CN103926718B - 一种显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示装置，包括：第一显示测试信号输入部，用以输入第一显示测试信号；第一显示测试信号控制部，用以控制所述第一显示测试信号的输入；第二显示测试信号输入部，用以输入第二显示测试信号；第一测试总线，与所述第一显示测试信号输入部相连；第二测试总线，与所述第二显示测试信号输入部相连；其中，所述第一测试总线与所述第二测试总线相连。本发明可以减少驱动集成电路或者非晶硅薄膜晶体管的光伏效应所引起的直流残留对显示效果的影响。

Description

一种显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示装置。
背景技术
近年来，液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)产品发展十分迅猛，越来越多的高品质的液晶显示器逐渐上市，其应用领域也不断地在拓宽。
液晶显示器显示画面的基本原理是：通过对液晶两极板间施加不同的电压，使液晶偏转一定的角度，以使光通过，液晶偏转角度的大小决定液晶的光透过率，从而产生不同的灰度显示。
然而，在液晶显示过程中，公共电极的电压是固定的，液晶层在电路上等效为电容。当驱动集成电路(DriverIC)受到光照时，产生光伏效应后，光伏效应产生电子等载流子进入数据线，导致数据线的电荷变化，进而导致像素电极和公共电极的电荷变化，这时像素电极与公共电极两端电压产生变化，于是在像素电极和公共电极形成一个由光伏产生的夹压，进而形成一种电场，这是由于离子残留导致，也称之为残留电场。当再次点亮LCD后，原本对称的电压会联合这个残留电场一起给LCD加压，使对称的电压变得不对称，这样的不对称电压就会引起闪烁。目前，可以利用遮光胶带(或黑胶)来阻止光伏效应的产生；在电容式触摸屏盖板玻璃(Cover Lens)贴合成为主流后，人们开始抛弃遮光胶带，改用在电容式触摸屏盖板玻璃上设计不透明区域来屏蔽光照。可是在生产，制造过程中，盖板玻璃上的不透明区域不能很好的屏蔽光照，这种效应还是依然存在，因此会给显示效果带来不良的影响。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种显示装置。
一种显示装置，包括：第一显示测试信号输入部，用以输入第一显示测试信号；第一显示测试信号控制部，用以控制所述第一显示测试信号的输入；第二显示测试信号输入部，用以输入第二显示测试信号；第一测试总线，与所述第一显示测试信号输入部相连；第二测试总线，与所述第二显示测试信号输入部相连；其中，所述第一测试总线与所述第二测试总线相连。
本发明提供的显示装置，将所述第一测试总线与所述第二测试总线相连，能够控制有效释放光伏电流，实现减少驱动集成电路或者非晶硅薄膜晶体管光伏效应所引起的直流残留对显示效果的影响。
附图说明
图1是现有技术提供的显示装置的结构示意图；
图2是现有技术提供的显示装置在光伏效应下直流残压的等效示意图；
图3是本发明一实施例提供的显示装置的电路连接示意图；
图4是本发明又一实施例提供的显示装置的电路连接示意图；
图5是本发明另一实施例提供的显示装置的电路连接示意图；
图6是本发明再一实施例提供的显示装置的电路连接示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
本发明实施例提供的显示装置包括LCD、OLED(Organic Light EmittingDiode，有机发光二极管显示器)等显示装置，以液晶显示装置为例，所述液晶显示装置包括液晶显示面板和与液晶显示面板绑定的柔性电路板，其中，液晶显示面板包括对置的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列基板、彩膜基板及封装在TFT阵列基板和彩膜基板间的液晶，所述TFT阵列基板包含多条互相垂直且绝缘的数据线和栅极线，配合控制信号来控制每个子像素的TFT开关，其中，TFT开关的源极连接数据线、栅极连接栅极线和漏极连接所述TFT阵列基板中的像素电极；此外，TFT阵列基板还包括公共电极(对于不同类型的面板，公共电极的位置不同，如Twisted Nematic扭曲向列型面板，公共电极设置在彩膜基板侧，而In-Plane Switching平面转换型面板或者Fringe FieldSwitching边缘场转换型面板，公共电极设置在TFT阵列基板侧)和驱动集成电路，其中，驱动集成电路为TFT阵列基板中的每一个子像素提供数据信号。
图1是现有技术提供的显示装置的结构示意图。如图1所示，当驱动集成电路15受到光照时，光伏效应产生电子等载流子进入数据线11，导致数据线11的电荷变化，再通过控制使得TFT开关12导通，进而会使像素电极14和公共电极13的电荷发生变化，并引起像素电极14与公共电极13两端电压发生变化，于是在像素电极14和公共电极13形成一个由光伏产生的夹压。液晶里其实有各种导电电荷，在这个夹压的作用下会做定向移动，随着时间的作用，最终会在像素电极14侧和公共电极13侧形成电荷残留附着，而且这两种电荷残留是电性相异的两种电荷。那么他们之间会形成一种电场，由于这种电场是电荷残留导致，我们也称之为残留电场。图2是现有技术提供的显示装置在光伏效应下直流残压的等效示意图。如图2所示，当再次点亮LCD后，原本要加载的5V或者-5V(并非真正的夹压，只是以5V为例)，会联合这个残留电场一起给LCD加压，例如残留电场为0.2V，那么正压将变为5.2V，负压将变为-4.8V，这样的不对称电压就会引起闪烁。
图3是本发明一实施例提供的显示装置的电路连接示意图，所述显示装置还包括显示面板，该显示面板包括：
第一显示测试信号输入部26，用以输入第一显示测试信号。
在本实施例中，第一显示测试信号输入部26即像素测试焊盘，用来输入子像素测试信号。
第一显示测试信号控制部25，用以控制所述第一显示测试信号的输入。
在本实施例中，第一显示测试信号控制部25，控制第一显示测试信号输入部26，其中，所述第一显示测试信号控制部25可以为NMOS管，通过控制NMOS管的导通或截止，可以使第一显示测试信号输入部26输入不同的第一显示测试信号，不同颜色的子像素对应不同的第一显示测试信号，第一显示测试信号控制部25用来切换输入不同颜色的子像素对应的第一显示测试信号。第一显示测试信号是一组信号，通过NMOS管连接到一起测试。比如常见的就是按颜色区分，RGB各有一个测试焊盘，能够通过控制NMOS管的栅极接收的信号来控制所有的第一显示测试信号，而且是在不需要增加太多信号线的前提下。
第二显示测试信号输入部27，用以输入第二显示测试信号。
在本实施例中，第二显示测试信号输入部27(如图3中的公共电极测试焊盘)，第二显示测试信号输入部27与显示面板的公共电极22相连，用于输入公共电极测试信号。
第一测试总线28，与所述第一显示测试信号输入部26相连。
第二测试总线29，与所述第二显示测试信号输入部27相连。
其中，所述显示面板包括所述第一测试总线28和所述第二测试总线29，所述第一测试总线28和所述第二测试总线29短路连接。
在本实施例中，第一显示测试信号输入部26与第二显示测试信号输入部27通过第一测试总线28与第二测试总线29在显示面板上直接短接。如图3所示，像素测试焊盘与公共电极测试焊盘直接在显示面板上短路连接。
需要说明的是，在图3中，第一显示测试信号控制部25和第一显示测试信号输入部26通过静电保护电路24与公共电极22连接，可以对第一显示测试信号控制部25和第一显示测试信号输入部26起到静电保护的作用。
如图3所示，当驱动集成电路23受到光照时，产生光伏效应，进而导致实际的公共电极22与数据线21之间产生一个直流压差，由于非晶硅薄膜晶体管(A-Si TFT)的弱导通，导致此直流电压直接加载在像素上，产生光伏电流。然而，通过将像素测试焊盘与公共电极测试焊盘相连，由于第一显示测试信号控制部25(例如可以为NMOS管)可以实现弱导通，因而可以使得光伏效应产生的电荷通过这一路径导通到接地端(GND)上。
本实施例中，将第一显示测试信号输入部26与所述第二显示测试信号输入部27相连，有效释放光伏电流，实现减少驱动集成电路或者非晶硅薄膜晶体管光伏效应所引起的直流残留对显示效果的影响。
在本实施例中，对应于所述显示装置的基色数目，所述第一显示测试信号输入部26具有多个，并分别与代表不同颜色子像素的测试总线相连，其中，所述第一测试总线28包括不同颜色子像素的测试总线。
在本实施例中，显示装置的基色是RGB基色，即红色、绿色、蓝色。大多数的颜色可以通过红、绿、蓝三种基色按照不同的比例合成产生。三种基色是相互独立的，任何一种基色都不能由其它两种颜色合成。因此，第一显示测试输入部26可以包括三个代表不同颜色像素的测试信号输入部，同样的，第一测试总线28也可以包括三个代表不同颜色像素的测试总线。第一显示测试输入部26中的代表不同颜色像素的测试信号输入部分别与第一测试总线28中的相应的代表不同颜色像素的测试总线相连。
在本实施例中，所述第一显示测试信号输入部26可以包括红色子像素测试信号输入部、绿色子像素测试信号输入部和蓝色子像素测试信号输入部，并分别与红色子像素信号测试总线、绿色子像素信号测试总线和蓝色子像素信号测试总线相连。
在本实施例中，所述第二显示测试信号输入部27可以包括公共电极测试信号输入部。
在本实施例中，所述第一显示测试信号控制部25可以为NMOS晶体管，所述NMOS晶体管的源极与所述第一显示测试信号输入部26相连；所述NMOS晶体管的栅极接收第一控制信号，以使得所述NMOS晶体管导通或截止；并且所述第一显示测试信号输入部26连接所述公共电极测试信号输入部；当所述显示装置进行显示时，所述第一控制信号为低电平，使得所述NMOS晶体管截止；当所述显示装置停止显示时，所述第一控制信号为高电平，使得所述NMOS晶体管导通。
在本实施例中，NMOS管(如图3所示)，作为开关来使用，用以控制第一显示测试信号的输入。NMOS管的源极与像素测试焊盘连接，漏极与数据线21连接，栅极接收第一控制信号，控制显示装置在非工作状态下可以减少光伏效应带来的影响。在显示时，给NMOS管的栅极加载一个负电压，使得NMOS管截止即其源极和漏极之间形成断路状态，此时，数据线21仍然能够正常驱动，而不受这个NMOS管的影响。而在非显示时，NMOS管的栅极会保持零电位，而非晶硅薄膜晶体管(A-SiTFT)的阈值为负值，在栅-源阈值电压VGS＝0时还能保持一定的导通状态，这样能够使得光伏效应产生的电荷通过这一路径导通到接地端(GND)上。
图4是本发明又一实施例提供的显示装置的电路连接示意图，所述显示装置包括：
第一显示测试信号输入部36，用以输入第一显示测试信号。
在本实施例中，第一显示测试信号输入部36即像素测试焊盘，用来输入子像素测试信号。
第一显示测试信号控制部35，用以控制所述第一显示测试信号的输入。
在本实施例中，第一显示测试信号控制部35，控制第一显示测试信号输入部36，其中，所述第一显示测试信号控制部35可以为NMOS管，通过控制NMOS管的导通或截止，可以使第一显示测试信号输入部36输入不同的第一显示测试信号。
第二显示测试信号输入部37，用以输入第二显示测试信号。
在本实施例中，第二显示测试信号输入部37(如图4中的公共电极测试焊盘)，第二显示测试信号输入部37与显示面板的公共电极32相连，用于输入公共电极测试信号。
第一测试总线38，与所述第一显示测试信号输入部相连。
第二测试总线39，与所述第二显示测试信号输入部相连。
其中，所述显示装置还包括柔性电路板310，所述柔性线路板310包括所述第一测试总线38和所述第二测试总线39，所述第一测试总线38和所述第二测试总线39短路连接。在本实施例中，显示装置将第一显示测试信号输入部36(如图4中的像素测试焊盘)与第二显示测试信号输入部37(如图4中的公共电极测试焊盘)引到柔性电路板310上，再将其通过导线短路连接。
需要说明的是，在图4中，第一显示测试信号控制部35和第一显示测试信号输入部36通过静电保护电路34与公共电极32连接，可以对第一显示测试信号控制部35和第一显示测试信号输入部36起到静电保护的作用。
在本实施例中，对应于所述显示装置的基色数目，所述第一显示测试信号输入部36具有多个，并分别与代表不同颜色子像素的测试总线相连，其中，所述第一测试总线38包括不同颜色子像素的测试总线。
在本实施例中，所述第一显示测试信号输入部36可以包括红色子像素测试信号输入部、绿色子像素测试信号输入部和蓝色子像素测试信号输入部，并分别与红色子像素信号测试总线、绿色子像素信号测试总线和蓝色子像素信号测试总线相连。
在本实施例中，所述第二显示测试信号输入部37可以包括公共电极测试信号输入部。
在本实施例中，所述第一显示测试信号控制部35可以为NMOS晶体管，所述NMOS晶体管的源极与所述第一显示测试信号输入部36相连；所述NMOS晶体管的栅极接收第一控制信号，以使得所述NMOS晶体管导通或截止；并且所述第一显示测试信号输入部36连接所述公共电极测试信号输入部；当所述显示装置进行显示时，所述第一控制信号为低电平，使得所述NMOS晶体管截止；当所述显示装置停止显示时，所述第一控制信号为高电平，使得所述NMOS晶体管导通。
如图4所示，当驱动集成电路33受到光照时，产生光伏效应，进而导致实际的公共电极32与数据线31之间产生一个直流电压差，由于非晶硅薄膜晶体管的弱导通，导致此直流电压直接加载在像素上，产生光伏电流。然而，通过将第一显示测试信号输入部36与第二显示测试信号输入部37引到柔性电路板310上并形成短路连接，使NMOS管在显示装置非工作状态下形成弱导通，能够使得光伏效应产生的电荷通过这一路径导通到接地端(GND)上，从而可以减少驱动集成电路33或者非晶硅薄膜晶体管的光伏效应所引起的直流残留对显示效果的影响。
一个可选的具体实施方式，如图4所示，像素测试焊盘分别包括红色子像素测试焊盘、绿色子像素测试焊盘和蓝色子像素测试焊盘。通过将红色子像素测试焊盘、绿色子像素测试焊盘和蓝色子像素测试焊盘分别引到柔性电路板310上，并与公共电极测试焊盘在柔性电路板310上形成短路连接，这样在显示装置处于非工作状态下，NMOS管会形成弱导通，能够使得光伏效应产生的电荷通过这一路径导通到接地端(GND)上，从而可以减少驱动集成电路33或者非晶硅薄膜晶体管的光伏效应所引起的直流残留对显示效果的影响。
本实施例的技术方案，将第一显示测试信号输入部与第二显示测试信号输入部引到柔性电路板上并形成短路连接，使NMOS管在显示装置非工作状态下形成弱导通，能够使得光伏效应产生的电荷通过这一路径导通到接地端(GND)上，从而可以减少驱动集成电路或者非晶硅薄膜晶体管的光伏效应所引起的直流残留对显示效果的影响。
图5是本发明另一实施例提供的显示装置的电路连接示意图，所述显示装置还包括显示面板，所述显示面板包括：
第一显示测试信号输入部46，用以输入第一显示测试信号。
在本实施例中，第一显示测试信号输入部46即像素测试焊盘，用来输入子像素测试信号。
第一显示测试信号控制部45，用以控制所述第一显示测试信号的输入。
在本实施例中，第一显示测试信号控制部45，控制第一显示测试信号输入部46，其中，所述第一显示测试信号控制部45可以为NMOS管，通过控制NMOS管的导通或截止，可以使第一显示测试信号输入部46输入不同的第一显示测试信号。
第二显示测试信号输入部47，用以输入第二显示测试信号。
在本实施例中，第二显示测试信号输入部47(如图5中的公共电极测试焊盘)，第二显示测试信号输入部47与显示面板的公共电极42相连，用于输入公共电极测试信号。
第一测试总线48，与所述第一显示测试信号输入部相连。
第二测试总线49，与所述第二显示测试信号输入部相连。
其中，所述显示面板包括所述第一测试总线48和所述第二测试总线49，所述第一测试总线48和所述第二测试总线49通过耗电型MOS管410或电阻连接。
需要说明的是，在图5中，第一显示测试信号控制部45和第一显示测试信号输入部46通过静电保护电路44与公共电极42连接，可以对第一显示测试信号控制部45和第一显示测试信号输入部46起到静电保护的作用。
在本实施例中，显示装置在显示面板上将第一显示测试信号输入部46(如图5中的像素测试焊盘)与第二显示测试信号输入部47(如图5中的公共电极测试焊盘)通过耗电型MOS管410或电阻连接。
在本实施例中，对应于所述显示装置的基色数目，所述第一显示测试信号输入部46具有多个，并分别与代表不同颜色子像素的测试总线相连，其中，所述第一测试总线48包括不同颜色子像素的测试总线。
在本实施例中，所述第一显示测试信号输入部46可以包括红色子像素测试信号输入部、绿色子像素测试信号输入部和蓝色子像素测试信号输入部，并分别与红色子像素信号测试总线、绿色子像素信号测试总线和蓝色子像素信号测试总线相连。
在本实施例中，所述第二显示测试信号输入部47可以包括公共电极测试信号输入部。
在本实施例中，所述第一显示测试信号控制部45可以为NMOS晶体管，所述NMOS晶体管的源极与所述第一显示测试信号输入部46相连；所述NMOS晶体管的栅极接收第一控制信号，以使得所述NMOS晶体管导通或截止；并且所述第一显示测试信号输入部46连接所述公共电极测试信号输入部；当所述显示装置进行显示时，所述第一控制信号为低电平，使得所述NMOS晶体管截止；当所述显示装置停止显示时，所述第一控制信号为高电平，使得所述NMOS晶体管导通。
如图5所示，当驱动集成电路43受到光照时，产生光伏效应，进而导致实际的公共电极42与数据线41之间产生一个直流电压差，由于非晶硅薄膜晶体管的弱导通，导致此直流电压直接加载在像素上，产生光伏电流。然而，通过将第一显示测试信号输入部46与所述第二显示测试信号输入部47在显示面板上通过耗电型MOS管连接，使NMOS管、耗电型MOS管410在显示装置非工作状态下形成弱导通，能够使得光伏效应产生的电荷通过这一路径导通到接地端(GND)上，从而可以减少驱动集成电路43或者非晶硅薄膜晶体管的光伏效应所引起的直流残留对显示效果的影响。
在本实施例中，所述第一测试总线48连接到所述耗电型MOS管410的第一端，所述第二测试总线49连接到所述耗电型MOS管410的第二端，所述耗电型MOS管410的栅极接收第二控制信号，控制所述耗电型MOS管410的导通或者截止。
在本实施例中，当所述显示面板进行显示时，所述第二控制信号为低电平，使得所述耗电型MOS管410截止；当所述显示面板停止显示时，所述第二控制信号为高电平，使得所述耗电型MOS管410导通。
在本实施例中，所述耗电型MOS管410的第一端为源极，第二端为漏极或者所述耗电型MOS管410的第一端为漏极，第二端为源极。
一个可选的具体实施方式，像素测试焊盘分别包括红色子像素测试焊盘、绿色子像素测试焊盘和蓝色子像素测试焊盘，并且三种基色子像素测试焊盘分别与公共电极测试焊盘通过耗电型MOS管410连接。耗电型MOS管410的源极与漏极分别与像素测试焊盘、公共电极测试焊盘连接，栅极接收第二控制信号，使耗电型MOS管在非工作状态下处于导通状态，即在非工作状态下栅极接收高电平，同时NMOS管的栅极也接收高电平，也处于导通状态，能够使得光伏效应产生的电荷通过这一路径导通到接地端(GND)上。
本实施例的技术方案，将第一显示测试信号输入部与第二显示测试信号输入部在显示面板上通过耗电型MOS管连接，使NMOS管、耗电型MOS管在显示装置非工作状态下形成弱导通，能够使得光伏效应产生的电荷通过这一路径导通到接地端(GND)上，从而可以减少驱动集成电路或者非晶硅薄膜晶体管的光伏效应所引起的直流残留对显示效果的影响。
图6是本发明再一实施例提供的显示装置的电路连接示意图，所述显示装置包括：
第一显示测试信号输入部56，用以输入第一显示测试信号。
在本实施例中，第一显示测试信号输入部56即像素测试焊盘，用来输入子像素测试信号。
第一显示测试信号控制部55，用以控制所述第一显示测试信号的输入。
在本实施例中，第一显示测试信号控制部55，控制第一显示测试信号输入部56，其中，所述第一显示测试信号控制部55可以为NMOS管，通过控制NMOS管的导通或截止，可以使第一显示测试信号输入部56输入不同的第一显示测试信号。
第二显示测试信号输入部57，用以输入第二显示测试信号。
在本实施例中，第二显示测试信号输入部57(如图6中的公共电极测试焊盘)，第二显示测试信号输入部57与显示面板的公共电极52相连，用于输入公共电极测试信号。
第一测试总线58，与所述第一显示测试信号输入部相连。
第二测试总线59，与所述第二显示测试信号输入部相连。
其中，所述显示装置还包括柔性电路板510，所述柔性电路板510包括所述第一测试总线58和所述第二测试总线59，所述第一测试总线58和所述第二测试总线59通过耗电型MOS管511或电阻连接。
需要说明的是，在图6中，第一显示测试信号控制部55和第一显示测试信号输入部56通过静电保护电路54与公共电极52连接，可以对第一显示测试信号控制部55和第一显示测试信号输入部56起到静电保护的作用。
在本实施例中，显示装置在柔性电路板上将第一显示测试信号输入部56(如图6中的像素测试焊盘)与第二显示测试信号输入部57(如图6中的公共电极测试焊盘)通过耗电型MOS管511或电阻连接。
在本实施例中，对应于所述显示装置的基色数目，所述第一显示测试信号输入部56具有多个，并分别与代表不同颜色子像素的测试总线相连，其中，所述第一测试总线58包括不同颜色子像素的测试总线。
在本实施例中，所述第一显示测试信号输入部56可以包括红色子像素测试信号输入部、绿色子像素测试信号输入部和蓝色子像素测试信号输入部，并分别与红色子像素信号测试总线、绿色子像素信号测试总线和蓝色子像素信号测试总线相连。
在本实施例中，所述第二显示测试信号输入部57可以包括公共电极测试信号输入部。
在本实施例中，所述第一显示测试信号控制部55可以为NMOS晶体管，所述NMOS晶体管的源极与所述第一显示测试信号输入部56相连；所述NMOS晶体管的栅极接收第一控制信号，以使得所述NMOS晶体管导通或截止；并且所述第一显示测试信号输入部56连接所述公共电极测试信号输入部；当所述显示装置进行显示时，所述第一控制信号为低电平，使得所述NMOS晶体管截止；当所述显示装置停止显示时，所述第一控制信号为高电平，使得所述NMOS晶体管导通。
如图6所示，当驱动集成电路53受到光照时，产生光伏效应，进而导致实际的公共电极52与数据线51之间产生一个直流电压差，由于非晶硅薄膜晶体管的弱导通，导致此直流电压直接加载在像素上，产生光伏电流。然而，通过将第一显示测试信号输入部56与所述第二显示测试信号输入部57在柔性电路板510上通过耗电型MOS管511连接，使NMOS管、耗电型MOS管511在显示装置非工作状态下形成弱导通，能够使得光伏效应产生的电荷通过这一路径导通到接地端(GND)上，从而可以减少驱动集成电路53或者非晶硅薄膜晶体管的光伏效应所引起的直流残留对显示效果的影响。
在本实施例中，所述第一测试总线58连接到所述耗电型MOS管511的第一端，所述第二测试总线59连接到所述耗电型MOS管511的第二端，所述耗电型MOS管511的栅极接收第二控制信号，控制所述耗电型MOS管511的导通或者截止。
在本实施例中，当所述显示面板进行显示时，所述第二控制信号为低电平，使得所述耗电型MOS管511截止；当所述显示面板停止显示时，所述第二控制信号为高电平，使得所述耗电型MOS管511导通。
在本实施例中，所述耗电型MOS管511的第一端为源极，第二端为漏极或者所述耗电型MOS管511的第一端为漏极，第二端为源极。
一个可选的具体实施方式，像素测试焊盘分别包括红色子像素测试焊盘、绿色子像素测试焊盘和蓝色子像素测试焊盘，并且三种基色子像素测试焊盘分别与公共电极测试焊盘在柔性电路板510通过耗电型MOS管511连接。耗电型MOS管511的源极与漏极分别与像素测试焊盘、公共电极测试焊盘连接，栅极接收第二控制信号，使耗电型MOS管511在非工作状态下处于导通状态，即在非工作状态下栅极接收高电平，同时NMOS管的栅极也接收高电平，也处于导通状态，能够使得光伏效应产生的电荷通过这一路径导通到接地端(GND)上。
本实施例的技术方案，将第一显示测试信号输入部与第二显示测试信号输入部在柔性电路板上通过耗电型MOS管连接，使NMOS管、耗电型MOS管在显示装置非工作状态下形成弱导通，能够使得光伏效应产生的电荷通过这一路径导通到接地端(GND)上，从而可以减少驱动集成电路或者非晶硅薄膜晶体管的光伏效应所引起的直流残留对显示效果的影响。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (11)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
第一显示测试信号输入部，用以输入第一显示测试信号，所述第一显示测试信号为子像素测试信号；
第一显示测试信号控制部，用以控制所述第一显示测试信号的输入；
第二显示测试信号输入部，用以输入第二显示测试信号，所述第二显示测试信号为公共电极测试信号；
第一测试总线，与所述第一显示测试信号输入部相连；
第二测试总线，与所述第二显示测试信号输入部相连；
其中，所述第一测试总线与所述第二测试总线相连。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，对应于所述显示装置的基色数目，所述第一显示测试信号输入部具有多个，并分别与不同颜色子像素的测试总线相连，其中，所述第一测试总线包括不同颜色子像素的测试总线。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一显示测试信号输入部包括红色子像素测试信号输入部、绿色子像素测试信号输入部和蓝色子像素测试信号输入部，并分别与红色子像素信号测试总线、绿色子像素信号测试总线和蓝色子像素信号测试总线相连。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第二显示测试信号输入部包括公共电极测试信号输入部。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述第一显示测试信号控制部为NMOS晶体管，所述NMOS晶体管的源极与所述第一显示测试信号输入部相连；
所述NMOS晶体管的栅极接收第一控制信号，以使得所述NMOS晶体管导通或截止；并且
所述第一显示测试信号输入部连接所述公共电极测试信号输入部；
当所述显示装置进行显示时，所述第一控制信号为低电平，使得所述NMOS晶体管截止；当所述显示装置停止显示时，所述第一控制信号为高电平，使得所述NMOS晶体管导通。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括显示面板，所述显示面板包括所述第一测试总线和所述第二测试总线，所述第一测试总线和所述第二测试总线相连。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括柔性电路板，所述柔性电路板包括所述第一测试总线和所述第二测试总线，所述第一测试总线和所述第二测试总线相连。
8.根据权利要求6或7任一项所述的显示装置，其特征在于，所述第一测试总线和所述第二测试总线通过耗电型MOS管或电阻相连。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述第一测试总线连接到所述耗电型MOS管的第一端，所述第二测试总线连接到所述耗电型MOS管的第二端，所述耗电型MOS管的栅极接收第二控制信号，控制所述耗电型MOS管的导通或者截止。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，当所述显示面板进行显示时，所述第二控制信号为低电平，使得所述耗电型MOS管截止；当所述显示面板停止显示时，所述第二控制信号为高电平，使得所述耗电型MOS管导通。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述耗电型MOS管的第一端为源极，第二端为漏极；或者
所述耗电型MOS管的第二端为源极，第一端为漏极。
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