CN103941800B - 一种仅由场效应管实现的恒温电流源 - Google Patents

一种仅由场效应管实现的恒温电流源 Download PDF

Info

Publication number
CN103941800B
CN103941800B CN201410150779.5A CN201410150779A CN103941800B CN 103941800 B CN103941800 B CN 103941800B CN 201410150779 A CN201410150779 A CN 201410150779A CN 103941800 B CN103941800 B CN 103941800B
Authority
CN
China
Prior art keywords
field effect
effect transistor
grid
current source
drain electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410150779.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103941800A (zh
Inventor
不公告发明人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chengdu Rui core micro Polytron Technologies Inc
Original Assignee
CHENGDU RUICHENG XINWEI TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CHENGDU RUICHENG XINWEI TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical CHENGDU RUICHENG XINWEI TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201410150779.5A priority Critical patent/CN103941800B/zh
Publication of CN103941800A publication Critical patent/CN103941800A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103941800B publication Critical patent/CN103941800B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

一种仅由场效应管实现的恒温电流源,包括一电源端、一接地端、一电流输出端和一第一场效应管、一第二场效应管、一第三场效应管、一第四场效应管、一第五场效应管、一第六场效应管、一第七场效应管、一第八场效应管、一第九场效应管、一第十场效应管,所述第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管和第五场效应管组合产生带温度补偿的电流源;所述第六场效应管、第七场效应管、第八场效应管、第九场效应管和第十场效应管提供必要的直流偏置,以保证电流源的工作点。本发明仅由晶体管实现,并未采用电阻和三极管,同时具备一阶温度补偿,结构简单,成本低廉。

Description

一种仅由场效应管实现的恒温电流源
技术领域
本发明涉及一种电流源电路,尤指一种仅由场效应管实现的恒温电流源。
背景技术
现有的电流源电路通常采用的是带隙基准电路来产生电流源,而带隙基准电路需采用三极管、电阻、场效应管组合实现,由于三极管和电阻的面积很大,从而使得电流源电路的面积很大,结构也较复杂,增加了芯片的成本,同时,由于带隙基准电路没有对电流进行温度补偿,使得产生的电流与温度成正比关系,不能抵消温度带来的影响。
因此,有必要提供一种结构简单且具有温度补偿的电流源电路。
发明内容
本发明的目的是提供一种电流源电路,该电流源电路仅采用场效应管来实现,结构简单,版图面积较小,具备对电流的一阶温度补偿。
为实现上述目的,本发明提供一种电流源电路,其包括一电源端、一接地端、一电流输出端和一第一场效应管、一第二场效应管、一第三场效应管、一第四场效应管、一第五场效应管、一第六场效应管、一第七场效应管、一第八场效应管、一第九场效应管、一第十场效应管。所述第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管和第五场效应管组合产生带温度补偿的电流源;所述第六场效应管、第七场效应管、第八场效应管、第九场效应管和第十场效应管提供必要的直流偏置,以保证电流源的工作点。
较佳的,所述第一场效应管的栅极和漏极与所述第二场效应管的源极相连,所述第一场效应管的源极与所述接地端相连,所述第二场效应管的栅极和漏极、所述第三场效应管的栅极和所述第八场效应管的漏极共同连接,所述第三场效应管的源极、所述第四场效应管的栅极和所述第十场效应管的漏极共同连接,所述第三场效应管的漏极与所述电源端相连,所述第四场效应管的源极与所述接地端相连;
较佳的,所述第四场效应管的漏极、所述第五场效应管的漏极和栅极、所述第六场效应管的栅极、所述第七场效应管的栅极、所述第八场效应管的栅极共同连接,所述第五场效应管的源极与所述电源端相连,所述第六场效应管的源极与所述电源端相连,所述第七场效应管的源极与所述电源端相连,所述第八场效应管的源极与所述电源端相连,所述第六场效应管的漏极与所述电流输出端相连;
较佳的,所述第七场效应管的漏极、所述第九场效应管的栅极和漏极和所述第十场效应管的栅极共同连接,所述第九场效应管的源极与所述接地端相连,所述第十场效应管的源极与所述接地端相连。
相比现有技术,本发明仅由场效应管实现,并未采用电阻和三极管,同时具备一阶温度补偿,结构简单,成本低廉。
通过以下的描述并结合附图,本发明将变得更加清晰,这些附图用于解释本发明。
附图说明
图1为本发明一种仅由场效应管实现的恒温电流源的电路图。
具体实施方式:
现在参考附图描述本发明的实施例,附图中类似的元件标号代表类似的元件。如上所述,本发明仅由场效应管实现,同时具备一阶温度补偿,结构简单,成本低廉。
请参阅图1,本发明一种仅由场效应管实现的恒温电流源较佳实现方式,包括一电源端VCC、一接地端GND、一电流输出端IOUT和一第一场效应管M1、一第二场效应管M2、一第三场效应管M3、一第四场效应管M4、一第五场效应管M5、一第六场效应管M6、一第七场效应管M7、一第八场效应管M8、一第九场效应管M9、一第十场效应管M10。所述第一场效应管M1、第二场效应管M2、第三场效应管M3、第四场效应管M4和第五场效应管M5负责产生电流源,并对其进行温度补偿;所述第六场效应管M6、第七场效应管M7、第八场效应管M8、第九场效应管M9和第十场效应管M10进行必要的直流偏置,以保证电流源的工作点。所述第一场效应管M1的栅极和漏极与所述第二场效应管M2的源极相连,所述第一场效应管M1的源极与所述接地端GND相连,所述第二场效应管M2的栅极和漏极、所述第三场效应管M3的栅极和所述第八场效应管M8的漏极V1共同连接,所述第三场效应管M3的源极、所述第四场效应管M4的栅极和所述第十场效应管M10的漏极V2共同连接,所述第三场效应管M3的漏极与所述电源端VCC相连,所述第四场效应管M4的源极与所述接地端GND相连;所述第四场效应管M4的漏极、所述第五场效应管M5的漏极和栅极、所述第六场效应管M6的栅极、所述第七场效应管M7的栅极、所述第八场效应管M8的栅极共同连接,所述第五场效应管M5的源极与所述电源端VCC相连,所述第六场效应管M6的源极与所述电源端VCC相连,所述第七场效应管M7的源极与所述电源端VCC相连,所述第八场效应管M8的源极与所述电源端VCC相连,所述第六场效应管M6的漏极与所述电流输出端IOUT相连;所述第七场效应管M7的漏极、所述第九场效应管M9的栅极和漏极和所述第十场效应管M10的栅极共同连接,所述第九场效应管M9的源极与所述接地端GND相连,所述第十场效应管M10的源极与所述接地端GND相连。
本发明一种仅由场效应管实现的恒温电流源较佳实施方式的工作原理如下所述:首先设置所述第一场效应管M1、所述第二场效应管M2及所述第三场效应管M3的宽长相等,所述第四场效应管M4的沟道长度L与所述第一场效应管M1、所述第二场效应管M2及所述第三场效应管M3的沟道长度相等,以使得所述第一场效应管M1、所述第二场效应管M2、所述第三场效应管M3及所述第四场效应管M4的阈值电压VTH相等。
由图1所示的电路图可以得到:
V1=VGS1+VGS2;
V2=V1-VGS3=VGS1+VGS2-VGS3;
又因为:
VGS 1 = VTH + 2 * I 11 un * Cox * ( W / L ) 1
VGS 2 = VTH + 2 * I 22 un * Cox * ( W / L ) 2
VGS 3 = VTH + 2 * I 33 un * Cox * ( W / L ) 3
其中VGS1、VGS2、VGS3分别为所述第一场效应管M1、所述第二场效应管M2、所述第三场效应管M3的栅源电压,un为电子迁移率,Cox为栅氧电容,VTH为场效应管的阈值电压,三者均为工艺常数,I11、I22、I33分别为流过所述第一场效应管M1、所述第二场效应管M2、所述第三场效应管M3的电流,(W/L)1、(W/L)2、(W/L)3分别为所述第一场效应管M1、所述第二场效应管M2、所述第三场效应管M3的宽长比。因此,
V 2 = VGS 1 + VGS 2 - VGS 3 = VTH 2 * I 11 un * Cox * ( W / L ) 1 + VTH + 2 * I 22 un * Cox * ( W / L ) 2 - ( VTH + 2 * I 33 un * Cox * ( W / L ) 3 ) = VTH + 2 un * Cox * ( I 11 ( W / L ) 1 + I 22 ( W / L ) 2 - I 33 ( W / L ) 3 )
现设定所述第五场效应管M5的宽长比、所述第七场效应管M7的宽长比、所述第八场效应管M8的宽长比相等,且所述第十场效应管M10的宽长比为所述第九场效应管M9的宽长比的4倍,则有I11=I22=I,I33=4I,同时设定(W/L)1=(W/L)2=(W/L)3,则上式为:
V 2 = VTH + 2 un * Cox * ( I 11 ( W / L ) 1 + I 22 ( W / L ) 2 - I 33 ( W / L ) 3 ) = VTH + 2 un * Cox * 0 = VTH
则所述第四场效应管M4的栅源电压VGS4=VTH;
故可以认为所述第四场效应管M4工作于亚阈值区,则流过该所述四场效应管M4的电流I44为:
I 44 = I 0 * e VGS VT = I 0 * e VTH VT
其中I0为常量,VT=KT/q,K与q为物理常量,T为温度,由于阈值电压VTH与温度T成一次线性关系,故可知VTH/VT的温度系数可以相互抵消,即进行了一阶温度补偿。可得:I44=I0*ea;其中a为不带一阶温度特性的参数。
由于流过所述第四场效应管M4的电流即为一种仅由场效应管实现的恒温电流源产生的电流源,由此可见,本发明一种仅由场效应管实现的恒温电流源的结构对输出的电流源进行了一阶温度补偿。
本发明一种仅由场效应管实现的恒温电流源可以产生具有一阶温度补偿的电流源,经过验证,其输出电流在全温范围内(-40~125℃)的变化约为1%,可见本发明一种仅由场效应管实现的恒温电流源无需采用带隙基准电路,仅采用场效应管即可产生高温度特性的电流源,结构简单,成本低廉,且易于实现。
以上结合最佳实施例对本发明进行了描述,但本发明并不局限于以上揭示的实施例,而应当涵盖各种根据本发明的本质进行的修改、等效组合。

Claims (2)

1.一种仅由场效应管实现的恒温电流源,其特征是:所述恒温电流源包括一电源端、一接地端、一电流输出端和一第一场效应管、一第二场效应管、一第三场效应管、一第四场效应管、一第五场效应管、一第六场效应管、一第七场效应管、一第八场效应管、一第九场效应管、一第十场效应管,所述第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管和第五场效应管组合产生带温度补偿的电流源;所述第六场效应管、第七场效应管、第八场效应管、第九场效应管和第十场效应管提供必要的直流偏置,以保证电流源的工作点;所述第一场效应管的栅极和漏极与所述第二场效应管的源极相连,所述第一场效应管的源极与所述接地端相连,所述第二场效应管的栅极和漏极、所述第三场效应管的栅极和所述第八场效应管的漏极共同连接,所述第三场效应管的源极、所述第四场效应管的栅极和所述第十场效应管的漏极共同连接,所述第三场效应管的漏极与所述电源端相连,所述第四场效应管的源极与所述接地端相连;
所述第四场效应管的漏极、所述第五场效应管的漏极和栅极、所述第六场效应管的栅极、所述第七场效应管的栅极、所述第八场效应管的栅极共同连接,所述第五场效应管的源极与所述电源端相连,所述第六场效应管的源极与所述电源端相连,所述第七场效应管的源极与所述电源端相连,所述第八场效应管的源极与所述电源端相连,所述第六场效应管的漏极与所述电流输出端相连;
所述第七场效应管的漏极、所述第九场效应管的栅极和漏极和所述第十场效应管的栅极共同连接,所述第九场效应管的源极与所述接地端相连,所述第十场效应管的源极与所述接地端相连。
2.根据权利要求1所述的一种仅由场效应管实现的恒温电流源,其特征是:所述第一场效应管、所述第二场效应管、所述第三场效应管和所述第四场效应管的沟道长度应相等,以保证所述第一场效应管、所述第二场效应管、所述第三场效应管和所述第四场效应管的阈值电压相等。
CN201410150779.5A 2014-04-15 2014-04-15 一种仅由场效应管实现的恒温电流源 Active CN103941800B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410150779.5A CN103941800B (zh) 2014-04-15 2014-04-15 一种仅由场效应管实现的恒温电流源

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410150779.5A CN103941800B (zh) 2014-04-15 2014-04-15 一种仅由场效应管实现的恒温电流源

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103941800A CN103941800A (zh) 2014-07-23
CN103941800B true CN103941800B (zh) 2016-08-17

Family

ID=51189505

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410150779.5A Active CN103941800B (zh) 2014-04-15 2014-04-15 一种仅由场效应管实现的恒温电流源

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103941800B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113805635B (zh) * 2021-09-14 2023-08-01 东南大学 一种抗工艺失配、无电阻的低温度系数电流基准源

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4346344A (en) * 1979-02-08 1982-08-24 Signetics Corporation Stable field effect transistor voltage reference
US5543746A (en) * 1993-06-08 1996-08-06 National Semiconductor Corp. Programmable CMOS current source having positive temperature coefficient
CN102117091A (zh) * 2009-12-31 2011-07-06 国民技术股份有限公司 高稳定性全cmos基准电压源
CN102393782A (zh) * 2011-10-17 2012-03-28 四川和芯微电子股份有限公司 具有一阶温度补偿的电流源电路及系统
CN103294092A (zh) * 2013-07-05 2013-09-11 成都锐成芯微科技有限责任公司 一种与工艺角无关的ptat电流源

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4346344A (en) * 1979-02-08 1982-08-24 Signetics Corporation Stable field effect transistor voltage reference
US5543746A (en) * 1993-06-08 1996-08-06 National Semiconductor Corp. Programmable CMOS current source having positive temperature coefficient
CN102117091A (zh) * 2009-12-31 2011-07-06 国民技术股份有限公司 高稳定性全cmos基准电压源
CN102393782A (zh) * 2011-10-17 2012-03-28 四川和芯微电子股份有限公司 具有一阶温度补偿的电流源电路及系统
CN103294092A (zh) * 2013-07-05 2013-09-11 成都锐成芯微科技有限责任公司 一种与工艺角无关的ptat电流源

Also Published As

Publication number Publication date
CN103941800A (zh) 2014-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104199509B (zh) 一种用于带隙基准源的温度补偿电路
CN106527572A (zh) 一种低功耗低温漂cmos亚阈值基准电路
CN103309391B (zh) 高电源抑制比、低功耗基准电流及基准电压产生电路
CN103294100A (zh) 一种补偿电阻温漂系数的基准电流源电路
CN105955391A (zh) 一种带隙基准电压产生方法及电路
CN104049671B (zh) 一种面向三维存储器的零温度系数参考电压产生电路
CN102385409B (zh) 同时提供零温度系数电压和电流基准的vgs/r型基准源
CN104156026B (zh) 一种无电阻全温补偿非带隙基准源
CN103092253A (zh) 参考电压产生电路
CN106055002A (zh) 低压输出的带隙基准电路
CN105974996A (zh) 一种基准电压源
CN103365331A (zh) 一种二阶补偿基准电压产生电路
CN102809982A (zh) 低压电流镜
CN106020322B (zh) 一种低功耗cmos基准源电路
CN105824348A (zh) 一种基准电压的电路
CN107894803A (zh) 一种物联网中的偏置电压产生电路
CN106020323A (zh) 一种低功耗cmos基准源电路
CN105867518A (zh) 一种有效抑制电源电压影响的电流镜
CN106768437A (zh) 一种温度检测系统及方法
CN103995555A (zh) 一种应用于超低功耗带隙基准的正温度系数产生电路
CN105320198B (zh) 一种低功耗高psrr带隙基准源
CN103941800B (zh) 一种仅由场效应管实现的恒温电流源
CN104181971B (zh) 一种基准电压源
CN106020330A (zh) 低功耗电压源电路
CN103472878B (zh) 一种基准电流源

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address

Address after: 610041 4, A District, 1 building 200, Tianfu five street, hi tech Zone, Chengdu, Sichuan.

Patentee after: Chengdu Rui core micro Polytron Technologies Inc

Address before: High tech Zone Chengdu city Sichuan province Yizhou road 610041 No. 1800 building G1 room 1705

Patentee before: Chengdu Ruicheng Xinwei Technology Co., Ltd.

CP03 Change of name, title or address
PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right

Denomination of invention: Constant-temperature current source realized simply through field-effect transistors

Effective date of registration: 20180702

Granted publication date: 20160817

Pledgee: Agricultural Bank of China Limited by Share Ltd Chengdu Shuangliu Branch

Pledgor: Chengdu Rui core micro Polytron Technologies Inc

Registration number: 2018510000065

PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right
PC01 Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right

Date of cancellation: 20210811

Granted publication date: 20160817

Pledgee: Agricultural Bank of China Limited by Share Ltd. Chengdu Shuangliu Branch

Pledgor: CHENGDU ANALOG CIRCUIT TECHNOLOGY Inc.

Registration number: 2018510000065

PC01 Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right