CN103954487B - 用于透射电镜的原位拉伸试样的制备方法 - Google Patents

用于透射电镜的原位拉伸试样的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103954487B
CN103954487B CN201410172126.7A CN201410172126A CN103954487B CN 103954487 B CN103954487 B CN 103954487B CN 201410172126 A CN201410172126 A CN 201410172126A CN 103954487 B CN103954487 B CN 103954487B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sample
electron microscope
crystal grain
low index
tape spool
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201410172126.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103954487A (zh
Inventor
刘嘉斌
陈陈旭
孟亮
曾跃武
王宏涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang University ZJU
Original Assignee
Zhejiang University ZJU
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang University ZJU filed Critical Zhejiang University ZJU
Priority to CN201410172126.7A priority Critical patent/CN103954487B/zh
Publication of CN103954487A publication Critical patent/CN103954487A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103954487B publication Critical patent/CN103954487B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)

Abstract

用于透射电镜的原位拉伸试样的制备方法,包括以下步骤:选取符合低指数带轴入射的区域:对样品进行电解抛光,使样品的厚度抛光到试验需要的厚度,样品的表面平整光亮洁净;用扫描电镜的背散射电子衍射技术测定各晶粒的取向,选定恰好符合低指数带轴的晶粒,并标记选定的晶粒;选定的晶粒作为符合低指数带轴入射的区域;使用聚焦离子束加工技术在选定的晶粒内预制一道裂口,在原位拉伸时,样品将在裂口处优先变形。本发明具有通过透射电镜能够很容易地找到符合低指数带轴入射的区域,能够实现实时动态地观察目标区域的高分辨像的目标的优点。

Description

用于透射电镜的原位拉伸试样的制备方法
技术领域
本发明涉及一种原位拉伸试样的制备方法。
技术背景
透射电子显微镜(简称透射电镜)是现代化的大型仪器,是研究物质微观结构的有力工具,它在物理,化学,材料科学,生命科学等领域有着广泛的应用,特别是目前发展迅速的纳米科学和技术领域,是最为有力的研究工具之一。目前透射电镜的分辨能力已经达到0.1 nm,接近固态物质原子间距。然而,由于透射电镜狭小的样品室空间的限制,要想在如此狭小的样品室空间内对材料施加应力的同时,原位地实现对材料变形过程中原子尺度下结构信息的揭示,成为摆在研究人员面前的难题。
目前,许多商业公司基于材料在不同温度下结构变化研究的需要已经开发了几种研究材料在不同温度下结构信息的样品杆。2006年报道于《Nature》439卷281页的文章主要是将扫描隧道显微镜探针放入透射电镜中,利用外接控制系统控制探针运动来操纵单根碳纳米管,实现对碳纳米管在电流作用下高温超塑性变形行为和断裂机制的研究。这种方法虽然可以实现高温下材料变形机制的研究,但是由于将较为复杂的机械结构放入透射电镜样品室中,而样品台只能小角度倾斜(±5°)或只能单轴倾转(不超过±20°),对于需要在低指数正带轴下观察的晶体样品就显得无能为力了。
发明内容
为了克服现有技术无法使目标观察区域转到某一低指数带轴的缺点,本发明提供了一种能够加工制备出特殊晶体取向的原位拉伸试样,从而通过透射电镜能够很容易地找到符合低指数带轴入射的区域的用于透射电镜的原位拉伸试样的制备方法。
用于透射电镜的原位拉伸试样的制备方法,包括以下步骤:
1)、选取符合低指数带轴入射的区域:
(1.1)对样品进行电解抛光,使样品的厚度抛光到试验需要的厚度,样品的表面平整光亮洁净;
(1.2)用扫描电镜的背散射电子衍射技术测定各晶粒的取向,选定恰好符合低指数带轴的晶粒,并标记选定的晶粒;选定的晶粒作为符合低指数带轴入射的区域;
2)、使用聚焦离子束加工技术在选定的晶粒区域内预制一道裂口,在原位拉伸时,样品将在裂口处优先变形。
进一步,裂口设置在由选定晶粒形成的直线上,裂口一端位于样品的边缘。
要实现低指数带轴入射从而获得原子排列的高分辨像可以通过两种途径来实现,1、目标区域恰好符合低指数带轴入射。2、通过试验台倾转来调整晶粒位向达到符合低指数带轴入射。但是透射电镜的原位拉伸试验台只能在X方向上倾转,导致通过后天的试验台倾转来调整位向受限。因此,本发明从通过选取那些晶体取向符合低指数带轴的晶粒,并在该晶粒区域内预制一道裂口。当样品放入透射电镜中进行原位拉伸时,样品优先在预制的裂口处变形,在电镜下很容易找到符合低指数带轴入射的区域,且原位拉伸变形恰好发生在低指数带轴入射的区域处,从而实现实时动态地观察目标区域的高分辨像的目标。
本发明具有通过透射电镜能够很容易地找到符合低指数带轴入射的区域,能够实现实时动态地观察目标区域的高分辨像的目标的优点。
附图说明
图1是原始样品的示意图。
图2是电解抛光后,确定出区域A符合低指数带轴入射的样品示意图。
图3是在区域A预制出裂口的样品示意图。
图4是本发明获得的原位拉伸观察结果。
具体实施方式
用于透射电镜的原位拉伸试样的制备方法,包括以下步骤:
1)、选取符合低指数带轴入射的区域:
(1.1)对样品1进行电解抛光,使样品1的厚度抛光到试验需要的厚度,样品1的表面平整光亮洁净;
(1.2)用扫描电镜的背散射电子衍射技术测定各晶粒的取向,选定恰好符合低指数带轴取向的晶粒,并标记选定的晶粒;选定的晶粒作为符合低指数带轴入射的区域2,如图2所示。 2)、使用聚焦离子束加工技术在选定的区域2内预制一道裂口3,在原位拉伸时,样品1将在裂口3处优先变形。
如图3所示,裂口3设置在由选定晶粒形成的直线上,裂口3一端位于样品1的边缘。
要实现低指数带轴入射从而获得原子排列的高分辨像可以通过两种途径来实现,1、目标区域2恰好符合低指数带轴入射。2、通过试验台倾转来调整晶粒位向达到符合低指数带轴入射。但是透射电镜的原位拉伸试验台只能在X方向上倾转,导致通过后天的试验台倾转来调整位向受限。因此,本发明从通过选取那些晶体取向符合低指数带轴的晶体形成的区域2,并在该区域2上预制一道裂口3。当样品1放入透射电镜中进行原位拉伸时,样品1优先在预制的裂口3处变形,在电镜下很容易找到符合低指数带轴入射的区域2,且原位拉伸变形恰好发生在低指数带轴入射的区域2处,从而实现实时动态地观察目标区域的高分辨像的目标。
本发明具有通过透射电镜能够很容易地找到符合低指数带轴入射的区域,能够实现实时动态地观察目标区域的高分辨像的目标的优点。
本说明书实施例所述的内容仅仅是对发明构思的实现形式的列举,本发明的保护范围不应当被视为仅限于实施例所陈述的具体形式,本发明的保护范围也及于本领域技术人员根据本发明构思所能够想到的等同技术手段。

Claims (2)

1.用于透射电镜的原位拉伸试样的制备方法,包括以下步骤:
1)、选取符合低指数带轴入射的区域:
(1.1)对样品进行电解抛光,使样品的厚度抛光到试验需要的厚度,样品的表面平整光亮洁净;
(1.2)用扫描电镜的背散射电子衍射技术测定各晶粒的取向,选定恰好符合低指数带轴的晶粒,并标记选定的晶粒;选定的晶粒作为符合低指数带轴入射的区域;
2)、使用聚焦离子束加工技术在选定的晶粒区域内预制一道裂口,在原位拉伸时,样品将在裂口处优先变形。
2.如权利要求1所述的用于透射电镜的原位拉伸试样的制备方法,其特征在于:裂口设置在由选定晶粒形成的直线上,裂口一端位于样品的边缘。
CN201410172126.7A 2014-04-28 2014-04-28 用于透射电镜的原位拉伸试样的制备方法 Expired - Fee Related CN103954487B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410172126.7A CN103954487B (zh) 2014-04-28 2014-04-28 用于透射电镜的原位拉伸试样的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410172126.7A CN103954487B (zh) 2014-04-28 2014-04-28 用于透射电镜的原位拉伸试样的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103954487A CN103954487A (zh) 2014-07-30
CN103954487B true CN103954487B (zh) 2016-08-31

Family

ID=51331792

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410172126.7A Expired - Fee Related CN103954487B (zh) 2014-04-28 2014-04-28 用于透射电镜的原位拉伸试样的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103954487B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104677709A (zh) * 2015-02-12 2015-06-03 江苏省沙钢钢铁研究院有限公司 一种制备特定晶体取向关系界面hrtem样品的方法
CN107664593B (zh) * 2017-08-03 2019-10-15 浙江大学 一种制备透射电镜原位拉伸样品的方法
CN107677694B (zh) * 2017-08-03 2020-05-19 浙江大学 一种原位观察金属马氏体相变的方法
CN110208168B (zh) * 2019-06-28 2020-06-16 浙江大学 一种原位研究纳米颗粒三维分布结构的透射电镜技术
CN111044543B (zh) * 2019-12-31 2020-10-09 哈尔滨工业大学 一种加工金属基硬质涂层透射电镜原位力学试样的方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101252073A (zh) * 2008-04-07 2008-08-27 北京工业大学 一种热驱动变形透射电镜载网及一维纳米材料变形方法
JP5342902B2 (ja) * 2009-03-11 2013-11-13 株式会社神戸製鋼所 溶接熱影響部の靭性および母材疲労特性に優れた鋼材およびその製造方法
CN102033003B (zh) * 2009-09-27 2012-12-12 宝山钢铁股份有限公司 基于原位观察的薄板动态拉伸试验方法
CN102262996B (zh) * 2011-05-31 2013-06-12 北京工业大学 透射电镜用双轴倾转的原位力、电性能综合测试样品杆
CN102679931B (zh) * 2012-05-10 2015-05-06 上海大学 原位测量疲劳裂纹扩展长度的新方法
CN102768147B (zh) * 2012-07-02 2014-04-16 北京工业大学 一种研究材料特定温度下力学性能原位tem拉伸台

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Large lattice strain in individual grains of deformed nanocrystalline Ni;Zhiwei Shan等;《APPLIED PHYSICS LETTERS》;20081231;第091917-1至091917-3页 *
Mechanical behavior of nanocrystalline metals and alloys;K.S. Kumar 等;《Acta Materialia》;20031231;第5743–5774页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN103954487A (zh) 2014-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103954487B (zh) 用于透射电镜的原位拉伸试样的制备方法
Zhang et al. Approaching the ideal elastic strain limit in silicon nanowires
Wang et al. The mechanical properties of nanowires
Yu et al. In situ TEM nanomechanics
Legros et al. Quantitative in situ mechanical testing in electron microscopes
Chen et al. Mechanical behaviors of nanowires
Hoffmann et al. Measurement of the bending strength of vapor− liquid− solid grown silicon nanowires
Wang et al. In situ experimental mechanics of nanomaterials at the atomic scale
Moser et al. Strength and fracture of Si micropillars: A new scanning electron microscopy-based micro-compression test
CN102262996A (zh) 透射电镜用双轴倾转的原位力、电性能综合测试样品杆
Sumigawa et al. Fracture toughness of silicon in nanometer-scale singular stress field
US20200132574A1 (en) Tem electromechanical in-situ testing method of one-dimensional materials
CN107422068B (zh) 一种用于微纳材料多场联合表征的应变加载系统
Zang et al. Revealing ultralarge and localized elastic lattice strains in Nb nanowires embedded in NiTi matrix
Ureña et al. Strain in silicon nanowire beams
Roy et al. Temperature dependent Young’s modulus of ZnO nanowires
Elhebeary et al. Lessons learned from nanoscale specimens tested by MEMS-based apparatus
Cobley et al. Quantitative analysis of annealed scanning probe tips using energy dispersive x-ray spectroscopy
CN108760438A (zh) 一种透射电镜原位力学拉伸样品制备方法
CN104897699A (zh) 一种可以对块体材料进行加工并实现原子尺度原位变形的方法和装置
CN106383250B (zh) 一种采用二维原子晶体材料的扫描隧道显微镜探针
Ishida et al. Exceptional plasticity of silicon nanobridges
Vilayurganapathy et al. Silver nanorod arrays for photocathode applications
Sun et al. Strain-Energy release in bent semiconductor nanowires occurring by polygonization or nanocrack formation
Chen et al. Deformation of nanotubes in peeling contact with flat substrate: An in situ electron microscopy nanomechanical study

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160831

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee