CN103897185A - 感光型聚酰亚胺及负型光致抗蚀剂组合物 - Google Patents

感光型聚酰亚胺及负型光致抗蚀剂组合物 Download PDF

Info

Publication number
CN103897185A
CN103897185A CN201210592002.5A CN201210592002A CN103897185A CN 103897185 A CN103897185 A CN 103897185A CN 201210592002 A CN201210592002 A CN 201210592002A CN 103897185 A CN103897185 A CN 103897185A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light sensitive
functional group
sensitive polyimide
integer
repeating unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201210592002.5A
Other languages
English (en)
Inventor
林振隆
许富舜
邱国展
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Industrial Technology Research Institute ITRI
Original Assignee
Industrial Technology Research Institute ITRI
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Industrial Technology Research Institute ITRI filed Critical Industrial Technology Research Institute ITRI
Publication of CN103897185A publication Critical patent/CN103897185A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0387Polyamides or polyimides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0388Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)

Abstract

本发明提供感光型聚酰亚胺及含有此感光型聚酰亚胺的负型光致抗蚀剂组合物,该感光型聚酰亚胺如式(I)所示:其中X1和X3为相同或不相同的具有四个共价键的有机官能基团;X2和X4为相同或不相同的具有双共价键的有机官能基团,且X2含有OH或COOH官能基,以及下列任一官能基: 以及其中R为H或CH3,p、q为介于1至20的整数,式(I)中的m、n为重复单元的数目。

Description

感光型聚酰亚胺及负型光致抗蚀剂组合物
【技术领域】
本发明涉及一种感光树脂,特别涉及一种感光型聚酰亚胺。
【背景技术】
聚酰亚胺(polyimide;PI)具有高耐热性、优良的耐化性、绝缘性以及高机械强度,为常用的高性能高分子材料。由于聚酰亚胺本身结构并不具有感光性的官能基,因此当聚酰亚胺应用在光致抗蚀剂材料时,需额外导入可进行感光反应的官能基,一般常见的方法为以共价键结的方式在聚酰亚胺的前驱物聚酰胺酸(polyamide acid;PAA)接上压克力类的官能基,经由此方法可得到具光敏性的聚酰亚胺前驱物。
另一种方法为以叔胺与聚酰亚胺的前驱物聚酰胺酸(PAA)的酸性官能基-COOH进行酸碱中和而形成离子键结,由此得到具有光敏性的聚酰亚胺前驱物。
然而,以上述两种方式得到的光敏性聚酰亚胺前驱物所配制而成的光致抗蚀剂材料,其在后段制程需要进行大于300℃或甚至是350℃的硬烘烤步骤,使得曝光后的光敏性聚酰亚胺前驱物可以进行闭环反应而形成聚酰亚胺。
但是近年来在半导体工业、光电产业以及柔性电路板产业的发展上,已逐渐降低制程温度,而上述使用传统的光敏性聚酰亚胺前驱物所配制而成的光致抗蚀剂材料则需要高于300℃的制程温度,因此不符合降低制程温度的要求,再者,高于300℃的制程温度也容易让铜箔基板氧化。
因此,持续研发可用于低温制程的聚酰亚胺是目前重要的课题。
【发明内容】
依据本发明的一实施例,提供一种感光型聚酰亚胺,其结构如式(I)所示:
其中X1和X3为相同或不相同的具有四个共价键的有机官能基团;X2和X4为相同或不相同的具有双共价键的有机官能基团,且X2
Figure BDA00002674142800022
以及的组合;或是
以及
Figure BDA00002674142800025
的组合,其中Y1选自下列官能基之一:
-O-、-CO-、-S-、-SO2-、-CH2-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2-、-(CH2)n1-、-O(CH2)n2O-、-COO(CH2)n3OCO-、
Figure BDA00002674142800026
其中n1、n2、n3为1至10的整数;
R1为OH或COOH;
R2选自下列官能基之一:
Figure BDA00002674142800027
其中R为H或CH3,p为1至20的整数,q为1至20的整数;式(I)中的m和n为重复单元的数目,其中m为10至1000的整数,n为10至1000的整数。
此外,本发明还提供一种负型光致抗蚀剂组合物,包括:100重量份的上述之感光型聚酰亚胺;20至150重量份的光交联剂;以及0.01至20重量份的光起始剂。
为了让本发明的上述目的、特征、及优点能更明显易懂,以下配合所附图式,作详细说明如下:
【附图说明】
图1显示实施例4的感光型聚酰亚胺的核磁共振仪(NMR)分析图谱。
【具体实施方式】
聚酰亚胺的前驱物聚酰胺酸(PAA)通常是由二酸酐(dianhydride)单体与二胺(diamine)单体反应而成,之后再经由加热法或是化学法让聚酰胺酸进行脱水闭环反应而得到聚酰亚胺(PI)。本发明的实施例提供了感光型聚酰亚胺,其结构如式(I)所示:
Figure BDA00002674142800031
式(I)中的X1和X3来自二酸酐单体,X1和X3可以是相同或不相同的具有四个共价键的有机官能基团,其选自下列官能基之一:
Figure BDA00002674142800032
式(I)中的X2和X4来自二胺单体,X2和X4可以是相同或不相同的具有双共价键的有机官能基团,且X2
以及
Figure BDA00002674142800042
的组合;或是
Figure BDA00002674142800043
以及
Figure BDA00002674142800044
的组合,其中Y1选自下列官能基之一:
-O-、-CO-、-S-、-SO2-、-CH2-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2-、-(CH2)n1-、-O(CH2)n2O-、-COO(CH2)n3OCO-、
Figure BDA00002674142800045
其中n1、n2、n3为1至10的整数;
其中R1为OH或COOH,R2则选自下列官能基之一:
Figure BDA00002674142800046
其中R为H或CH3,p为1至20的整数,q为1至20的整数。
X4可以与X2相同,亦即式(I)的感光型聚酰亚胺可以由一种二胺单体聚合而成,或者X4也可以来自其他不含醇基(OH)或酸基(COOH)的二胺单体,此时式(I)的感光型聚酰亚胺是由两种二胺单体聚合而成,且X4可选自下列官能基之一:
Figure BDA00002674142800047
其中Y1、Y2为相同或不相同的双共价键的官能基,Y1、Y2可选自下列官能基之一:
-O-、-CO-、-S-、-SO2-、-CH2-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2-、-(CH2)n1-、-O(CH2)n2O-、-COO(CH2)n3OCO-、
Figure BDA00002674142800051
其中n1、n2、n3为1至10的整数,R3为H、甲基、乙基或苯基,r、s、t为1至30的整数。
当式(I)中的X2和X4不同,且X4选自上述官能基之一时,以式(I)中全部重复单元的摩尔数为基准,则含有X2的重复单元所占的摩尔比可约为20mol%至85mol%,而含有X4的重复单元所占的摩尔比则约为15mol%至80mol%。
上述X2的组合是经由来自二胺单体的醇基(OH)或酸基(COOH)与压克力单体反应而得到,压克力单体可选择例如甲基丙烯酸2-羟乙酯(2-hydroxyethyl methacrylate;HEMA)、丙烯酸(acrylic acid;AA)、甲基丙烯酸(methacrylic acid;MA)、丙烯酸丁酯(butyl acrylate;BA)、丙烯酰氯(acryloylchloride;AC)等。
含有醇基(OH)或酸基(COOH)的二胺单体与二酸酐单体反应并脱水闭环之后会形成聚酰亚胺,之后聚酰亚胺上的醇基(OH)或酸基(COOH)再与压克力单体反应则会接上含有不饱和双键的官能基,其反应式列举如下:
Figure BDA00002674142800052
上述反应式中的压克力单体为丙烯酰氯(acryloyl chloride;AC),且上述反应式系以全部的醇基(OH)都与压克力单体反应而接上含有不饱和双键的官能基为例进行说明,然而,实际上聚酰亚胺上的醇基(OH)接上含有不饱和双键的官能基的接枝率并不会达到100%。
Figure BDA00002674142800061
上述反应式中的压克力单体为甲基丙烯酸2-羟乙酯(2-hydroxyethylmethacrylate;HEMA),并且在反应中添加N,N'-二环己基碳酰亚胺(N,N′-dicyclohexylcarbodiimide;D.C.C.)。上述反应式系以全部的酸基(COOH)都与压克力单体反应而接上含有不饱和双键的官能基为例进行说明,然而,实际上聚酰亚胺上的酸基(COOH)接上含有不饱和双键的官能基的接枝率并不会达到100%。
由于来自二胺单体的醇基(OH)或酸基(COOH)不会全部都与压克力单体反应而接上含有不饱和双键的官能基,因此X2可以是
Figure BDA00002674142800062
以及
Figure BDA00002674142800063
的组合;或是
Figure BDA00002674142800064
以及的组合,其中R1为OH或COOH,R2则是醇基(OH)或酸基(COOH)与压克力单体反应而接上的含有不饱和双键的官能基。
在式(I)的感光型聚酰亚胺中,经由OH或COOH接枝上不饱和双键的接枝率具有优选的范围,如果接枝过多的不饱和双键,而剩余少量的OH或COOH时,则在曝光之后的显影制程时,照光处与未照光处的溶解度差异不大,导致溶解分辨率下降,较难显影出图案。
反之,如果接枝过少的不饱和双键,而剩余较多的OH或COOH时,则感光型聚酰亚胺可以反应的交联点会过少,在曝光之后的显影制程时,照光处与未照光处的溶解度差异也不大,显影液容易蚀刻掉整片光致抗蚀剂。
因此,在式(I)的感光型聚酰亚胺中,以全部重复单元的摩尔数为基准,含有不饱和双键官能基R2的重复单元的优选的摩尔比为全部重复单位的15mol%至95mol%,更优选的比例为25mol%至85mol%。
换言之,在式(I)的感光型聚酰亚胺中,以全部重复单元的摩尔数为基准,含有的重复单元所占的摩尔比优选为5mol%至85mol%,更优选为15mol%至75mol%;而含有
Figure BDA00002674142800072
或是含有
Figure BDA00002674142800073
Figure BDA00002674142800074
的重复单元所占的摩尔比优选为15mol%至95mol%,更优选为25mol%至85mol%。
因此,在本发明的感光型聚酰亚胺中,以全部重复单元的摩尔数为基准,其中含有不饱和双键官能基R2的重复单元所占的摩尔比为15mol%至95mol%,亦即本发明的感光型聚酰亚胺接上不饱和双键官能基R2的接枝率可达到15mol%~95mol%。
依据一实施例,可使用本发明的感光型聚酰亚胺与光交联剂及光起始剂调配成负型光致抗蚀剂组合物,以100重量份的感光型聚酰亚胺为基准,光交联剂可以为20至150重量份,光起始剂可以为0.01至20重量份。
依据另一实施例,可使用至少一种具有不饱和双键官能基R2接枝率的本发明的感光型聚酰亚胺与其他不含有不饱和双键官能基的非感光型聚酰亚胺混合,再与光交联剂及光起始剂调配成负型光致抗蚀剂组合物,以感光型聚酰亚胺和其他非感光型聚酰亚胺的总重是100重量份为基准,光交联剂可以是20至150重量份,光起始剂可以是0.01至20重量份。
依据另一实施例,可使用至少两种具有不同的不饱和双键官能基R2接枝率的本发明的感光型聚酰亚胺进行混合,例如可使用一不饱和双键官能基R2接枝率较高的本发明的感光型聚酰亚胺与另一不饱和双键官能基R2接枝率较低的本发明的感光型聚酰亚胺混合,以调配出适当范围的不饱和双键官能基R2接枝率的感光型聚酰亚胺,之后再与光交联剂及光起始剂调配成负型光致抗蚀剂组合物,以全部的感光型聚酰亚胺的总重是100重量份为基准,光交联剂可以是20至150重量份,光起始剂可以是0.01至20重量份
光交联剂可以是单一分子含有两个或两个以上不饱和双键官能基的单体,光交联剂的作用为与感光型聚酰亚胺上的双键反应而增加交联度,如果添加太多的光交联剂会使得交联度过高,照光处与未照光处的溶解分辨度会过低。此外,光交联剂通常是小分子,添加太多光交联剂也会降低光致抗蚀剂整体的特性,显现不出聚酰亚胺的高耐热性及高绝缘性。如果添加过于少量的光交联剂,则无法帮助提升交联度,也无法提高溶解分辨度。因此,以100重量份的感光型聚酰亚胺为基准,光交联剂优选的添加量为20至150重量份。
光起始剂的作用为照光后可以产生自由基与感光型聚酰亚胺上的双键反应,进而使感光型聚酰亚胺上的双键产生交联反应,本发明的负型光致抗蚀剂组合物中的光起始剂并不特别限定其种类,主要为可以吸收波长200nm至500nm的光并产生自由基的光起始剂。以100重量份的感光型聚酰亚胺为基准,光起始剂优选的添加量为0.01至20重量份,更优选的添加量为0.5至10重量份。如果添加过少的光起始剂,会使得负型光致抗蚀剂组合物的感光性不足,则曝光时难以产生交联反应;如果添加过多的光起始剂,则曝光时光致抗蚀剂表面会吸收掉大部分的光,使得光难以到达光致抗蚀剂底层,导致光致抗蚀剂表面与底层的交联度不同,溶解度也不同,对后段的显影制程造成不良影响。
此外,以100重量份的感光型聚酰亚胺为基准,本发明的负型光致抗蚀剂组合物还可以包含少于20重量份的其他额外的添加剂,此额外的添加剂包括光起始催化剂、消泡剂、抗氧化剂、耐燃剂、平坦剂、接着增进剂或前述的组合。上述额外的添加剂的作用在于补强负型光致抗蚀剂组合物的物理及化学性质,但若额外的添加剂添加量过高,则会影响负型光致抗蚀剂组合物整体材料的特性,添加量太少则显现不出添加剂的作用。
以下列举各实施例与比较例说明本发明的感光型聚酰亚胺及其制造方法,以及使用各实施例与比较例的感光型聚酰亚胺所配制成的负型光致抗蚀剂组合物的曝光显影结果:
【实施例1】
在室温下使用三口瓶并通以氮气,将两种二胺单体17.3克的3,3'-二羟基-4,4'-二氨基联苯(3,3'-dihydroxy-4,4'-diamino-biphenyl;HAB)与8.2克的2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷(2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane;BAPP),以及0.3克的催化剂异喹啉(isoquinoline)溶入320克的溶剂N-甲基吡咯烷酮(N-methyl pyrrolidone;NMP)中,待二胺单体完全溶解后,再将两种二酸酐单体16.1克的3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐(3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride;BTDA)与14.7克的3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐(3,3′,4,4'-biphenyl tetracarboxylic dianhydride;BPDA)加入,直至二酸酐单体完全溶解后,继续搅拌1小时,形成粘稠状的聚酰亚胺(PI)溶液,然后加热至220℃反应3小时,在这反应过程中可同时用除水装置将水排除。
反应后待聚酰亚胺(PI)溶液降至室温,加入16.2克的三乙胺(triethylamine;TEA)于室温下搅拌30分钟,于冰浴下慢慢滴入14.5克的压克力单体丙烯酰氯(acryloyl chloride;AC),之后于室温下反应8小时,反应结束后过滤,以乙醇再沉淀,干燥后得到感光型聚酰亚胺,以核磁共振仪(nuclear magnetic resonance;NMR)分析实施例1的感光型聚酰亚胺,测得其不饱和双键的接枝率约为50mol%。
【实施例2】
在室温下使用三口瓶并通以氮气,将一种二胺单体21.6克的3,3'-二羟基-4,4'-二胺基联苯(HAB)以及0.3克的催化剂异喹啉(isoquinoline)溶入284克的溶剂N-甲基吡咯烷酮(NMP)中,待二胺单体完全溶解后,再将两种二酸酐单体16.1克的3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐(BTDA)与12.4克的双环[2.2.2]辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐(bicyclo[2.2.2]oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylicdianhydride;B1317)加入,直至二酸酐单体完全溶解后,继续搅拌1小时,形成粘稠状的聚酰亚胺(PI)溶液,然后加热至220℃反应3小时,在这反应过程中可同时用除水装置将水排除。
反应后待聚酰亚胺(PI)溶液降至室温,加入10.1克的三乙胺(TEA)于室温下搅拌30分钟,于冰浴下慢慢滴入9.05克的压克力单体丙烯酰氯(AC),之后于室温下反应8小时,反应结束后过滤,以乙醇再沉淀,干燥后得到感光型聚酰亚胺,以核磁共振仪(NMR)分析实施例2的感光型聚酰亚胺,测得其不饱和双键的接枝率约为35mol%。
【实施例3】
在室温下使用三口瓶并通以氮气,将一种二胺单体28.6克的亚甲基双邻胺苯甲酸(methylene bis(anthranilic acid);MBAA)二胺以及0.3克的催化剂异喹啉(isoquinoline)溶入324克的溶剂N-甲基吡咯烷酮(NMP)中,待二胺单体完全溶解后,再将两种二酸酐单体16.1克的3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐(BTDA)与12.4克的双环[2.2.2]辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐(B1317)加入,直至二酸酐单体完全溶解后,继续搅拌1小时,形成粘稠状的聚酰亚胺(PI)溶液,然后加热至220℃反应3小时,在这反应过程中可同时用除水装置将水排除。
反应后待聚酰亚胺(PI)溶液降至室温,加入50克的N,N'-二环己基碳酰亚胺(N,N′-dicyclohexylcarbodiimide;D.C.C.)于室温下搅拌30分钟,于冰浴下慢慢滴入26克的压克力单体甲基丙烯酸2-羟乙酯(2-hydroxyethylmethacrylate;HEMA),之后于室温下反应8小时,反应结束后过滤,以乙醇再沉淀,干燥后得到感光型聚酰亚胺,以核磁共振仪(NMR)分析实施例3的感光型聚酰亚胺,测得其不饱和双键的接枝率约为80mol%。
【实施例4】
在室温下使用三口瓶并通以氮气,将一种二胺单体21.6克的3,3'-二羟基-4,4'-二胺基联苯(HAB)以及0.3克的催化剂异喹啉(isoquinoline)溶入284克的溶剂N-甲基吡咯烷酮(NMP)中,待二胺单体完全溶解后,再将两种二酸酐单体16.1克的3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐(BTDA)与12.4克的双环[2.2.2]辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐(B1317)加入,直至二酸酐单体完全溶解后,继续搅拌1小时,形成粘稠状的聚酰亚胺(PI)溶液,然后加热至220℃反应3小时,在这反应过程中可同时用除水装置将水排除。
反应后待聚酰亚胺(PI)溶液降至室温,加入20.2克的三乙胺(TEA)于室温下搅拌30分钟,于冰浴下慢慢滴入18.1克的压克力单体丙烯酰氯(AC),之后于室温下反应8小时,反应结束后过滤,以乙醇再沉淀,干燥后得到感光型聚酰亚胺,以核磁共振仪(NMR)分析实施例4的感光型聚酰亚胺,其核磁共振图谱如图1所示,通过计算8~8.5ppm的波峰面积与10~10.5ppm的波峰面积,可计算出实施例4的感光型聚酰亚胺的不饱和双键的接枝率约为93mol%。
【实施例5】
在室温下使用三口瓶并通以氮气,将一种二胺单体21.6克的3,3'-二羟基-4,4'-二胺基联苯(HAB)以及0.3克的催化剂异喹啉(isoquinoline)溶入284克的溶剂N-甲基吡咯烷酮(NMP)中,待二胺单体完全溶解后,再将两种二酸酐单体16.1克的3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐(BTDA)与12.4克的双环[2.2.2]辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐(B1317)加入,直至二酸酐单体完全溶解后,继续搅拌1小时,形成粘稠状的聚酰亚胺(PI)溶液,然后加热至220℃反应3小时,在这反应过程中可同时用除水装置将水排除,反应后可得到聚酰亚胺(PI)溶液。
称取此聚酰亚胺溶液11.1克,以及实施例4的感光型聚酰亚胺粉末1.9克,混合均匀后,可得到实施例5的感光型聚酰亚胺溶液,以同前述实施例1至4的方式分析实施例5的感光型聚酰亚胺,可计算出实施例5的感光型聚酰亚胺的不饱和双键的接枝率约为55mol%。
【比较例1】
在室温下使用三口瓶并通以氮气,将两种二胺单体17.3克的3,3'-二羟基-4,4'-二胺基联苯(HAB)与8.2克的2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷(BAPP),以及0.3克的催化剂异喹啉(isoquinoline)溶入320克的溶剂N-甲基吡咯烷酮(NMP)中,待二胺单体完全溶解后,再将两种二酸酐单体16.1克的3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐(BTDA)与14.7克的3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐(BPDA)加入,直至二酸酐单体完全溶解后,继续搅拌1小时,形成粘稠状的聚酰胺(PI)溶液,然后加热至220℃反应3小时,在这反应过程中可同时用除水装置将水排除。
反应后待聚酰胺(PI)溶液降至室温,加入8.1克的三乙胺(TEA)于室温下搅拌30分钟,于冰浴下慢慢滴入7.3克的压克力单体丙烯酰氯(AC),之后于室温下反应8小时,反应结束后过滤,以乙醇再沉淀,干燥后得到感光型聚酰亚胺,以核磁共振仪(NMR)分析比较例1的感光型聚酰亚胺,测得其不饱和双键的接枝率约为10mol%。
【比较例2】
在室温下使用三口瓶并通以氮气,将一种二胺单体41克的2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷(BAPP)以及0.3克的催化剂异喹啉(isoquinoline)溶入394克的溶剂N-甲基吡咯烷酮(NMP)中,待二胺单体完全溶解后,再将两种二酸酐单体16.1克的3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐(BTDA)与12.4克的双环[2.2.2]辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐(B1317)加入,直至二酸酐单体完全溶解后,继续搅拌1小时,形成粘稠状的聚酰胺(PI)溶液,然后加热至220℃反应3小时,在这反应过程中可同时用除水装置将水排除。
反应后待聚酰胺(PI)溶液降至室温,以乙醇再沉淀,干燥后得到比较例2的聚酰亚胺,其不饱和双键接枝率为0mol%。
【以各实施例与各比较例的聚酰亚胺配制成的负型光致抗蚀剂组合物及其显影结果】
将实施例1至4制成的感光型聚酰亚胺取2克、比较例1至2制成的聚酰亚胺取2克、实施例5制成的感光型聚酰亚胺取13克,分别溶于10克的溶剂N-甲基吡咯烷酮(NMP)中,再加入0.3克的光起始剂及2克的光交联剂三乙二醇二丙烯酸酯(tri(ethylene glycol)diacrylate),搅拌均匀后配制成各种负型光致抗蚀剂组合物,利用旋转涂布方式涂布于玻璃上,其形成的厚度约为15μm,曝光后再以PH值11的氢氧化钠(NaOH)水溶液进行显影,其结果如下表1所列:
表1.各实施例与比较例的聚酰亚胺的组成及其显影结果
由表1的结果可得知,以实施例1至5的感光型聚酰亚胺所配制的光致抗蚀剂在进行曝光显影后可得到线宽约为100μm的图案,如调配较佳的光起始剂、交联剂、光增感剂,可得到更细(约10μm)的线宽,而以比较例1至2的聚酰亚胺所配制成的光致抗蚀剂在进行曝光显影后则无法显影出图案,这表示利用本发明的感光型聚酰亚胺所配制的光致抗蚀剂具有较佳的曝光显影效果。
此外,实施例4的感光型聚酰亚胺可达到约93mol%的不饱和双键接枝率,这表示本发明的感光型聚酰亚胺的结构设计可以接上较多摩尔比例的含有不饱和双键的官能基,其有利于提升感光型聚酰亚胺的光敏性。
另外,实施例5的感光型聚酰亚胺系利用不饱和双键接枝率约93mol%的实施例4的感光型聚酰亚胺与不含有不饱和双键官能基(接枝率0mol%)的非感光型聚酰亚胺混合,调配出不饱和双键接枝率约55mol%的感光型聚酰亚胺。通过使这两种不饱和双键接枝率不同的聚酰亚胺的添加比例不同,可调配出各种不饱和双键接枝率的感光型聚酰亚胺,因此依据本发明,可以仅利用一种不饱和双键接枝率的感光型聚酰亚胺与不饱和双键接枝率为0mol%的其他非感光型聚酰亚胺混合,或者利用一种以上的不同不饱和双键接枝率的感光型聚酰亚胺进行混合,就能调配出所需的各种不饱和双键接枝率的感光型聚酰亚胺,其中不饱和双键接枝率范围为30mol%~80mol%的感光型聚酰亚胺所配制成的光致抗蚀剂可达到较佳的显影效果。
虽然本发明已披露优选实施例如上,然其并非用以限定本发明,任何本发明所属技术领域中的技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,应可作任意更改与润饰。因此,本发明的保护范围应以所附权利要求书限定的范围为准。

Claims (17)

1.一种感光型聚酰亚胺,如式(I)所示:
Figure FDA00002674142700011
其中X1和X3为相同或不相同的具有四个共价键的有机官能基团;
X2和X4为相同或不相同的具有双共价键的有机官能基团,且其中X2
Figure FDA00002674142700012
以及的组合;或是
以及的组合;
其中Y1选自下列官能基之一:
-O-、-CO-、-S-、-SO2-、-CH2-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2-、-(CH2)n1-、-O(CH2)n2O-、-COO(CH2)n3OCO-、
其中n1、n2、n3为1至10的整数;
其中R1为OH或COOH;
R2选自下列官能基之一:
Figure FDA00002674142700017
Figure FDA00002674142700018
以及
其中R为H或CH3,p为1至20的整数,q为1至20的整数;且
式(I)中的m和n为重复单元的数目,其中m为10至1000的整数,n为10至1000的整数。
2.如权利要求1所述的感光型聚酰亚胺,其中X1和X3分别选自下列官能基之一:
Figure FDA00002674142700021
3.如权利要求1所述的感光型聚酰亚胺,其中X4与X2不相同,且X4选自下列官能基之一:
Figure FDA00002674142700022
其中Y1和Y2为相同或不相同的双共价键的有机官能基团,且Y1和Y2分别选自下列官能基之一:
-O-、-CO-、-S-、-SO2-、-CH2-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2-、-(CH2)n1-、-O(CH2)n2O-、-COO(CH2)n3OCO-、
Figure FDA00002674142700023
其中n1、n2、n3为1至10的整数;R3为H、甲基、乙基或苯基,且其中r、s、t为1至30的整数。
4.如权利要求3所述的感光型聚酰亚胺,其中以式(I)中的全部重复单元的摩尔数为基准,含有X2的重复单元所占的摩尔比为20mol%至85mol%,且含有X4的重复单元所占的摩尔比为15mol%至80mol%。
5.如权利要求1所述的感光型聚酰亚胺,其中以式(I)中的全部重复单元的摩尔数为基准,含有
Figure FDA00002674142700031
的重复单元所占的摩尔比为5mol%至85mol%,且含有
Figure FDA00002674142700032
Figure FDA00002674142700033
或是含有
Figure FDA00002674142700034
的重复单元所占的摩尔比为15mol%至95mol%。
6.一种负型光致抗蚀剂组合物,包括:
100重量份的感光型聚酰亚胺;
20至150重量份的光交联剂;以及
0.01至20重量份的光起始剂,
其中该感光型聚酰亚胺至少包含如式(I)所示的感光型聚酰亚胺:
Figure FDA00002674142700035
其中X1和X3为相同或不相同的具有四个共价键的有机官能基团;
X2和X4为相同或不相同的具有双共价键的有机官能基团,且其中X2
以及
Figure FDA00002674142700037
的组合;或是
Figure FDA00002674142700038
以及
Figure FDA00002674142700039
的组合;
其中Y1选自下列官能基之一:
-O-、-CO-、-S-、-SO2-、-CH2-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2-、-(CH2)n1-、-O(CH2)n2O-、-COO(CH2)n3OCO-、
Figure FDA000026741427000310
其中n1、n2、n3为1至10的整数;
其中R1为OH或COOH;
R2选自下列官能基之一:
Figure FDA00002674142700041
Figure FDA00002674142700042
以及
Figure FDA00002674142700043
其中R为H或CH3,p为1至20的整数,q为1至20的整数;且
式(I)中的m和n为重复单元的数目,其中m为10至1000的整数,n为10至1000的整数。
7.如权利要求6所述的负型光致抗蚀剂组合物,其中式(I)所示的该感光型聚酰亚胺中的X1和X3分别选自下列官能基之一:
Figure FDA00002674142700044
8.如权利要求6所述的负型光致抗蚀剂组合物,其中式(I)所示的该感光型聚酰亚胺中的X4与X2不相同,且X4选自下列官能基之一:
其中Y1和Y2为相同或不相同的双共价键的有机官能基团,且Y1和Y2分别选自下列官能基之一:
-O-、-CO-、-S-、-SO2-、-CH2-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2-、-(CH2)n1-、-O(CH2)n2O-、-COO(CH2)n3OCO-、
Figure FDA00002674142700051
其中n1、n2、n3为1至10的整数;R3为H、甲基、乙基或苯基,且其中r、s、t为1至30的整数。
9.如权利要求8所述的负型光致抗蚀剂组合物,其中以式(I)所示的该感光型聚酰亚胺的全部重复单元的摩尔数为基准,含有X2的重复单元所占的摩尔比为20mol%至85mol%,且含有X4的重复单元所占的摩尔比为15mol%至80mol%。
10.如权利要求6所述的负型光致抗蚀剂组合物,其中以式(I)所示的该感光型聚酰亚胺的全部重复单元的摩尔数为基准,含有
Figure FDA00002674142700052
Figure FDA00002674142700053
的重复单元所占的摩尔比为5mol%至85mol%,且含有
Figure FDA00002674142700054
或是含有
Figure FDA00002674142700055
Figure FDA00002674142700056
的重复单元所占的摩尔比为15mol%至95mol%。
11.如权利要求6所述的负型光致抗蚀剂组合物,其中该感光型聚酰亚胺为一混合物,该混合物包含一非感光型聚酰亚胺以及式(I)所示的该感光型聚酰亚胺。
12.如权利要求11所述的负型光致抗蚀剂组合物,其中以该非感光型聚酰亚胺以及式(I)所示的该感光型聚酰亚胺的全部重复单元的摩尔数为基准,含有R2官能基的重复单元所占的摩尔比为30mol%至80mol%。
13.如权利要求6所述的负型光致抗蚀剂组合物,其中该感光型聚酰亚胺为混合物,该混合物包含两种或两种以上式(I)所示的感光型聚酰亚胺,且该感光型聚酰亚胺分别含有不同的R2官能基的重复单元所占的摩尔比。
14.如权利要求13所述的负型光致抗蚀剂组合物,其中以该感光型聚酰亚胺的全部重复单元的摩尔数为基准,含有R2官能基的重复单元所占的摩尔比为30mol%至80mol%。
15.如权利要求6所述的负型光致抗蚀剂组合物,其中该光交联剂的结构为单一分子具有两个或两个以上的不饱和双键。
16.如权利要求6所述的负型光致抗蚀剂组合物,其中该光起始剂吸收波长范围为200nm至500nm的光而产生自由基。
17.如权利要求6所述的负型光致抗蚀剂组合物,还包括额外的添加剂,且该额外的添加剂包括光起始催化剂、消泡剂、抗氧化剂、耐燃剂、平坦剂、接着增进剂或前述的组合。
CN201210592002.5A 2012-12-26 2012-12-28 感光型聚酰亚胺及负型光致抗蚀剂组合物 Pending CN103897185A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW101150036 2012-12-26
TW101150036A TWI471360B (zh) 2012-12-26 2012-12-26 感光型聚亞醯胺及負型光阻組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103897185A true CN103897185A (zh) 2014-07-02

Family

ID=50975025

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210592002.5A Pending CN103897185A (zh) 2012-12-26 2012-12-28 感光型聚酰亚胺及负型光致抗蚀剂组合物

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20140178823A1 (zh)
CN (1) CN103897185A (zh)
TW (1) TWI471360B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105762119A (zh) * 2014-12-18 2016-07-13 碁達科技股份有限公司 半导体封装用化合物、感光树脂组成物及半导体封装结构
JP2018045230A (ja) * 2016-09-13 2018-03-22 東京応化工業株式会社 感光性樹脂組成物、ポリアミド樹脂、ポリアミド樹脂の製造方法、化合物、化合物の製造方法、硬化膜の製造方法、及び硬化膜
CN108137924A (zh) * 2015-09-30 2018-06-08 日产化学工业株式会社 树脂薄膜形成用组合物
CN117555204A (zh) * 2024-01-11 2024-02-13 明士(北京)新材料开发有限公司 一种适用于柔性电路板的负型光敏聚酰亚胺胶液和胶膜

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6584815B2 (ja) * 2015-04-17 2019-10-02 旭化成株式会社 感光性樹脂組成物、感光性フィルム積層体、フレキシブルプリント配線板及びその製造方法
WO2017023677A1 (en) 2015-08-03 2017-02-09 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Cleaning composition
JP6984322B2 (ja) * 2017-11-01 2021-12-17 東レ株式会社 光重合性モノマー、それを用いた感光性樹脂組成物および感光性樹脂組成物の硬化膜
WO2021020463A1 (ja) * 2019-07-29 2021-02-04 旭化成株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物、ポリイミドの製造方法、硬化レリーフパターンの製造方法、及び半導体装置
WO2024091025A1 (ko) * 2022-10-28 2024-05-02 주식회사 엘지화학 폴리이미드 수지, 이를 포함하는 네거티브형 감광성 수지 조성물 및 전자 소자

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6001534A (en) * 1997-03-31 1999-12-14 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photosensitive resin composition
CN1850881A (zh) * 2006-05-23 2006-10-25 电子科技大学 一种光敏聚酰亚胺及其制备方法
US20070083016A1 (en) * 2005-10-12 2007-04-12 E. I. Dupont De Nemours And Company Photosensitive polyimide compositions
CN101675386A (zh) * 2007-08-20 2010-03-17 Lg化学株式会社 碱可显影的光敏树脂组合物及由其制备的干膜
CN102317862A (zh) * 2009-08-28 2012-01-11 株式会社Lg化学 可低温固化的光敏树脂组合物和用该组合物制备的干膜

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5399460A (en) * 1991-12-04 1995-03-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Negative photoresists containing aminoacrylate salts
DE10137376A1 (de) * 2001-07-31 2003-02-27 Infineon Technologies Ag Geklebte Chip- und Waferstapel
JP2006342310A (ja) * 2005-06-10 2006-12-21 Kaneka Corp 新規ポリイミド前駆体およびその利用
CN101423606B (zh) * 2007-10-31 2012-05-02 比亚迪股份有限公司 一种负性光敏聚酰亚胺材料及其制备方法
TWI384013B (zh) * 2008-10-08 2013-02-01 Eternal Chemical Co Ltd 感光型聚醯亞胺
KR101249686B1 (ko) * 2009-07-16 2013-04-05 주식회사 엘지화학 폴리이미드 및 이를 포함하는 감광성 수지 조성물
TWI534529B (zh) * 2010-03-01 2016-05-21 長興材料工業股份有限公司 感光性樹脂組合物及其應用

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6001534A (en) * 1997-03-31 1999-12-14 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photosensitive resin composition
US20070083016A1 (en) * 2005-10-12 2007-04-12 E. I. Dupont De Nemours And Company Photosensitive polyimide compositions
CN1850881A (zh) * 2006-05-23 2006-10-25 电子科技大学 一种光敏聚酰亚胺及其制备方法
CN101675386A (zh) * 2007-08-20 2010-03-17 Lg化学株式会社 碱可显影的光敏树脂组合物及由其制备的干膜
CN102317862A (zh) * 2009-08-28 2012-01-11 株式会社Lg化学 可低温固化的光敏树脂组合物和用该组合物制备的干膜

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105762119A (zh) * 2014-12-18 2016-07-13 碁達科技股份有限公司 半导体封装用化合物、感光树脂组成物及半导体封装结构
CN108137924A (zh) * 2015-09-30 2018-06-08 日产化学工业株式会社 树脂薄膜形成用组合物
CN108137924B (zh) * 2015-09-30 2021-08-13 日产化学工业株式会社 树脂薄膜形成用组合物
JP2018045230A (ja) * 2016-09-13 2018-03-22 東京応化工業株式会社 感光性樹脂組成物、ポリアミド樹脂、ポリアミド樹脂の製造方法、化合物、化合物の製造方法、硬化膜の製造方法、及び硬化膜
CN117555204A (zh) * 2024-01-11 2024-02-13 明士(北京)新材料开发有限公司 一种适用于柔性电路板的负型光敏聚酰亚胺胶液和胶膜
CN117555204B (zh) * 2024-01-11 2024-04-26 明士(北京)新材料开发有限公司 一种适用于柔性电路板的负型光敏聚酰亚胺胶液和胶膜

Also Published As

Publication number Publication date
TW201425390A (zh) 2014-07-01
US20140178823A1 (en) 2014-06-26
TWI471360B (zh) 2015-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103897185A (zh) 感光型聚酰亚胺及负型光致抗蚀剂组合物
TWI382041B (zh) 聚醯亞胺之前驅物組合物及其應用
KR101588364B1 (ko) 폴리히드록시이미드의 제조방법 및 그 제조방법으로부터 얻어진 폴리히드록시이미드를 함유하는 포지티브형 감광성 수지 조성물
JP2017106026A (ja) 透明フレキシブル基板のための芳香族ポリアミドフィルム
TWI637980B (zh) 聚醯亞胺前驅物及其應用
JP6637480B2 (ja) ポリイミド前駆体組成物及びその使用
CN108779331A (zh) 树脂组合物、其固化浮凸图案、及使用其的半导体电子部件或半导体器件的制造方法
KR102234302B1 (ko) 폴리(이미드-에스테르-아미드) 공중합체 및 광학 필름
CN114315686A (zh) 含炔基的二胺及其制备方法和在制备感光树脂组合物中的应用
TWI772616B (zh) 新穎化合物、含有該化合物之光聚合起始劑及含有該光聚合起始劑的感光性樹脂組成物
TW201819463A (zh) 感光性樹脂組合物、聚醯胺樹脂、聚醯胺樹脂之製造方法、化合物、化合物之製造方法、硬化膜之製造方法、及硬化膜
CN1272365C (zh) 一种水基显影光敏聚酰亚胺材料的制备方法
TWI648314B (zh) 聚亞醯胺系嵌段共聚物與包含其之聚亞醯胺系膜
CN104641291A (zh) 正型感光性树脂组合物
CN117209528B (zh) 一种含卟啉结构化合物和负型感光性树脂组合物及其制备方法和应用
KR102472822B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 폴리아미드 수지, 폴리아미드 수지의 제조 방법, 화합물, 화합물의 제조 방법, 경화막의 제조 방법 및 경화막
CN113396176B (zh) 聚酰胺-酰亚胺嵌段共聚物、其制备方法和包含其的聚酰胺-酰亚胺膜
KR101144975B1 (ko) 이온교환기를 가지는 공중합체로 제조된 이온교환막
TWI728617B (zh) 離子交換樹脂、其製備方法以及其所形成的膜材
CN111423582B (zh) 正性光刻胶用聚酰亚胺树脂及其制备方法
JP2017202987A (ja) (メタ)アクリルイミド化合物およびそれを用いたインク
JP2017202988A (ja) (メタ)アクリルイミド化合物およびそれを用いたインク
TW201620990A (zh) 改質聚合物及包含其之組合物
JP2006299021A (ja) ポリベンゾオキサゾール前駆体とその製造方法,及びポリベンゾオキサゾール
JP4494609B2 (ja) ポリイミド、その製造方法および硬化性樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140702