CN103869610A - 一种铬板制造工艺中残余点的处理方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种铬板制造工艺中残余点的处理方法，其包括的步骤：一是基片清洗；二是溅射镀膜；三是一次光刻，在玻璃基片表面均匀地涂覆一层正型感光材料，通过掩膜曝光将图形复制到铬膜层上面；四是二次光刻，在复制有图形的铬膜层上再次涂覆正型感光材料，通过对准掩膜版上预先设计的标记对准进行二次曝光，将第二张掩膜图形复制到铬膜层上，然后对其整板进行蚀刻，藉此二次光刻去除第一次光刻留下的残余点，藉由前述结构或其构造的结合，实现了该处理方法，从而达成了可在较低的环境洁净度下彻底清除阳区中的小岛缺陷，且可批量生产以及保证品质的良好效果。

Description

一种铬板制造工艺中残余点的处理方法

技术领域

本发明涉及铬板制造工艺，尤指铬板制造工艺中残余点的处理方法。

背景技术

在铬板制造过程中，常出现浮胶、钻蚀、毛刺、针孔、残余点（铬残留）等缺陷。尤其是残余点，它的形状不规则，很像岛屿，尺寸一般比针孔大，俗称“小岛”，至今仍然是业界在批量生产中的一道难题。然而，光学零器件对产品外观要求非常高，为了改善生产过程中造成的不良，通常的做法是：

一、提高光刻加工过程中所有环节的洁净度；

二、利用显微镜全检，对不良处进行人为修复。

上述第一种作法，需要采用FFU(风机过滤系统)和严格的洁净控制体系，这种作法所产生的成本高；然而，第二种作法，工作量大且人工长时间使用显微镜，容易造成视觉疲劳和疏漏，批量生产成本高。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明的主要目的在于提供一种铬板制造工艺中残余点的处理方法，具体在于通过二次光刻方式去除阳区中的微细残余点，该方式是通过镀膜、光刻等工序，在符合所需的材质玻璃基板上制作图形，使用第二块与第一次掩膜图形大致相当的掩膜版进行二次光刻，去除一次光刻留下的残余点。

为达成上述目的，本发明应用的技术方案是：一种铬板制造工艺中残余点的处理方法，包括的步骤是：基片清洗，将玻璃基片表面清洗干净；溅射镀膜，在玻璃基片表面镀上一层不透光的铬膜层及氧化铬抗反射涂层；一次光刻，在玻璃基片表面均匀地涂覆一层正型感光材料，通过掩膜曝光将图形复制到铬膜层上面，以及二次光刻，在复制有图形的铬膜层上再次涂覆正型感光材料，通过对准掩膜版上预先设计的标记对准进行二次曝光，将第二张掩膜图形复制到铬膜层上，然后对其整板进行蚀刻，藉此二次光刻去除第一次光刻留下的残余点。

在本实施例中优选，所述的基片清洗为采用超声波清洗。

在本实施例中优选，所述的溅射镀膜采用的是磁控溅射方式。

在本实施例中优选，所述的铬膜层为工作层，其镀在玻璃基片表面的厚度约为100nm。

在本实施例中优选，所述的氧化铬抗反射涂层约为20nm。

在本实施例中优选，所述的正型感光材料的涂覆厚度约为1um。

在本实施例中优选，所述的第二掩膜与第一掩膜图形相当。

在本实施例中优选，所述的曝光为采用紫外线曝光方式。

本发明与现有技术相比，其有益的效果是：可在较低的环境洁净度下彻底清除阳区中的小岛缺陷，且处理完后，勿需逐个检查亦可保证品质。

附图说明

图1是铬板及其镀膜层结构示意图。

图2是铬板制成中呈现残余点的放大结构示意图。

图3是铬板制成中呈现难以去除区域残余点的平面结构示意图。

图4是本实施例之工艺流程方框结构示意图。

图5是本实施例之一次光刻掩膜图形的平面结构示意图。

图6是本实施例之二次光刻掩膜图形的平面结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步的说明。

请参阅图1并结合参阅图2至图6所示，铬板通常由玻璃衬底1，再镀上一层铬膜层2，然后加一层减反射的氧化铬膜层3组成。然而，在通过光刻加工光学零器件时，利用图4中掩膜设计图，对镀好膜的基板进行一次光刻成型，即制成带有产品图形的基板，然后将此块带有铬膜图形的基板进行清洗、检验。在光刻过程中通常因为感光材料、掩膜版或曝光环境等诸多环节，受到灰尘或者异物的影响而导致一次光刻完成后，如呈现在图2中的铬框内侧形成数量不等、形状不同、大小各异的残余点10。

请参阅图4并结合参阅图5和图6所示，为了解决这一技术问题，经过研究和实验，本发明人提供了一种铬板制造工艺中残余点的处理方法，是将一次光刻完成后的基板表面再次均匀的涂覆一层约1um厚度的正型感光材料，然后按照预先设计掩膜图形选择需要被保护的区域（如图5），其所需要达到的目的是将图6中的“十”标记对准图5中的“十”标记，使之达到重合后，一次掩膜中保留下来的图形区域能再次得到感光材料的保护，而产品图形中间的空白区域不需要得到保护。如此再对其进行蚀刻加工，空白区域的小岛即可被去除。值得说明的是：由于对准曝光存在一定的误差，我们假设这个误差为n，为了完全能保护一次掩膜中的图形区域，二次掩膜的图形设计时，需比一次掩膜的图形至少大n，参照图6的线宽尺寸标注，这样的话距离铬框内侧n值范围以内如果存在小岛是不能被去除的，如图4中外框与内框之间的区域, 而n的大小取决于光刻机的对准精度，故光刻机对准精度越高越好。

综合以上所述，此种采用带有图5中掩膜图形的掩膜进行二次对准光刻，即可不用手工的方式对铬板所有的有需要保护起来的区域都进行保护，然后再进行一次蚀刻，即可将图形中空白区域的小岛全部去除。

综上所述，仅为本发明之较佳实施例，不以此限定本发明的保护范围，凡依本发明专利范围及说明书内容所作的等效变化与修饰，皆为本发明专利涵盖的范围之内。

Claims (8)

1.一种铬板制造工艺中残余点的处理方法，其特征在于：该方法包括：

步骤一，基片清洗：将玻璃基片表面清洗干净；

步骤二，溅射镀膜：在玻璃基片表面镀上一层不透光的铬膜层及氧化铬抗反射涂层；

步骤三，一次光刻：在玻璃基片表面均匀地涂覆一层正型感光材料，通过掩膜曝光，将图形复制到铬膜层上面；

步骤四，二次光刻：承接步骤三，在复制有图形的铬膜层上再次涂覆正型感光材料，通过对准掩膜版上预先设计的标记对准进行二次曝光，将第二张掩膜图形复制到铬膜层上，然后对其整板进行蚀刻，藉此二次光刻去除第一次光刻留下的残余点。

2.如权利要求1所述的铬板制造工艺中残余点的处理方法，其特征在于：所述的基片清洗为采用超声波清洗。

3.如权利要求2所述的铬板制造工艺中残余点的处理方法，其特征在于：所述的溅射镀膜采用的是磁控溅射方式。

4.如权利要求3所述的铬板制造工艺中残余点的处理方法，其特征在于：所述的铬膜层为工作层，其镀在玻璃基片表面的厚度约为100nm。

5.如权利要求4所述的铬板制造工艺中残余点的处理方法，其特征在于：所述的氧化铬抗反射涂层约为20nm。

6.如权利要求5所述的铬板制造工艺中残余点的处理方法，其特征在于：所述的正型感光材料的涂覆厚度约为1um。

7.如权利要求6所述的铬板制造工艺中残余点的处理方法，其特征在于：所述的第二掩膜与第一掩膜图形相当。

8.如权利要求7所述的铬板制造工艺中残余点的处理方法，其特征在于：所述的曝光为采用紫外线曝光方式。

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