CN112230511A - 光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法 - Google Patents

光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法 Download PDF

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刘向南
刘小虎
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Abstract

本发明公开了一种光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，包括步骤：步骤一、采用显微镜在光罩的防护薄膜表面上找到污染颗粒。步骤二、将真空吸管和污染颗粒接触。步骤三、开启真空将所接触的污染颗粒去除，防止在去除过程中污染颗粒在防护薄膜表面产生移动并实现对污染颗粒的有效去除。本发明能提高光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除效果，且能防止产生污染颗粒物的印记残留和防止光罩二次污染。

Description

光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法
技术领域
本发明涉及一种半导体集成电路的制造方法，特别涉及一种光罩(mask)防护薄膜(pellicle)表面上的污染颗粒(particle)去除方法。
背景技术
光罩又称光掩膜版、掩膜版，是由石英玻璃作为衬底，在其上面镀上一层金属铬(Cr)和感光胶，成为一种感光材料，把已设计好的电路图通过电子激光设备曝光在感光胶上，被曝光的区域会被显影出来，在金属铬上形成电路图形，成为类似曝光后的底片的光掩膜版，然后应用于对集成电路进行投影定位，通过集成电路光刻机对所投影的电路进行光刻蚀。
在半导体制造中，经常会遇到光罩表面被超出规格的颗粒物污染的情况，需要及时处理才可使生产正常进行，目前业界普遍使用吹风机构去除光罩表面的颗粒污染物。现有技术中的吹风机构在工作状态时，气枪位于光罩的上方进行吹扫，以去除光罩表面颗粒物污染，这种吹风机构具有以下缺陷：(1)光罩在机构内所处环境即为工厂内大环境，环境本身存在大量超规格污染物，光罩有被再次污染的风险；(2)目前去除光罩pellicle面的particle时，为避免因吹扫气压太大，造成pellicle损伤，都会控制吹扫压力，导致吹扫效果不佳。(3)由于光罩处于气枪下方，气流吹向光罩，污染颗粒去除效果不佳，且污染颗粒会在光罩表面留下擦痕或印记，可导致光罩二次污染，更难去除。此种情况只能送回厂家进行清洗修复，期间生产无法进行，工厂损失巨大。
随着半导体产业的快速发展，光罩表面的污染颗粒如果不能被有效快速去除，将会影响半导体行业以及相关产业的生产效率和产值。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，能提高光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除效果，且能防止产生污染颗粒物的印记残留和防止光罩二次污染。
为解决上述技术问题，本发明提供的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法包括如下步骤：
步骤一、采用显微镜在光罩的防护薄膜表面上找到污染颗粒。
步骤二、将真空吸管和污染颗粒接触。
步骤三、开启真空将所接触的所述污染颗粒去除，防止在去除过程中所述污染颗粒在所述防护薄膜表面产生移动并实现对所述污染颗粒的有效去除。
进一步的改进时，所述显微镜为光学显微镜。
进一步的改进时，根据所述污染颗粒大小选择所述显微镜的镜头倍数，保证能对所述污染颗粒进行观察和精确定位。
进一步的改进时，所述光罩上包括图形层。
进一步的改进时，所述图形层由金属铬光刻刻蚀后形成。
进一步的改进时，所述图形层形成在由石英玻璃组成的衬底上。
进一步的改进时，所述防护薄膜设置在所述图形层的顶部，所述防护薄膜和所述图形层的顶部表面之间具有间距。
进一步的改进时，所述防护薄膜为透明薄膜。
进一步的改进时，步骤一至步骤三在集成电路制造工厂的无尘室环境中进行。
进一步的改进时，步骤一至步骤三在集成电路制造工厂的无尘室环境中设置的洁净等级更高的无尘区域内进行。
进一步的改进时，步骤一中对找到所述污染颗粒进行自动放大和定位。
进一步的改进时，步骤二中采用手动或自动方式实现所述真空吸管和所述污染颗粒的接触。
进一步的改进时，步骤三中，采用手动或自动方式实现真空开启。
进一步的改进时，步骤三中开启真空后需要移走所述真空吸管，之后关闭真空，之后在进行下一个所述污染颗粒的去除。
进一步的改进时，步骤一至步骤三中，所述光罩放置在设置了静电消除器的光罩推车上。
和现有技术中采用吹风机构吹扫去除光罩防护薄膜表面上的污染颗粒不同，本发明采用定点接触加真空吸除的方法去除光罩防护薄膜表面上的污染颗粒，能提高光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除效果，且能防止产生污染颗粒物的印记残留和防止光罩二次污染。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是本发明实施例光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法的流程图；
图2是本发明实施例方法中设备示意图；
图3是本发明实施例方法中的污染颗粒的观察照片。
具体实施方式
如图1所示，是本发明实施例光罩防护薄膜1表面上的污染颗粒3去除方法的流程图；如图2所示，是本发明实施例方法中设备示意图；如图3所示，是本发明实施例方法中的污染颗粒3的观察照片；本发明实施例光罩防护薄膜1表面上的污染颗粒3去除方法包括如下步骤：
步骤一、采用显微镜2在光罩的防护薄膜1表面上找到污染颗粒3。
图2中显示了所述显微镜2的一个高倍镜头。图3中显示了在所述显微镜2下观察到的所述污染颗粒3的照片。
所述显微镜2为光学显微镜2。
本发明实施例中，根据所述污染颗粒3大小选择所述显微镜2的镜头倍数，保证能对所述污染颗粒3进行观察和精确定位。较佳为，对找到所述污染颗粒3进行自动放大和定位。
所述光罩上包括图形层。所述图形层由金属铬光刻刻蚀后形成。所述图形层形成在由石英玻璃组成的衬底上。所述防护薄膜1设置在所述图形层的顶部，所述防护薄膜1和所述图形层的顶部表面之间具有间距。所述防护薄膜1为透明薄膜。
步骤二、将真空吸管4和污染颗粒3接触。
本发明实施例中，采用手动实现所述真空吸管4和所述污染颗粒3的接触。也能为：采用自动方式实现所述真空吸管4和所述污染颗粒3的接触。
步骤三、开启真空将所接触的所述污染颗粒3去除，防止在去除过程中所述污染颗粒3在所述防护薄膜1表面产生移动并实现对所述污染颗粒3的有效去除。
本发明实施例中，采用手动实现真空开启。也能为：采用自动方式实现真空开启。
步骤三中开启真空后需要移走所述真空吸管4，之后关闭真空，之后在进行下一个所述污染颗粒3的去除。
步骤一至步骤三在集成电路制造工厂的无尘室环境中进行。更优选择为，步骤一至步骤三在集成电路制造工厂的无尘室环境中设置的洁净等级更高的无尘区域内进行，这样能够根据需要设置所需要的结净等级，但是需要额外设置无尘区域。
步骤一至步骤三中，所述光罩放置在设置了静电消除器的光罩推车上。
和现有技术中采用吹风机构吹扫去除光罩防护薄膜1表面上的污染颗粒3不同，本发明实施例采用定点接触加真空吸除的方法去除光罩防护薄膜1表面上的污染颗粒3，能提高光罩防护薄膜1表面上的污染颗粒3去除效果，且能防止产生污染颗粒3物的印记残留和防止光罩二次污染。
以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

Claims (15)

1.一种光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、采用显微镜在光罩的防护薄膜表面上找到污染颗粒；
步骤二、将真空吸管和污染颗粒接触；
步骤三、开启真空将所接触的所述污染颗粒去除，防止在去除过程中所述污染颗粒在所述防护薄膜表面产生移动并实现对所述污染颗粒的有效去除。
2.如权利要求1所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：所述显微镜为光学显微镜。
3.如权利要求2所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：根据所述污染颗粒大小选择所述显微镜的镜头倍数，保证能对所述污染颗粒进行观察和精确定位。
4.如权利要求1所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：所述光罩上包括图形层。
5.如权利要求4所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：所述图形层由金属铬光刻刻蚀后形成。
6.如权利要求5所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：所述图形层形成在由石英玻璃组成的衬底上。
7.如权利要求6所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：所述防护薄膜设置在所述图形层的顶部，所述防护薄膜和所述图形层的顶部表面之间具有间距。
8.如权利要求7所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：所述防护薄膜为透明薄膜。
9.如权利要求1所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：步骤一至步骤三在集成电路制造工厂的无尘室环境中进行。
10.如权利要求9所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：步骤一至步骤三在集成电路制造工厂的无尘室环境中设置的洁净等级更高的无尘区域内进行。
11.如权利要求1所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：步骤一中对找到所述污染颗粒进行自动放大和定位。
12.如权利要求11所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：步骤二中采用手动或自动方式实现所述真空吸管和所述污染颗粒的接触。
13.如权利要求12所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：步骤三中，采用手动或自动方式实现真空开启。
14.如权利要求1所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：步骤三中开启真空后需要移走所述真空吸管，之后关闭真空，之后在进行下一个所述污染颗粒的去除。
15.如权利要求1所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：步骤一至步骤三中，所述光罩放置在设置了静电消除器的光罩推车上。
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