CN103924239B - 一种石墨烯-阳极氧化铝复合导电材料的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了石墨烯‑阳极氧化铝复合导电材料和石墨烯管的制备方法:将阳极氧化铝进行退火处理,通过化学气相沉积方法,在步骤1处理后的阳极氧化铝上生长石墨烯,得到石墨烯‑阳极氧化铝复合导电材料;将石墨烯‑阳极氧化铝复合材料中,在氧化铝表面沉积的石墨烯中的至少一部分打磨去除,然后放入酸性溶液中刻蚀掉氧化铝模板,得到石墨烯管。所述石墨烯‑阳极氧化铝复合材料和石墨烯管的制备方法工艺简单,过程易控制,热管理性能优异,不需要在真空条件下实施背接触层的沉积,设备投资少,可以大规模生产。此外,所得石墨烯‑阳极氧化铝复合材料和石墨烯管不但具有优异的导电性能,而且导热性能良好,具有定向热传导的性能。
Description
技术领域
本发明涉及材料领域,尤其涉及一种石墨烯-阳极氧化铝复合导电材料的制备方法。
背景技术
石墨烯(Graphene)是一种由碳原子构成的单层片状结构的新材料。是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜,只有一个碳原子厚度的二维材料。石墨烯一直被认为是假设性的结构,无法单独稳定存在,直至2004年,英国曼彻斯特大学物理学家安德烈·海姆和康斯坦丁·诺沃肖洛夫,成功地在实验中从石墨中分离出石墨烯,而证实它可以单独存在。
石墨烯自被成功分离,就因其优异的物理特性引起科学界的广泛兴趣。作为世界上导电性最好的材料,石墨烯中的电子运动速度达到了光速的1/300,远远超过了电子在一般导体中的传导速度,而电阻率只约6-10 Ω·cm,比铜或银更低,为目前世上电阻率最小的材料。由于其电阻率极低,电子迁移的速度极快,因此被期待可用来发展出更薄、导电速度更快的新一代电子元件或晶体管,使它在微电子领域也具有巨大的应用潜力。另外石墨烯材料还是一种优良的改性剂,把石墨烯作为导电材料与各种物质复合,应用到新能源领域如光伏,储能领域如锂离子电池和超级电容器,散热、导电等领域中。由于其高传导性、高比表面积,可适用于作为电极材料助剂。在导电陶瓷开发方面,目前的导电陶瓷多是由复杂的化合物经过复合、掺杂等方法高温退火得到的复合导电陶瓷。但它们的生产原料成本高、制备工艺复杂,复合比例要求严格,其应用受到各方面的限制。因此,如何突破这一瓶颈,开发出低成本、电学性能优异、可大规模生产的导电陶瓷是提高复合导电材料导电性能、降低成本的关键。
发明内容
本发明的目的在于克服上述不足,提供一种石墨烯-阳极氧化铝复合导电材料的制备方法,该制备方法工艺简单,过程易控制。
本发明提供了一种石墨烯-阳极氧化铝复合导电材料的制备方法,包括以下步骤:
步骤1,将阳极氧化铝进行退火处理,以2-6 °C/min的升温速率升温至1000-2500ºC,保温0.1-20h,再以10-20 °C/min降温速率冷却至室温;
步骤2,通过化学气相沉积方法,在步骤1处理后的阳极氧化铝上生长石墨烯,得到石墨烯-阳极氧化铝复合导电材料。
优选地,在退火处理前还包括预处理步骤:将阳极氧化铝在有机溶剂中清洗,干燥。
优选地,所述有机溶剂为丙酮/乙醇的混合溶剂,其中,丙酮的体积百分比为20-90%。
优选地,所述阳极氧化铝的孔径为20-500nm。
优选地,所述退火处理温度为1200℃。
优选地,所述退火处理中,保温时间至少为20-60min。
优选地,步骤2中,所述化学气相沉积方法为:以0.5-20 ºC/min的升温速率升温至500-1600ºC,恒温至少1-240 min;然后导入保护气体、碳源和还原气体,气体总流量为2-800sccm,反应时间为1-480min;最后以1-50ºC/min的降温速率冷却至室温。
优选地,所述化学气相沉积方法中,恒温1-60min。
优选地,所述化学气相沉积方法中,降温速率为10-20 ºC/min。
其中,保护气体、碳源和还原气体的流量比例视反应维度和石墨烯的厚度而定。
优选地,所述保护气体流量为0.5-500sccm。
优选地,所述碳源流量为0.5-100sccm。
优选地,所述还原气体流量为1-200sccm。
优选地,所述碳源选自甲烷、乙烯、乙炔、乙醇、乙烷和丙烷等中的至少一种。
优选地,所述保护气体选自氮气、氩气和氦气等中的至少一种。
优选地,所述还原气体为氢气。
本发明还提供了一种根据上述制备方法制备的石墨烯-阳极氧化铝复合导电材料。
本发明还提供了上述石墨烯-阳极氧化铝复合材料在光伏、导电材料、散热器件和/或定向热传导等中的应用。
本发明还提供了一种石墨烯管的制备方法,包括以下步骤:
(1)提供上述石墨烯-阳极氧化铝复合导电材料,将石墨烯-阳极氧化铝复合材料中,在氧化铝表面沉积的石墨烯中的至少一部分打磨去除;
(2)将打磨后的石墨烯-阳极氧化铝复合材料放入酸性溶液中刻蚀掉氧化铝模板,得到石墨烯管。
优选地,所述酸性溶液可以为H3PO4溶液、HF溶液或H3PO4和HF混合溶液等。
优选地,所述H3PO4和HF混合溶液中,H3PO4和HF的摩尔浓度均为0.1-1molL-1。
优选地,所述H3PO4和HF混合溶液中,H3PO4和HF的摩尔浓度相同,为0.1-1molL-1。
优选地,所述H3PO4和HF混合溶液中,H3PO4和HF的摩尔浓度均为0.5molL-1。
本发明还提供了一种根据石墨烯管的制备方法制备的石墨烯管。
本发明还提供了上述石墨烯管在光伏、导电材料、散热器件和/或定向热传导等中的应用。
本发明提供的石墨烯-阳极氧化铝复合材料和石墨烯管的制备方法工艺简单,过程易控制,热管理性能优异,不需要在真空条件下实施背接触层的沉积,设备投资少,可以大规模生产。此外,本发明提供的石墨烯-阳极氧化铝复合材料和石墨烯管不但具有优异的导电性能,而且导热性能良好,具有定向热传导的性能。
附图说明
图1为实施例1所得石墨烯管的扫描电镜(SEM)图;
图2为实施例1所得石墨烯/阳极氧化铝的复合导电材料的SEM图;
图3为实施例1所得石墨烯的Raman图;
图4为本发明所提供的石墨烯-阳极氧化铝复合材料的三维导电网络的导电示意图。
具体实施方式
下面参照附图,结合实施例对本发明作进一步地说明,以更好地理解本发明。
实施例
1
将阳极氧化铝(AAO)在丙酮/乙醇的混合溶液中超声清洗10-30min,然后放入烘箱中干燥,将烘干后的阳极氧化铝在1200 °C退火得到孔径稳定不变的基底;将阳极氧化铝装入CVD反应炉,通入100 sccm氢气和300 sccm氩气,以10°C/分钟的升温速度加热至1100 °C,恒温30后,通入10 sccm甲烷,调节氢气流量到50 sccm,反应210分钟。反应结束后停止通入甲烷,保持氢气和氩气的流量不变,控制降温速率为10 ºC/分钟降到400 ºC,然后自然冷却到室温,既得石墨烯-阳极氧化铝(G-AAO)复合材料。
将石墨烯-阳极氧化铝复合材料打磨去除氧化铝一面的石墨烯。将打磨后的石墨烯-阳极氧化铝复合材料放入H3PO4酸溶液中刻蚀掉氧化铝模板,得到独立的石墨烯管。
实施例
2
制备工艺同实施例1,不同之处在于:CVD反应的温度为1150 °C。
实施例
3
制备工艺同实施例1,不同之处在于:CVD反应的温度为1200 °C。
实施例
4
制备工艺同实施例1,不同之处在于:CVD反应的温度为1250 °C。
实施例
5
制备工艺同实施例1,不同之处在于:CVD反应的温度为1300 °C。
实施例
6
制备工艺同实施例1,不同之处在于:刻蚀阳极氧化铝用HF酸。
实施例
7
制备工艺同实施例1,不同之处在于:刻蚀阳极氧化铝用HF和H3PO4的混酸,H3PO4溶液和HF溶液体积比为1: 1。
实施例
8
制备工艺同实施例1,不同之处在于:CVD反应时,甲烷的流量调到20 sccm。
实施例
9
制备工艺同实施例1,不同之处在于:CVD反应时,甲烷的流量调到30 sccm。
实施例
10
制备工艺同实施例1,不同之处在于:CVD反应时,甲烷的流量调到40 sccm。
实施例
11
制备工艺同实施例1,不同之处在于:CVD反应时,甲烷的流量调到50 sccm。
实施例
12
制备工艺同实施例1,不同之处在于:CVD反应时,甲烷的流量调到50 sccm。
实施例
13
制备工艺同实施例1,不同之处在于:CVD反应时,甲烷的流量调到60 sccm。
实施例
14
制备工艺同实施例1,不同之处在于:CVD反应时,甲烷的流量调到70 sccm。
扫描电镜观察实施例1所得石墨烯-阳极氧化铝复合材料,如图2所示,石墨烯均匀沉积在阳极氧化铝表面。扫描电镜观察实施例1所得石墨烯管,如图1所示,石墨烯管中石墨烯呈薄膜,几乎完全透明。测量实施例1所得石墨烯管的拉曼位移,如图3所示,所得石墨烯管由高纯度石墨烯构成。实施例1所得石墨烯-阳极氧化铝复合材料和石墨烯管的三维导电网络的导电示意图如图4所示,测量实施例1所得石墨烯-阳极氧化铝复合材料导电性能如表1所示,所得石墨烯-阳极氧化铝复合材料电子运动速度快,电阻率低,且随着石墨烯沉积量的增加,电子运动速度加快,电阻率降低。
扫描电镜观察实施例2-14所得石墨烯-阳极氧化铝复合材料,结果同实施例1,石墨烯均匀沉积在阳极氧化铝表面。扫描电镜观察实施例2-14所得石墨烯,管,结果同实施例1,石墨烯管中石墨烯呈薄膜,几乎完全透明。测量实施例2-14所得石墨烯管的拉曼位移,结果表明所得石墨烯管由高纯度石墨烯构成。测量实施例2-14所得石墨烯-阳极氧化铝复合材料导电性能,结果表明所得石墨烯-阳极氧化铝复合材料由于石墨烯的沉积,电子运动速度加快,电阻率降低。
表1 石墨烯-阳极氧化铝复合材料导电性能测量结果
以上对本发明的具体实施例进行了详细描述,但其只是作为范例,本发明并不限制于以上描述的具体实施例。对于本领域技术人员而言,任何对本发明进行的等同修改和替代也都在本发明的范畴之中。因此,在不脱离本发明的精神和范围下所作的均等变换和修改,都应涵盖在本发明的范围内。
Claims (14)
1.一种石墨烯-阳极氧化铝复合导电材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1,将阳极氧化铝进行退火处理,以2~6℃/min的升温速率升温至1000~2500℃,保温0.1~20h,再以10~20℃/min降温速率冷却至室温;
步骤2,通过化学气相沉积方法,在步骤1处理后的阳极氧化铝上生长石墨烯,得到石墨烯-阳极氧化铝复合导电材料;
其中,在退火处理前还包括预处理步骤:将阳极氧化铝在有机溶剂中清洗,干燥。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述有机溶剂为丙酮/乙醇的混合溶剂,其中,丙酮的体积百分比为20~90%。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述阳极氧化铝的孔径为20~500nm。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤2中,所述化学气相沉积方法为:以0.5~20℃/min的升温速率升温至500~1600℃,恒温至少1~240min;然后导入保护气体、碳源和还原气体,气体总流量为2~800sccm,反应时间为1~480min;最后以1~50℃/min的降温速率冷却至室温。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述碳源选自甲烷、乙烯、乙炔、乙醇、乙烷和丙烷中的至少一种。
6.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述保护气体选自氮气、氩气和氦气中的至少一种。
7.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述还原气体为氢气。
8.一种权利要求1所述制备方法制备的石墨烯-阳极氧化铝复合导电材料。
9.权利要求8所述石墨烯-阳极氧化铝复合导电材料在光伏、导电材料、散热器件和/或定向热传导中的应用。
10.一种石墨烯管的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)提供如权利要求9所述的石墨烯-阳极氧化铝复合导电材料,将石墨烯-阳极氧化铝复合材料中,在氧化铝表面沉积的石墨烯中的至少一部分打磨去除;
(2)将打磨后的石墨烯-阳极氧化铝复合材料放入酸性溶液中刻蚀掉氧化铝模板,得到石墨烯管。
11.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,所述酸性溶液为H3PO4溶液、HF溶液或H3PO4和HF混合溶液。
12.根据权利要求11所述的制备方法,其特征在于,所述H3PO4和HF混合溶液中,H3PO4和HF的摩尔浓度均为0.1~1molL-1。
13.一种如权利要求10所述制备方法制备的石墨烯管。
14.权利要求13所述石墨烯管在光伏、导电材料、散热器件和/或定向热传导中的应用。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310016264.1A CN103924239B (zh) | 2013-01-16 | 2013-01-16 | 一种石墨烯-阳极氧化铝复合导电材料的制备方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103924239A CN103924239A (zh) | 2014-07-16 |
CN103924239B true CN103924239B (zh) | 2016-08-03 |
Family
ID=51142624
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310016264.1A Active CN103924239B (zh) | 2013-01-16 | 2013-01-16 | 一种石墨烯-阳极氧化铝复合导电材料的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103924239B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108793124B (zh) * | 2018-07-10 | 2020-06-23 | 杭州高烯科技有限公司 | 一种自支撑石墨烯膜的制备方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102452647B (zh) * | 2010-10-27 | 2013-06-19 | 北京富纳特创新科技有限公司 | 碳纳米管膜承载结构及其使用方法 |
CN102176338B (zh) * | 2011-03-10 | 2012-10-03 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种石墨烯/铜纳米线复合导电材料与制备方法 |
CN102534730A (zh) * | 2012-02-23 | 2012-07-04 | 南昌航空大学 | 一种柔性透明高导电石墨烯薄膜制备方法 |
CN102827587A (zh) * | 2012-09-18 | 2012-12-19 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 相变储能材料/石墨烯/多孔陶瓷复合热管理材料及其制备方法和应用 |
-
2013
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Publication number | Publication date |
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