CN103926716A - 一种基板及其信号线的标注方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示器领域，具体涉及一种基板及其信号线的标注方法。所述基板包括透明衬底以及形成在所述衬底上的多条信号线，还包括位于所述衬底上的多个标记，所述多个标记分别与所述多条信号线一一对应，用于标识相对应的信号线，其中至少包括相邻两个标记中的一个为正向图案标记，另一个为反向图案标记。该基板能够解决读取基板中信号线的标记时容易发生错误的问题。

Description

一种基板及其信号线的标注方法
技术领域
本发明涉及显示器领域，具体涉及一种基板及其信号线的标注方法。
背景技术
显示装置中的基板通常上设置有信号线，例如液晶显示装置中的薄膜场效应晶体管（Thin Film Transistor，TFT）阵列基板上设置有数据线和扫描线。通常需要为基板上的信号线标注标记即为信号线编上数字序号，以便在液晶显示装置的生成过程中对信号线进行辨识、以及在后续工程检测中准确定位各个像素点。
图1是现有技术中基板上标记的俯视示意图。如图1所示，基板包括透明衬底、形成在衬底上的多条信号线10、以及与多条信号线10一一对应设置的多个标记11，例如图中所示的数字序号“1233”、“1234”、“1235”和“1236”，用于标识相对应的信号线。
图2和图3分别示出了基板处于阵列工程制作时和成盒工程制作时基板上标记的示意图。以标记11中的数字序号“1235”为例，参考图2，在基板处于阵列工程制作时，基板被放置为使得其上的标记朝上，人眼从上往下观察数字序号“1235”时看到的是正向图案标记“1235”，然而，参考图3，在基板处于成盒工程制作时，基板被上下颠倒放置，其上的标记朝下，人眼从上往下观察数字序号“1235”时看到的是反向图案标记即当基板处于成盒工程时，人眼看到的标记11是上下颠倒排列的图形，这造成了对标记的辨识困难，进而影响对该标记对应的信号线的辨识。图1的现有技术中基板上的其他标记如“1233”、“1234”和“1236”以及各自对应的信号线在辨识时也相同的困难，容易发生辨认错误，进而出错。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提出一种基板及其信号线的标注方法，解决读取基板中信号线的标记时容易发生错误的问题，提高基板相关的工作效率。
一方面，本发明实施例公开了一种基板，包括透明衬底以及形成在所述衬底上的多条信号线，其中，所述基板还包括位于所述衬底上的多个标记，所述多个标记分别与所述多条信号线一一对应，用于标识相对应的信号线，其中至少包括相邻两个标记中的一个为正向图案标记，另一个为反向图案标记。
另一方面，本发明实施例还公开了一种基板信号线的标注方法，包括透明衬底以及形成在所述衬底上的多条信号线，包括：
在所述透明衬底上形成多个标记，所述多个标记分别与所述多条信号线一一对应，用于标识相对应的信号线，其中至少包括相邻两个标记中的一个为正向图案标记，另一个为反向图案标记。
本发明实施例基板上信号线的对应位置包括正向图案标记和反向图案标记，人眼由上往下观察能够看清正向图案标记，从而能够通过正向图案标记辨识信号线。当基板被颠倒放置，人眼从上往下观察能够看清反向图案标记，从而能够通过反向图案标记辨识信号线。因此，无论基板处于阵列工程制作时还是成盒工程制作时，总能够借助于正向图案标记或反向标记图案清楚地辨识信号线，从而提高工作效率和准确率。
附图说明
图1是现有技术中基板上标记的俯视示意图；
图2是基板处于阵列工程制作时基板上标记的示意图；
图3是基板成盒工程制作时基板上标记的示意图；
图4是本发明一实施例的基板的俯视示意图；
图5是本发明一实施例的基板的侧视示意图；
图6是本发明一实施例的基板的标记示意图；
图7是本发明一实施例的基板的示意图；
图8是本发明一实施例的底栅结构TFT阵列基板的标记示意图；
图9是本发明一实施例的底栅结构TFT阵列基板的标记示意图；
图10是本发明一实施例中基板信号线的标注方法的实现流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部。
图4和图5分别示出了本发明一实施例的基板上标记的俯视示意图和侧视示意图。如图4所示，本实施例的基板包括透明衬底以及形成在所述衬底上的多条信号线10，还包括位于所述衬底上的多个标记111和112，所述多个标记分别与所述多条信号线一一对应，用于标识相对应的信号线，其中，至少包括相邻两个标记中的一个为正向图案标记111，例如“1233”和“1235”，另一个为反向图案标记112，例如和需要说明的是，这里的一一对应，是指每一根信号线10都会用一个数字序号来标注，数字序号与信号线之间一一对应。
在基板处于阵列工程制作时，人眼由上往下观察数字序号“1233”、“1235”和时看到的图形依次为“1233”、“1235”和即此时能够清楚辨识信号线的正向图案标记111（包括“1233”和“1235”）。相应的，在基板处于成盒工程制作时，基板被颠倒放置，人眼从上往下观察“1233”、“1235”和时看到的图形依次为“1234”、和“1236”，即此时能够清楚辨识信号线的反向图案标记112（包括“1234”和“1236”）。因此，本实施例中由于标记中既包含正向图案标记和反向图案标记，不论基板处于阵列工程制作时还是处于成盒工程制作时，均能够通过正向图案标记或反向图案标记正确辨识信号线，从而避免辨认错误引起的问题。
请注意，图4的标记图为一种示例，是数字标记。另外，所述标记也可以是字母、字母加数字等等，本实施例中对标记的具体形式不作限定，只要是用于识别的标记都可以。进一步，图4中示出的为对应于由左到右所述标记从小到大对所述信号线进行标记的情况，所述标记也可以从大到小对所述信号线进行标记。对基板进行相关操作时，通过从大到小或从小到大的依次排列的标记能够根据清晰读取的数字序号获得不能清晰读取的数字序号，从而辨识基板上的各个标识所对应的信号线。例如，如图4所示，基板处于阵列工程制作且人眼由上往下观察时，能够清晰读取信号线101和信号线103所对应的数字序号分别为“1233”和“1235”。由于本例中数字序号由左至右为从小到大排列，则能够根据信号线101和信号线103所对应的数字序号知道信号线102和信号线104的数字序号依次为“1234”和“1236”。当然，当特定情况下，也可以以一种约定或协议的方式，对标注这些标记的规则进行定义，在实际操作中按照此种定义或者约定的规则进行标注，在此也不限定。
图6是本发明本实施例提供的基板的标记示意图。请注意，图6中的标记图仅为一种示例，且在图6中省略了信号线。其中，所述正向图案标记111和所述反向图案标记112可以位于所述基板的同一层，当所述基板是TFT基板时，可以具体的位于所述TFT阵列基板中的TFT开关的栅极层13。需要特别说明的是，在本实施例中的所述正向图案标记111和所述反向图案标记112还可以与TFT开关的源漏极14位于同一层。当基板为TFT阵列基板时，所述信号线可以为数据线或者扫描线，基板上正向图案标记111包括正向数据线标记或正向扫描线标记，反向图案标记112包括反向数据线标记或反向扫描线标记。如前所述，当正向图案标记111和反向图案标记112位于所述TFT阵列基板上同一层时，优选的，它们可以与所述TFT开关的栅极或源漏极位于同一层，从而能够在形成TFT开关的栅极或者源漏极的同时形成正向图案标记111和反向图案标记112，以简化工艺步骤。需要特别说明的是，图6中仅以底栅结构的TFT作为示例，但不应以图6为限。本实施例中正向图案标记111和反向图案标记112位于TFT阵列基板的同一层时，也可以位于不同于栅极和源漏极所在的层的其它层上。
另外，本实施例中正向图案标记111和反向图案标记112也可以位于所述基板的不同层，例如，当所述基板为TFT阵列基板时，所述正向图案标记111与所述TFT开关的栅极同时形成，也即与所述栅极位于同一层，所述反向图案标记112与所述TFT开关的源漏极同时形成，也即与所述源漏极位于同一层。此外可选的，正向图案标记111和反向图案标记112也可以分别形成在不同于栅极和源漏极所在的层的其它不同层中。可选的，所述正向图案标记111和所述反向图案标记112为金属材料。
图7是本发明一实施例的基板的示意图。所述基板还包括设置在所述正向图案标记111下方且与所述正向图案标记111电绝缘的正向阻挡层113以及设置在所述反向图案标记112上方且与所述反向图案标记112电绝缘的反向阻挡层114，所述正向阻挡层113和/或所述反向阻挡层114优选的可以为金属层。正向阻挡层113用于当人眼从第一方向观察时，即人眼由下向上观察时，对所述正向图案标记111进行阻挡，从而不能看见正向图案标记111，但能够辨识清楚反向图案标记112，使得能够通过反向图案标记112正确且清晰的辨识信号线。所述反向阻挡层114用于当从与第一方向相反的第二方向观察时，即人眼由上往下观察时，对所述反向图案标记112进行阻挡，从而不能看见反向图案标记112，但能够清晰的辨识正向图案标记111。需要说明的是，在本发明实施例中不论所述正向图案标记111和所述反向图案标记112具体位于哪一层，正向阻挡层113需要位于所述正向图案标记111的下方，所述反向阻挡层114需要位于所述反向图案标记112的上方。
图8是本实施例的底栅结构TFT阵列基板的标记示意图。所述基板12为TFT阵列基板，所述TFT阵列基板中TFT开关具有栅极层13和源漏极层14，由于所述TFT开关为底栅结构，所述栅极层13位于所述源漏极层14的下方。当正向图案标记111和反向图案标记112位于同一层时，由于正向阻挡层113需要位于所述正向图案标记111的下方，反向阻挡层114需要位于所述反向图案标记112的上方，可选的，所述正向图案标记111和所述反向图案标记112与所述TFT开关的源漏极14形成在同一层，所述正向阻挡层113与所述TFT开关的栅极13形成在同一层，且正向阻挡层113需要与栅极（图中未示出）电绝缘。所述反向阻挡层114形成在所述反向图案标记112上方，并且与所述反向图案标记112电绝缘。图8中都以各个绝缘层进行电绝缘。可选的，正向阻挡层113和反向阻挡层114为金属层。另外，所述TFT阵列基板上的所述正向图案标记和所述反向图案标记的个数可以与所述TFT阵列基板中被标记的信号线的个数相一致。
当然，所述正向图案标记111和所述反向图案标记112可以在所述TFT阵列基板中位于不同层。如图9所示，可选的，所述正向图案标记111和所述反向阻挡层114与所述TFT开关的源漏极14形成于同一层（三者之间需要电绝缘），所述正向阻挡层113和所述反向图案标记112与所述TFT开关的栅极（图9中未示出）形成在同一层（三者之间需要电绝缘）。由于所述正向图案标记111、所述反向图案标记112、所述正向阻挡层113和所述反向阻挡层114均可以分别与所述TFT开关的源漏极（图9中未示出）或者栅极（图9中未示出）同时形成，使得有效简化工业步骤。
可选的，所述TFT开关为顶栅结构。顶栅结构的TFT开关具有两种结构，一种是栅极层位于源漏极层的下方，一种为栅极层位于源漏极层的上方。当正向图案标记和反向图案标记位于同一层时，可选的，它们形成在所述TFT开关中所述栅极和所述源漏极中距离所述衬底较远的一层中，且所述正向阻挡层形成在所述TFT开关中所述栅极和所述源漏极中距离所述衬底较近的一层中，所述反向阻挡层形成在所述反向图案标记上方，并与所述反向图案标记电绝缘。
可选的，当所述TFT开关为顶栅结构，并且正向图案标记和反向图案标记也位于不同层时，所述正向图案标记和所述反向阻挡层形成在所述TFT开关中所述栅极和所述源漏极中距离所述衬底较远的一层中，所述正向阻挡层和所述反向图案标记形成在所述TFT开关中所述栅极和所述源漏极中距离所述衬底较近的一层中。
在本实施例中的所述正向图案标记和所述反向图案标记分别用于从第二方向和第一方向正确辨识基板上的信号线。所述正向阻挡层和所述反向阻挡层分别用于从第一方向或第二方向观察时，阻挡所述正向图案标记和所述反向图案标记。当所述基板为TFT阵列基板时并且所述TFT阵列基板中TFT开关的结构不同时，为了对所述基板上数据线或扫描线进行有效标识，分别当，所述正向图案标记、所述反向图案标记、所述正向阻挡层和所述反向阻挡层位于不同的位置，从而使得能够清晰读取所述正向图案标记和所述反向图案标记，以辨识信号线。
图10是本发明一实施例中基板信号线的标注方法的实现流程图。如图10所示，所述方法包括：
步骤101、在所述透明衬底上形成多条信号线。
通过涂布光刻胶、曝光、显影等光刻工艺在所述透明衬底上形成多条信号线，例如在TFT阵列基板上形成多条数据线或多条扫描线。
步骤102、通过光刻工艺在所述透明衬底上形成多个标记，所述多个标记分别与所述多条信号线一一对应，用于标识相对应的信号线，其中至少包括相邻两个标记中的一个为正向图案标记，另一个为反向图案标记。
可选的，本实施例在所述透明基板上依次从大到小或从小到大形成所述信号线的标记。即正向排列保留图案或反向排列保留图案可以依次从大到小或从小到大排列。
所述正向图案标记和所述反向图案标记形成在同一层或者不同层，优选的，所述正向图案标记和所述反向图案标记间隔排列。
优选的，所述正向图案标记和/或反向图案标记也可以在形成所述信号线（包括数据线或者栅极线）的同时形成。示例性的，所述基板为TFT阵列基板时，可以通过光刻工艺在形成所述TFT开关的栅极或源漏极的同时形成所述正向图案标记和/或所述反向图案标记。需要说明的是，也可以在TFT阵列基板中其他任意金属层上同时形成正向图案标记和反向图案标记。
进一步的，所述基板信号线的标注方法还可以包括在所述正向图案标记前先形成正向阻挡层。具体的，在所述透明基板上通过光刻工艺先形成正向阻挡层，后在所述正向阻挡层的上方形成正向图案标记，其中，所述正向阻挡层与所述正向图案标记电绝缘（例如可以通过一层覆盖所述正向阻挡层的绝缘层，并在所述绝缘层上形成所述正向图案标记来实现两者电绝缘），并且当从第一方向观察时所述正向阻挡层阻挡所述正向图案标记。
可选的，所述基板信号线的标注方法也可以包括在所述反向图案标记后再形成反向阻挡层。具体的，在所述透明基板上通过光刻工艺先形成反向图案标记，然后在所述反向图案标记上方形成反向阻挡层，其中，所述反向阻挡层与所述反向图案标记电绝缘（例如可以通过一层覆盖所述反向图案标记的绝缘层，并在所述绝缘层上形成所述反向阻挡层来实现两者电绝缘），并且当从第二方向观察时所述反向阻挡层阻挡所述反向图案标记。
优选的，更进一步的，本实施例所述的基板信号线的标注方法还可以与本发明前述实施例所述的基板相对应。例如示例性的，所述基板为TFT阵列基板，并且所述TFT阵列基板中的TFT开关为底栅结构，首先通过光刻工艺在形成TFT开关的栅极的同时形成正向阻挡层；其次在形成TFT开关的源漏极的同时形成正向图案标记和反向图案标记，然后，在所述TFT开关的源漏极的上方形成反向阻挡层。
又如示例性的，所述基板为TFT阵列基板，并且所述TFT阵列基板中的TFT开关为底栅结构，首先通过光刻工艺形成所述TFT开关的栅极的同时形成所述正向阻挡层和所述反向图案标记，然后通过光刻工艺形成所述TFT开关的源漏极的同时形成正向图案标记和反向阻挡层。
需要说明的是，当TFT阵列基板中TFT开关为顶栅结构时，本领域技术人员只需区分栅极和源漏极的相对位置即可以采用与底栅结构的TFT阵列基板信号线的标注方法相类似的标注方法完成标识，在此不再赘述。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (15)

1.一种基板，包括透明衬底以及形成在所述衬底上的多条信号线，其特征在于，
所述基板还包括位于所述衬底上的多个标记，所述多个标记分别与所述多条信号线一一对应，用于标识相对应的信号线，其中至少包括相邻两个标记中的一个为正向图案标记，另一个为反向图案标记。
2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，
所述标记从大到小对所述信号线进行标记，或者从小到大对所述信号线进行标记。
3.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，
所述基板还包括设置在所述正向图案标记下方且与所述正向图案标记电绝缘的正向阻挡层以及设置在所述反向图案标记上方且与所述反向图案标记电绝缘的反向阻挡层，
其中，所述正向阻挡层用于当从第一方向观察时对所述正向图案标记进行阻挡，所述反向阻挡层用于当从与第一方向相反的第二方向观察时对所述反向图案标记进行阻挡。
4.根据权利要求3所述的基板，其特征在于，
所述正向图案标记和/或反向图案标记为金属，所述正向阻挡层和/或所述反向阻挡层为金属层。
5.根据权利要求1或2所述的基板，其特征在于，
所述正向图案标记和所述反向图案标记位于同一层或者不同层。
6.根据权利要求5所述的基板，所述基板为TFT阵列基板，所述正向图案标记和所述反向图案标记与所述TFT开关的栅极或源漏极位于同一层。
7.根据权利要求3所述的基板，其特征在于，
所述基板为TFT阵列基板，当所述TFT阵列基板中的TFT开关为底栅结构，所述正向图案标记和所述反向图案标记与所述TFT开关的源漏极形成在同一层，所述正向阻挡层与所述TFT开关的栅极形成在同一层，所述反向阻挡层形成在所述反向图案标记上方，并与所述反向图案标记电绝缘。
8.根据权利要求3所述的基板，其特征在于，
所述基板为TFT阵列基板，当所述TFT阵列基板中的TFT开关为底栅结构，所述正向图案标记和所述反向阻挡层与所述TFT开关的源漏极形成于同一层，所述正向阻挡层和所述反向图案标记与所述TFT开关的栅极形成在同一层。
9.根据权利要求3所述的基板，其特征在于，
所述基板为TFT阵列基板，当所述TFT阵列基板中的TFT开关为顶栅结构，所述正向图案标记和所述反向图案标记形成在所述TFT开关中所述栅极和所述源漏极中距离所述衬底较远的一层中，且所述正向阻挡层形成在所述TFT开关中所述栅极和所述源漏极中距离所述衬底较近的一层中，所述反向阻挡层形成在所述反向图案标记上方，并与所述反向图案标记电绝缘。
10.根据权利要求3所述的基板，其特征在于，
所述基板为TFT阵列基板，当所述TFT阵列基板中的TFT开关为顶栅结构，所述正向图案标记和所述反向阻挡层形成在所述TFT开关中所述栅极和所述源漏极中距离所述衬底较远的一层中，所述正向阻挡层和所述反向图案标记形成在所述TFT开关中所述栅极和所述源漏极中距离所述衬底较近的一层中。
11.一种基板信号线的标注方法，包括透明衬底以及形成在所述衬底上的多条信号线，其特征在于，包括：
在所述透明衬底上形成多个标记，所述多个标记分别与所述多条信号线一一对应，用于标识相对应的信号线，其中至少包括相邻两个标记中的一个为正向图案标记，另一个为反向图案标记。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，
所述正向图案标记和所述反向图案标记形成在同一层或者不同层。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，
所述基板为TFT阵列基板，在形成所述TFT开关的栅极或源漏极时，在同一层中形成所述正向图案标记和所述反向图案标记。
14.根据权利要求11或12所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述透明基板上先形成正向阻挡层，后在所述正向阻挡层的上方形成正向图案标记，其中，所述正向阻挡层与所述正向图案标记电绝缘，并且当从第一方向观察时所述正向阻挡层阻挡所述正向图案标记。
15.根据权利要求11或12所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述透明基板上先形成反向图案标记，后在所述反向图案标记上方形成反向阻挡层，其中，所述反向阻挡层与所述反向图案标记电绝缘并且当从第二方向观察时所述反向阻挡层阻挡所述反向图案标记。
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