CN103911663B - 一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶的制备方法 - Google Patents
一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103911663B CN103911663B CN201410154971.1A CN201410154971A CN103911663B CN 103911663 B CN103911663 B CN 103911663B CN 201410154971 A CN201410154971 A CN 201410154971A CN 103911663 B CN103911663 B CN 103911663B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- raw material
- crystal
- perovskite structure
- high tension
- sodium potassium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶的制备方法,它涉及一种钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶及其制备方法。本发明的目的是要解决现有发明制备的铌酸钾钠晶体及锂、钽或锰掺杂铌酸钾钠晶体存在漏电,组份不均匀,机电耦合系数和压电系数低的问题。本发明制备的单晶化学式为[(NayK1-y)1-xLix](Nb1-zTaz)O3:Mn,其中,0.01<x<0.07,0.4<y<0.7,0.25<z<0.45;步骤:一、准备原料;二、球磨;三、预烧;四、反复融化预烧合成的多晶原料;五、单晶炉中晶体生长。本发明可获得一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶。
Description
技术领域
本发明涉及一种钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶的制备方法。
背景技术
2004年,Y.Saito等人在Nature杂志上报导了一种具有优异压电性能的铌酸钾钠(KNN)基压电陶瓷。作者使用Li、Sb、Ta等元素部分替代KNN中A位和B位离子,对其进行改性,并且改进制备工艺,用定向模板生长技术制备了陶瓷样品,其压电应变常数达到了可以和铅基陶瓷相比拟的水平。这是无铅压电材料研究史上是一次重大突破。自此以后,KNN基压电材料被认为成一种最有潜力的无铅压电材料之一,在世界范围内掀起了对KNN基压电材料的研究热潮。
单晶材料本身具有周期性和对称性的结构,并且沿不同方向极化性能差异极大,对于研究其压电机理问题具有非常明显的优势。而且相较于陶瓷,单晶性能往往更加优异。越来越多的研究人员尝试用多种方法生长KNN基无铅单晶,如坩埚下降法、固态反应法等。铁电相铌酸钾钠基无铅单晶非常难以制备,生长速度慢、周期长、容易开裂,因此大尺寸、高性能的KNN基单晶较难获得。用固态反应法所生长的KNN基晶体,尺寸仅仅为1-4mm,而且晶体中气孔特别多。已经有学者用坩埚下降法制备出了Li掺杂的KNN晶体,但是晶体的P-E曲线却显示出了大的漏电,限制了其应用。用熔盐法(fluxmethod)法生长出了较大尺寸的Mn掺杂的KNN晶体。但是从晶体的照片可以看出,晶体的颜色不均匀,预示着晶体组分的不均一。从上述报道的晶体的文献可以看出,生长大尺寸、高质量的KNN基单晶,是一件非常困难和充满挑战的课题。在2013年,申请人课题组生长出了大尺寸的KNNT晶体,证明了顶端耔晶生长法是一种生长大尺寸KNN基单晶的有效方法。KNNT单晶纵向方向的机电耦合系数k33可以达到83%,厚度方向的机电耦合系数kt可以达到65%,然而其纵向压电系数d33仅为162pc/N,相对KNN陶瓷而言,并没有得到有效的提高。
发明内容
本发明的目的是要解决现有发明制备的铌酸钾钠晶体及锂、钽或锰掺杂铌酸钾钠晶体存在漏电,组份不均匀,机电耦合系数和压电系数低的问题,而提供一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶的制备方法。
一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶的化学式为[(NayK1-y)1-xLix](Nb1-zTaz)O3:Mn,其中,0.01<x<0.07,0.4<y<0.7,0.25<z<0.45。
一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶的制备方法,具体是按以下步骤完成的:
一、准备原料:依照单晶化学式[(NayK1-y)1-xLix](Nb1-zTaz)O3:Mn,称取原料Na2CO3、K2CO3、Li2CO3、Nb2O5和Ta2O5,其中Na元素:K元素:Li元素:Nb元素:Ta元素摩尔比为(y-xy):(1-x-y+xy):x:(1-z):z;所述的[(NayK1-y)1-xLix](Nb1-zTaz)O3:Mn中0.01<x<0.07,0.4<y<0.7,0.25<z<0.45;按照Mn元素与Nb和Ta元素之和的摩尔比为(0.2~0.3):1称取MnO2;
二、球磨:将步骤一称取的Na2CO3、K2CO3、Li2CO3、Ta2O5、Nb2O5和MnO2放入聚乙烯球磨罐中,按照球料质量比为(3~20):1的比例放入氧化锆磨球,再加入无水乙醇,在转速为150r/min~250r/min的条件下球磨10h~14h,得到浆料;
步骤二中所述的Na2CO3、K2CO3、Li2CO3、Ta2O5、Nb2O5和MnO2的总质量与无水乙醇的体积比为1g:(1mL~2mL);
三、预烧:将步骤二得到的浆料在90℃~110℃下烘干2h~5h,得到烘干后的料浆,在室温条件下以压强为80MPa将烘干后的料浆压制成直径60mm的圆片,并在800℃~950℃下预烧3h~6h,得到预烧合成的多晶原料;
四、反复融化预烧合成的多晶原料:①将步骤三得到的预烧合成的多晶原料置于铂金坩埚中,然后将铂金坩埚置于单晶生长炉中,再以100℃/h~300℃/h的升温速度将单晶生长炉从室温升至1100℃~1300℃,预烧合成的多晶原料全部融化后,以100℃/h~300℃/h的降温速度将单晶生长炉从1100℃~1300℃降温至600℃~1000℃;②重复步骤四①2次~5次;③在1100℃~1300℃的条件下保温1h~3h,得到液态原料;
五、单晶炉中晶体生长:①在温度为1100℃~1300℃条件下以5cm/h~15cm/h的速度将籽晶降至液态原料的液面以下,待籽晶不融不长后,再在转速为4r/min~10r/min,拉速为0.3mm/h~0.8mm/h的条件下将籽晶拉长至1mm~2mm;②在转速4r/min~10r/min和拉速为0.1mm/h~0.4mm/h的条件下,以5℃/h~10℃/h的降温速度使单晶生长炉的温度下降1℃~5℃,使晶体生长至宽度为8mm~15mm;③在转速为4.5r/min~10r/min和拉速为0.2mm/h~0.7mm/h的条件下使晶体等径生长,晶体的长度为10mm~20mm时将晶体拉高脱离液态原料;④以20℃/h~80℃/h的降温速度将单晶生长炉的温度降至室温,取出高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶。
本发明的优点:一、本发明采用顶端籽晶提拉法生长出一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶,室温下为钙钛矿结构,呈铁电相,谐振法测得的压电应变系数d33可到520pC/N~560pC/N,机电耦合系数k33更是高达90%~95%,介电损耗为0.5%~1%。二、本发明制备的一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶压电性能优异,工艺简单,成本低廉;三、本发明可以通过调节原料的初始成分,主要为Nb和Ta的比例来调节晶体的组分,从而达到调节晶体相变温度的目的;四、本发明制备的一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶成四方体,尺寸长、宽和高为9mm、9mm和15mm,棱角清晰,晶体方向明确,组分均匀,压电性能优异,容易保存,无潮解现象。
本发明可获得一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶。
附图说明
图1是试验一制备的一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶的相对介电常数在频率为100kHz时随温度的变化曲线;
图2是试验一制备的一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶(001)面的Laue衍射图谱。
具体实施方式
具体实施方式一:本实施方式是一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶的化学式为[(NayK1-y)1-xLix](Nb1-zTaz)O3:Mn,其中,0.01<x<0.07,0.4<y<0.7,0.25<z<0.45。
本实施方式的优点:一、本实施方式采用顶端籽晶提拉法生长出一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶,室温下为钙钛矿结构,呈铁电相,谐振法测得的压电应变系数d33可到520pC/N~560pC/N,机电耦合系数k33更是高达90%~95%,介电损耗为0.5%~1%。二、本实施方式制备的一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶压电性能优异,工艺简单,成本低廉;三、本实施方式可以通过调节原料的初始成分,主要为Nb和Ta的比例来调节晶体的组分,从而达到调节晶体相变温度的目的;四、本实施方式制备的一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶成四方体,尺寸长、宽和高为9mm、9mm和15mm,棱角清晰,晶体方向明确,组分均匀,压电性能优异,容易保存,无潮解现象。
本实施方式可获得一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶。
具体实施方式二:本实施方式与具体实施方式一不同点是:所述的[(NayK1-y)1-xLix](Nb1-zTaz)O3:Mn中0.03<x<0.05,0.4<y<0.6,0.25<z<0.4。其他步骤与具体实施方式一相同。
具体实施方式三:本实施方式与具体实施方式一或二之一不同点是:所述的[(NayK1-y)1-xLix](Nb1-zTaz)O3:Mn中0.05<x<0.07,0.5<y<0.6,0.3<z<0.4。其他步骤与具体实施方式一或二相同。
具体实施方式四:本实施方式是一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶的制备方法具体是按以下步骤完成的:
一、准备原料:依照单晶化学式[(NayK1-y)1-xLix](Nb1-zTaz)O3:Mn,称取原料Na2CO3、K2CO3、Li2CO3、Nb2O5和Ta2O5,其中Na元素:K元素:Li元素:Nb元素:Ta元素摩尔比为(y-xy):(1-x-y+xy):x:(1-z):z;所述的[(NayK1-y)1-xLix](Nb1-zTaz)O3:Mn中0.01<x<0.07,0.4<y<0.7,0.25<z<0.45;按照Mn元素与Nb和Ta元素之和的摩尔比为(0.2~0.3):1称取MnO2;
二、球磨:将步骤一称取的Na2CO3、K2CO3、Li2CO3、Ta2O5、Nb2O5和MnO2放入聚乙烯球磨罐中,按照球料质量比为(3~20):1的比例放入氧化锆磨球,再加入无水乙醇,在转速为150r/min~250r/min的条件下球磨10h~14h,得到浆料;
步骤二中所述的Na2CO3、K2CO3、Li2CO3、Ta2O5、Nb2O5和MnO2的总质量与无水乙醇的体积比为1g:(1mL~2mL);
三、预烧:将步骤二得到的浆料在90℃~110℃下烘干2h~5h,得到烘干后的料浆,在室温条件下以压强为80MPa将烘干后的料浆压制成直径60mm的圆片,并在800℃~950℃下预烧3h~6h,得到预烧合成的多晶原料;
四、反复融化预烧合成的多晶原料:①将步骤三得到的预烧合成的多晶原料置于铂金坩埚中,然后将铂金坩埚置于单晶生长炉中,再以100℃/h~300℃/h的升温速度将单晶生长炉从室温升至1100℃~1300℃,预烧合成的多晶原料全部融化后,以100℃/h~300℃/h的降温速度将单晶生长炉从1100℃~1300℃降温至600℃~1000℃;②重复步骤四①2次~5次;③在1100℃~1300℃的条件下保温1h~3h,得到液态原料;
五、单晶炉中晶体生长:①在温度为1100℃~1300℃条件下以5cm/h~15cm/h的速度将籽晶降至液态原料的液面以下,待籽晶不融不长后,再在转速为4r/min~10r/min,拉速为0.3mm/h~0.8mm/h的条件下将籽晶拉长至1mm~2mm;②在转速4r/min~10r/min和拉速为0.1mm/h~0.4mm/h的条件下,以5℃/h~10℃/h的降温速度使单晶生长炉的温度下降1℃~5℃,使晶体生长至宽度为8mm~15mm;③在转速为4.5r/min~10r/min和拉速为0.2mm/h~0.7mm/h的条件下使晶体等径生长,晶体的长度为10mm~20mm时将晶体拉高脱离液态原料;④以20℃/h~80℃/h的降温速度将单晶生长炉的温度降至室温,取出高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶。
本实施方式的优点:一、本实施方式采用顶端籽晶提拉法生长出一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶,室温下为钙钛矿结构,呈铁电相,谐振法测得的压电应变系数d33可到520pC/N~560pC/N,机电耦合系数k33更是高达90%~95%,介电损耗为0.5%~1%。二、本实施方式制备的一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶压电性能优异,工艺简单,成本低廉;三、本实施方式可以通过调节原料的初始成分,主要为Nb和Ta的比例来调节晶体的组分,从而达到调节晶体相变温度的目的;四、本实施方式制备的一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶成四方体,尺寸长、宽和高为9mm、9mm和15mm,棱角清晰,晶体方向明确,组分均匀,压电性能优异,容易保存,无潮解现象。
本实施方式可获得一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶。
具体实施方式五:本实施方式与具体实施方式四不同点是:步骤二中所述的将步骤一称取的Na2CO3、K2CO3、Li2CO3、Ta2O5、Nb2O5和MnO2放入聚乙烯球磨罐中,按照球料质量比为(10~15):1的比例放入氧化锆磨球,再加入无水乙醇,在转速为150r/min~200r/min的条件下球磨12h~14h,得到浆料。其他步骤与具体实施方式四相同。
具体实施方式六:本实施方式与具体实施方式四或五之一不同点是:步骤二中所述的Na2CO3、K2CO3、Li2CO3、Ta2O5、Nb2O5和MnO2的总质量与无水乙醇的体积比为1g:(1.5mL~2mL)。其他步骤与具体实施方式四或五相同。
具体实施方式七:本实施方式与具体实施方式四至六之一不同点是:步骤三中将步骤二得到的浆料在90℃~110℃下烘干3h~5h,得到烘干后的料浆,在室温条件下以压强为80MPa将烘干后的料浆压制成直径60mm的圆片,并在850℃~950℃下预烧4h~6h,得到预烧合成的多晶原料。其他步骤与具体实施方式四二至六相同。
具体实施方式八:本实施方式与具体实施方式四至七之一不同点是:步骤四①中将步骤三得到的预烧合成的多晶原料置于铂金坩埚中,然后将铂金坩埚置于单晶生长炉中,再以200℃/h~300℃/h的升温速度将单晶生长炉从室温升至1150℃~1250℃,预烧合成的多晶原料全部融化后,以200℃/h~300℃/h的降温速度将单晶生长炉从1150℃~1250℃降温至600℃~1000℃。其他步骤与具体实施方式四至七相同。
具体实施方式九:本实施方式与具体实施方式四至八之一不同点是:步骤四③中在1150℃~1250℃的条件下保温1.5h~3h,得到液态原料。其他步骤与具体实施方式四至八相同。
具体实施方式十:本实施方式与具体实施方式四至九之一不同点是:步骤五①中在温度为1150℃~1250℃条件下以7cm/h~13cm/h的速度将籽晶降至液态原料的液面以下,待籽晶不融不长后,再在转速为6r/min~10r/min,拉速为0.5mm/h~0.8mm/h的条件下将籽晶拉长至1mm~2mm;步骤五②中在转速6r/min~10r/min和拉速为0.1mm/h~0.4mm/h的条件下,以8℃/h~10℃/h的降温速度使单晶生长炉的温度下降3℃~5℃,使晶体生长至宽度为8mm~15mm;步骤五③中在转速为4.5r/min~8r/min和拉速为0.5mm/h~0.7mm/h的条件下使晶体等径生长,晶体的长度为10mm~20mm时将晶体拉高脱离液态原料;步骤五④中以60℃/h~80℃/h的降温速度将单晶生长炉的温度降至室温,取出高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶。其他步骤与具体实施方式四至九相同。
采用以下试验验证本发明的有益效果:
试验一:一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶的制备方法具体是按以下步骤完成的:
一、准备原料:依照单晶化学式[(NayK1-y)1-xLix](Nb1-zTaz)O3:Mn,称取原料Na2CO3、K2CO3、Li2CO3、Nb2O5和Ta2O5,其中Na元素:K元素:Li元素:Nb元素:Ta元素摩尔比为(y-xy):(1-x-y+xy):x:(1-z):z;所述的[(NayK1-y)1-xLix](Nb1-zTaz)O3:Mn中x=0.02,y=0.51,z=0.29;按照Mn元素与Nb和Ta元素之和的摩尔比为0.25:1称取MnO2;
二、球磨:将步骤一称取的Na2CO3、K2CO3、Li2CO3、Ta2O5、Nb2O5和MnO2放入聚乙烯球磨罐中,按照球料质量比为10:1的比例放入氧化锆磨球,再加入无水乙醇,在转速为150r/min的条件下球磨12h,得到浆料;
步骤二中所述的Na2CO3、K2CO3、Li2CO3、Ta2O5、Nb2O5和MnO2的总质量与无水乙醇的体积比为1g:1.5mL;
三、预烧:将步骤二得到的浆料在100℃下烘干4h,得到烘干后的料浆,在室温条件下以压强为80MPa将烘干后的料浆压制成直径60mm的圆片,并在900℃下预烧5h,得到预烧合成的多晶原料;
四、反复融化预烧合成的多晶原料:①将步骤三得到的预烧合成的多晶原料置于铂金坩埚中,然后将铂金坩埚置于单晶生长炉中,再以300℃/h的升温速度将单晶生长炉从室温升至1200℃,预烧合成的多晶原料全部融化后,以200℃/h的降温速度将单晶生长炉从1200℃降温至800℃;②重复步骤四①3次;③在1200℃的条件下保温2h,得到液态原料;
五、单晶炉中晶体生长:①在温度为1200℃条件下以5cm/h的速度将籽晶降至液态原料的液面以下,待籽晶不融不长后,再在转速为10r/min,拉速为0.8mm/h的条件下将籽晶拉长至2mm;②在转速10r/min和拉速为0.4mm/h的条件下,以5℃/h的降温速度使单晶生长炉的温度下降5℃,使晶体生长至宽度为10mm;③在转速为4.5r/min和拉速为0.5mm/h的条件下使晶体等径生长,晶体的长度为10mm时将晶体拉高脱离液态原料;④以30℃/h的降温速度将单晶生长炉的温度降至室温,取出高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶。
采用阻抗分析仪测试沿[001]方向极化的高压电性能的锂锰掺杂铌钽酸钾钠无铅压电单晶的谐振频率图,利用共振法计算本试验制备的一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶的机电耦合性能,其压电应变系数d33为540pC/N,机电耦合系数k33高达95%,介电损耗为0.7%。
采用LCR测试仪测试本试验制备的一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶在100kHz下的相对介电常数随温度的变化,测试方向为[001]方向,如图1所示。图1是试验一制备的一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶的相对介电常数在频率为100kHz时随温度的变化曲线;从图1可以看出此晶体的居里温度TC=235℃,正交相与四方相的转变温度TO-T=30℃,室温下(20℃)该晶体为正交相。
图2是试验一制备的一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶(001)面的Laue衍射图谱;从图2可知,试验一制备的一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶为单晶材料。
Claims (1)
1.一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶的制备方法,其特征在于该方法具体是按以下步骤完成的:
一、准备原料:依照单晶化学式[(NayK1-y)1-xLix](Nb1-zTaz)O3:Mn,称取原料Na2CO3、K2CO3、Li2CO3、Nb2O5和Ta2O5,其中Na元素:K元素:Li元素:Nb元素:Ta元素摩尔比为(y-xy):(1-x-y+xy):x:(1-z):z;所述的[(NayK1-y)1-xLix](Nb1-zTaz)O3:Mn中x=0.02,y=0.51,z=0.29;按照Mn元素与Nb和Ta元素之和的摩尔比为0.25:1称取MnO2;
二、球磨:将步骤一称取的Na2CO3、K2CO3、Li2CO3、Ta2O5、Nb2O5和MnO2放入聚乙烯球磨罐中,按照球料质量比为10:1的比例放入氧化锆磨球,再加入无水乙醇,在转速为150r/min的条件下球磨12h,得到浆料;
步骤二中所述的Na2CO3、K2CO3、Li2CO3、Ta2O5、Nb2O5和MnO2的总质量与无水乙醇的体积比为1g:1.5mL;
三、预烧:将步骤二得到的浆料在100℃下烘干4h,得到烘干后的料浆,在室温条件下以压强为80MPa将烘干后的料浆压制成直径60mm的圆片,并在900℃下预烧5h,得到预烧合成的多晶原料;
四、反复融化预烧合成的多晶原料:①将步骤三得到的预烧合成的多晶原料置于铂金坩埚中,然后将铂金坩埚置于单晶生长炉中,再以300℃/h的升温速度将单晶生长炉从室温升至1200℃,预烧合成的多晶原料全部融化后,以200℃/h的降温速度将单晶生长炉从1200℃降温至800℃;②重复步骤四①3次;③在1200℃的条件下保温2h,得到液态原料;
五、单晶炉中晶体生长:①在温度为1200℃条件下以5cm/h的速度将籽晶降至液态原料的液面以下,待籽晶不融不长后,再在转速为10r/min,拉速为0.8mm/h的条件下将籽晶拉长至2mm;②在转速10r/min和拉速为0.4mm/h的条件下,以5℃/h的降温速度使单晶生长炉的温度下降5℃,使晶体生长至宽度为10mm;③在转速为4.5r/min和拉速为0.5mm/h的条件下使晶体等径生长,晶体的长度为10mm时将晶体拉高脱离液态原料;④以30℃/h的降温速度将单晶生长炉的温度降至室温,取出高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶;
所述的高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶的压电应变系数d33为540pC/N,机电耦合系数k33高达95%,介电损耗为0.7%。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410154971.1A CN103911663B (zh) | 2014-04-17 | 2014-04-17 | 一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410154971.1A CN103911663B (zh) | 2014-04-17 | 2014-04-17 | 一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103911663A CN103911663A (zh) | 2014-07-09 |
CN103911663B true CN103911663B (zh) | 2016-04-20 |
Family
ID=51037654
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410154971.1A Active CN103911663B (zh) | 2014-04-17 | 2014-04-17 | 一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103911663B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106087058A (zh) * | 2016-06-22 | 2016-11-09 | 桂林电子科技大学 | 一种K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶及其制备方法 |
CN106350869B (zh) * | 2016-09-20 | 2019-04-12 | 哈尔滨工业大学 | 一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶及其制备方法 |
JP7077704B2 (ja) * | 2018-03-23 | 2022-05-31 | Tdk株式会社 | 圧電組成物および圧電素子 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102628186B (zh) * | 2012-04-28 | 2014-12-31 | 哈尔滨工业大学 | 正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基无铅压电单晶的制备方法 |
CN103265289B (zh) * | 2013-05-14 | 2016-05-11 | 齐齐哈尔大学 | 一种锰掺杂铌酸钾钠基无铅压电薄膜的制备方法 |
CN103436963A (zh) * | 2013-08-13 | 2013-12-11 | 哈尔滨工业大学 | 一种高机电耦合性能的钽掺杂铌酸钾钠无铅压电单晶的制备方法 |
-
2014
- 2014-04-17 CN CN201410154971.1A patent/CN103911663B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103911663A (zh) | 2014-07-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101913868B (zh) | 铌酸钾钠织构陶瓷与铌酸钾钠单晶的制备方法 | |
CN102628186B (zh) | 正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基无铅压电单晶的制备方法 | |
Minhong et al. | Piezoelectric and dielectric properties of K0. 5Na0. 5NbO3–LiSbO3–BiScO3 lead-free piezoceramics | |
CN101985775A (zh) | 一种三元系弛豫铁电单晶材料及其制备方法 | |
CN103911663B (zh) | 一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶的制备方法 | |
CN102051685A (zh) | 一种新型铁电单晶铌镱酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅 | |
CN102676167A (zh) | 锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料及其制备方法 | |
Liu et al. | Enhanced piezoelectric properties and temperature-insensitive strain behavior of< 001>-textured KNN-based ceramics | |
CN103436963A (zh) | 一种高机电耦合性能的钽掺杂铌酸钾钠无铅压电单晶的制备方法 | |
CN102358954B (zh) | 一种生长CaxBa1-xNb2O6系列晶体的方法 | |
CN104419984A (zh) | 钙钛矿结构弛豫铁电单晶铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅的制备方法 | |
CN103966659A (zh) | 铌酸钾钠knn单晶的制备方法 | |
Hao et al. | Hydrothermal-assisted synthesis and sintering of K0. 5Na0. 5NbO3− xLiTaO3 lead-free piezoelectric ceramics | |
CN103981573A (zh) | 提高钙钛矿结构铁电材料居里温度的方法 | |
CN102383189B (zh) | 铌锌酸铅-钛酸铅单晶的制备方法 | |
CN106350869B (zh) | 一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶及其制备方法 | |
CN104152999A (zh) | 铌酸钾钠锂基无铅压电单晶及其生长方法 | |
CN103014863A (zh) | 反铁电单晶铌镥酸铅及其制备方法和用途 | |
CN107268084B (zh) | 铌酸钾钠-锆酸铋钠无铅压电单晶及其生长方法 | |
CN101935215A (zh) | 具有良好温度稳定性的铌酸钾钠锂基无铅压电陶瓷复合物 | |
CN104152997B (zh) | 四元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法 | |
CN103603044A (zh) | 富铌掺锂钽铌酸钾单晶及其制备方法 | |
Jiang et al. | Dielectric and piezoelectric properties of LiSbO3 doped 0.995 K0. 5Na0. 5NbO3–0.005 BiFeO3 piezoelectric ceramics | |
CN103469307B (zh) | 四方相锂锑钽共掺杂铌酸钾钠基压电晶体 | |
CN106521627B (zh) | 一种铌酸钾钠基压电单晶及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |