CN103915338A - 一种金刚石器件的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种金刚石器件的制备方法,涉及半导体器件技术领域。包括以下步骤(1)在有导电沟道的金刚石表层上的有源区覆盖光刻胶;(2)将有源区外金刚石导电沟道去除;去除光刻胶(3)在源、漏位置以外处覆盖光刻胶;(4)转移石墨烯覆盖在金刚石表面;(5)在石墨烯上面沉积欧姆接触金属;(6)剥离,形成源漏;(7)制备栅。本发明制备方法简单,在金刚石沟道与源漏金属间设置石墨烯层,石墨烯与金刚石,石墨烯与源漏金属间可形成良好的欧姆接触,可以极大减小金刚石器件的欧姆接触电阻,提高金刚石器件的性能。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件技术领域。
背景技术
以单晶、多晶和纳米晶金刚石为材料基础的器件统称为金刚石基器件,例如金刚石MESFET、MISFET、JFET等。金刚石基器件具有工作温度高、击穿场强大、截止频率高、功率密度大等优点,是未来微波大功率领域的首选。栅源和栅漏电阻增加,晶体管的频率性能下降。大的欧姆接触电阻是金刚石器件寄生电阻的主要来源,因此只有降低欧姆接触电阻才能提高金刚石器件的性能。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种金刚石器件的制备方法,本发明制备方法简单,在金刚石沟道与源漏金属间设置石墨烯层,石墨烯与金刚石,石墨烯与源漏金属间可形成良好的欧姆接触,可以极大减小金刚石器件的欧姆接触电阻,提高金刚石器件的性能。
为解决上述技术问题,本发明所采取的技术方案是:一种金刚石器件的制备方法,包括以下步骤
(1)在有导电沟道的金刚石表层上的有源区覆盖光刻胶;
(2)将有源区外金刚石导电沟道去除;去除光刻胶
(3)在源、漏位置以外处覆盖光刻胶;
(4)转移石墨烯覆盖在金刚石表面;
(5)在石墨烯上面沉积欧姆接触金属;
(6)剥离,形成源漏;
(7)制备栅。
步骤(1)中金刚石表面导电沟道为n型或p型。
步骤(1)中金刚石中形成表面导电沟道的方法为氢等离子体处理法、化学掺杂法或B掺杂法。
步骤(2)去除导电沟道的方法为干法刻蚀。
步骤(2)去除导电沟道的方法为等离子体刻蚀法。
步骤(4)所述石墨烯为单层石墨烯或多层石墨烯。
步骤(5)所述欧姆接触金属为钌、铑、钯、银、锇、铱、铂、金、钛、铝、铬、锗、钼、镍、钨、铜、钴或铁中的一种,或至少两种相互组合的合金。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于:本发明制备方法简单,在金刚石沟道与源漏金属间设置石墨烯层,石墨烯与金刚石,石墨烯与源漏金属间可形成良好的欧姆接触,可以极大减小金刚石器件的欧姆接触电阻,提高金刚石器件的性能。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1是本发明步骤(1)的流程图;
图2是本发明步骤(2)的流程图;
图3是本发明步骤(3)的流程图;
图4是本发明步骤(4)的流程图;
图5是本发明步骤(5)的流程图;
图6是本发明步骤(6)的流程图;
图7是本发明步骤(7)的流程图;
1为金刚石,2为导电沟道,3为光刻胶,4为石墨烯,5为欧姆接触金属,6为在源,7为漏,8为栅。
具体实施方式
实施例1
第一步,在有p型导电沟道的金刚石半导体材料表面上的有源区覆盖光刻胶;
第二步,以光刻胶为掩膜,将有源区外金刚石导电沟道氧等离子体刻蚀10分钟,去除导电沟道;
第三步,在源、漏位置以外处覆盖光刻胶;
第四步,将利用CVD法在Ni衬底上生长的双层石墨烯转移并覆盖在金刚石表面;
第五步,在石墨烯上面沉积欧姆接触金属Ti/Au 10 nm/200nm;
第六步,剥离,形成源漏;
第七步,电子束光刻制备栅长100 nm的T型栅,蒸发200 nm Al栅金属,剥离,形成金刚石器件。
实施例2
第一步,在有n型导电沟道的金刚石半导体材料表面上的有源区覆盖光刻胶;
第二步,以光刻胶为掩膜,将有源区外金刚石导电沟道氧等离子体刻蚀10分钟,去除导电沟道;
第三步,在源、漏位置以外处覆盖光刻胶;
第四步,将利用CVD法在Ni衬底上生长的双层石墨烯转移并覆盖在金刚石表面;
第五步,在石墨烯上面沉积欧姆接触金属Ti/Au 10 nm/200nm;
第六步,剥离,形成源漏;
第七步,电子束光刻制备栅长100 nm的T型栅,蒸发200 nm Al栅金属,剥离,形成金刚石器件。
实施例3
第一步,在有p型导电沟道的金刚石半导体材料表面上的有源区覆盖光刻胶;
第二步,以光刻胶为掩膜,将有源区外金刚石导电沟道氧等离子体刻蚀10分钟,去除导电沟道;
第三步,在源、漏位置以外处覆盖光刻胶;
第四步,将利用CVD法在Cu衬底上生长的石墨烯转移并覆盖在金刚石表面;
第五步,在石墨烯上面沉积欧姆接触金属Au 200nm;
第六步,剥离,形成源漏;
第七步,电子束光刻制备栅长100 nm的T型栅,蒸发200 nm Al栅金属,剥离,形成金刚石器件。
本发明在金刚石沟道与源漏金属间插入了石墨烯层,由于石墨烯与金刚石,石墨烯与源漏金属间可形成良好的欧姆接触,该结构可以极大减小金刚石器件的欧姆接触电阻,提高金刚石器件性能。
Claims (7)
1.一种金刚石器件的制备方法,其特征在于:包括以下步骤
(1)在有导电沟道(2)的金刚石(1)表层上的有源区覆盖光刻胶(3);
(2)将有源区外金刚石导电沟道(2)去除;去除光刻胶(3);
(3)在源(6)、漏(7)位置以外处覆盖光刻胶(3);
(4)转移石墨烯(4)覆盖在金刚石表面;
(5)在石墨烯(4)上面沉积欧姆接触金属(5);
(6)剥离,形成源(6)、漏(7);
(7)制备栅(8)。
2.根据权利要求1所述的金刚石器件的制备方法,其特征在于步骤(1)中金刚石表面导电沟道为n型或p型。
3.根据权利要求1所述的金刚石器件的制备方法,其特征在于步骤(1)中金刚石中形成表面导电沟道(2)的方法为氢等离子体处理法、化学掺杂法或B掺杂法。
4.根据权利要求1所述的金刚石器件的制备方法,其特征在于步骤(2)去除导电沟道的方法为干法刻蚀。
5.根据权利要求4所述的金刚石器件的制备方法,其特征在于步骤(2)去除导电沟道的方法为等离子体刻蚀法。
6.根据权利要求1所述的金刚石器件的制备方法,其特征在于步骤(4)所述石墨烯为单层石墨烯或多层石墨烯。
7.根据权利要求1所述的金刚石器件的制备方法,其特征在于步骤(5)所述欧姆接触金属为钌、铑、钯、银、锇、铱、铂、金、钛、铝、铬、锗、钼、镍、钨、铜、钴或铁中的一种,或至少两种相互组合的合金。
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Legal Events
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---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |