个侧面102和103是共振器端面，并且由两个侧面102和103以及外延层2的光波导区域配置激光共振器，其中光波导区域相当于条带部分101。应注意，如稍后将描述的，通过从基板部件(在下文中，这将被称为“生产基板”)剪下生产半导体激光器器件100，其中，在所述基板部件中，在二维方向上直线布置多个半导体激光器器件100。因此，这四个侧面是以那样的切割所形成的切割面。
应注意，在本实施例的半导体激光器器件100中，在两个共振器端面102和103的一个或两个表面上形成(通过端面涂覆)由SiO2/TiO2膜等构成的介电多层膜。可能的是，通过执行端面涂覆来调整共振器端面上的反射系数。
此外，半导体激光器器件100具有四个倾斜面104a至104d。分别在经配置以包括半导体基体1、外延层2、和绝缘层3的激光器结构表面的四个拐角上形成倾斜面104a至104d。这个表面在条带部分101侧面上(即，图1的实例中的顶面)。这些倾斜面104a至104d中的每一个是一个侧壁表面的部分(剩余的部分)，侧壁表面限定切割导向槽。在半导体激光器器件100的生产基板中，在沿着每一个共振器端面的方向中延伸的划线上(图1中的X方向)设置切割导向槽。切割导向槽横截面基本上呈V状型。换句话说，倾斜面104a和104b中的每一个是一个侧壁表面的剩余部分，并且倾斜面104c和104d中的每一个是另一个侧壁表面的剩余部分。
应注意，例如，当半极性平面1a具有在{2,0,-2,1}平面附近的方向时，主要在倾斜面104(104b)和倾斜面104c(104d)中的一个上露出{0,0,0,1}平面(即，“c平面”)，如稍后将描述的。在这种情况下，如稍后将描述的，在条带部分101的延伸方向中(图1中的Y方向，其是切割导向槽的槽宽度方向)，未露出c平面的倾斜面的宽度和露出c平面的倾斜面的宽度之间比率大约是6:4。换句话说，建立了这样的状态，即，倾斜面104a(104b)的宽度和倾斜面104c(104d)的宽度之间的比率从1：1比率偏移。
[每个部分的配置]
这里，将更详细地描述本实施例的半导体激光器器件100的每个组件的配置。
(1)半导体基体
例如，由六方晶系Ⅲ族氮化物半导体如GaN、AlN、AlGAN、InGAN、和InAlGaN形成半导体基体1。进一步地，作为半导体基体1，可使用其中载流子的导电类型是n型的基板。进一步地，在本实施例中，半导体基体1的一个表面是上面描述的半极性平面1a，其中在所述表面上形成外延层2、绝缘层3和第一电极4。
这里，在图2A和图2B以及图3中示出的GaN的晶体结构。GaN具有被称为如图2A和图2B中所示的六边形晶体的晶体结构。因为沿着c轴产生外延层2内的发光层14(稍后将描述)中的压电场，故正交于c轴的c平面201({0,0,0,1}平面)具有极性，且被称为极性平面。同时，正交于m轴的m平面202({1,0,-1,0}平面)与c轴平行，因而是非极性的并且被称为非极性平面。与此相反，其中通过使c轴向m轴方向倾斜预定的角实现的轴方向是法线方向的平面是c平面和m平面之间的中间的平面，并且被称为半极性平面。在图3的实例中，这个中间的平面是其中通过使c轴向m轴方向倾斜大约75度实现的轴方向是法线方向的平面({2,0,-2,1}平面203)。
应注意，例如，可将其中通过使c轴向m轴方向倾斜大约45至80度或100至135度实现的方向是法线方向的晶体平面用作半极性平面1a。进一步地，在上述提及的角范围中，例如，半极性平面1a的法线方向和c轴之间的角优选地是63至80度或100至117度，以便获得长波长的光发射。在这些角范围中，减少外延层2中的发光层(有源层)的压电极性，稍后将描述，并且同时改善In在发光层的生长(形成)时间上的合并。因而，允许增加发光层中的In成分可变范围。因此，为半极性平面1a的法线方向和c轴之间的角设定上述描述的角范围，使得易于获得长波长的光发射。
因为半极性平面1a具有在上述描述的角范围内的法线方向，故可使用诸如{2,0,-2,1}平面、{1,0,-1,1}平面、{2,0,-2,-1}平面和{1,0,-1,-1}平面的晶体平面。应注意，也可将从这些晶体平面中的任何一个加上或减去4度稍微倾斜的晶体平面用作半极性平面1a。当将这些晶体平面中的任何一个用作半极性平面1a时，可以形成表面平滑度和正交性极好的共振器端面102和103。
应注意，如将稍后描述的，如在本实施例中，在制造工艺中，在生产基板中设置切割导向槽并且将它的延伸方向用作a轴方向时，优选的是，可将其中法线方向是通过使c轴向m轴方向倾斜大约60至90度实现的方向的半极性平面1a被用作半极性平面1a。在这种情况下，允许获得具有极好的再现性和稳定性的基本上呈V型的切割导向槽，如将稍后描述的。
进一步地，例如，可将半导体基体1的厚度设定为大约400μm以下。在这个厚度范围中，可以在切割半导体激光器器件的生产基板的时获得高质量的共振器端面(切割表面)102和103(即，具有极好的表面平滑度和正交性)。
(2)外延层、绝缘层、第一电极和第二电极
接下来，将参考图4描述本实施例中的半导体激光器器件100的外延层2、绝缘层3、第一电极4和第二电极5的配置。图4是沿着厚度方向(图中的Z方向)获得的半导体激光器器件100的示意性横截面图。应注意，图4示出了正交于条带部分101的延伸方向(图中的Y方向)的横截面。
在本实施例中，外延层2包括缓冲层11、第一熔覆层12、第一光导层13、发光层14(有源层)、第二光导层15、载流子阻挡层16、第二熔覆层17和接触层18。在半导体基体1的半极性平面1a上，缓冲层11、第一熔覆层12、第一光导层13、发光层14(有源层)、第二光导层15、载流子阻挡层16、第二熔覆层17和接触层18以这样的顺序堆叠。应注意，这里，将描述其中利用n型GaN半极性基板配置半导体基体1的实例。
例如，可利用基于氮化镓的半导体层如n型GaN层配置缓冲层11。例如，可利用基于氮化镓的半导体层如n型AlGaN层和n型InAlGaN层配置第一熔覆层12。例如，可利用基于氮化镓的半导体层如n型GaN层和n型InGaN层配置第一光导层13。
由阱层(未示出)和阻挡层(未示出)配置发光层14。例如，由氮化镓的半导体如InGaN和InAlGaN形成阱层。例如，由基于氮化镓的半导体如GaN、InGaN和InAlGaN形成阻挡层。应注意，例如，发光层14可具有其中交替地堆叠，以便形成多个层的阱层和阻挡层的多量子阱结构。应注意，发光层14担当外延层2的光发射区域，例如，并发射在大约480nm至大约550nm范围内的波长的光。
可利用其中载流子的导电型是p型的基于氮化镓的半导体层来配置第二光导层15。这个基于氮化镓的半导体层的实例包括p型GaN层和p型InGaN层。例如，可利用p型AlGaN层配置载流子阻挡层16(电子阻挡层)。
例如，可利用诸如p型AlGaN层和p型InAlGaN层的基于氮化镓的半导体层配置第二熔覆层17。应注意，因为本实施例的半导体激光器器件100是脊类型的半导体激光器器件，除了与第一电极4侧面的表面上的条带部分101相对应的区域之外，通过蚀刻等方法减少第二熔覆层17的区域。结果，在第二熔覆层17的区域中形成脊面17a，区域相当于第一电极4侧的表面上的条带部分101。应注意，以类似于条带部分101的方式，形成在基本上正交于每一个谐振器端面的方向中延伸的脊面17a。也形成从一个共振器端面102延伸到另一个共振器端面103的脊面17a。
例如，可利用p型GaN层配置接触层18。另外，在第二熔覆层17的脊面17a上形成接触层18。
例如，利用绝缘膜如SiO2膜配置绝缘层3。如图4中所示，在除了第二熔覆层17的脊面17a的区域上，以及在脊面17a和接触层18的每一个的侧面上形成绝缘层3。
例如，可利用诸如Pd膜的导电膜配置第一电极4(p侧电极)。另外，在接触层18上，以及在绝缘层3的端面上，端面在接触层18侧面上，形成第一电极4。应注意，在本实施例的半导体激光器器件100中，可提供覆盖绝缘层3和第一电极4的用于衰减电极的电极膜。
例如，可利用导电膜如Al膜配置第二电极5(n-侧电极)。另外，在半导体基体1的背面1b上形成第二电极5。
<2.制造半导体激光器的技术>
(1)制造半导体激光器器件的技术的整体流程
接下来，具体地，将参考图5描述制造本实施例的半导体激光器器件100的技术。应注意，图5是指示制造半导体激光器器件100的技术的整体程序的流程图。进一步地，在本实施例中，将描述其中在半导体激光器器件100的每一个共振器端面上形成(通过端面涂覆)介电多层膜的实例。
首先，制备由六方晶系Ⅲ族氮化物半导体形成的半极性基板(具有半极性平面的半导体基板)(步骤S1)。半极性基板用于在二维方向上直线排列并形成多个半导体激光器器件100。然后，使半极性基板经历热清洗。
接下来，例如，通过利用诸如OMVPE(有机金属汽相外延)的技术，使多种半导体膜在半极性基板的半极性平面上以预定的顺序外延地生长，使得形成组成外延层2的半导体膜组(步骤S2)。具体地，使分别形成缓冲层11、第一熔覆层12、第一光导层13、发光层14、第二光导层15、载流子阻挡层16、第二熔覆层17和接触层18的半导体膜在半极性平面上以这样的顺序生长。
接下来，在其中形成半导体膜组的基板部件的表面上形成切割导向槽(步骤S3)。沿着在激光束的传播方向中彼此相邻的单独的两个半导体激光器器件100的区域之间的边界(划线)形成切割导向槽。在这个步骤中，例如，通过蚀刻形成切割导向槽。换句话说，沿着正交于激光束的传播方向(即，条带部分101的延伸方向)的方向中的边界(共振器端面侧上的边界)，在基板部件的表面中形成切割导向槽，所述表面在半导体膜组侧面上。
应注意，在这个步骤中，在半极性基板的半导体膜组侧面的表面上，在包括半导体激光器器件100的一个或多个局部区域中形成切割导向槽。另外，在本实施例中，形成穿过共振器端面侧上的边界的条带部分101，但是形成不能横断条带部分101的切割导向槽，如稍后将描述的。换句话说，在步骤S3中，沿着共振器端面侧上的边界间断地形成切割导向槽。
进一步地，如稍后将描述的，当从切割导向槽的延伸方向观看时，在步骤S3中形成的切割导向槽基本上呈V型形状(参考将稍后描述的图14)。此外，在本实施例中，当从半极性基板的表面的法线方向(Z方向)观看时，该表面在半导体膜组侧面上，切割导向槽的末端(尖端)，该末端在条带部分101侧面上，在平面图中基本上也呈V型形状(参考将稍后描述的图6和14)。
此外，可将在步骤S3中形成的切割导向槽的宽度设定在大约1.0μm至大约10μm的范围内，更具体地，在大约1.5μm至大约2.5μm的范围内。进一步地，例如，可将切割导向槽的深度设定在大约0.5μm至大约30μm的范围内，更具体地，在大约1.0μm至大约4.0μm的范围内。应注意，稍后将详细地描述形成切割导向槽的技术。
接下来，在形成条带部分101的区域中，由半极性基板的表面区域形成掩膜。表面区域位于其中设置了形成接触层18的半导体膜侧上。随后，蚀刻除了形成掩膜的区域之外的区域，这样，在每一个半导体激光器器件100的表面上形成脊，所述表面在接触层18侧的表面上(步骤S4).。
应注意，在这个步骤中，从接触层18的表面到第二熔覆层17的预定深度，蚀刻除了形成条带部分101的区域之外的区域，使得在其中形成条带部分101的区域中形成脊。另外，在这个步骤中，在其中在条带部分101的延伸方向中彼此相邻的两个半导体激光器器件100之间的区域中(参考将稍后描述的图6)，沿着条带部分101的延伸方向连续地形成穿过共振器端面之间的边界的脊。
接下来，在脊上的掩膜的去除之后，例如，通过利用例如真空沉积和溅射法的技术在半极性基板的位于脊侧上的表面上形成了构成绝缘层3的绝缘膜(步骤S5)。应注意，可在绝缘膜形成之后去除脊上的掩膜。进一步地，当由金属等形成掩膜时，可将掩膜用作第一电极4的一部分，并且因此在这种情况下，没有必要去除掩膜。
随后，在其中已经在如上所述的半极性基板中形成不同的半导体膜和绝缘膜的基板部件上形成电极膜(步骤S6)。这个电极膜形成第一电极4和第二电极5中的每一个。
具体地，如下形成构成第一电极4的电极膜(即，第一电极膜)。首先，利用光刻技术去除每一个脊上的绝缘膜，使得在表面上露出接触层18。接下来，例如，在每一个露出的接触层18上，例如利用诸如沉积和溅射法技术形成构成第一电极4的电极膜。
另一方面，如下形成构成第二电极5的电极膜(即，第二电极膜)。首先，打磨半极性基板的背面，以将半极性基板的厚度设定为期望的厚度。接下来，例如通过利用诸如沉积和溅射法技术，在半极性基板的整个背面上形成构成第二电极5的电极膜。
在本实施例中，通过上述描述的步骤S1至S6生产其中二维排列并形成多个半导体激光器器件100的生产基板。
这里，当从第一电极4侧观看时，图6示出了通过上述描述的步骤S1至S6生产的生产基板的示意性平面图。应注意，为了简化描述，图6只示出了生产基板的局部区域。进一步地，由图6中的粗的虚线包围的区域A是其中形成一个半导体激光器器件100的区域。
另外，图6中的虚线BL1是指示在条带部分101的延伸方向(Y方向)中彼此相邻的两个区域A之间的边界的线，每一个区域A形成半导体激光器器件100。换句话说，边界BL1是位于共振器端面侧上的边界。图6中位于共振器端面侧上的边界BL1与用于形成每一个共振器端面的划线相对应。
此外，图6中的虚线BL2是指示在正交于条带部分101的延伸方向的方向(X方向)上彼此相邻的两个区域A之间的边界的线，由半导体激光器器件100组成每一个区域A(在下文中，虚线BL2将被称为“侧面侧上的边界BL2”)。换句话说，图6中侧面侧上的边界BL2与用于形成每一个半导体激光器器件100的侧面的划线相对应。这些侧面平行于条带部分101的延伸方向。那么当从生产基板110切下每一个半导体激光器器件100作为芯片时，沿着共振器端面侧上的边界BL1和侧面侧上的边界BL2切割生产基板110。
在本实施例中，如图6中所示，在生产基板110的平面中，沿着共振器端面侧上的每一个边界BL间断地形成切割导向槽104。在这个工艺中，在边界BL1的延伸方向(X方向)中彼此相邻的两个条带部分101之间的区域中，沿着边界BL1的延伸方向连续地形成每一个切割导向槽104。进一步地，在这个工艺中，形成没有与其中形成条带部分101的区域相交的每一个切割导向槽104。例如，取决于加工的类型或在附近形成的膜的形状，适当设定两个切割导向槽104之间的距离“s”，两个切割导向槽彼此相邻并具有插入其中的条带部分101。
应注意，在本实施例中，描述了其中为沿着共振器端面侧上的边界BL1的方向(X方向)中彼此相邻的两个条带部分101之间的每一个区域设置切割导向槽104的实例。换句话说，描述了其中在沿着边界BL1的方向(X方向)上，在每一个条带部分101的两侧的区域中设置切割导向槽104的实例。然而，本公开不限于这个实例。
例如，在沿着共振器端面侧的边界BL1的方向(X方向)中，可在一个侧面上的区域中或在每一个条带部分101的另一个侧面上的区域中形成切割导向槽104。在这种情况下，沿着所有的边界BL1，可在位于每一个条带部分101的一侧的区域中或在每一个条带部分101的另一个侧上的区域中直线排列和各自形成切割导向槽104。可替换地，可形成切割导向槽104，这样，对于每一个边界BL1来说，其中形成相应的切割导向槽104的位置可以是可替换的，该位置与条带部分101相关。
此外，在本实施例中，如图6中所示，当从生产基板的第一电极4侧观看时，切割导向槽104的形状具有关于侧面侧上的边界BL2的线性对称性。然而，本公开不限于这个形状。切割引导槽104的形状可能是关于边界BL2非对称的。例如，从边界BL2至切割导向槽104的一个尖端的槽长度可能不同于从边界BL2至切割导向槽104的另一个尖端的槽长度。
这里，回来参考图5，将描述在步骤S7中或之后加工的工艺，即，从图6中所示的生产基板110切下每一个半导体激光器器件100的处理(即，切割)。应注意，可将类似于那些普通的技术(例如，上述提到的PTL1)用于切下每一个半导体激光器器件100的处理。在下文中，将描述利用激光划线器器件(未示出)的技术。
首先，将如上所述的生产的生产基板110附接至激光划线器器件。利用激光束照射谐振器端面侧上的边界BL1的一部分，在其中形成生产基板110的每一个切割导向槽104，使得形成划线器槽(步骤S7)。具体地，例如，沿着边界BL1的延伸方向，在生产基板110的边缘附近的边界BL1上形成划线器凹槽。应注意，因为通过利用激光束照射形成划线器凹槽，划线器凹槽的宽度和深度显著地比通过半导体加工如蚀刻形成的切割导向槽104的大。
接下来，将称为刀片的折断器件(未示出)压向生产基板110的背面上的一部分，该部分位于面向其中形成划线器槽的区域的区域内，这样，沿着谐振器端面侧上的边界BL1切割(劈开)生产基板110(步骤S8)。为每一个边界BL1执行这种切割，这样，将生产基板110分成多个基板部件。在这个过程中，沿着切割导向槽104切割条带部分101附近的部分。切割导向槽104具有完全地比划线器凹槽窄的凹槽宽度，且横截面基本上呈V型形状。因此能够在特定的小区域上集中大的应力，因此，允许在条带部分101的附近的期望的位置上精确地形成共振器端面。这使得获得具有极好的表面平滑度和正交性的共振器端面成为可能。
接下来，在步骤S8中分离的每一个基板部件的切割表面(共振器端面)上形成介电多层膜(步骤S9)。然后，最后沿着每一个基板部件的侧面侧上的边界BL2的延伸方向切割每一个基板部件，这样，将每一个基板部件划分成多个半导体激光器器件100作为芯片(步骤S10)。
在本实施例中，如上所述生产半导体激光器器件100。在本实施例中，如上所述，在步骤S8中，沿着每一个切割导向槽104切割生产基板110。因此，在从生产基板110切下的半导体激光器器件100中，在第一电极4侧上的每一个表面的拐角附近保留限定切割导向槽104的一个或另一个侧壁表面部分。因而，形成如图1中所示的倾斜面104a至104d。
(2)形成切割导向槽的技术
接下来，将参考图7至图13描述在图5中示出的流程图的步骤S3中执行的形成切割导向槽104的技术中的程序。应注意，图7至图13是步骤S3中的相应的加工的完成时的基板部件的示意性透视图。然而，这里，为了简化描述，仅示出了在基板部件中彼此相邻的两个区域之间的边界附件的区域，由半导体激光器器件100组成每一个区域。
首先，在步骤S2中，在半极性基板111上形成组成外延层2的半导体膜组112之后(图7中的状态)，如图8中示出的，在半导体膜组112上形成例如由SiO2膜构成的蚀刻掩膜113。应注意，例如，蚀刻掩膜113的厚度可以是大约100至大约1000nm。
接下来，如图9中所示，在蚀刻掩膜113上形成抗蚀膜114。然后，通过用于普通的半导体工艺的光刻技术(形成图案)去除抗蚀膜114的区域，该区域与其中形成每一个切割导向槽104的区域相对应。结果，在抗蚀膜114中，在其中形成每一个切割导向槽104的区域中形成开口部分114a，导致其中在开口部分114a中露出蚀刻掩膜113的状态(图9中的状态)。应注意，将这个开口部分114a的宽度设定为与切割导向槽104的宽度相同。
随后，通过利用例如诸如CF4的气体的RIE(反应离子蚀刻)或通过利用例如氢氟酸碱溶液等的湿法蚀刻去除在抗蚀膜114的开口部分114a中露出的蚀刻掩膜113(图10中的状态)。应注意，在这个过程中，直到在抗蚀膜114的开口部分114a中露出组成外延层2的半导体膜组112才执行蚀刻。然后，去除抗蚀膜114(图11中的状态)。
接下来，通过蚀刻半导体膜组112的区域形成切割导向槽104，在蚀刻掩膜113的每一个开口部分113a中露出该区域(图12中的状态)。通过利用，例如，诸如Cl2气体和Ar气体的单一气体，或利用通过混合这些气体形成的气体的RIE来执行蚀刻。在这个过程中，继续蚀刻直至切割导向槽104的底部达到半极性基板111的期望的深度。应注意，在这个过程中，如将稍后描述的，由于半极性基板111的晶体结构的特性(属性)，形成在正交于槽的延伸方向的横截面上基本上呈V型的切割导向槽104。
接下来，去除蚀刻掩膜113(图13中的状态)。在本实施例中，在以上述方式形成切割导向槽104之后，根据参考图5中的步骤S4至S6描述的程序，在其中设置组成外延层2的半导体膜组112侧的表面上形成条带部分101。
应注意，在本实施例中，描述了其中在如上所述的，在半极性基板111上形成组成外延层2的半导体膜组112之后，形成切割导向槽104的情况。然而，本公开不限于这种情况。例如，在形成条带部分101之后(在形成第一电极4和第二电极5之后)，可利用上述描述的形成技术(图7至图13)形成切割导向槽104。可替换地，例如，在组成外延层2的半导体膜组112中形成脊之后，可利用上述描述的形成技术(图7至图13)形成切割导向槽104。在这种情况下，在图12至图13的工艺中，可将由SiO2膜等组成的用作蚀刻掩膜113的绝缘膜用作形成绝缘层3的膜，而不需要去除。
在本实施例中，利用如上所述的切割导向槽104生产半导体激光器器件100。这允许通过更简单的技术获得激光特性极好的半导体激光器器件100。因此，下面将描述其原因。
为了获得更高性能的半导体激光器器件，必需改善形成激光谐振器的每一个谐振器端面的表面平滑度，以及每一个谐振器端面和激光束的传播方向(等于条带部分101的延伸方向)之间的正交性。因此，为利用半极性基板的半导体激光器器件提出了形成谐振器端面的各种技术。然而，实际上，难于形成具有极好的表面平滑度和正交性的谐振器端面。这是因为在利用半极性基板的半导体激光器器件中，存在其中谐振器端面不是普通的容易断裂的表面如c平面、m平面和a平面的情况(参考图2A和图2B)。
与此相反，在本实施例中，分别地从通过诸如激光划线器的器件形成划线器凹槽，在形成半导体激光器器件100的芯片的拐角附近的区域中，通过半导体工艺设置切割导向槽104。这个区域在沿着每一个谐振器端面的方向中的划线上。如上所述，在这个工艺中设置的切割导向槽104比划线器凹槽更精细，且在正交于它的延伸方向的横截面中基本上呈V型。进一步地，在从生产基板110切下形成半导体激光器器件100的芯片的过程中，将大的力施加于切割导向槽104。因而，沿着这个切割导向槽104切割条带部分101附近的端面区域。
因此，在本实施例的制造技术中，在期望的位置上精确地形成共振器端面(具体地，条带部分101附近的端面区域)，其允许抑制共振器端面的位置中的变化。结果，可进一步改善每一个共振器端面的表面平滑度，以及每一个共振器端面和条带部分101的延伸方向(即，激光束的传播方向)之间的正交性。利用这种制造技术，例如，允许通过较低的振荡阈值电流有效地执行激光振荡，和可实现在激光特性方面优越的半导体激光器器件100。
<3.切割导向槽的配置>
这里，将参考一些图更详细地描述在本实施例中形成的切割导向槽104的配置和特征。图14示出了在本实施例中形成的切割导向槽104的示意性配置。应注意，图14是示意性地示出了切割导向槽104的透视横截面图。
在本实施例中，如图14中所示，切割导向槽104的底部的形状基本上呈类似于形成锐角的字母V的形状，并且切割导向槽104的末端的形状也基本上呈类似于字母V的形状，该末端位于条带部分101侧。下面将更详细地描述切割导向槽104的形状。
(1)切割导向槽的侧壁表面的形状
首先，将描述限定切割导向槽104的侧壁表面的形状(即，沿着切割导向槽104的延伸方向延伸的侧壁表面)。图15示出了实际上形成的切割导向槽104的横截面照片。应注意，图15中示出的截面正交于切割导向槽104的延伸方向(即，X方向，晶体学上的a轴方向)。
如从图15显而易见的是，当从它的延伸方向观看时，本实施例中的切割导向槽104在平面图中基本上呈V型。进一步地，切割导向槽104的底部的形状基本上呈类似于形成锐角的字母V的形状。
此外，如从图15显而易见的是，限定基本上呈V型的切割导向槽104的一部分的一个侧壁表面121a(图15中的左边的侧壁表面)的倾斜角小于另一个侧壁表面121b(图15的右边上的侧壁表面)的倾斜角。结果，在槽宽度方向中(图15的Y方向)，切割导向槽104的最深的截面D在从切割导向槽104的中心移动(偏移)到另一个侧壁表面121b侧的位置上。换句话说，这是其中在槽宽度方向中，一个侧壁表面121a的宽度d1和另一个侧壁表面121b的宽度d2的比率从1：1比率的偏移。应注意，在图15中示出的实例中，在槽宽度方向中，一个侧壁表面121a的宽度d1和另一个侧壁表面121b的宽度的比率大约是6：4。
可想象到的是，上述的切割导向槽104的特性可归于利用半极性基板配置半导体基体1的事实。因此，下面将描述理由。应注意，这里将描述其中由GaN组成半导体基板1和半极性平面1a是{2,0,-2,1}平面的情况，即，其中半极性平面1a的法线方向是通过使c轴向m轴方向倾斜大约75度实现的方向。
图16示出了关于GaN晶体的c平面的平面指数和多个晶体平面的倾斜角之间的关系。应注意，如上所述，在本实施例中切割导向槽104的延伸方向是a轴(即，平行于a轴)。因此，能够在限定切割导向槽104的侧壁表面上露出的晶体平面({h,l,k,m})的方向是{h,0,-h,m}。换句话说，通过两个平面指数(变量)“h”和“m”表达能够在限定切割导向槽104的侧壁表面上露出的晶体平面的方向。
在图16中所示的特性中，水平轴指示倾斜角并且垂直轴指示平面指数“h”。另外，在图16中，绘示了作为其他变量的平面指数“m”从1变到7时，相对于c平面的多个晶体平面的平面指数与倾斜角之间的关系。在图16中示出的每一个曲线图中，晶体平面存在于每一个平面指数“m”的曲线图和水平线(刻度标记)之间的交叉点上(图中白色圆)，其中平面指数“h”是恒定整数。交叉点的角是相对于c平面的晶体平面的倾斜角。然而，这里，因为假设半极性平面1a的方向是{2,0,-2,1}，为了方便描述，曲线图的水平轴的中心是图16中的{2,0,-2,1}平面，而不是c平面。因此，图16中示出的特性中的水平轴的倾斜角是相对于{2,0,-2,1}平面的多个晶体平面的倾斜角。
进一步地，在图16中，为了方便描述，分别使能够在右侧壁表面121b上露出的晶体平面和左侧壁表面121a上露出的那些与来自图16中的水平轴的中心的右边四分之一的特性和左边四分之一的特性一致。这些侧壁表面121b和121a限定图15中示出的切割导向槽104。换句话说，在图16中，来自水平轴({2,0,-2,1}平面)中的中心的右边四分之一中的晶体平面(具有正倾斜角的区域)代表能够在限定在图15中的切割导向槽104的右边侧壁表面121b上露出的晶体平面。另一方面，在图16中，来自水平轴({2,0,-2,1}平面)中的中心的左边四分之一中的晶体平面(具有负倾斜角的区域)代表能够在限定图15中的切割导向槽104的左边侧壁表面121b上露出的晶体平面。
c平面({0,0,0,1}平面)存在于通过相对于{2,0,-2,1}平面(半导体基体1的方向)加上75度倾斜的位置上。然而，在c平面的加或减10度的区域中，如从图16显而易见的是，每一个平面指数“m”的曲线图与其中平面指数“h”是恒定整数的水平线之间没有交叉点。换句话说，在c平面的加或减10度的区域中，没有中间低水平晶体平面(平面指数“m”是9或更小)。从这点显然易见的是，基本上，容易和稳定地在限定图15中的切割导向槽104的右边侧壁表面121b上露出c平面({0,0,0,1}平面)。
另一方面，如图16中示出的，例如，在通过相对于{2,0,-2,1}平面减去35至减去80度倾斜的区域中，存在很多交叉点，均在每一个平面指数“m”的曲线图和其中平面指数“h”是恒定整数的水平线之间。因而，显然可见的是，在这个区域中存在多个中间低水平晶体平面。换句话说，在限定图15中的切割导向槽104的左边侧壁表面121a中，混合地存在多个各自具有比右边侧壁表面121b小的倾斜角的晶体平面，因而，显然地，稳定的晶体平面的露出是困难的。因此，当通过蚀刻在半极性基板中形成切割导向槽104时，容易在一个侧壁表面121a形成各自具有比另一个侧壁表面121b更小的倾斜角的多个晶体平面，因而，侧壁表面121a的倾斜是平缓的。在另一个侧壁表面121b中，另一方面，容易和稳定地露出c平面，因而，侧壁表面121b的倾斜比另一个侧壁表面121a的倾斜更陡峭。
如上所述，在本实施例中，限定切割导向槽104的相应的两个侧壁的倾斜角彼此不同。因此，如图15中所示，形成切割导向槽104，其中最深的截面D基本上呈类似于形成非常尖锐的角的字母V的形状。另外，因为限定切割导向槽104的相应的两个侧壁的倾斜角彼此不同，在槽宽度方向中(图15中的Y方向)，切割导向槽104的最深的截面D的位置从切割导向槽104的中心移动到另一个侧壁表面121b侧。
在本实施例中，如上所述，因为利用六边形(GaN)晶体的晶体学上的不对称特性形成切割导向槽，与通过没有利用这样的晶体学特性技术获得的基本上呈V型的槽相比，可以基本上形成呈类似于组成急性锐角的字母V形状的槽。因此，利用通过上述描述的本实施例的制造技术形成的基本上呈V型的切割导向槽104，允许进一步改善半极性基板的切割精确性(断裂)。
(2)半极性平面的适当的范围
如上所述，例如，当使用{2,0,-2,1}平面的半极性基板时，c平面存在于从半极性平面通过大约75度倾斜的角上(即，侧壁表面中的一个是陡峭的)。因此，容易获得基本上呈类似于形成锐角的字母V的形状的切割导向槽104。然而，能够使用的半极性基板的方向不限于这个实例。
c平面是晶体学上稳定的表面，并且例如容易地通过诸如干法蚀刻和湿法蚀刻的处理而露出。因此，具有相对于c平面以陡峭的角倾斜的方向的半极性基板的应用使得容易在限定切割导向槽104的一个或两个侧壁表面上露出c平面，因此允许侧壁表面的倾斜是陡峭的。这里，将更加详细地描述如上所述的基本上呈V型的切割导向槽104和半极性基板(半导体基体1)的半极性平面(形成外延层2的面)之间的关系。
例如，当通过利用诸如Cl2气体的蚀刻气体的干法蚀刻(RIE)在Ga基板中形成结构如切割导向槽104时，侧壁表面相对于基板表面的角变成大约70至80度，在很多情况下，而没有变成垂直于基板表面。这是由于，例如诸如在蚀刻期间产生的沉积物到槽的侧壁表面的附着的多种因素。因此，具体地，当稳定的晶体平面存在于关于半极性基板的半极性平面大约70至80度附近的角上时，存在切割导向槽的侧壁表面上露出晶体平面的强烈的趋势。
在用于本实施例的GaN基板中，c平面是存在于GaN晶体中的多个晶体平面中的一个显著地高度稳定的晶体平面。进一步地，如图16中所示，当切割导向槽的延伸方向限于a轴方向时(当侧壁表面的晶体平面限于平行于a轴方向的晶体平面时)，不存在具有相对于c平面加或减10度的倾斜角的中间低水平晶体平面(即，不存在其中平面指数是9或更小的晶体平面)。因此，在其中通过干法蚀刻形成在a轴方向延伸的切割导向槽的情况下，可容易地在侧壁表面上露出c平面，当存在在切割导向槽中露出的c平面和下降一个侧壁表面加或减10度的范围时，c平面具有大约70至80度的倾斜角。
换句话说，当凭借具有以关于c平面大于大约60度和小于大约90度的角倾斜的半极性平面的半极性基板的应用，通过干法蚀刻，沿着a轴方向形成切割导向槽104时，存在在一个侧壁表面上露出c平面的强烈的趋势。因此，在这种情况下，允许稳定地获得具有极好的再现性的基本上呈V型的切割导向槽104。
(3)切割导向槽的尖端的形状
接下来，将描述延伸方向中的切割导向槽104的末端(尖端)的形状。图17示出了在本实施例中形成的切割导向槽104的示意性平面图。应注意，图17示出了条带部分101附近的仅有的区域的配置。
在本实施例中，如图17所示，当从生产基板110的表面的法线方向(Z方向)观看时，假设切割导向槽104的末端(尖端122)的形状在平面图中基本上呈V状，该末端位于条带部分101侧。
切割导向槽104的尖端122被配置为包括两个前端侧壁面122a和122b(在下文中，将这些中的每一个称为“前端面”)。沿着切割导向槽104的延伸方向(图17中的X方向)连续地形成至切割导向槽104的一个侧壁表面121a的一个前端面122a。另外，沿着切割导向槽104的延伸方向，连续地形成至切割导向槽104的另一个侧壁表面121b的另一个前端面122b。
应注意，如上所述，在切割导向槽104的槽宽度方向中(图17中的Y方向)，一个侧壁表面121a的宽度d1和另一个侧壁表面121b的宽度之间的比率从1：1比率偏移(即，在图17的实例中的大约6：4)。因此，在本实施例中，在槽宽度方向中，一个前端面122a的宽度和另一个前端面122b的宽度之间的比率也从1：1比率偏移(在图17的实例中设定在大约6：4)。换句话说，在槽宽度方向中，切割导向槽104的最末端截面F的位置从中心(图17中的虚线)移动到(偏移)另一个前端面122b侧(即，向图17中的右边的前端面)。
这使得可能改善切割导向槽104的最深的截面D的延伸方向与切割导向槽104的延伸方向之间的平行，即，切割方向。在这种情况下，在通过切割生产基板110形成的共振器端面中，允许在期望的位置上形成具有更高的精确度的共振器端面，并且能够抑制共振器端面的位置中的变化。换句话说，在本实施例中，允许通过使切割导向槽的尖端122基本上形成为字母V形状来进一步改善生产基板110的切割。
然而，切割导向槽104的尖端122的形状不限于图17中示出的实例。例如，取决于诸如切割导向槽104的宽度和延伸方向的条件可适当地改变切割导向槽104的尖端122的形状。例如，取决于上述提到的条件，可将槽宽度方向的一个前端面122a的宽度和另一个前端面122b的宽度之间的比率设定为大约1：1。进一步地，取决于上述提到的条件，当从生产基板110的表面的法线方向观看时，切割导向槽104的尖端122在平面图中可以是圆弧形的、线状的(平坦的)等。
<4.实例>
现在，将描述实际上通过上述描述的制造半导体激光器器件100的技术生产的半导体激光器器件100的激光特性的实例(实例)，即，利用切割导向槽104的制造技术。应注意，这里，检查没有形成切割导向槽104生产的半导体激光器器件的激光特性(比较例)，用于与实例进行比较。应注意，在实例中，在生产基板中形成具有2μm槽宽度和2μm深度的切割导向槽104和制造半导体激光器器件100。
在下表1中提供了测量每一个实例和比较例中的半导体激光器器件的激光特性的结果。
[表1]
如从表1显而易见的是，实例中的半导体激光器器件100的振荡阈值电流Ith的平均值和方差都比比较例的小。换句话说，在实例的半导体激光器器件100中，能够利用比比较例低的电流进行震荡。还是从这点显而易见的是，与比较例的那些相比，在实例的半导体激光器器件100中，在共振器端面的表面平滑度以及共振器端面相对于光波导的延伸方向的正交性中存在改善。
应注意，可如下配置本公开。
(1)一种制造半导体激光器器件的方法，方法包括：
在具有半极性平面的六方晶系Ⅲ族氮化物半导体基板上制备生产基板，所述生产基板具有包括所述半导体激光器器件的发光层的外延层；
在所述生产基板的表面的局部区域上形成切割导向槽，所述局部区域位于所述半导体激光器器件的共振器端面侧的划线上并且包括所述半导体激光器器件的一个或多个拐角，并且在沿着所述划线的延伸方向上形成所述切割导向槽，并且当从所述延伸方向观看时所述切割导向槽的横截面呈V型；以及
沿着所述划线切割形成有所述切割导向槽的所述生产基板。
(2)根据(1)所述的方法，所述六方晶系Ⅲ族氮化物半导体基板是具有半极性平面的半导体基板，在所述半极性平面中，通过以大约60至90度范围内的角度将c轴向m轴倾斜后的轴的方向是法线方向。
(3)根据(2)所述的方法，其中，所述六方晶系Ⅲ族氮化物半导体基板是具有半极性平面的半导体基板，其中使c轴向m轴倾斜大约75度实现的方向是法线方向。
(4)根据(2)或(3)所述的方法，其中，形成所述切割导向槽，在所述切割导向槽中，在两个侧壁表面中的一个上露出c平面，所述两个侧壁表面限定出所述切割导向槽并且形成在沿着所述切割导向槽的所述延伸方向的方向上。
(5)根据(2)至(4)中的任何一个所述的方法，其中形成切割导向槽，其中槽宽度方向中的一个侧壁表面的宽度和槽宽度方向中的另一个侧壁表面的宽度之间的比率从1：1比率偏移。
(6)根据(5)所述的方法，其中，形成所述切割导向槽，在所述切割导向槽中，当从所述生产基板的表面观看时，所述切割导向槽的尖端在所述延伸方向上呈V型，通过两个前端侧壁面限定出所述尖端，所述两个前端侧壁面中的一个连续地形成为所述侧壁表面中的一个，所述两个前端侧壁面中的另一个连续地形成为所述侧壁表面中的另一个，并且所述两个前端侧壁面中的一个在所述槽宽度方向上的宽度与所述两个前端侧壁面中的另一个在所述槽宽度方向上的宽度之间的比率从1:1的比率偏移。
(7)根据(1)至(6)中任一项所述的方法，其中，形成在a轴方向上延伸的所述切割导向槽。
(8)根据(1)至(7)中任一项所述的方法，其中，通过干法蚀刻形成所述切割导向槽。
(9)一种半导体激光器器件，其包括：
半导体基体，由六方晶系Ⅲ族氮化物半导体形成并且具有半极性平面；
外延层，包括形成激光束的光波导的发光层，并且所述外延层形成在所述半导体基体上；
形成在所述外延层上的电极；以及
在包括激光器结构的共振器端面的一个或多个拐角的局部区域中形成的斜面部分，所述激光器结构包括所述半导体基体和所述外延层，所述一个或多个拐角位于所述外延层侧，所述共振器端面正交于所述激光束的传播方向，并且所述斜面部分向所述激光器结构的表面倾斜，所述表面位于所述外延层侧。
(10)一种通过方法制造的半导体激光器器件，方法包括：
在具有半极性平面的六方晶系Ⅲ族氮化物半导体基板上制备生产基板，所述生产基板具有包括半导体激光器器件的发光层的外延层；
在所述生产基板的表面的局部区域中形成切割导向槽，所述局部区域位于所述半导体激光器器件的共振器端面侧的划线上并且包括所述半导体激光器器件的一个或多个拐角，并且在沿着所述划线的延伸方向上形成所述切割导向槽并且当从延伸方向看时所述切割导向槽的横截面呈V型；以及
沿着所述划线切割形成有所述切割导向槽的所述生产基板。
本公开含有涉及在2011年12月8日在日本专利局提交的日本优先权专利申请JP2011-269030中公开的主旨，其全部内容包括在此，以供参考。
本领域的技术人员应该理解，只要它们在附加的权利要求或它的等同物的范围内，则可根据设计要求和其他因素出现各种修饰，组合、子组合和可替换项。

Claims (10)

1.一种制造半导体激光器器件的方法，所述方法包括：
在具有半极性平面的六方晶系Ⅲ族氮化物半导体基板上制备生产基板，所述生产基板具有包括所述半导体激光器器件的发光层的外延层；
在所述生产基板的表面的局部区域上形成切割导向槽，所述局部区域位于所述半导体激光器器件的共振器端面侧的划线上并且包括所述半导体激光器器件的一个或多个拐角，并且在沿着所述划线的延伸方向上形成所述切割导向槽，并且当从所述延伸方向观看时所述切割导向槽的横截面呈V型；以及
沿着所述划线切割形成有所述切割导向槽的所述生产基板。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述六方晶系Ⅲ族氮化物半导体基板是具有半极性平面的半导体基板，在所述半极性平面中，通过以大约60至90度范围内的角度将c轴向m轴倾斜后的轴的方向是法线方向。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述半极性平面以通过将所述c轴向所述m轴倾斜大约75度后的轴的方向为法线方向。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述切割导向槽，在所述切割导向槽中，在两个侧壁表面中的一个上露出c平面，所述两个侧壁表面限定出所述切割导向槽并且形成在沿着所述切割导向槽的所述延伸方向的方向上。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，形成所述切割导向槽，在所述切割导向槽中，所述侧壁表面中的一个在槽宽度方向上的宽度与所述侧壁表面中的另一个在所述槽宽度方向上的宽度之间的比率从1:1的比率偏移。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述切割导向槽，在所述切割导向槽中，当从所述生产基板的表面观看时，所述切割导向槽的尖端在所述延伸方向上呈V型，通过两个前端侧壁面限定出所述尖端，所述两个前端侧壁面中的一个连续地形成为所述侧壁表面中的一个，所述两个前端侧壁面中的另一个连续地形成为所述侧壁表面中的另一个，并且所述两个前端侧壁面中的一个在所述槽宽度方向上的宽度与所述两个前端侧壁面中的另一个在所述槽宽度方向上的宽度之间的比率从1:1的比率偏移。
7.根据权利要求2所述的方法，其中，形成在a轴方向上延伸的所述切割导向槽。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，通过干法蚀刻形成所述切割导向槽。
9.一种半导体激光器器件，包括：
半导体基体，由六方晶系Ⅲ族氮化物半导体形成并且具有半极性平面；
外延层，包括形成激光束的光波导的发光层，并且所述外延层形成在所述半导体基体上；
形成在所述外延层上的电极；以及
在包括激光器结构的共振器端面的一个或多个拐角的局部区域中形成的斜面部分，所述激光器结构包括所述半导体基体和所述外延层，所述一个或多个拐角位于所述外延层侧，所述共振器端面正交于所述激光束的传播方向，并且所述斜面部分向所述激光器结构的表面倾斜，所述表面位于所述外延层侧。
10.一种通过方法制造的半导体激光器器件，所述方法包括：
在具有半极性平面的六方晶系Ⅲ族氮化物半导体基板上制备生产基板，所述生产基板具有包括半导体激光器器件的发光层的外延层；
在所述生产基板的表面的局部区域中形成切割导向槽，所述局部区域位于所述半导体激光器器件的共振器端面侧的划线上并且包括所述半导体激光器器件的一个或多个拐角，并且在沿着所述划线的延伸方向上形成所述切割导向槽并且当从延伸方向看时所述切割导向槽的横截面呈V型；以及
沿着所述划线切割形成有所述切割导向槽的所述生产基板。
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