CN103904238B - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法，所述有机电致发光器件包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层和阴极层，在所述阴极层上交替蒸镀至少一层有机阻挡层和一层无机阻挡层。本发明的有机电致发光器件，在现有有机电致发光器件基础上采用有机阻挡层和无机阻挡层交替蒸镀，提高了膜层防水氧能力，有效地减少了外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，从而对器件有机功能材料及电极形成有效的保护，寿命达到了3800小时以上。

Description

有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及电子器件领域，特别是涉及有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在铟锡氧化物(IndiumTinOxides,ITO)玻璃上制作一层几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有一层低功函数的金属电极。其发光机理和过程是从阴、阳两极分别注入电子和空穴，被注入的电子和空穴在有机层内传输，并在发光层内复合，从而激发发光层分子产生单态激子，单态激子辐射衰减而发光。
OLED器件具有主动发光、发光效率高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优点，被业内人士认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。作为一项崭新的照明和显示技术，OLED技术在过去的十多年里发展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越来越多的照明和显示厂家纷纷投入研发，大大的推动了OLED的产业化进程，使得OLED产业的成长速度惊人，目前已经到达了大规模量产的前沿。
但是，由于外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，导致有机功能材料失效及电极性能的下降，所以目前有机电致发光器件普遍存在寿命短的缺陷，若使有机电致发光器件达到足够的使用寿命，最为关键的就是对器件进行有效的封装，因此封装的好坏直接影响器件的寿命。
发明内容
基于此，有必要提供一种防水、氧能力强的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，在所述阴极层上交替蒸镀至少一层有机阻挡层和一层无机阻挡层；所述有机阻挡层的材质为酞菁铜、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉，所述无机阻挡层的材质为掺杂10～30wt％金属酞菁化合物的氟化物组成的混合物。
在其中一个实施例中，所述有机电致发光器件还封装有PET膜；所述有机电致发光器件封装在所述PET(聚对苯二甲酸乙二酯)膜和所述阳极基底内。
在其中一个实施例中，所述有机阻挡层和无机阻挡层均为4-6层；每层所述有机阻挡层和每层所述无机阻挡层的厚度均为200～300nm。
在其中一个实施例中，所述金属酞菁化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰或酞菁镍，所述氟化物为LiF、CeF2、MgF2、AlF3、CaF2或BaF2。
在其中一个实施例中，所述有机阻挡层的材质为CuPc，所述无机阻挡层的材质为掺杂20wt％CuPc的LiF组成的混合物。
在其中一个实施例中，所述阴极层为三明治结构，两个外层的材质为ZnS，中间层的材质为Ag，每个所述外层的厚度为30nm，所述中间层的厚度为10nm。
在其中一个实施例中，所述空穴注入层的材质为掺杂30wt％MoO3的N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺，所述空穴注入层的厚度为10nm；所述空穴传输层的材质为4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺，所述空穴传输层的厚度为30nm；所述发光层的材质为掺杂5wt％三(2-苯基吡啶)合铱的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述发光层的厚度20nm；所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉，所述电子传输层的厚度为10nm；所述电子注入层的材质为掺杂30wt％CsN3的4,7-二苯基-1,10-菲罗啉，所述电子注入层的厚度为20nm。
上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
(1)、在阳极基底的阳极层表面依次层叠真空蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层；
(2)、在所述阴极层上真空蒸镀有机阻挡层；其中，所述有机阻挡层的材质为CuPc、NPB、Alq3、m-MTDATA或BCP；
(3)、把步骤(2)制得的样品、氟化物和金属酞菁化合物一同放入真空蒸镀设备中，在所述有机阻挡层上共蒸制备无机阻挡层；其中，所述无机阻挡层的材质为掺杂10-30wt％金属酞菁化合物的氟化物组成的混合物；
(4)、多次交替重复步骤(2)和步骤(3)；
待上述工艺步骤结束后，得到有机电致发光器件。
在其中一些实施例中，还包括封装步骤：在PET膜边缘涂布封装胶，采用λ＝365nm的UV光进行固化，光强为15～25mW/cm2，曝光时间300～400s，将所述有机电致发光器件封装在所述PET膜与所述阳极基底内。
在其中一个实施例中，步骤(2)所述真空蒸镀中，真空度为1×10-5Pa-1×10-3Pa，蒸镀速度为
在其中一个实施例中，步骤(3)所述共蒸中，真空度为1×10-5Pa-1×10-3Pa，蒸镀速度为
本发明的有机电致发光器件，采用金属酞菁化合物和氟化物共蒸的无机阻挡层蒸镀在有机阻挡层上，无机阻挡层利用了有机物分散应力的能力和无机物的阻挡能力，提高了膜层防水氧能力，有效地减少了外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，最后又采用PET膜进行封装，从而进一步提高对器件有机功能材料及电极的有效保护。
本发明的有机电致发光器件的封面透光率达76％以上，水蒸气透过率(WaterVaporTransmissionRate，简称WVTR)达到10－4g/m2·day，本发明的有机电致发光器件的寿命(T701000cd/m2)达到了3800小时以上。
本发明的有机电致发光器件采用廉价的封装材料进行封装，制备工艺简单，易大面积制备，适用于以玻璃基底制备的OLED器件以及塑料或金属为基底制备的柔性OLED器件，特别适用于柔性OLED器件的应用。
附图说明
图1为本发明一实施方式的有机电致发光器件结构示意图；
附图标记：10、阳极基底，20、功能层，201、空穴注入层，202、空穴传输层，203、发光层，204、电子传输层，205、电子注入层，30、阴极层，40、有机阻挡层，50、无机阻挡层，60、PET膜。
具体实施方式
如图1所示，为本发明的有机电致发光器件，包括：
(1)阳极基底10；
(2)功能层20，位于阳极基底10(包括衬底和起阳极导电作用的阳极层)和阴极层30(电源为器件提供电子)之间，包括依次层叠的空穴注入层201(注入空穴，有利于空穴从阳极注入到传输材料中)、空穴传输层202(传输空穴，有利于空穴传输到发光材料中)、发光层203(电子和空穴在此层中复合，然后将能量转移给发光分子发光)、电子传输层204(传输电子，有利于电子传输到发光材料中)、和电子注入层205(注入电子，有利于电子从阳极注入到传输材料中)，所述空穴注入层201位于所述阳极基底10之上；
(3)阴极层30；
(4)有机阻挡层40，蒸镀在所述阴极层30上；有机阻挡层的材质为酞菁铜(CuPc)、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、4,4',4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)或4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉(BCP)；有机阻挡层40为4-6层，每层厚度为200nm-300nm；
(5)无机阻挡层50，蒸镀在所述有机阻挡层40上；无机阻挡层的材质为掺杂10～30wt％金属酞菁化合物的氟化物组成的混合物；所述金属酞菁化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰或酞菁镍，所述氟化物为LiF、CeF2、MgF2、AlF3、CaF2或BaF2；无机阻挡层为4-6层，每层厚度为200nm-300nm。
当有机阻挡层和无机阻挡层超过两层时，所述有机阻挡层40和无机阻挡层50交替蒸镀。
上述(1)-(5)构成有机电致发光器件。
(6)PET膜60，上述有机电致发光器件封装在所述PET膜60与所述阳极基底10内。
本发明的有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
S1、在阳极基底10的阳极层表面依次层叠真空蒸镀功能层20(空穴注入层201、空穴传输层202、发光层203、电子传输层204、电子注入层205)和阴极层30；
S2、在所述阴极层30上真空蒸镀有机阻挡层40；其中，所述有机阻挡层40的材质为酞菁铜(CuPc)、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、4,4',4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)或4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉(BCP)；所述真空蒸镀中，真空度为1×10-5Pa-1×10-3Pa，蒸镀速度为
S3、把步骤(2)制得的样品、氟化物和金属酞菁化合物一同放入真空蒸镀设备中，在所述有机阻挡层40上共蒸制备无机阻挡层50；其中，所述无机阻挡层50的材质为掺杂10～30wt％金属酞菁化合物的氟化物组成的混合物；所述共蒸中，真空度为1×10-5Pa-1×10-3Pa，蒸镀速度为
S4、多次交替重复步骤(2)和步骤(3)；
待上述工艺步骤结束后，得到有机电致发光器件。
S5、在PET膜边缘涂布封装胶，用λ为365nm的UV光进行固化，光强为15～25mW/cm2，曝光时间300～400s，将所述有机电致发光器件封装在PET膜与所述阳极基底内。
上述有机电致发光器件的制备方法中，所述阴极层30的制备还包括：在电子注入层205蒸镀完毕后，先在电子注入层205的表面蒸镀一层ZnS层，随后在ZnS层表面蒸镀一层Ag层，最后再在Ag层表面蒸镀一层ZnS层，完后制得阴极层30。
上述阳极基底10的基底一般为玻璃，其上的阳极层，也就是导电层，阳极层的材质一般为ITO、IZO、AZO、FTO等，优选ITO；在玻璃表面制备有ITO、IZO、AZO、FTO层的，简称ITO玻璃、IZO玻璃、AZO玻璃、FTO玻璃。
以下结合具体实施例对本发明做进一步的阐述。
实施例1有机电致发光器件
包括：
(1)阳极基底；
(2)功能层，位于阳极基底和阴极层之间，包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，所述空穴注入层位于所述阳极基底之上；
(3)阴极层；
(4)有机阻挡层，蒸镀在所述阴极层上；有机阻挡层的材质为CuPc，有机阻挡层为6层，每层厚度为300nm；
(5)无机阻挡层，蒸镀在所述有机阻挡层上；无机阻挡层的材质为掺杂20wt％CuPc的LiF组成的混合物；无机阻挡层为6层，每层厚度为250nm。
所述有机阻挡层和无机阻挡层交替蒸镀。
上述(1)-(5)构成有机电致发光器件。
(6)PET膜，将上述有机电致发光器件封装在所述PET膜与所述阳极基底内。
本实施例的有机电致发光器件是由以下步骤制备而得：
(1)、制备阳极基板(ITO玻璃基板)
先将ITO玻璃基板依次用丙酮、乙醇、去离子水、乙醇在超声波清洗机中进行清洗，单项洗涤清洗5分钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干待用；对洗净后的ITO玻璃基板还需进行表面活化处理，以增加导电表面层的含氧量，提高导电层表面的功函数；ITO玻璃基板的厚度为100nm；
(2)制备功能层(依次为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层，其中空穴注入层位于阳极基板之上)
a空穴注入层
在ITO玻璃基板上真空蒸镀空穴注入层，所述空穴注入层的材质为掺杂30wt％的MoO3N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)，真空度为1×10-5Pa，蒸镀速度为空穴注入层的厚度为10nm；
b空穴传输层
在空穴注入层的表面真空蒸镀空穴传输层，空穴传输层的材质为4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，真空度为1×10-5Pa，蒸镀速度为蒸镀厚度为30nm；
c发光层
在空穴传输层的表面真空蒸镀发光层，所述发光层的主体材料采用1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客体材料采用三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)，掺杂浓度5wt％，真空度为1×10-5Pa，蒸镀速度为蒸镀厚度为20nm；
d电子传输层
在发光层的表面真空蒸镀一层4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)，真空度为1×10-5Pa，蒸镀速度为蒸镀厚度为10nm；
e电子注入层
在电子传输层的表面真空蒸镀电子注入层，电子注入层的材质为掺杂30wt％CsN3的Bphen，真空度为1×10-5Pa，蒸镀速度为蒸镀厚度为20nm；
(3)制备阴极层
在电子注入层的表面蒸镀透明阴极层ZnS/Ag/ZnS，所述阴极层为三明治结构，两个外层的材质为ZnS，中间层的材质为Ag，每个所述外层的厚度为30nm，所述中间层的厚度为10nm。真空度为1×10-5Pa，蒸镀速度为
(4)、制备有机阻挡层
在阴极层的表面真空蒸镀有机阻挡层，有机阻挡层的材质为CuPc，真空度为1×10-5Pa，蒸镀速度为有机阻挡层的厚度为300nm；
(5)、制备无机阻挡层
在有机阻挡层表面共蒸无机阻挡层，所述无机阻挡层的材质为掺杂20wt％CuPc的LiF组成的混合物，真空度为1×10-5Pa，蒸镀速度为无机阻挡层的厚度为250nm；
交替重复步骤(4)和步骤(5)6次；得到有机电致发光器件；
(6)、PET膜的封装
在PET膜边缘涂布封装胶，用UV光(λ＝365nm)进行固化，光强25mW/cm2，曝光时间400s，将所述有机电致发光器件封装在PET膜和所述阳极基底内。
实施例2有机电致发光器件
包括：
(1)阳极基底；同实施例1；
(2)功能层；同实施例1；
(3)阴极层；同实施例1；
(4)有机阻挡层，蒸镀在所述阴极层上；有机阻挡层的材质为NPB，有机阻挡层为5层，每层厚度为250nm；
(5)无机阻挡层，蒸镀在所述有机阻挡层上，无机阻挡层的材质为掺杂30wt％ZnPc的CeF2组成的混合物，无机阻挡层为5层，每层厚度为300nm。
所述有机阻挡层和无机阻挡层交替蒸镀。
上述(1)-(5)构成有机电致发光器件。
(6)PET膜，将上述有机电致发光器件封装在所述PET膜与所述阳极基底内。
本实施例的有机电致发光器件是由以下步骤制备而得：
(1)、制备阳极基底(ITO玻璃基板)
同实施例1步骤(1)。
(2)制备功能层
同实施例1步骤(2)。
(3)制备阴极层
同实施例1步骤(3)。
(4)、制备有机阻挡层
在阴极层的表面真空蒸镀有机阻挡层，有机阻挡层的材质为NPB，真空度为5×10-5Pa，蒸镀速度为有机阻挡层的厚度为250nm；
(5)、制备无机阻挡层
在有机阻挡层表面共蒸制备无机阻挡层，所述无机阻挡层的材质为掺杂30wt％ZnPc的CeF2组成的混合物，真空度为5×10-5Pa，蒸镀速度为无机阻挡层的厚度为300nm；
交替重复步骤(4)和步骤(5)5次；得到有机电致发光器件；
(6)、PET膜的封装
在PET膜边缘涂布封装胶，用UV光(λ＝365nm)进行固化，光强15mW/cm2，曝光时间300s，将所述有机电致发光器件封装在PET膜和所述阳极基底内。
实施例3有机电致发光器件
包括：
(1)阳极基底；同实施例1；
(2)功能层；同实施例1；
(3)阴极层；同实施例1；
(4)有机阻挡层，蒸镀在所述阴极层上；有机阻挡层的材质为Alq3，有机阻挡层为5层，每层厚度为200nm；
(5)无机阻挡层，蒸镀在所述有机阻挡层上，无机阻挡层的材质为掺杂10wt％FePc的MgF2组成的混合物，无机阻挡层为5层，每层厚度为200nm。
所述有机阻挡层和无机阻挡层交替蒸镀。
上述(1)-(5)构成有机电致发光器件。
(6)PET膜，将上述有机电致发光器件封装在所述PET膜与所述阳极基底内。
本实施例的有机电致发光器件是由以下步骤制备而得：
(1)、制备阳极基底(ITO玻璃基板)
同实施例1步骤(1)。
(2)制备功能层
同实施例1步骤(2)。
(3)制备阴极层
同实施例1步骤(3)。
(4)、制备有机阻挡层
在阴极层的表面真空蒸镀有机阻挡层，有机阻挡层的材质为Alq3，真空度为5×10-5Pa，蒸镀速度为有机阻挡层的厚度为200nm；
(5)、制备无机阻挡层
在有机阻挡层表面共蒸制备无机阻挡层，所述无机阻挡层的材质为掺杂10wt％FePc的MgF2组成的混合物，真空度为5×10-5Pa，蒸镀速度为无机阻挡层的厚度为200nm；
交替重复步骤(4)和步骤(5)5次；得到有机电致发光器件；
(6)、PET膜的封装
在PET膜边缘涂布封装胶，用UV光(λ＝365nm)进行固化，光强20mW/cm2，曝光时间350s，将所述有机电致发光器件封装在PET膜和所述阳极基底内。
实施例4有机电致发光器件
包括：
(1)阳极基底；同实施例1；
(2)功能层；同实施例1；
(3)阴极层；同实施例1；
(4)有机阻挡层，蒸镀在所述阴极层上；有机阻挡层的材质为m-MTDATA，有机阻挡层为4层，每层厚度为250nm；
(5)无机阻挡层，蒸镀在所述有机阻挡层上，无机阻挡层的材质为掺杂15wt％CoPc的AlF3组成的混合物，无机阻挡层为4层，每层厚度为240nm。
所述有机阻挡层和无机阻挡层交替蒸镀。
上述(1)-(5)构成有机电致发光器件。
(6)PET膜，将上述有机电致发光器件封装在所述PET膜与所述阳极基底内。
本实施例的有机电致发光器件是由以下步骤制备而得：
(1)、制备阳极基底(ITO玻璃基板)
同实施例1步骤(1)。
(2)制备功能层
同实施例1步骤(2)。
(3)制备阴极层
同实施例1步骤(3)。
(4)、制备有机阻挡层
在阴极层的表面真空蒸镀有机阻挡层，有机阻挡层的材质为m-MTDATA，真空度为5×10-5Pa，蒸镀速度为有机阻挡层的厚度为250nm；
(5)、制备无机阻挡层
在有机阻挡层表面共蒸制备无机阻挡层，所述无机阻挡层的材质为掺杂15wt％CoPc的AlF3组成的混合物，真空度为5×10-5Pa，蒸镀速度为无机阻挡层的厚度为240nm；
交替重复步骤(4)和步骤(5)4次；得到有机电致发光器件；
(6)、PET膜的封装
在PET膜边缘涂布封装胶，用UV光(λ＝365nm)进行固化，光强20mW/cm2，曝光时间360s，将所述有机电致发光器件封装在PET膜和所述阳极基底内。
实施例5有机电致发光器件
包括：
(1)阳极基底；同实施例1；
(2)功能层；同实施例1；
(3)阴极层；同实施例1；
(4)有机阻挡层，蒸镀在所述阴极层上；有机阻挡层的材质为BCP，有机阻挡层为4层，每层厚度为250nm；
(5)无机阻挡层，蒸镀在所述有机阻挡层上，无机阻挡层的材质为掺杂25wt％MnPc的CaF2组成的混合物，无机阻挡层为4层，每层厚度为270nm。
所述有机阻挡层和无机阻挡层交替蒸镀。
上述(1)-(5)构成有机电致发光器件。
(6)PET膜，将上述有机电致发光器件封装在所述PET膜与所述阳极基底内。
本实施例的有机电致发光器件是由以下步骤制备而得：
(1)、制备阳极基底(ITO玻璃基板)
同实施例1步骤(1)。
(2)制备功能层
同实施例1步骤(2)。
(3)制备阴极层
同实施例1步骤(3)。
(4)、制备有机阻挡层
在阴极层的表面真空蒸镀有机阻挡层，有机阻挡层的材质为BCP，真空度为5×10-5Pa，蒸镀速度为有机阻挡层的厚度为250nm；
(5)、制备无机阻挡层
在有机阻挡层表面共蒸制备无机阻挡层，所述无机阻挡层的材质为掺杂25wt％MnPc的CaF2组成的混合物，真空度为5×10-5Pa，蒸镀速度为无机阻挡层的厚度为270nm；
交替重复步骤(4)和步骤(5)4次；得到有机电致发光器件；
(6)、PET膜的封装
在PET膜边缘涂布封装胶，用UV光(λ＝365nm)进行固化，光强20mW/cm2，曝光时间370s，将所述有机电致发光器件封装在PET膜和所述阳极基底内。
实施例6有机电致发光器件
包括：
(1)阳极基底；同实施例1；
(2)功能层；同实施例1；
(3)阴极层；同实施例1；
(4)有机阻挡层，蒸镀在所述阴极层上；有机阻挡层的材质为CuPc，有机阻挡层为4层，每层厚度为250nm；
(5)无机阻挡层，蒸镀在所述有机阻挡层上，无机阻挡层的材质为掺杂20wt％NiPc的BaF2组成的混合物，无机阻挡层为4层，每层厚度为250nm。
所述有机阻挡层和无机阻挡层交替蒸镀。
上述(1)-(5)构成有机电致发光器件。
(6)PET膜，将上述有机电致发光器件封装在所述PET膜与所述阳极基底内。
本实施例的有机电致发光器件是由以下步骤制备而得：
(1)、制备阳极基底(ITO玻璃基板)
同实施例1步骤(1)。
(2)制备功能层
同实施例1步骤(2)。
(3)制备阴极层
同实施例1步骤(3)。
(4)、制备有机阻挡层
在阴极层的表面真空蒸镀有机阻挡层，有机阻挡层的材质为CuPc，真空度为1×10-3Pa，蒸镀速度为有机阻挡层的厚度为250nm；
(5)、制备无机阻挡层
在有机阻挡层表面共蒸制备无机阻挡层，所述无机阻挡层的材质为掺杂20wt％NiPc的BaF2组成的混合物，真空度为1×10-3Pa，蒸镀速度为无机阻挡层的厚度为250nm；
交替重复步骤(4)和步骤(5)4次；得到有机电致发光器件；
(6)、PET膜的封装
在PET膜边缘涂布封装胶，用UV光(λ＝365nm)进行固化，光强20mW/cm2，曝光时间350s，将所述有机电致发光器件封装在PET膜和所述阳极基底内。
对实施例1-6的有机电致发光器件进行了水蒸气透过率(WVTR)、使用寿命和透过率的测试，结果如表1所示：
表1实施例1-6的测试结果
由表1可以看出，本实施例1-6的有机电致发光器件的水蒸气透过率(WVTR)最低达6.2×10－4g/m2·day，完全满足柔性有机电致发光器件的使用要求，透光率达76％以上，使用寿命达3800小时以上。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，其特征在于，在所述阴极层上交替蒸镀至少一层有机阻挡层和一层无机阻挡层；所述有机阻挡层的材质为酞菁铜、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉，所述无机阻挡层的材质为掺杂10～30wt％金属酞菁化合物的氟化物组成的混合物。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件还封装有PET膜；所述有机电致发光器件封装在所述PET膜和所述阳极基底内。
3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层和无机阻挡层均为4-6层；每层所述有机阻挡层和每层所述无机阻挡层的厚度均为200～300nm。
4.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属酞菁化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰或酞菁镍，所述氟化物为LiF、CeF2、MgF2、AlF3、CaF2或BaF2。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极层为三明治结构，两个外层的材质为ZnS，中间层的材质为Ag，每个所述外层的厚度为30nm，所述中间层的厚度为10nm。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材质为掺杂30wt％MoO3的N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺，所述空穴注入层的厚度为10nm；所述空穴传输层的材质为4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺，所述空穴传输层的厚度为30nm；所述发光层的材料为掺杂5wt％三(2-苯基吡啶)合铱的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述发光层的厚度为20nm；所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉，所述电子传输层的厚度为10nm；所述电子注入层的材质为掺杂30wt％CsN3的4,7-二苯基-1,10-菲罗啉，所述电子注入层的厚度为20nm。
7.一种权利要求1～6任一所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)、在阳极基底的阳极层表面依次层叠蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层；
(2)、在所述阴极层上真空蒸镀有机阻挡层，所述有机阻挡层的材质为CuPc、NPB、Alq3、m-MTDATA或BCP；
(3)、把步骤(2)制得样品、金属酞菁化合物以及氟化物放入真空蒸镀设备中，采用共蒸的方式在所述有机阻挡层上蒸镀无机阻挡层，所述无机阻挡层的材质为掺杂10-30wt％金属酞菁化合物的氟化物组成的混合物；
(4)、多次交替重复步骤(2)和步骤(3)；
待上述工艺步骤结束后，得到有机电致发光器件。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述真空蒸镀中，真空度为1×10-5Pa-1×10-3Pa，蒸镀速度为
9.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述共蒸中，真空度为1×10-5Pa-1×10-3Pa，蒸镀速度为
10.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，还包括封装步骤：在PET膜边缘涂布封装胶，采用λ＝365nm的UV光进行固化，光强为15～25mW/cm2，曝光时间300～400s，将所述有机电致发光器件封装在所述PET膜与所述阳极基底内。
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